JPH0537295A - アクテイブ・フイルタ回路 - Google Patents
アクテイブ・フイルタ回路Info
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- JPH0537295A JPH0537295A JP21477391A JP21477391A JPH0537295A JP H0537295 A JPH0537295 A JP H0537295A JP 21477391 A JP21477391 A JP 21477391A JP 21477391 A JP21477391 A JP 21477391A JP H0537295 A JPH0537295 A JP H0537295A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 遮断周波数を無調整で所定の値に正確に設定
できると共に、遮断周波数の温度特性が良好である、Ｉ
Ｃ化に適したアクティブ・フィルタ回路を得る。 【構成】 信号が第１の信号入力端子１または第２の信
号入力端子１８から入力され、信号出力端子１６から出
力される。フィルタの遮断周波数ｆC が電圧制御電流源
１５の伝達コンダクタンスｇm の関数である。ｇmが第１
の制御端子１０と第２の制御端子１２の間に印加される
電位差ＶC により変化する。制御回路３１中の第１のダ
イオード３４のカソードと第２のダイオード３５のカソ
ード間の電位差がＶC となる。制御回路３１により、こ
のアクティブ・フィルタ回路の遮断周波数ｆC は式（２
５）となり、遮断周波数が所定の値に精度よく設定でき
るとともに、温度特性がよくなる。
できると共に、遮断周波数の温度特性が良好である、Ｉ
Ｃ化に適したアクティブ・フィルタ回路を得る。 【構成】 信号が第１の信号入力端子１または第２の信
号入力端子１８から入力され、信号出力端子１６から出
力される。フィルタの遮断周波数ｆC が電圧制御電流源
１５の伝達コンダクタンスｇm の関数である。ｇmが第１
の制御端子１０と第２の制御端子１２の間に印加される
電位差ＶC により変化する。制御回路３１中の第１のダ
イオード３４のカソードと第２のダイオード３５のカソ
ード間の電位差がＶC となる。制御回路３１により、こ
のアクティブ・フィルタ回路の遮断周波数ｆC は式（２
５）となり、遮断周波数が所定の値に精度よく設定でき
るとともに、温度特性がよくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣ化に適するとと
もに、遮断周波数を可変設定できるアクティブ・フィル
タ回路に関するものである。
もに、遮断周波数を可変設定できるアクティブ・フィル
タ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は特開平１−１５１３１２号公報に
開示された従来のアクティブ・フィルタ回路を示す回路
図である。図７において、１は第１の信号入力端子、２
は第１のトランジスタ、３，４は抵抗、５は第２のトラ
ンジスタ、６は定電流源、７は電源と接続された電源端
子、８は第３のトランジスタ、９は第４のトランジス
タ、１０は第１の制御端子、１１，１３は直流電圧源、
１２は第２の制御端子、１４は電流源、１５は電圧制御
電流源、１６は信号出力端子、１７はリアクタンス回路
のコンデンサ、１９はトランジスタ、２０はダイオー
ド、２１は定電流源である。第１の信号入力端子１には
第１のトランジスタ２のベースが接続され、その第１の
トランジスタ２のエミッタは抵抗回路を構成する抵抗３
および抵抗４を介して第２のトランジスタ５のエミッタ
に接続されている。抵抗３と抵抗４との間の接続点は定
電流源６の一端に接続され、その定電流源６の他端は接
地されている。また、第１のトランジスタ２のコレクタ
は電源端子７に接続されている。
開示された従来のアクティブ・フィルタ回路を示す回路
図である。図７において、１は第１の信号入力端子、２
は第１のトランジスタ、３，４は抵抗、５は第２のトラ
ンジスタ、６は定電流源、７は電源と接続された電源端
子、８は第３のトランジスタ、９は第４のトランジス
タ、１０は第１の制御端子、１１，１３は直流電圧源、
１２は第２の制御端子、１４は電流源、１５は電圧制御
電流源、１６は信号出力端子、１７はリアクタンス回路
のコンデンサ、１９はトランジスタ、２０はダイオー
ド、２１は定電流源である。第１の信号入力端子１には
第１のトランジスタ２のベースが接続され、その第１の
トランジスタ２のエミッタは抵抗回路を構成する抵抗３
および抵抗４を介して第２のトランジスタ５のエミッタ
に接続されている。抵抗３と抵抗４との間の接続点は定
電流源６の一端に接続され、その定電流源６の他端は接
地されている。また、第１のトランジスタ２のコレクタ
は電源端子７に接続されている。
【０００３】第２のトランジスタ５のコレクタは第３の
トランジスタ８のエミッタと第４のトランジスタ９のエ
ミッタとの共通接続点に接続され、第３のトランジスタ
８のベースは第１の制御端子１０を介して第１の直流電
圧源１１に、第４のトランジスタ９のベースは第２の制
御端子１２を介して第２の直流電圧源１３にそれぞれ接
続されている。そして、第３のトランジスタ８のコレク
タは電源端子７に接続され、また第４のトランジスタ９
のコレクタ，電流源１４を介して電源端子７に接続され
ている。電圧制御電流源１５は、第１，第２，第３，第
４のトランジスタ２，５，８，９と、抵抗３，４と、定
電流源６と、電源端子７および電流源１４により可変で
きる伝達コンダクタンスとなっている。
トランジスタ８のエミッタと第４のトランジスタ９のエ
ミッタとの共通接続点に接続され、第３のトランジスタ
８のベースは第１の制御端子１０を介して第１の直流電
圧源１１に、第４のトランジスタ９のベースは第２の制
御端子１２を介して第２の直流電圧源１３にそれぞれ接
続されている。そして、第３のトランジスタ８のコレク
タは電源端子７に接続され、また第４のトランジスタ９
のコレクタ，電流源１４を介して電源端子７に接続され
ている。電圧制御電流源１５は、第１，第２，第３，第
４のトランジスタ２，５，８，９と、抵抗３，４と、定
電流源６と、電源端子７および電流源１４により可変で
きる伝達コンダクタンスとなっている。
【０００４】第４のトランジスタ９と電流源１４との接
続点は信号出力端子１６に接続され、この信号出力端子
１６にはリアクタンス回路を構成するコンデンサ１７の
一端が接続され、そのコンデンサ１７の他端には第２の
信号入力端子１８が接続されている。そして、第２の信
号入力端子１８は接地されている。また、信号出力端子
１６にはトランジスタ１９のベースが接続され、このト
ランジスタ１９のエミッタはダイオード２０を介して第
２のトランジスタ５のベースに接続され、トランジスタ
１９のコレクタは電源端子７に接続されている。定電流
源２１は、その一端が第２のトランジスタ５のベースと
ダイオード２０のカソードの共通接続点に接続され、他
端は接地されている。
続点は信号出力端子１６に接続され、この信号出力端子
１６にはリアクタンス回路を構成するコンデンサ１７の
一端が接続され、そのコンデンサ１７の他端には第２の
信号入力端子１８が接続されている。そして、第２の信
号入力端子１８は接地されている。また、信号出力端子
１６にはトランジスタ１９のベースが接続され、このト
ランジスタ１９のエミッタはダイオード２０を介して第
２のトランジスタ５のベースに接続され、トランジスタ
１９のコレクタは電源端子７に接続されている。定電流
源２１は、その一端が第２のトランジスタ５のベースと
ダイオード２０のカソードの共通接続点に接続され、他
端は接地されている。
【０００５】次に動作について説明する。図８は図７の
動作原理を説明するためにその回路を簡略化して示した
等価回路である。図８において、１，１５，１６，１
７，１８は図７と同一部分を示しており、２２は図７に
おけるトランジスタ１９とダイオード２０と定電流源２
１とからなるレベルシフト回路に相当するバッファ増幅
器で、図７の構成ではその電圧利得ＡはＡ＝１となる。
なお、図７の構成では第２の信号入力端子１８は接地さ
れている。
動作原理を説明するためにその回路を簡略化して示した
等価回路である。図８において、１，１５，１６，１
７，１８は図７と同一部分を示しており、２２は図７に
おけるトランジスタ１９とダイオード２０と定電流源２
１とからなるレベルシフト回路に相当するバッファ増幅
器で、図７の構成ではその電圧利得ＡはＡ＝１となる。
なお、図７の構成では第２の信号入力端子１８は接地さ
れている。
【０００６】次に、図７の回路の動作原理を図８の等価
回路を参照して説明する。説明を簡略化するために、図
７の回路における各トランジスタ２，５，８，９，１９
のベース電流は十分小さく無視できるものとする。
回路を参照して説明する。説明を簡略化するために、図
７の回路における各トランジスタ２，５，８，９，１９
のベース電流は十分小さく無視できるものとする。
【０００７】いま、第１の信号入力端子１の入力信号電
圧をＶi1、第２の信号入力端子１８の入力信号電圧をＶ
i2、電圧制御電流源１５の伝達コンダクタンスをｇm 、
電圧制御電流源１５の出力信号電流をｉo 、コンデンサ
１７の容量をＣ、信号出力端子１６の出力信号電圧をＶ
o、その角周波数をωとすると、図８において、
圧をＶi1、第２の信号入力端子１８の入力信号電圧をＶ
i2、電圧制御電流源１５の伝達コンダクタンスをｇm 、
電圧制御電流源１５の出力信号電流をｉo 、コンデンサ
１７の容量をＣ、信号出力端子１６の出力信号電圧をＶ
o、その角周波数をωとすると、図８において、
【０００８】
【数１】
【０００９】
【数２】
【００１０】が成り立つ。式（１），（２）から図８の
回路の出力信号電圧Ｖoを導くと、
回路の出力信号電圧Ｖoを導くと、
【００１１】
【数３】
【００１２】となる。一方、図７において、定電流源６
の電流値を２・Ｉ1 、抵抗３，４の抵抗値を共にＲEと
すると、第２のトランジスタ５のコレクタ電流ｉC2は、
の電流値を２・Ｉ1 、抵抗３，４の抵抗値を共にＲEと
すると、第２のトランジスタ５のコレクタ電流ｉC2は、
【００１３】
【数４】
【００１４】ただし
【００１５】
【数５】
【００１６】となる。また、第３のトランジスタ８のコ
レクタ電流をｉC3、第４のトランジスタ９のコレクタ電
流をｉC4、ｉC2に対するｉC4の比をαとすると、
レクタ電流をｉC3、第４のトランジスタ９のコレクタ電
流をｉC4、ｉC2に対するｉC4の比をαとすると、
【００１７】
【数６】
【００１８】
【数７】
【００１９】となり、図７において、第１の直流電圧源
１１の電圧値をＶC1、第２の直流電圧源１３の電圧値を
ＶC2、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差をＶC（＝ＶC1−ＶC2）とすると、
１１の電圧値をＶC1、第２の直流電圧源１３の電圧値を
ＶC2、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差をＶC（＝ＶC1−ＶC2）とすると、
【００２０】
【数８】
【００２１】となる。したがって、式（４），（６）よ
り
り
【００２２】
【数９】
【００２３】となり、また、式（６）〜（８）より
【００２４】
【数１０】
【００２５】が得られる。そこで、電流源１４が定電流
源であるとして、その電流値をα・Ｉ1とすると、電圧
制御電流源１５の伝達コンダクタンスｇmは、
源であるとして、その電流値をα・Ｉ1とすると、電圧
制御電流源１５の伝達コンダクタンスｇmは、
【００２６】
【数１１】
【００２７】となる。また図７ではＡ＝１，Ｖi2＝０で
あるから、図７の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo／Ｖi1
は、式（３），（１１）より
あるから、図７の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo／Ｖi1
は、式（３），（１１）より
【００２８】
【数１２】
【００２９】
【数１３】
【００３０】となる。式（１３）では、図７の回路の通
過帯域電圧利得Ｇo，遮断周波数ｆCを、
過帯域電圧利得Ｇo，遮断周波数ｆCを、
【００３１】
【数１４】
【００３２】
【数１５】
【００３３】の一次のローパスフィルタ回路で構成して
おり、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差ＶCを変えることにより遮断周波数ｆCを変化さ
せることができることを示している。
おり、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差ＶCを変えることにより遮断周波数ｆCを変化さ
せることができることを示している。
【００３４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図７に示す
回路をＩＣ化する際には、抵抗値ＲE を精度よく形成す
ることが困難であり、抵抗値ＲEのばらつきに対して遮
断周波数ｆCの値を所定の値にするために電圧ＶC＝ＶC1
−ＶC2 の値を調整する必要がある。また、たとえ抵抗
値ＲEのばらつきに対して電圧ＶC1−ＶC2の値を調整し
ても、抵抗値ＲEの温度特性が悪く、かつ、式（１５）
に含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているの
で、遮断周波数ｆC が回路動作温度によって変化すると
いう問題点がある。さらに、回路をＩＣ化せず、抵抗値
ＲE の精度および温度特性が良く、遮断周波数ｆC の式
が式（１５）で表わせる場合であっても、式（１５）に
含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているため、
遮断周波数ｆC が回路動作温度により変化するという問
題点がある。
回路をＩＣ化する際には、抵抗値ＲE を精度よく形成す
ることが困難であり、抵抗値ＲEのばらつきに対して遮
断周波数ｆCの値を所定の値にするために電圧ＶC＝ＶC1
−ＶC2 の値を調整する必要がある。また、たとえ抵抗
値ＲEのばらつきに対して電圧ＶC1−ＶC2の値を調整し
ても、抵抗値ＲEの温度特性が悪く、かつ、式（１５）
に含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているの
で、遮断周波数ｆC が回路動作温度によって変化すると
いう問題点がある。さらに、回路をＩＣ化せず、抵抗値
ＲE の精度および温度特性が良く、遮断周波数ｆC の式
が式（１５）で表わせる場合であっても、式（１５）に
含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているため、
遮断周波数ｆC が回路動作温度により変化するという問
題点がある。
【００３５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、無調整で遮断周波数を所定の
値に正確に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化
に適したアクティブ・フィルタ回路を得ることを目的と
する。
るためになされたもので、無調整で遮断周波数を所定の
値に正確に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化
に適したアクティブ・フィルタ回路を得ることを目的と
する。
【００３６】
【課題を解決するための手段】この第１の発明に係るア
クティブ・フィルタ回路は、図１で示すように、第１お
よび第２制御端子１０，１２と電源（電源端子７）とに
接続された制御手段（制御回路３１）を設け、上記制御
手段は、上記電源と接続された第１のバイアス電圧供給
端子３３と、一端が接地されて設けられた直流電圧源３
９と、この直流電圧源の他端に接続された第３のバイア
ス電圧供給端子３８と、上記第１のバイアス電圧供給端
子と第２のバイアス電圧供給端子３７との間に直列に接
続された抵抗３２，第１のダイオード３４，定電流源３
６と、上記抵抗と上記第３のバイアス供給端子との間に
接続された第２のダイオード３５とを備え、上記第１の
ダイオードと上記定電流源との相互接続点または上記第
３のバイアス電圧供給端子のいずれか一方が上記第１の
制御端子に接続され、他方が上記第２の制御端子に接続
されている。この第２の発明に係るアクティブ・フィル
タ回路は、図２で示すように、第１のバイアス電圧供給
端子３３が接地され、第２のバイアス電圧供給端子３７
が電源端子７に接続されている。この第３の発明に係る
アクティブ・フィルタ回路は、図３で示すように、図１
の上記定電流源の代わりに、第２の抵抗４０を用いた。
この第４の発明に係るアクティブ・フィルタ回路は、図
４で示すように、図１の上記第２のダイオードの代わり
に第５のトランジスタ４１を用い、上記第５のトランジ
スタの制御電極が第３のバイアス電圧供給端子３８およ
び第２の制御端子１２と接続されるとともに、上記第５
のトランジスタの一方の電極が抵抗３２と第１のダイオ
ード（トランジスタ３４）との相互接続点に接続されて
いる。この第５の発明に係るアクティブ・フィルタ回路
は、図５で示すように、図１〜図４の直流電圧源３９
を、少なくとも１個以上の、ダイオードまたはトランジ
スタと、抵抗とで構成した。この第６の発明に係るアク
ティブ・フィルタ回路は、図６で示すように、図１，図
２，図４，図５の定電流源３６を、１個以上のダイオー
ド５１と第３の抵抗５２とで構成した。
クティブ・フィルタ回路は、図１で示すように、第１お
よび第２制御端子１０，１２と電源（電源端子７）とに
接続された制御手段（制御回路３１）を設け、上記制御
手段は、上記電源と接続された第１のバイアス電圧供給
端子３３と、一端が接地されて設けられた直流電圧源３
９と、この直流電圧源の他端に接続された第３のバイア
ス電圧供給端子３８と、上記第１のバイアス電圧供給端
子と第２のバイアス電圧供給端子３７との間に直列に接
続された抵抗３２，第１のダイオード３４，定電流源３
６と、上記抵抗と上記第３のバイアス供給端子との間に
接続された第２のダイオード３５とを備え、上記第１の
ダイオードと上記定電流源との相互接続点または上記第
３のバイアス電圧供給端子のいずれか一方が上記第１の
制御端子に接続され、他方が上記第２の制御端子に接続
されている。この第２の発明に係るアクティブ・フィル
タ回路は、図２で示すように、第１のバイアス電圧供給
端子３３が接地され、第２のバイアス電圧供給端子３７
が電源端子７に接続されている。この第３の発明に係る
アクティブ・フィルタ回路は、図３で示すように、図１
の上記定電流源の代わりに、第２の抵抗４０を用いた。
この第４の発明に係るアクティブ・フィルタ回路は、図
４で示すように、図１の上記第２のダイオードの代わり
に第５のトランジスタ４１を用い、上記第５のトランジ
スタの制御電極が第３のバイアス電圧供給端子３８およ
び第２の制御端子１２と接続されるとともに、上記第５
のトランジスタの一方の電極が抵抗３２と第１のダイオ
ード（トランジスタ３４）との相互接続点に接続されて
いる。この第５の発明に係るアクティブ・フィルタ回路
は、図５で示すように、図１〜図４の直流電圧源３９
を、少なくとも１個以上の、ダイオードまたはトランジ
スタと、抵抗とで構成した。この第６の発明に係るアク
ティブ・フィルタ回路は、図６で示すように、図１，図
２，図４，図５の定電流源３６を、１個以上のダイオー
ド５１と第３の抵抗５２とで構成した。
【００３７】
【作用】この第１の発明におけるアクティブ・フィルタ
回路は、遮断周波数が後述する式（２５）で表される。
この第２の発明におけるアクティブ・フィルタ回路は、
遮断周波数が後述する式（２８）で表される。この第３
の発明におけるアクティブ・フィルタ回路は、遮断周波
数が後述する式（３０）で表される。この第４の発明に
おけるアクティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述
する式（３２）で表される。この第５の発明におけるア
クティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式
（３５）で表される。この第６の発明におけるアクティ
ブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（４３）
で表される。したがって、遮断周波数が所定の値に精度
良く設定できると共に、回路動作温度によって変化しな
いため、温度特性が良好となる。
回路は、遮断周波数が後述する式（２５）で表される。
この第２の発明におけるアクティブ・フィルタ回路は、
遮断周波数が後述する式（２８）で表される。この第３
の発明におけるアクティブ・フィルタ回路は、遮断周波
数が後述する式（３０）で表される。この第４の発明に
おけるアクティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述
する式（３２）で表される。この第５の発明におけるア
クティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式
（３５）で表される。この第６の発明におけるアクティ
ブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（４３）
で表される。したがって、遮断周波数が所定の値に精度
良く設定できると共に、回路動作温度によって変化しな
いため、温度特性が良好となる。
【００３８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの第１の発明の一実施例を示すアクティ
ブ・フィルタ回路の回路図である。図１において、１は
第１の信号入力端子、２は第１のトランジスタ、３，４
は抵抗回路の抵抗、５は第２のトランジスタ、６は定電
流源、７は電源端子、８は第３のトランジスタ、９は第
４のトランジスタ、１０は第１の制御端子、１２は第２
の制御端子、１４は電流源、１６は信号出力端子、１７
はリアクタンス回路（コンデンサ）、１８は第２の信号
入力端子、１９はトランジスタ、２０はダイオード、２
１は定電流源、３１は制御手段としての制御回路、３２
は抵抗、３３は第１のバイアス電圧供給端子、３４は第
１のダイオード、３５は第２のダイオード、３６は定電
流源、３７は第２のバイアス電圧供給端子、３８は第３
のバイアス供給端子、３９は直流電圧源である。ここ
で、１９〜２１は帰還回路となっており、制御回路３１
は、抵抗３２と、第１のダイオード３４と、第２のダイ
オード３５と、定電流源３６と、直流電圧源３９とから
構成されている。なお、このアクティブ・フィルタ回路
では、従来例のアクティブ・フィルタ回路（図７）の直
流電源１１，１３の代わりに制御回路３１が設けられて
おり、同じ機能のものには同符号を付している。また、
この制御回路３１を除く回路の接続関係、構成は同じで
あるので、構成の説明を省略する。抵抗３２の一端は、
第１のバイアス電圧供給端子３３に接続され、この抵抗
３２の他端は第１のダイオード３４のアノードおよび第
２のダイオード３５アノードに接続されている。また、
第１のダイオード３４のカソードは、第１の制御端子１
０に接続されると共に、定電流源３６を介して第２のバ
イアス電圧供給端子３７に接続されている。一方、第２
のダイオード３５のカソードは、第２の制御端子１２に
接続されると共に、第３のバイアス電圧供給端子３８を
介して第３の直流電圧源３９に接続されている。また、
第１のバイアス電圧供給端子３３は電源端子７に接続さ
れ、第２のバイアス電圧供給端子３７は接地されてい
る。
する。図１はこの第１の発明の一実施例を示すアクティ
ブ・フィルタ回路の回路図である。図１において、１は
第１の信号入力端子、２は第１のトランジスタ、３，４
は抵抗回路の抵抗、５は第２のトランジスタ、６は定電
流源、７は電源端子、８は第３のトランジスタ、９は第
４のトランジスタ、１０は第１の制御端子、１２は第２
の制御端子、１４は電流源、１６は信号出力端子、１７
はリアクタンス回路（コンデンサ）、１８は第２の信号
入力端子、１９はトランジスタ、２０はダイオード、２
１は定電流源、３１は制御手段としての制御回路、３２
は抵抗、３３は第１のバイアス電圧供給端子、３４は第
１のダイオード、３５は第２のダイオード、３６は定電
流源、３７は第２のバイアス電圧供給端子、３８は第３
のバイアス供給端子、３９は直流電圧源である。ここ
で、１９〜２１は帰還回路となっており、制御回路３１
は、抵抗３２と、第１のダイオード３４と、第２のダイ
オード３５と、定電流源３６と、直流電圧源３９とから
構成されている。なお、このアクティブ・フィルタ回路
では、従来例のアクティブ・フィルタ回路（図７）の直
流電源１１，１３の代わりに制御回路３１が設けられて
おり、同じ機能のものには同符号を付している。また、
この制御回路３１を除く回路の接続関係、構成は同じで
あるので、構成の説明を省略する。抵抗３２の一端は、
第１のバイアス電圧供給端子３３に接続され、この抵抗
３２の他端は第１のダイオード３４のアノードおよび第
２のダイオード３５アノードに接続されている。また、
第１のダイオード３４のカソードは、第１の制御端子１
０に接続されると共に、定電流源３６を介して第２のバ
イアス電圧供給端子３７に接続されている。一方、第２
のダイオード３５のカソードは、第２の制御端子１２に
接続されると共に、第３のバイアス電圧供給端子３８を
介して第３の直流電圧源３９に接続されている。また、
第１のバイアス電圧供給端子３３は電源端子７に接続さ
れ、第２のバイアス電圧供給端子３７は接地されてい
る。
【００３９】次にこの第１の発明のアクティブ・フィル
タ回路の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路
の場合と同様、説明を簡略化するために、図１の各トラ
ンジスタ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さ
く無視できるものとする。また、信号などの記号は、図
７の従来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記
号と同じ記号を用いるものとする。
タ回路の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路
の場合と同様、説明を簡略化するために、図１の各トラ
ンジスタ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さ
く無視できるものとする。また、信号などの記号は、図
７の従来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記
号と同じ記号を用いるものとする。
【００４０】さらに、第３の直流電圧源３９の電圧値を
ＶB1、電源端子７に接続される直流電圧源の電圧値をＶ
CC、第１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧
（順方向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５の
アノード・カソード間電圧（順方向を正とする）を
ＶD2、第１の抵抗３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の
電流値をＩoとする。
ＶB1、電源端子７に接続される直流電圧源の電圧値をＶ
CC、第１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧
（順方向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５の
アノード・カソード間電圧（順方向を正とする）を
ＶD2、第１の抵抗３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の
電流値をＩoとする。
【００４１】第１のダイオード３４を流れる電流ｉD1お
よび第２のダイオード３５を流れる電流ｉD2は次式（１
６），（１７）で表せる。
よび第２のダイオード３５を流れる電流ｉD2は次式（１
６），（１７）で表せる。
【００４２】
【数１６】
【００４３】
【数１７】
【００４４】また各値ｉD1，ｉD2，ＶD1，ＶD2，ＶB1，
ｉC3，ｉC4には、次式（１８），（１９）に示すような
関係が成り立つ。
ｉC3，ｉC4には、次式（１８），（１９）に示すような
関係が成り立つ。
【００４５】
【数１８】
【００４６】
【数１９】
【００４７】式（１８），（１９）より、各値ｉC3，ｉ
C4，ｉD1，ｉD2の関係は、次式（２０）で表せる。
C4，ｉD1，ｉD2の関係は、次式（２０）で表せる。
【００４８】
【数２０】
【００４９】式（２０）に、先に導出した式（６），
（７）および式（１６），（１７）を代入すると、ｉC2
に対するｉC4の比αが次式（２１），（２２）のように
得られる。
（７）および式（１６），（１７）を代入すると、ｉC2
に対するｉC4の比αが次式（２１），（２２）のように
得られる。
【００５０】
【数２１】
【００５１】
【数２２】
【００５２】図１の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo ／Ｖ
i1は、先に導出した式（１２）のαとして式（２１）を
代入することにより、次式（２３）のように求められ
る。
i1は、先に導出した式（１２）のαとして式（２１）を
代入することにより、次式（２３）のように求められ
る。
【００５３】
【数２３】
【００５４】したがって、式（２３）より、従来例（図
７）の遮断周波数ｆC の式である式（１４）に対して、
図１の第１の発明の実施例の遮断周波数ｆC の式は式
（２４）のように導出される。
７）の遮断周波数ｆC の式である式（１４）に対して、
図１の第１の発明の実施例の遮断周波数ｆC の式は式
（２４）のように導出される。
【００５５】
【数２４】
【００５６】さらに、ＲE>>ｒeとすると、次式（２５）
が得られる。
が得られる。
【００５７】
【数２５】
【００５８】式（２５）中のβ1については、β1の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ1の値を設定すれば、β1はほぼ一定と見なすこと
ができる。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ1の値を設定すれば、β1はほぼ一定と見なすこと
ができる。
【００５９】したがって、式（２５）からわかるよう
に、図１のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、定電流源３６を外付けの定電流源として、その電流
値Ｉo の精度が高く温度特性の良い定電流源を用いれ
ば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき
温度特性も良いので、遮断周波数ｆCを無調整で正確に
所定の値に設定できると共に、その温度特性を良好にす
ることができる。
に、図１のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、定電流源３６を外付けの定電流源として、その電流
値Ｉo の精度が高く温度特性の良い定電流源を用いれ
ば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき
温度特性も良いので、遮断周波数ｆCを無調整で正確に
所定の値に設定できると共に、その温度特性を良好にす
ることができる。
【００６０】また、電流値ＩoやＩＣ内部の抵抗比ＲE／
Ｒ1 の精度が悪く調整を必要とする場合でも、温度特性
の良い定電流源３６を外付けの定電流源とし、その電流
値Ｉoを調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん
設定すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良
好なので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすること
ができる。
Ｒ1 の精度が悪く調整を必要とする場合でも、温度特性
の良い定電流源３６を外付けの定電流源とし、その電流
値Ｉoを調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん
設定すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良
好なので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすること
ができる。
【００６１】また、図１のアクティブ・フィルタ回路を
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２および定電流
源３６として温度特性の良いものを用いれば、遮断周波
数ｆCの温度特性を良好にすることができる。そして、
さらに抵抗３，４，３２および定電流源３６として精度
が高いものを用いれば、遮断周波数ｆCを無調整で所定
の値に正確に設定できる。
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２および定電流
源３６として温度特性の良いものを用いれば、遮断周波
数ｆCの温度特性を良好にすることができる。そして、
さらに抵抗３，４，３２および定電流源３６として精度
が高いものを用いれば、遮断周波数ｆCを無調整で所定
の値に正確に設定できる。
【００６２】なお、式（２４）から式（２５）を導くに
あたって与えた条件であるＲE>>ｒe、およびβ1 はほぼ
一定という条件は充分実現することが可能であり、遮断
周波数ｆCの精度や温度特性を十分に良好にすることが
できる。
あたって与えた条件であるＲE>>ｒe、およびβ1 はほぼ
一定という条件は充分実現することが可能であり、遮断
周波数ｆCの精度や温度特性を十分に良好にすることが
できる。
【００６３】図２はこの第２の発明の一実施例によるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。図２におい
て、このアクティブ・フィルタ回路では、図７の直流電
圧源１１，１３の代わりに制御回路３１ａが設けられて
いる。制御回路３１ａは、抵抗３２、第１，第２のダイ
オード３４，３５、第１，第２，第３のバイアス電圧供
給端子３３，３７，３８、定電流源３６、直流電圧源３
９により構成されている。第１の抵抗３２の一端は第１
のバイアス電圧供給端子３３に接続され、この第１の抵
抗３２の他端は第１のダイオード３４のカソードおよび
第２のダイオード３５のカソードに接続されている。ま
た、第１のダイオード３４のアノードは、第２の制御端
子１２に接続されると共に、定電流源３６を介して第２
のバイアス電圧供給端子３７に接続されている。一方、
第２のダイオード３５のアノードは、第１の制御端子１
０に接続されると共に、第３のバイアス電圧供給端子３
８を介して直流電圧源３９に接続されている。なお、こ
の図２では、第１のバイアス電圧供給端子３３は接地さ
れ、第２のバイアス電圧供給端子３７は電源端子７に接
続されている。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。図２におい
て、このアクティブ・フィルタ回路では、図７の直流電
圧源１１，１３の代わりに制御回路３１ａが設けられて
いる。制御回路３１ａは、抵抗３２、第１，第２のダイ
オード３４，３５、第１，第２，第３のバイアス電圧供
給端子３３，３７，３８、定電流源３６、直流電圧源３
９により構成されている。第１の抵抗３２の一端は第１
のバイアス電圧供給端子３３に接続され、この第１の抵
抗３２の他端は第１のダイオード３４のカソードおよび
第２のダイオード３５のカソードに接続されている。ま
た、第１のダイオード３４のアノードは、第２の制御端
子１２に接続されると共に、定電流源３６を介して第２
のバイアス電圧供給端子３７に接続されている。一方、
第２のダイオード３５のアノードは、第１の制御端子１
０に接続されると共に、第３のバイアス電圧供給端子３
８を介して直流電圧源３９に接続されている。なお、こ
の図２では、第１のバイアス電圧供給端子３３は接地さ
れ、第２のバイアス電圧供給端子３７は電源端子７に接
続されている。
【００６４】第１，第２の制御端子１０，１２から後段
の信号入力端子１，１８、信号出力端子１６、電圧制御
電流源１５、電源端子７、リアクタンス回路を構成する
コンデンサ１７、トランジスタ１９、ダイオード２０お
よび定電流源２１の構成および相互の接続関係は、前述
した図７のアクティブ・フィルタ回路と同様である。
の信号入力端子１，１８、信号出力端子１６、電圧制御
電流源１５、電源端子７、リアクタンス回路を構成する
コンデンサ１７、トランジスタ１９、ダイオード２０お
よび定電流源２１の構成および相互の接続関係は、前述
した図７のアクティブ・フィルタ回路と同様である。
【００６５】次にこの図２のアクティブ・フィルタ回路
の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路の場合
と同様、説明を簡略化するために、図２の各トランジス
タ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さく無視
できるものとする。また、信号などの記号は、図７の従
来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記号と同
じ記号を用いるものとする。
の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路の場合
と同様、説明を簡略化するために、図２の各トランジス
タ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さく無視
できるものとする。また、信号などの記号は、図７の従
来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記号と同
じ記号を用いるものとする。
【００６６】さらに直流電圧源３９の電圧値をＶB1、第
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2、第１
の抵抗３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩ
oとすると、図１の回路と同様にして、遮断周波数ｆ
Cは、下記式（２６），（２７）で与えられる。
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2、第１
の抵抗３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩ
oとすると、図１の回路と同様にして、遮断周波数ｆ
Cは、下記式（２６），（２７）で与えられる。
【００６７】
【数２６】
【００６８】ただし
【００６９】
【数２７】
【００７０】さらに、ＲE>>ｒeとすると、次式（２８）
が得られる。
が得られる。
【００７１】
【数２８】
【００７２】式（２８）中のβ2については、β2の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ2の値を設定すれば、β2はほぼ一定と見なすこと
ができる。したがって、式（２８）中のβ2を式（２
５）中のβ1と対比させるとわかるように、図２の回路
も図１と同一の効果がある。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ2の値を設定すれば、β2はほぼ一定と見なすこと
ができる。したがって、式（２８）中のβ2を式（２
５）中のβ1と対比させるとわかるように、図２の回路
も図１と同一の効果がある。
【００７３】図３はこの第３の発明の一実施例によるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の発明の実施例におけ
る定電流源３６が第２の抵抗４０で置き換えられている
点が第１の実施例と異なるのみで、その他の構成は第１
の発明の実施例と同じである。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の発明の実施例におけ
る定電流源３６が第２の抵抗４０で置き換えられている
点が第１の実施例と異なるのみで、その他の構成は第１
の発明の実施例と同じである。
【００７４】この図３のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、第２の抵抗４０の抵抗値をＲ2とすると、第２の
抵抗４０を流れる電流値ＩR2は次式（２９）で表せる。
いて、第２の抵抗４０の抵抗値をＲ2とすると、第２の
抵抗４０を流れる電流値ＩR2は次式（２９）で表せる。
【００７５】
【数２９】
【００７６】図３の回路のＩR2は図１の回路のＩoに相
当するので、式（２５）のＩoの代わりに式（２９）で
表せるＩR2を用いることにより、図３の遮断周波数ｆC
の式が式（３０），（３１）のように導出される。
当するので、式（２５）のＩoの代わりに式（２９）で
表せるＩR2を用いることにより、図３の遮断周波数ｆC
の式が式（３０），（３１）のように導出される。
【００７７】
【数３０】
【００７８】ただし
【００７９】
【数３１】
【００８０】式（３１）中のβ3については、β3の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ3の値を設定すれば、β3はほぼ一定と見なすこと
ができる。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ3の値を設定すれば、β3はほぼ一定と見なすこと
ができる。
【００８１】したがって、式（３０）からわかるよう
に、図３のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、第２の抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ
2 の精度が高く温度特性の良い抵抗を用いれば、ＩＣ内
部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき温度特性も
良いので、遮断周波数ｆC を無調整で正確に所定の値に
設定できると共に、その温度特性を良好にすることがで
きる。
に、図３のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、第２の抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ
2 の精度が高く温度特性の良い抵抗を用いれば、ＩＣ内
部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき温度特性も
良いので、遮断周波数ｆC を無調整で正確に所定の値に
設定できると共に、その温度特性を良好にすることがで
きる。
【００８２】また、抵抗値Ｒ2やＩＣ内部の抵抗比ＲE
／Ｒ1の精度の悪い調整が必要となる場合でも、温度特
性の良い抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ2
を調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん設定
すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良好な
ので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすることがで
きる。
／Ｒ1の精度の悪い調整が必要となる場合でも、温度特
性の良い抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ2
を調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん設定
すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良好な
ので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすることがで
きる。
【００８３】また、図３のアクティブ・フィルタ回路を
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２，４０として
温度特性の良いものを用いれば、遮断周波数ｆC の温度
特性を良好にすることができる。そして、さらに抵抗
３，４，３２，４０として精度が高いものを用いれば、
遮断周波数ｆC を無調整で所定の値に正確に設定でき
る。
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２，４０として
温度特性の良いものを用いれば、遮断周波数ｆC の温度
特性を良好にすることができる。そして、さらに抵抗
３，４，３２，４０として精度が高いものを用いれば、
遮断周波数ｆC を無調整で所定の値に正確に設定でき
る。
【００８４】なお、式（３０）を導くにあたって与えた
条件であるＲE>>ｒe、およびβ3 はほぼ一定という条件
は充分実現することが可能であり、遮断周波数ｆC の精
度や温度特性を十分に良好にすることができる。
条件であるＲE>>ｒe、およびβ3 はほぼ一定という条件
は充分実現することが可能であり、遮断周波数ｆC の精
度や温度特性を十分に良好にすることができる。
【００８５】また、図２の実施例においても、定電流源
３６を図３の実施例と同様に第２の抵抗４０で置き換え
ることができる。
３６を図３の実施例と同様に第２の抵抗４０で置き換え
ることができる。
【００８６】図４はこの第４の発明の一実施例における
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第
２のダイオード３５の代わりに第５のトランジスタ４１
を用いると共に、第１のダイオード３４として第１のダ
イオード３４のアノード・カソード間電圧ＶD1の対電流
依存特性を第５のトランジスタ４１のベース・エミッタ
間電圧の対電流依存特性に合わせるために第５のトラン
ジスタ４１と同一特性のトランジスタのベース・コレク
タ間を短絡したものを用いている点が図１の第１の発明
の実施例と異なるのみで、その他の構成は図１の実施例
と同じである。図４において、第５のトランジスタ４１
のエミッタは第１の抵抗３２と第１のダイオード３４と
の相互接続点に接続され、そのベースは第３のバイアス
電圧供給端子３８に接続され、さらにそのコレクタは接
地されている。
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第
２のダイオード３５の代わりに第５のトランジスタ４１
を用いると共に、第１のダイオード３４として第１のダ
イオード３４のアノード・カソード間電圧ＶD1の対電流
依存特性を第５のトランジスタ４１のベース・エミッタ
間電圧の対電流依存特性に合わせるために第５のトラン
ジスタ４１と同一特性のトランジスタのベース・コレク
タ間を短絡したものを用いている点が図１の第１の発明
の実施例と異なるのみで、その他の構成は図１の実施例
と同じである。図４において、第５のトランジスタ４１
のエミッタは第１の抵抗３２と第１のダイオード３４と
の相互接続点に接続され、そのベースは第３のバイアス
電圧供給端子３８に接続され、さらにそのコレクタは接
地されている。
【００８７】この図４のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４１およ
びダイオード３４として動作するトランジスタのベース
電流は十分小さく無視できるものとし、トランジスタ４
１およびダイオード３４として動作するトランジスタの
コレクタ電流をそれぞれｉC5，ｉC6，トランジスタ４１
およびダイオード３４として動作するトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧（順方向を正とする）をそれぞれ
ＶBE5，ＶBE6とすると、図４のＶBE6，ＶBE5，ｉC6，ｉ
C5はそれぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当する
ので、結局式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶ
D2をＶBE5で置き換えたものを用いることにより、図４
の遮断周波数ｆC の式が次式（３２），（３３）のよう
に導出される。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４１およ
びダイオード３４として動作するトランジスタのベース
電流は十分小さく無視できるものとし、トランジスタ４
１およびダイオード３４として動作するトランジスタの
コレクタ電流をそれぞれｉC5，ｉC6，トランジスタ４１
およびダイオード３４として動作するトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧（順方向を正とする）をそれぞれ
ＶBE5，ＶBE6とすると、図４のＶBE6，ＶBE5，ｉC6，ｉ
C5はそれぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当する
ので、結局式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶ
D2をＶBE5で置き換えたものを用いることにより、図４
の遮断周波数ｆC の式が次式（３２），（３３）のよう
に導出される。
【００８８】
【数３２】
【００８９】ただし
【００９０】
【数３３】
【００９１】図３の回路の効果は図１の回路と同様であ
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５を図４の実施例と同様の構成で
置き換えることができる。
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５を図４の実施例と同様の構成で
置き換えることができる。
【００９２】図５はこの第５の発明の一実施例における
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第
３の直流電圧源３９をトランジスタ４２，抵抗４３，４
４，４５により構成すると共に、第１および第２のダイ
オード３４，３５としてそのアノード・カソード間電圧
の対電流依存特性をトランジスタ４２のベース・エミッ
タ間電圧の対電流依存特性に合わせるためにトランジス
タ４２と同一特性のトランジスタのベース・コレクタ間
を短絡したものを用いている点が図１の実施例と異なる
のみで、その他の構成は図１の発明の実施例と同じであ
る。
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第
３の直流電圧源３９をトランジスタ４２，抵抗４３，４
４，４５により構成すると共に、第１および第２のダイ
オード３４，３５としてそのアノード・カソード間電圧
の対電流依存特性をトランジスタ４２のベース・エミッ
タ間電圧の対電流依存特性に合わせるためにトランジス
タ４２と同一特性のトランジスタのベース・コレクタ間
を短絡したものを用いている点が図１の実施例と異なる
のみで、その他の構成は図１の発明の実施例と同じであ
る。
【００９３】この図５のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４３およ
びダイオード３４，３５として動作するトランジスタの
ベース電流は十分小さく無視できるものとし、トランジ
スタ４２およびダイオード３４，３５として動作するト
ランジスタのコレクタ電流をそれぞれｉC7，ｉC8，
ｉC9、トランジスタ４２およびダイオード３４，３５と
して動作するトランジスタのベース・エミッタ間電圧
（順方向を正とする）をＶBE7，ＶBE8，ＶBE9 、抵抗４
４，４５の抵抗値をＲ01，Ｒ02とする。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４３およ
びダイオード３４，３５として動作するトランジスタの
ベース電流は十分小さく無視できるものとし、トランジ
スタ４２およびダイオード３４，３５として動作するト
ランジスタのコレクタ電流をそれぞれｉC7，ｉC8，
ｉC9、トランジスタ４２およびダイオード３４，３５と
して動作するトランジスタのベース・エミッタ間電圧
（順方向を正とする）をＶBE7，ＶBE8，ＶBE9 、抵抗４
４，４５の抵抗値をＲ01，Ｒ02とする。
【００９４】まず、ＶB1の式は次式（３４）で与えられ
る。
る。
【００９５】
【数３４】
【００９６】次に、図５のＶBE8，ＶBE9，ｉC8，ｉC9が
それぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当すること
を考慮すると、結局図５の遮断周波数ｆC の式は、式
（２５）中のβ1として式（２２）中のＶD2をＶBE9で置
き換え、ＶB1を式（３４）で表されるＶB1で置き換えた
ものを用いることにより、次式（３５），（３６）のよ
うに導出される。
それぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当すること
を考慮すると、結局図５の遮断周波数ｆC の式は、式
（２５）中のβ1として式（２２）中のＶD2をＶBE9で置
き換え、ＶB1を式（３４）で表されるＶB1で置き換えた
ものを用いることにより、次式（３５），（３６）のよ
うに導出される。
【００９７】
【数３５】
【００９８】ただし
【００９９】
【数３６】
【０１００】さらに、ｉC7はほぼｉC9となるように抵抗
４３の値を設定すれば、ＶBE7 はほぼＶBE9となるの
で、式（３６）は次式（３７）のようになる。
４３の値を設定すれば、ＶBE7 はほぼＶBE9となるの
で、式（３６）は次式（３７）のようになる。
【０１０１】
【数３７】
【０１０２】したがって、電源端子７に接続される直流
電圧源として、その電圧値ＶCCの精度が高く温度特性の
良い直流電圧源を用いれば、図５の回路をＩＣ化した場
合にはＩＣ内部の抵抗比Ｒ02／Ｒ01の値は精度高く設定
できると共に温度特性も良く、β5 はほぼ一定となる。
また、図５の回路をＩＣ化しない場合でも、抵抗４４，
４５として精度が高く温度特性が良いものを用いれば、
β5 はほぼ一定となる。
電圧源として、その電圧値ＶCCの精度が高く温度特性の
良い直流電圧源を用いれば、図５の回路をＩＣ化した場
合にはＩＣ内部の抵抗比Ｒ02／Ｒ01の値は精度高く設定
できると共に温度特性も良く、β5 はほぼ一定となる。
また、図５の回路をＩＣ化しない場合でも、抵抗４４，
４５として精度が高く温度特性が良いものを用いれば、
β5 はほぼ一定となる。
【０１０３】図５の回路の効果は図１の回路と同様であ
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５および第３の直流電圧源３９を
図５の実施例と同様の構成で置き換えることができる。
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５および第３の直流電圧源３９を
図５の実施例と同様の構成で置き換えることができる。
【０１０４】図６はこの発明の第６の実施例におけるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第３
の直流電圧源３９をトランジスタ４６，４７、抵抗４
８，４９，５０により構成すると共に、定電流源３６の
代わりに、ダイオード５１と第３の抵抗５２とを直列接
続したものを用いている点が図１の第１の発明の実施例
と異なるのみで、その他の構成は図１の第１の発明の実
施例と同じである。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第３
の直流電圧源３９をトランジスタ４６，４７、抵抗４
８，４９，５０により構成すると共に、定電流源３６の
代わりに、ダイオード５１と第３の抵抗５２とを直列接
続したものを用いている点が図１の第１の発明の実施例
と異なるのみで、その他の構成は図１の第１の発明の実
施例と同じである。
【０１０５】この図６のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４６，４
７のベース電流は十分小さく無視できるものとし、トラ
ンジスタ４６，４７のコレクタ電流をｉC10，ｉC11，ト
ランジスタ４６，４７のベース・エミッタ間電圧（順方
向を正とする）をＶBE10，ＶBE11、ダイオード５１を流
れる電流をｉD3、ダイオードのアノード・カソード間電
圧（順方向を正とする）をＶD3、抵抗４９，５０，５２
の抵抗値をＲ03，Ｒ04，Ｒ3とする。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４６，４
７のベース電流は十分小さく無視できるものとし、トラ
ンジスタ４６，４７のコレクタ電流をｉC10，ｉC11，ト
ランジスタ４６，４７のベース・エミッタ間電圧（順方
向を正とする）をＶBE10，ＶBE11、ダイオード５１を流
れる電流をｉD3、ダイオードのアノード・カソード間電
圧（順方向を正とする）をＶD3、抵抗４９，５０，５２
の抵抗値をＲ03，Ｒ04，Ｒ3とする。
【０１０６】まず、ＶB1，ｉC11，ｉD1，ｉD2，ｉD3 の
式はそれぞれ次式（３８）〜（４１）で与えられる。
式はそれぞれ次式（３８）〜（４１）で与えられる。
【０１０７】
【数３８】
【０１０８】
【数３９】
【０１０９】
【数４０】
【０１１０】
【数４１】
【０１１１】
【数４２】
【０１１２】次に、図６のＩD3が図１のＩo に相当する
ことを考慮すると、結局図６の遮断周波数ｆCの式は、
式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶB1を式（３
８）で表されるＶB1で置き換えたものを用い、かつＩo
の代わりに式（３９）で与えられるＩD3を用いることに
より、次式（４３），（４４）のように導出される。
ことを考慮すると、結局図６の遮断周波数ｆCの式は、
式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶB1を式（３
８）で表されるＶB1で置き換えたものを用い、かつＩo
の代わりに式（３９）で与えられるＩD3を用いることに
より、次式（４３），（４４）のように導出される。
【０１１３】
【数４３】
【０１１４】ただし
【０１１５】
【数４４】
【０１１６】さらに、Ｒ03＝Ｒ04と設定し、またｉC10
はほぼｉC11，ｉD2はほぼｉD1（＝ｉD3）となるように
抵抗３２，４８の値を設定すれば、ＶBE10はほぼ
ＶBE11，ＶD1はほぼＶD2はほぼＶD3となるので、式（４
４）はβ6はほぼ１（一定）となる。
はほぼｉC11，ｉD2はほぼｉD1（＝ｉD3）となるように
抵抗３２，４８の値を設定すれば、ＶBE10はほぼ
ＶBE11，ＶD1はほぼＶD2はほぼＶD3となるので、式（４
４）はβ6はほぼ１（一定）となる。
【０１１７】図６の回路の効果は、式（４３）が式（３
０）と同一の形なので、図３の回路の効果と同様であ
る。なお、図２，図４の実施例においても、定電流源３
６，第３の直流電圧源３９を図６の実施例と同様の構成
で置き換えることができる。
０）と同一の形なので、図３の回路の効果と同様であ
る。なお、図２，図４の実施例においても、定電流源３
６，第３の直流電圧源３９を図６の実施例と同様の構成
で置き換えることができる。
【０１１８】なお、上記各発明の実施例において、
（１）定電流源６の代わりに抵抗を用いた場合、（２）
抵抗３の抵抗値と抵抗４の抵抗値とが等しくない場合、
（３）第１および第２のトランジスタ２，５から成る差
動増幅回路として他の回路を用いた場合、（４）出力信
号を第２のトランジスタ５のベースに帰還させる手段と
して他の回路を用いた場合、（５）図面に示したのとは
異なる極性のトランジスタを用いた場合、（６）リアク
タンス回路１７として他の回路を用いた場合、（７）第
１の信号入力端子１をバイアス電圧源などにより交流的
に接地し、第２の信号入力端子１８から信号を入力する
ことによって１次のハイパスフィルタ回路を構成した場
合、（８）第１および第２の信号入力端子１，１８のそ
れぞれに信号を入力することによって、第１の信号入力
端子１からの入力信号に対しては１次のローパスフィル
タ、第２の信号入力端子１８からの入力信号に対して
は、１次のハイパスフィルタとした場合においても、こ
の発明は同様に適用でき、同一の効果がある。
（１）定電流源６の代わりに抵抗を用いた場合、（２）
抵抗３の抵抗値と抵抗４の抵抗値とが等しくない場合、
（３）第１および第２のトランジスタ２，５から成る差
動増幅回路として他の回路を用いた場合、（４）出力信
号を第２のトランジスタ５のベースに帰還させる手段と
して他の回路を用いた場合、（５）図面に示したのとは
異なる極性のトランジスタを用いた場合、（６）リアク
タンス回路１７として他の回路を用いた場合、（７）第
１の信号入力端子１をバイアス電圧源などにより交流的
に接地し、第２の信号入力端子１８から信号を入力する
ことによって１次のハイパスフィルタ回路を構成した場
合、（８）第１および第２の信号入力端子１，１８のそ
れぞれに信号を入力することによって、第１の信号入力
端子１からの入力信号に対しては１次のローパスフィル
タ、第２の信号入力端子１８からの入力信号に対して
は、１次のハイパスフィルタとした場合においても、こ
の発明は同様に適用でき、同一の効果がある。
【０１１９】さらに、アクティブ・フィルタ回路を縦続
接続すること等により、様々な伝達関数を有し、多様な
フィルタ特性を実現した回路においても、上記実施例中
で用いたこの発明による制御回路を適用でき、同一の効
果がある。
接続すること等により、様々な伝達関数を有し、多様な
フィルタ特性を実現した回路においても、上記実施例中
で用いたこの発明による制御回路を適用でき、同一の効
果がある。
【０１２０】
【発明の効果】以上のようにこの第１の発明によれば、
抵抗と、２個のダイオードと、直流電圧源と、定電源か
ら構成される制御手段を、アクティブ・フィルタ回路に
設けたため、アクティブ・フィルタ回路の遮断周波数
は、精度良く設定できると共に温度特性が良好な、抵抗
回路の抵抗値と抵抗の抵抗値との相対比によって与えら
れる。このため、無調整で遮断周波数を所定の値に正確
に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化に適した
アクティブ・フィルタ回路を得ることができる効果があ
る。第２の発明によれば、上記制御手段の第１のバイア
ス電圧供給端子が接地され、第２のバイアス電圧供給端
子が電源に接続されており、上記制御手段の内部部品の
位置を変えるだけで、第１の発明と同じ効果が得られ
る。第３の発明によれば、第１の発明の制御手段の定電
流源の代わりに第２の抵抗で構成するだけで、第１の発
明と同じ効果が得られる。第４の発明によれば、第１の
発明の制御手段の第２のダイオードの代わりに第５のト
ランジスタを用いることにより、第１の発明と同じ効果
が得られる。第５の発明によれば、第１〜第４の発明の
制御手段の直流電圧源をダイオードまたはトランジス
タ，抵抗とで構成し、構成を変えるだけで、第１の発明
と同じ効果が得られる。第６の発明によれば、第１，第
２，第４，第５の発明の制御手段の定電流源を、１個以
上のダイオードと、第３の抵抗とで構成することによ
り、構成を変えるだけで、第１の発明と同じ効果が得ら
れる。
抵抗と、２個のダイオードと、直流電圧源と、定電源か
ら構成される制御手段を、アクティブ・フィルタ回路に
設けたため、アクティブ・フィルタ回路の遮断周波数
は、精度良く設定できると共に温度特性が良好な、抵抗
回路の抵抗値と抵抗の抵抗値との相対比によって与えら
れる。このため、無調整で遮断周波数を所定の値に正確
に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化に適した
アクティブ・フィルタ回路を得ることができる効果があ
る。第２の発明によれば、上記制御手段の第１のバイア
ス電圧供給端子が接地され、第２のバイアス電圧供給端
子が電源に接続されており、上記制御手段の内部部品の
位置を変えるだけで、第１の発明と同じ効果が得られ
る。第３の発明によれば、第１の発明の制御手段の定電
流源の代わりに第２の抵抗で構成するだけで、第１の発
明と同じ効果が得られる。第４の発明によれば、第１の
発明の制御手段の第２のダイオードの代わりに第５のト
ランジスタを用いることにより、第１の発明と同じ効果
が得られる。第５の発明によれば、第１〜第４の発明の
制御手段の直流電圧源をダイオードまたはトランジス
タ，抵抗とで構成し、構成を変えるだけで、第１の発明
と同じ効果が得られる。第６の発明によれば、第１，第
２，第４，第５の発明の制御手段の定電流源を、１個以
上のダイオードと、第３の抵抗とで構成することによ
り、構成を変えるだけで、第１の発明と同じ効果が得ら
れる。
【図１】この発明の第１の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図２】この発明の第２の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図３】この発明の第３の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図４】この発明の第４の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図５】この発明の第５の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図６】この発明の第６の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図７】従来のアクティブ・フィルタ回路の回路図であ
る。
る。
【図８】図７に示すアクティブ・フィルタ回路の等価回
路の回路図である。
路の回路図である。
１ 第１の信号入力端子 ２ 第１のトランジスタ ３，４ 抵抗回路の抵抗 ５ 第２のトランジスタ ８ 第３のトランジスタ ９ 第４のトランジスタ １０ 第１の制御端子 １２ 第２の制御端子 １４ 電流源 １７ リアクタンス回路 １８ 第２の信号入力端子 １９〜２１ 帰還回路 ３１，３１ａ 制御回路 ３２ 抵抗 ３３ 第１のバイアス電圧供給端子 ３４ 第１のダイオード ３５ 第２のダイオード ３６ 定電流源 ３７ 第２のバイアス電圧供給端子 ３８ 第３のバイアス電圧供給端子 ４０ 第２の抵抗 ４１ 第５のトランジスタ ５１ １個ないし複数個のダイオード ５２ 第３の抵抗
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年７月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 アクティブ・フィルタ回路
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＣ化に適するとと
もに、遮断周波数を可変設定できるアクティブ・フィル
タ回路に関するものである。
もに、遮断周波数を可変設定できるアクティブ・フィル
タ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は特開平１−１５１３１２号公報に
開示された従来のアクティブ・フィルタ回路を示す回路
図である。図７において、１は第１の信号入力端子、２
は第１のトランジスタ、３，４は抵抗、５は第２のトラ
ンジスタ、６は定電流源、７は電源と接続された電源端
子、８は第３のトランジスタ、９は第４のトランジス
タ、１０は第１の制御端子、１１，１３は直流電圧源、
１２は第２の制御端子、１４は電流源、１５は電圧制御
電流源、１６は信号出力端子、１７はリアクタンス回路
のコンデンサ、１９はトランジスタ、２０はダイオー
ド、２１は定電流源である。第１の信号入力端子１には
第１のトランジスタ２のベースが接続され、その第１の
トランジスタ２のエミッタは抵抗回路を構成する抵抗３
および抵抗４を介して第２のトランジスタ５のエミッタ
に接続されている。抵抗３と抵抗４との間の接続点は定
電流源６の一端に接続され、その定電流源６の他端は接
地されている。また、第１のトランジスタ２のコレクタ
は電源端子７に接続されている。
開示された従来のアクティブ・フィルタ回路を示す回路
図である。図７において、１は第１の信号入力端子、２
は第１のトランジスタ、３，４は抵抗、５は第２のトラ
ンジスタ、６は定電流源、７は電源と接続された電源端
子、８は第３のトランジスタ、９は第４のトランジス
タ、１０は第１の制御端子、１１，１３は直流電圧源、
１２は第２の制御端子、１４は電流源、１５は電圧制御
電流源、１６は信号出力端子、１７はリアクタンス回路
のコンデンサ、１９はトランジスタ、２０はダイオー
ド、２１は定電流源である。第１の信号入力端子１には
第１のトランジスタ２のベースが接続され、その第１の
トランジスタ２のエミッタは抵抗回路を構成する抵抗３
および抵抗４を介して第２のトランジスタ５のエミッタ
に接続されている。抵抗３と抵抗４との間の接続点は定
電流源６の一端に接続され、その定電流源６の他端は接
地されている。また、第１のトランジスタ２のコレクタ
は電源端子７に接続されている。
【０００３】第２のトランジスタ５のコレクタは第３の
トランジスタ８のエミッタと第４のトランジスタ９のエ
ミッタとの共通接続点に接続され、第３のトランジスタ
８のベースは第１の制御端子１０を介して第１の直流電
圧源１１に、第４のトランジスタ９のベースは第２の制
御端子１２を介して第２の直流電圧源１３にそれぞれ接
続されている。そして、第３のトランジスタ８のコレク
タは電源端子７に接続され、また第４のトランジスタ９
のコレクタは電流源１４を介して電源端子７に接続され
ている。電圧制御電流源１５は、第１，第２，第３，第
４のトランジスタ２，５，８，９と、抵抗３，４と、定
電流源６と、電源端子７および電流源１４により可変で
きる伝達コンダクタンスとなっている。
トランジスタ８のエミッタと第４のトランジスタ９のエ
ミッタとの共通接続点に接続され、第３のトランジスタ
８のベースは第１の制御端子１０を介して第１の直流電
圧源１１に、第４のトランジスタ９のベースは第２の制
御端子１２を介して第２の直流電圧源１３にそれぞれ接
続されている。そして、第３のトランジスタ８のコレク
タは電源端子７に接続され、また第４のトランジスタ９
のコレクタは電流源１４を介して電源端子７に接続され
ている。電圧制御電流源１５は、第１，第２，第３，第
４のトランジスタ２，５，８，９と、抵抗３，４と、定
電流源６と、電源端子７および電流源１４により可変で
きる伝達コンダクタンスとなっている。
【０００４】第４のトランジスタ９と電流源１４との接
続点は信号出力端子１６に接続され、この信号出力端子
１６にはリアクタンス回路を構成するコンデンサ１７の
一端が接続され、そのコンデンサ１７の他端には第２の
信号入力端子１８が接続されている。そして、第２の信
号入力端子１８は接地されている。また、信号出力端子
１６にはトランジスタ１９のベースが接続され、このト
ランジスタ１９のエミッタはダイオード２０を介して第
２のトランジスタ５のベースに接続され、トランジスタ
１９のコレクタは電源端子７に接続されている。定電流
源２１は、その一端が第２のトランジスタ５のベースと
ダイオード２０のカソードの共通接続点に接続され、他
端は接地されている。
続点は信号出力端子１６に接続され、この信号出力端子
１６にはリアクタンス回路を構成するコンデンサ１７の
一端が接続され、そのコンデンサ１７の他端には第２の
信号入力端子１８が接続されている。そして、第２の信
号入力端子１８は接地されている。また、信号出力端子
１６にはトランジスタ１９のベースが接続され、このト
ランジスタ１９のエミッタはダイオード２０を介して第
２のトランジスタ５のベースに接続され、トランジスタ
１９のコレクタは電源端子７に接続されている。定電流
源２１は、その一端が第２のトランジスタ５のベースと
ダイオード２０のカソードの共通接続点に接続され、他
端は接地されている。
【０００５】次に動作について説明する。図８は図７の
動作原理を説明するためにその回路を簡略化して示した
等価回路である。図８において、１，１５，１６，１
７，１８は図７と同一部分を示しており、２２は図７に
おけるトランジスタ１９とダイオード２０と定電流源２
１とからなるレベルシフト回路に相当するバッファ増幅
器で、図７の構成ではその電圧利得ＡはＡ＝１となる。
なお、図７の構成では第２の信号入力端子１８は接地さ
れている。
動作原理を説明するためにその回路を簡略化して示した
等価回路である。図８において、１，１５，１６，１
７，１８は図７と同一部分を示しており、２２は図７に
おけるトランジスタ１９とダイオード２０と定電流源２
１とからなるレベルシフト回路に相当するバッファ増幅
器で、図７の構成ではその電圧利得ＡはＡ＝１となる。
なお、図７の構成では第２の信号入力端子１８は接地さ
れている。
【０００６】次に、図７の回路の動作原理を図８の等価
回路を参照して説明する。説明を簡略化するために、図
７の回路における各トランジスタ２，５，８，９，１９
のベース電流は十分小さく無視できるものとする。
回路を参照して説明する。説明を簡略化するために、図
７の回路における各トランジスタ２，５，８，９，１９
のベース電流は十分小さく無視できるものとする。
【０００７】いま、第１の信号入力端子１の入力信号電
圧をＶi1、第２の信号入力端子１８の入力信号電圧をＶ
i2、電圧制御電流源１５の伝達コンダクタンスをｇm 、
電圧制御電流源１５の出力信号電流をｉo 、コンデンサ
１７の容量をＣ、信号出力端子１６の出力信号電圧をＶ
o、その角周波数をωとすると、図８において、
圧をＶi1、第２の信号入力端子１８の入力信号電圧をＶ
i2、電圧制御電流源１５の伝達コンダクタンスをｇm 、
電圧制御電流源１５の出力信号電流をｉo 、コンデンサ
１７の容量をＣ、信号出力端子１６の出力信号電圧をＶ
o、その角周波数をωとすると、図８において、
【０００８】
【数１】
【０００９】
【数２】
【００１０】が成り立つ。式（１），（２）から図８の
回路の出力信号電圧Ｖoを導くと、
回路の出力信号電圧Ｖoを導くと、
【００１１】
【数３】
【００１２】となる。一方、図７において、定電流源６
の電流値を２・Ｉ1 、抵抗３，４の抵抗値を共にＲEと
すると、第２のトランジスタ５のコレクタ電流ｉC2は、
の電流値を２・Ｉ1 、抵抗３，４の抵抗値を共にＲEと
すると、第２のトランジスタ５のコレクタ電流ｉC2は、
【００１３】
【数４】
【００１４】ただし
【００１５】
【数５】
【００１６】となる。また、第３のトランジスタ８のコ
レクタ電流をｉC3、第４のトランジスタ９のコレクタ電
流をｉC4、ｉC2に対するｉC4の比をαとすると、
レクタ電流をｉC3、第４のトランジスタ９のコレクタ電
流をｉC4、ｉC2に対するｉC4の比をαとすると、
【００１７】
【数６】
【００１８】
【数７】
【００１９】となり、図７において、第１の直流電圧源
１１の電圧値をＶC1、第２の直流電圧源１３の電圧値を
ＶC2、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差をＶC（＝ＶC1−ＶC2）とすると、
１１の電圧値をＶC1、第２の直流電圧源１３の電圧値を
ＶC2、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差をＶC（＝ＶC1−ＶC2）とすると、
【００２０】
【数８】
【００２１】となる。したがって、式（４），（６）よ
り
り
【００２２】
【数９】
【００２３】となり、また、式（６）〜（８）より
【００２４】
【数１０】
【００２５】が得られる。そこで、電流源１４が定電流
源であるとして、その電流値をα・Ｉ1とすると、電圧
制御電流源１５の伝達コンダクタンスｇmは、
源であるとして、その電流値をα・Ｉ1とすると、電圧
制御電流源１５の伝達コンダクタンスｇmは、
【００２６】
【数１１】
【００２７】となる。また図７ではＡ＝１，Ｖi2＝０で
あるから、図７の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo／Ｖi1
は、式（３），（１１）より
あるから、図７の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo／Ｖi1
は、式（３），（１１）より
【００２８】
【数１２】
【００２９】
【数１３】
【００３０】となる。式（１３）では、図７の回路の通
過帯域電圧利得Ｇo，遮断周波数ｆCを、
過帯域電圧利得Ｇo，遮断周波数ｆCを、
【００３１】
【数１４】
【００３２】
【数１５】
【００３３】の一次のローパスフィルタ回路で構成して
おり、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差ＶCを変えることにより遮断周波数ｆCを変化さ
せることができることを示している。
おり、第２の制御端子１２に対する第１の制御端子１０
の電位差ＶCを変えることにより遮断周波数ｆCを変化さ
せることができることを示している。
【００３４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図７に示す
回路をＩＣ化する際には、抵抗値ＲE を精度よく形成す
ることが困難であり、抵抗値ＲEのばらつきに対して遮
断周波数ｆCの値を所定の値にするために電圧ＶC＝ＶC1
−ＶC2 の値を調整する必要がある。また、たとえ抵抗
値ＲEのばらつきに対して電圧ＶC1−ＶC2の値を調整し
ても、抵抗値ＲEの温度特性が悪く、かつ、式（１５）
に含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているの
で、遮断周波数ｆC が回路動作温度によって変化すると
いう問題点がある。さらに、回路をＩＣ化せず、抵抗値
ＲE の精度および温度特性が良く、遮断周波数ｆC の式
が式（１５）で表わせる場合であっても、式（１５）に
含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているため、
遮断周波数ｆC が回路動作温度により変化するという問
題点がある。
回路をＩＣ化する際には、抵抗値ＲE を精度よく形成す
ることが困難であり、抵抗値ＲEのばらつきに対して遮
断周波数ｆCの値を所定の値にするために電圧ＶC＝ＶC1
−ＶC2 の値を調整する必要がある。また、たとえ抵抗
値ＲEのばらつきに対して電圧ＶC1−ＶC2の値を調整し
ても、抵抗値ＲEの温度特性が悪く、かつ、式（１５）
に含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているの
で、遮断周波数ｆC が回路動作温度によって変化すると
いう問題点がある。さらに、回路をＩＣ化せず、抵抗値
ＲE の精度および温度特性が良く、遮断周波数ｆC の式
が式（１５）で表わせる場合であっても、式（１５）に
含まれる項ｅqVc/kTの中に温度Ｔが含まれているため、
遮断周波数ｆC が回路動作温度により変化するという問
題点がある。
【００３５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、無調整で遮断周波数を所定の
値に正確に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化
に適したアクティブ・フィルタ回路を得ることを目的と
する。
るためになされたもので、無調整で遮断周波数を所定の
値に正確に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化
に適したアクティブ・フィルタ回路を得ることを目的と
する。
【００３６】
【課題を解決するための手段】この第１，第２の発明に
係るアクティブ・フィルタ回路は、図１または図２で示
すように、第１および第２制御端子１０，１２に接続さ
れた制御手段（制御回路３１または３１ａ）を設け、上
記制御手段は、第１のバイアス電圧供給端子３３と、一
端が接地されて設けられた直流電圧源３９と、この直流
電圧源の他端に接続された第３のバイアス電圧供給端子
３８と、上記第１のバイアス電圧供給端子と第２のバイ
アス電圧供給端子３７との間に直列に接続された抵抗３
２，第１のダイオード３４，定電流源３６と、上記抵抗
と上記第３のバイアス電圧供給端子との間に接続された
第２のダイオード３５とを備え、上記第１のダイオード
と上記定電流源との相互接続点または上記第３のバイア
ス電圧供給端子のいずれか一方が上記第１の制御端子に
接続され、他方が上記第２の制御端子に接続されてい
る。この第３の発明に係るアクティブ・フィルタ回路
は、図３で示すように、図１，図２の上記定電流源の代
わりに、第２の抵抗４０を用いた。この第４の発明に係
るアクティブ・フィルタ回路は、図４で示すように、図
１〜図３の上記第２のダイオードの代わりに第５のトラ
ンジスタ４１を用い、上記第５のトランジスタの制御電
極が第３のバイアス電圧供給端子３８と接続されるとと
もに、上記第５のトランジスタの一方の主電極が抵抗３
２と第１のダイオード（トランジスタ３４）との相互接
続点に接続されている。この第５の発明に係るアクティ
ブ・フィルタ回路は、図５で示すように、図１〜図４の
直流電圧源３９を、少なくとも１個以上の、ダイオード
またはトランジスタと、抵抗とで構成した。この第６の
発明に係るアクティブ・フィルタ回路は、図６で示すよ
うに、図１，図２，図４，図５の定電流源３６を、１個
以上のダイオード５１と第３の抵抗５２とで構成した。
係るアクティブ・フィルタ回路は、図１または図２で示
すように、第１および第２制御端子１０，１２に接続さ
れた制御手段（制御回路３１または３１ａ）を設け、上
記制御手段は、第１のバイアス電圧供給端子３３と、一
端が接地されて設けられた直流電圧源３９と、この直流
電圧源の他端に接続された第３のバイアス電圧供給端子
３８と、上記第１のバイアス電圧供給端子と第２のバイ
アス電圧供給端子３７との間に直列に接続された抵抗３
２，第１のダイオード３４，定電流源３６と、上記抵抗
と上記第３のバイアス電圧供給端子との間に接続された
第２のダイオード３５とを備え、上記第１のダイオード
と上記定電流源との相互接続点または上記第３のバイア
ス電圧供給端子のいずれか一方が上記第１の制御端子に
接続され、他方が上記第２の制御端子に接続されてい
る。この第３の発明に係るアクティブ・フィルタ回路
は、図３で示すように、図１，図２の上記定電流源の代
わりに、第２の抵抗４０を用いた。この第４の発明に係
るアクティブ・フィルタ回路は、図４で示すように、図
１〜図３の上記第２のダイオードの代わりに第５のトラ
ンジスタ４１を用い、上記第５のトランジスタの制御電
極が第３のバイアス電圧供給端子３８と接続されるとと
もに、上記第５のトランジスタの一方の主電極が抵抗３
２と第１のダイオード（トランジスタ３４）との相互接
続点に接続されている。この第５の発明に係るアクティ
ブ・フィルタ回路は、図５で示すように、図１〜図４の
直流電圧源３９を、少なくとも１個以上の、ダイオード
またはトランジスタと、抵抗とで構成した。この第６の
発明に係るアクティブ・フィルタ回路は、図６で示すよ
うに、図１，図２，図４，図５の定電流源３６を、１個
以上のダイオード５１と第３の抵抗５２とで構成した。
【００３７】
【作用】この第１の発明におけるアクティブ・フィルタ
回路は、遮断周波数が後述する式（２５）で表される。
この第２の発明におけるアクティブ・フィルタ回路は、
遮断周波数が後述する式（２８）で表される。この第３
の発明におけるアクティブ・フィルタ回路は、遮断周波
数が後述する式（３０）で表される。この第４の発明に
おけるアクティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述
する式（３２）で表される。この第５の発明におけるア
クティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式
（３５）で表される。この第６の発明におけるアクティ
ブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（４３）
で表される。したがって、遮断周波数が所定の値に精度
良く設定できると共に、回路動作温度によって変化しな
いため、温度特性が良好となる。
回路は、遮断周波数が後述する式（２５）で表される。
この第２の発明におけるアクティブ・フィルタ回路は、
遮断周波数が後述する式（２８）で表される。この第３
の発明におけるアクティブ・フィルタ回路は、遮断周波
数が後述する式（３０）で表される。この第４の発明に
おけるアクティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述
する式（３２）で表される。この第５の発明におけるア
クティブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式
（３５）で表される。この第６の発明におけるアクティ
ブ・フィルタ回路は、遮断周波数が後述する式（４３）
で表される。したがって、遮断周波数が所定の値に精度
良く設定できると共に、回路動作温度によって変化しな
いため、温度特性が良好となる。
【００３８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの第１の発明の一実施例を示すアクティ
ブ・フィルタ回路の回路図である。図１において、１は
第１の信号入力端子、２は第１のトランジスタ、３，４
は抵抗回路の抵抗、５は第２のトランジスタ、６は定電
流源、７は電源端子、８は第３のトランジスタ、９は第
４のトランジスタ、１０は第１の制御端子、１２は第２
の制御端子、１４は電流源、１６は信号出力端子、１７
はリアクタンス回路（コンデンサ）、１８は第２の信号
入力端子、１９はトランジスタ、２０はダイオード、２
１は定電流源、３１は制御手段としての制御回路、３２
は抵抗、３３は第１のバイアス電圧供給端子、３４は第
１のダイオード、３５は第２のダイオード、３６は定電
流源、３７は第２のバイアス電圧供給端子、３８は第３
のバイアス電圧供給端子、３９は直流電圧源である。こ
こで、１９〜２１は帰還回路となっており、制御回路３
１は、抵抗３２と、第１のダイオード３４と、第２のダ
イオード３５と、定電流源３６と、直流電圧源３９とか
ら構成されている。なお、このアクティブ・フィルタ回
路では、従来例のアクティブ・フィルタ回路（図７）の
直流電圧源１１，１３の代わりに制御回路３１が設けら
れており、同じ機能のものには同符号を付している。ま
た、この制御回路３１を除く回路の接続関係、構成は同
じであるので、構成の説明を省略する。抵抗３２の一端
は、第１のバイアス電圧供給端子３３に接続され、この
抵抗３２の他端は第１のダイオード３４のアノードおよ
び第２のダイオード３５アノードに接続されている。ま
た、第１のダイオード３４のカソードは、第１の制御端
子１０に接続されると共に、定電流源３６を介して第２
のバイアス電圧供給端子３７に接続されている。一方、
第２のダイオード３５のカソードは、第２の制御端子１
２に接続されると共に、第３のバイアス電圧供給端子３
８を介して直流電圧源３９に接続されている。また、第
１のバイアス電圧供給端子３３は電源端子７に接続さ
れ、第２のバイアス電圧供給端子３７は接地されてい
る。
する。図１はこの第１の発明の一実施例を示すアクティ
ブ・フィルタ回路の回路図である。図１において、１は
第１の信号入力端子、２は第１のトランジスタ、３，４
は抵抗回路の抵抗、５は第２のトランジスタ、６は定電
流源、７は電源端子、８は第３のトランジスタ、９は第
４のトランジスタ、１０は第１の制御端子、１２は第２
の制御端子、１４は電流源、１６は信号出力端子、１７
はリアクタンス回路（コンデンサ）、１８は第２の信号
入力端子、１９はトランジスタ、２０はダイオード、２
１は定電流源、３１は制御手段としての制御回路、３２
は抵抗、３３は第１のバイアス電圧供給端子、３４は第
１のダイオード、３５は第２のダイオード、３６は定電
流源、３７は第２のバイアス電圧供給端子、３８は第３
のバイアス電圧供給端子、３９は直流電圧源である。こ
こで、１９〜２１は帰還回路となっており、制御回路３
１は、抵抗３２と、第１のダイオード３４と、第２のダ
イオード３５と、定電流源３６と、直流電圧源３９とか
ら構成されている。なお、このアクティブ・フィルタ回
路では、従来例のアクティブ・フィルタ回路（図７）の
直流電圧源１１，１３の代わりに制御回路３１が設けら
れており、同じ機能のものには同符号を付している。ま
た、この制御回路３１を除く回路の接続関係、構成は同
じであるので、構成の説明を省略する。抵抗３２の一端
は、第１のバイアス電圧供給端子３３に接続され、この
抵抗３２の他端は第１のダイオード３４のアノードおよ
び第２のダイオード３５アノードに接続されている。ま
た、第１のダイオード３４のカソードは、第１の制御端
子１０に接続されると共に、定電流源３６を介して第２
のバイアス電圧供給端子３７に接続されている。一方、
第２のダイオード３５のカソードは、第２の制御端子１
２に接続されると共に、第３のバイアス電圧供給端子３
８を介して直流電圧源３９に接続されている。また、第
１のバイアス電圧供給端子３３は電源端子７に接続さ
れ、第２のバイアス電圧供給端子３７は接地されてい
る。
【００３９】次にこの第１の発明のアクティブ・フィル
タ回路の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路
の場合と同様、説明を簡略化するために、図１の各トラ
ンジスタ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さ
く無視できるものとする。また、信号などの記号は、図
７の従来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記
号と同じ記号を用いるものとする。
タ回路の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路
の場合と同様、説明を簡略化するために、図１の各トラ
ンジスタ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さ
く無視できるものとする。また、信号などの記号は、図
７の従来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記
号と同じ記号を用いるものとする。
【００４０】さらに、直流電圧源３９の電圧値をＶB1、
電源端子７に接続される直流電圧源の電圧値をＶCC、第
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2 、抵抗
３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩoとす
る。
電源端子７に接続される直流電圧源の電圧値をＶCC、第
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2 、抵抗
３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩoとす
る。
【００４１】第１のダイオード３４を流れる電流ｉD1お
よび第２のダイオード３５を流れる電流ｉD2は次式（１
６），（１７）で表せる。
よび第２のダイオード３５を流れる電流ｉD2は次式（１
６），（１７）で表せる。
【００４２】
【数１６】
【００４３】
【数１７】
【００４４】また各値ｉD1，ｉD2，ＶD1，ＶD2，ＶB1，
ｉC3，ｉC4には、次式（１８），（１９）に示すような
関係が成り立つ。
ｉC3，ｉC4には、次式（１８），（１９）に示すような
関係が成り立つ。
【００４５】
【数１８】
【００４６】
【数１９】
【００４７】式（１８），（１９）より、各値ｉC3，ｉ
C4，ｉD1，ｉD2の関係は、次式（２０）で表せる。
C4，ｉD1，ｉD2の関係は、次式（２０）で表せる。
【００４８】
【数２０】
【００４９】式（２０）に、先に導出した式（６），
（７）および式（１６），（１７）を代入すると、ｉC2
に対するｉC4の比αが次式（２１），（２２）のように
得られる。
（７）および式（１６），（１７）を代入すると、ｉC2
に対するｉC4の比αが次式（２１），（２２）のように
得られる。
【００５０】
【数２１】
【００５１】
【数２２】
【００５２】図１の回路の伝達関数Ｇ（ω）＝Ｖo ／Ｖ
i1は、先に導出した式（１２）のαとして式（２１）を
代入することにより、次式（２３）のように求められ
る。
i1は、先に導出した式（１２）のαとして式（２１）を
代入することにより、次式（２３）のように求められ
る。
【００５３】
【数２３】
【００５４】したがって、式（２３）より、従来例（図
７）の遮断周波数ｆC の式である式（１４）に対して、
図１の第１の発明の実施例の遮断周波数ｆC の式は式
（２４）のように導出される。
７）の遮断周波数ｆC の式である式（１４）に対して、
図１の第１の発明の実施例の遮断周波数ｆC の式は式
（２４）のように導出される。
【００５５】
【数２４】
【００５６】さらに、ＲE>>ｒeとすると、次式（２５）
が得られる。
が得られる。
【００５７】
【数２５】
【００５８】式（２５）中のβ1については、β1の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ1の値を設定すれば、β1はほぼ一定と見なすこと
ができる。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ1の値を設定すれば、β1はほぼ一定と見なすこと
ができる。
【００５９】したがって、式（２５）からわかるよう
に、図１のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、定電流源３６を外付けの定電流源として、その電流
値Ｉo の精度が高く温度特性の良い定電流源を用いれ
ば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき
温度特性も良いので、遮断周波数ｆCを無調整で正確に
所定の値に設定できると共に、その温度特性を良好にす
ることができる。
に、図１のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、定電流源３６を外付けの定電流源として、その電流
値Ｉo の精度が高く温度特性の良い定電流源を用いれ
ば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき
温度特性も良いので、遮断周波数ｆCを無調整で正確に
所定の値に設定できると共に、その温度特性を良好にす
ることができる。
【００６０】また、電流値ＩoやＩＣ内部の抵抗比ＲE／
Ｒ1 の精度が悪く調整を必要とする場合でも、温度特性
の良い定電流源３６を外付けの定電流源とし、その電流
値Ｉoを調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん
設定すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良
好なので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすること
ができる。
Ｒ1 の精度が悪く調整を必要とする場合でも、温度特性
の良い定電流源３６を外付けの定電流源とし、その電流
値Ｉoを調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん
設定すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良
好なので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすること
ができる。
【００６１】また、図１のアクティブ・フィルタ回路を
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２および定電流
源３６として温度特性の良いものを用いれば、遮断周波
数ｆCの温度特性を良好にすることができる。そして、
さらに抵抗３，４，３２および定電流源３６として精度
が高いものを用いれば、遮断周波数ｆCを無調整で所定
の値に正確に設定できる。
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２および定電流
源３６として温度特性の良いものを用いれば、遮断周波
数ｆCの温度特性を良好にすることができる。そして、
さらに抵抗３，４，３２および定電流源３６として精度
が高いものを用いれば、遮断周波数ｆCを無調整で所定
の値に正確に設定できる。
【００６２】なお、式（２４）から式（２５）を導くに
あたって与えた条件であるＲE>>ｒe、およびβ1 はほぼ
一定という条件は充分実現することが可能であり、遮断
周波数ｆCの精度や温度特性を十分に良好にすることが
できる。
あたって与えた条件であるＲE>>ｒe、およびβ1 はほぼ
一定という条件は充分実現することが可能であり、遮断
周波数ｆCの精度や温度特性を十分に良好にすることが
できる。
【００６３】図２はこの第２の発明の一実施例によるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。図２におい
て、このアクティブ・フィルタ回路では、図７の直流電
圧源１１，１３の代わりに制御回路３１ａが設けられて
いる。制御回路３１ａは、抵抗３２、第１，第２のダイ
オード３４，３５、第１，第２，第３のバイアス電圧供
給端子３３，３７，３８、定電流源３６、直流電圧源３
９により構成されている。抵抗３２の一端は第１のバイ
アス電圧供給端子３３に接続され、この抵抗３２の他端
は第１のダイオード３４のカソードおよび第２のダイオ
ード３５のカソードに接続されている。また、第１のダ
イオード３４のアノードは、第２の制御端子１２に接続
されると共に、定電流源３６を介して第２のバイアス電
圧供給端子３７に接続されている。一方、第２のダイオ
ード３５のアノードは、第１の制御端子１０に接続され
ると共に、第３のバイアス電圧供給端子３８を介して直
流電圧源３９に接続されている。なお、この図２では、
第１のバイアス電圧供給端子３３は接地され、第２のバ
イアス電圧供給端子３７は電源端子７に接続されてい
る。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。図２におい
て、このアクティブ・フィルタ回路では、図７の直流電
圧源１１，１３の代わりに制御回路３１ａが設けられて
いる。制御回路３１ａは、抵抗３２、第１，第２のダイ
オード３４，３５、第１，第２，第３のバイアス電圧供
給端子３３，３７，３８、定電流源３６、直流電圧源３
９により構成されている。抵抗３２の一端は第１のバイ
アス電圧供給端子３３に接続され、この抵抗３２の他端
は第１のダイオード３４のカソードおよび第２のダイオ
ード３５のカソードに接続されている。また、第１のダ
イオード３４のアノードは、第２の制御端子１２に接続
されると共に、定電流源３６を介して第２のバイアス電
圧供給端子３７に接続されている。一方、第２のダイオ
ード３５のアノードは、第１の制御端子１０に接続され
ると共に、第３のバイアス電圧供給端子３８を介して直
流電圧源３９に接続されている。なお、この図２では、
第１のバイアス電圧供給端子３３は接地され、第２のバ
イアス電圧供給端子３７は電源端子７に接続されてい
る。
【００６４】第１，第２の制御端子１０，１２から後段
の信号入力端子１，１８、信号出力端子１６、電圧制御
電流源１５、電源端子７、リアクタンス回路を構成する
コンデンサ１７、トランジスタ１９、ダイオード２０お
よび定電流源２１の構成および相互の接続関係は、前述
した図７のアクティブ・フィルタ回路と同様である。
の信号入力端子１，１８、信号出力端子１６、電圧制御
電流源１５、電源端子７、リアクタンス回路を構成する
コンデンサ１７、トランジスタ１９、ダイオード２０お
よび定電流源２１の構成および相互の接続関係は、前述
した図７のアクティブ・フィルタ回路と同様である。
【００６５】次にこの図２のアクティブ・フィルタ回路
の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路の場合
と同様、説明を簡略化するために、図２の各トランジス
タ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さく無視
できるものとする。また、信号などの記号は、図７の従
来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記号と同
じ記号を用いるものとする。
の動作を説明する。この場合も図７の従来の回路の場合
と同様、説明を簡略化するために、図２の各トランジス
タ２，５，８，９，１９のベース電流は十分小さく無視
できるものとする。また、信号などの記号は、図７の従
来の回路および図８の回路の動作説明で用いた記号と同
じ記号を用いるものとする。
【００６６】さらに直流電圧源３９の電圧値をＶB1、第
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2 、抵抗
３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩoとす
ると、図１の回路と同様にして、遮断周波数ｆCは、下
記式（２６），（２７）で与えられる。
１のダイオード３４のアノード・カソード間電圧（順方
向を正とする）をＶD1、第２のダイオード３５のアノー
ド・カソード間電圧（順方向を正とする）をＶD2 、抵抗
３２の抵抗値をＲ1 、定電流源３６の電流値をＩoとす
ると、図１の回路と同様にして、遮断周波数ｆCは、下
記式（２６），（２７）で与えられる。
【００６７】
【数２６】
【００６８】ただし
【００６９】
【数２７】
【００７０】さらに、ＲE>>ｒeとすると、次式（２８）
が得られる。
が得られる。
【００７１】
【数２８】
【００７２】式（２８）中のβ2については、β2の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ2の値を設定すれば、β2はほぼ一定と見なすこと
ができる。したがって、式（２８）中のβ2を式（２
５）中のβ1と対比させるとわかるように、図２の回路
も図１と同一の効果がある。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ2の値を設定すれば、β2はほぼ一定と見なすこと
ができる。したがって、式（２８）中のβ2を式（２
５）中のβ1と対比させるとわかるように、図２の回路
も図１と同一の効果がある。
【００７３】図３はこの第３の発明の一実施例によるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の発明の実施例におけ
る定電流源３６が第２の抵抗４０で置き換えられている
点が第１の実施例と異なるのみで、その他の構成は第１
の発明の実施例と同じである。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の発明の実施例におけ
る定電流源３６が第２の抵抗４０で置き換えられている
点が第１の実施例と異なるのみで、その他の構成は第１
の発明の実施例と同じである。
【００７４】この図３のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、第２の抵抗４０の抵抗値をＲ2とすると、第２の
抵抗４０を流れる電流値ＩR2は次式（２９）で表せる。
いて、第２の抵抗４０の抵抗値をＲ2とすると、第２の
抵抗４０を流れる電流値ＩR2は次式（２９）で表せる。
【００７５】
【数２９】
【００７６】図３の回路のＩR2は図１の回路のＩoに相
当するので、式（２５）のＩoの代わりに式（２９）で
表せるＩR2を用いることにより、図３の遮断周波数ｆC
の式が式（３０），（３１）のように導出される。
当するので、式（２５）のＩoの代わりに式（２９）で
表せるＩR2を用いることにより、図３の遮断周波数ｆC
の式が式（３０），（３１）のように導出される。
【００７７】
【数３０】
【００７８】ただし
【００７９】
【数３１】
【００８０】式（３１）中のβ3については、β3の値の
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ3の値を設定すれば、β3はほぼ一定と見なすこと
ができる。
ばらつき量や温度変動量が十分無視できるような大きな
値にβ3の値を設定すれば、β3はほぼ一定と見なすこと
ができる。
【００８１】したがって、式（３０）からわかるよう
に、図３のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、第２の抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ
2 の精度が高く温度特性の良い抵抗を用いれば、ＩＣ内
部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき温度特性も
良いので、遮断周波数ｆC を無調整で正確に所定の値に
設定できると共に、その温度特性を良好にすることがで
きる。
に、図３のアクティブ・フィルタ回路をＩＣ化した場
合、第２の抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ
2 の精度が高く温度特性の良い抵抗を用いれば、ＩＣ内
部の抵抗比ＲE／Ｒ1の値は精度良く設定でき温度特性も
良いので、遮断周波数ｆC を無調整で正確に所定の値に
設定できると共に、その温度特性を良好にすることがで
きる。
【００８２】また、抵抗値Ｒ2やＩＣ内部の抵抗比ＲE
／Ｒ1の精度が悪く調整が必要となる場合でも、温度特
性の良い抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ2
を調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん設定
すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良好な
ので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすることがで
きる。
／Ｒ1の精度が悪く調整が必要となる場合でも、温度特
性の良い抵抗４０を外付けの抵抗とし、その抵抗値Ｒ2
を調整することにより、遮断周波数ｆCをいったん設定
すれば、ＩＣ内部の抵抗比ＲE／Ｒ1の温度特性は良好な
ので、遮断周波数ｆCの温度特性を良好にすることがで
きる。
【００８３】また、図３のアクティブ・フィルタ回路を
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２，４０として
温度特性の良いものを用いれば、遮断周波数ｆC の温度
特性を良好にすることができる。そして、さらに抵抗
３，４，３２，４０として精度が高いものを用いれば、
遮断周波数ｆC を無調整で所定の値に正確に設定でき
る。
ＩＣ化しない場合でも、抵抗３，４，３２，４０として
温度特性の良いものを用いれば、遮断周波数ｆC の温度
特性を良好にすることができる。そして、さらに抵抗
３，４，３２，４０として精度が高いものを用いれば、
遮断周波数ｆC を無調整で所定の値に正確に設定でき
る。
【００８４】なお、式（３０）を導くにあたって与えた
条件であるＲE>>ｒe、およびβ3 はほぼ一定という条件
は充分実現することが可能であり、遮断周波数ｆC の精
度や温度特性を十分に良好にすることができる。
条件であるＲE>>ｒe、およびβ3 はほぼ一定という条件
は充分実現することが可能であり、遮断周波数ｆC の精
度や温度特性を十分に良好にすることができる。
【００８５】また、図２の実施例においても、定電流源
３６を図３の実施例と同様に第２の抵抗４０で置き換え
ることができる。
３６を図３の実施例と同様に第２の抵抗４０で置き換え
ることができる。
【００８６】図４はこの第４の発明の一実施例における
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第
２のダイオード３５の代わりに第５のトランジスタ４１
を用いると共に、第１のダイオード３４として第１のダ
イオード３４のアノード・カソード間電圧ＶD1の対電流
依存特性を第５のトランジスタ４１のベース・エミッタ
間電圧の対電流依存特性に合わせるために第５のトラン
ジスタ４１と同一特性のトランジスタのベース・コレク
タ間を短絡したものを用いている点が図１の第１の発明
の実施例と異なるのみで、その他の構成は図１の実施例
と同じである。図４において、第５のトランジスタ４１
のエミッタは抵抗３２と第１のダイオード３４との相互
接続点に接続され、そのベースは第３のバイアス電圧供
給端子３８に接続され、さらにそのコレクタは接地され
ている。
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における第
２のダイオード３５の代わりに第５のトランジスタ４１
を用いると共に、第１のダイオード３４として第１のダ
イオード３４のアノード・カソード間電圧ＶD1の対電流
依存特性を第５のトランジスタ４１のベース・エミッタ
間電圧の対電流依存特性に合わせるために第５のトラン
ジスタ４１と同一特性のトランジスタのベース・コレク
タ間を短絡したものを用いている点が図１の第１の発明
の実施例と異なるのみで、その他の構成は図１の実施例
と同じである。図４において、第５のトランジスタ４１
のエミッタは抵抗３２と第１のダイオード３４との相互
接続点に接続され、そのベースは第３のバイアス電圧供
給端子３８に接続され、さらにそのコレクタは接地され
ている。
【００８７】この図４のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４１およ
びダイオード３４として動作するトランジスタのベース
電流は十分小さく無視できるものとし、トランジスタ４
１およびダイオード３４として動作するトランジスタの
コレクタ電流をそれぞれｉC5，ｉC6，トランジスタ４１
およびダイオード３４として動作するトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧（順方向を正とする）をそれぞれ
ＶBE5，ＶBE6とすると、図４のＶBE6，ＶBE5，ｉC6，ｉ
C5はそれぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当する
ので、結局式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶ
D2をＶBE5で置き換えたものを用いることにより、図４
の遮断周波数ｆC の式が次式（３２），（３３）のよう
に導出される。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４１およ
びダイオード３４として動作するトランジスタのベース
電流は十分小さく無視できるものとし、トランジスタ４
１およびダイオード３４として動作するトランジスタの
コレクタ電流をそれぞれｉC5，ｉC6，トランジスタ４１
およびダイオード３４として動作するトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧（順方向を正とする）をそれぞれ
ＶBE5，ＶBE6とすると、図４のＶBE6，ＶBE5，ｉC6，ｉ
C5はそれぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当する
ので、結局式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶ
D2をＶBE5で置き換えたものを用いることにより、図４
の遮断周波数ｆC の式が次式（３２），（３３）のよう
に導出される。
【００８８】
【数３２】
【００８９】ただし
【００９０】
【数３３】
【００９１】図４の回路の効果は図１の回路と同様であ
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５を図４の実施例と同様の構成で
置き換えることができる。
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５を図４の実施例と同様の構成で
置き換えることができる。
【００９２】図５はこの第５の発明の一実施例における
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における直
流電圧源３９をトランジスタ４２，抵抗４３，４４，４
５により構成すると共に、第１および第２のダイオード
３４，３５としてそのアノード・カソード間電圧の対電
流依存特性をトランジスタ４２のベース・エミッタ間電
圧の対電流依存特性に合わせるためにトランジスタ４２
と同一特性のトランジスタのベース・コレクタ間を短絡
したものを用いている点が図１の実施例と異なるのみ
で、その他の構成は図１の発明の実施例と同じである。
アクティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクテ
ィブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における直
流電圧源３９をトランジスタ４２，抵抗４３，４４，４
５により構成すると共に、第１および第２のダイオード
３４，３５としてそのアノード・カソード間電圧の対電
流依存特性をトランジスタ４２のベース・エミッタ間電
圧の対電流依存特性に合わせるためにトランジスタ４２
と同一特性のトランジスタのベース・コレクタ間を短絡
したものを用いている点が図１の実施例と異なるのみ
で、その他の構成は図１の発明の実施例と同じである。
【００９３】この図５のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４３およ
びダイオード３４，３５として動作するトランジスタの
ベース電流は十分小さく無視できるものとし、トランジ
スタ４２およびダイオード３４，３５として動作するト
ランジスタのコレクタ電流をそれぞれｉC7，ｉC8，
ｉC9、トランジスタ４２およびダイオード３４，３５と
して動作するトランジスタのベース・エミッタ間電圧
（順方向を正とする）をＶBE7，ＶBE8，ＶBE9 、抵抗４
４，４５の抵抗値をＲ01，Ｒ02とする。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４３およ
びダイオード３４，３５として動作するトランジスタの
ベース電流は十分小さく無視できるものとし、トランジ
スタ４２およびダイオード３４，３５として動作するト
ランジスタのコレクタ電流をそれぞれｉC7，ｉC8，
ｉC9、トランジスタ４２およびダイオード３４，３５と
して動作するトランジスタのベース・エミッタ間電圧
（順方向を正とする）をＶBE7，ＶBE8，ＶBE9 、抵抗４
４，４５の抵抗値をＲ01，Ｒ02とする。
【００９４】まず、ＶB1の式は次式（３４）で与えられ
る。
る。
【００９５】
【数３４】
【００９６】次に、図５のＶBE8，ＶBE9，ｉC8，ｉC9が
それぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当すること
を考慮すると、結局図５の遮断周波数ｆC の式は、式
（２５）中のβ1として式（２２）中のＶD2をＶBE9で置
き換え、ＶB1を式（３４）で表されるＶB1で置き換えた
ものを用いることにより、次式（３５），（３６）のよ
うに導出される。
それぞれ図１のＶD1，ＶD2，ｉD1，ｉD2に相当すること
を考慮すると、結局図５の遮断周波数ｆC の式は、式
（２５）中のβ1として式（２２）中のＶD2をＶBE9で置
き換え、ＶB1を式（３４）で表されるＶB1で置き換えた
ものを用いることにより、次式（３５），（３６）のよ
うに導出される。
【００９７】
【数３５】
【００９８】ただし
【００９９】
【数３６】
【０１００】さらに、ｉC7はほぼｉC9となるように抵抗
４３の値を設定すれば、ＶBE7 はほぼＶBE9となるの
で、式（３６）は次式（３７）のようになる。
４３の値を設定すれば、ＶBE7 はほぼＶBE9となるの
で、式（３６）は次式（３７）のようになる。
【０１０１】
【数３７】
【０１０２】したがって、電源端子７に接続される直流
電圧源として、その電圧値ＶCCの精度が高く温度特性の
良い直流電圧源を用いれば、図５の回路をＩＣ化した場
合にはＩＣ内部の抵抗比Ｒ02／Ｒ01の値は精度高く設定
できると共に温度特性も良く、β5 はほぼ一定となる。
また、図５の回路をＩＣ化しない場合でも、抵抗４４，
４５として精度が高く温度特性が良いものを用いれば、
β5 はほぼ一定となる。
電圧源として、その電圧値ＶCCの精度が高く温度特性の
良い直流電圧源を用いれば、図５の回路をＩＣ化した場
合にはＩＣ内部の抵抗比Ｒ02／Ｒ01の値は精度高く設定
できると共に温度特性も良く、β5 はほぼ一定となる。
また、図５の回路をＩＣ化しない場合でも、抵抗４４，
４５として精度が高く温度特性が良いものを用いれば、
β5 はほぼ一定となる。
【０１０３】図５の回路の効果は図１の回路と同様であ
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５および直流電圧源３９を図５の
実施例と同様の構成で置き換えることができる。
る。なお、図２，図３の実施例においても、第１，第２
のダイオード３４，３５および直流電圧源３９を図５の
実施例と同様の構成で置き換えることができる。
【０１０４】図６はこの発明の第６の実施例におけるア
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における直流
電圧源３９をトランジスタ４６，４７、抵抗４８，４
９，５０により構成すると共に、定電流源３６の代わり
に、ダイオード５１と第３の抵抗５２とを直列接続した
ものを用いている点が図１の第１の発明の実施例と異な
るのみで、その他の構成は図１の第１の発明の実施例と
同じである。
クティブ・フィルタ回路の回路図である。このアクティ
ブ・フィルタ回路は、図１の第１の実施例における直流
電圧源３９をトランジスタ４６，４７、抵抗４８，４
９，５０により構成すると共に、定電流源３６の代わり
に、ダイオード５１と第３の抵抗５２とを直列接続した
ものを用いている点が図１の第１の発明の実施例と異な
るのみで、その他の構成は図１の第１の発明の実施例と
同じである。
【０１０５】この図６のアクティブ・フィルタ回路にお
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４６，４
７のベース電流は十分小さく無視できるものとし、トラ
ンジスタ４６，４７のコレクタ電流をｉC10，ｉC11，ト
ランジスタ４６，４７のベース・エミッタ間電圧（順方
向を正とする）をＶBE10，ＶBE11、ダイオード５１を流
れる電流をｉD3、ダイオードのアノード・カソード間電
圧（順方向を正とする）をＶD3、抵抗４９，５０，５２
の抵抗値をＲ03，Ｒ04，Ｒ3とする。
いて、説明を簡略化するために、トランジスタ４６，４
７のベース電流は十分小さく無視できるものとし、トラ
ンジスタ４６，４７のコレクタ電流をｉC10，ｉC11，ト
ランジスタ４６，４７のベース・エミッタ間電圧（順方
向を正とする）をＶBE10，ＶBE11、ダイオード５１を流
れる電流をｉD3、ダイオードのアノード・カソード間電
圧（順方向を正とする）をＶD3、抵抗４９，５０，５２
の抵抗値をＲ03，Ｒ04，Ｒ3とする。
【０１０６】まず、ＶB1，ｉC11，ｉD1，ｉD2，ｉD3 の
式はそれぞれ次式（３８）〜（４１）で与えられる。
式はそれぞれ次式（３８）〜（４１）で与えられる。
【０１０７】
【数３８】
【０１０８】
【数３９】
【０１０９】
【数４０】
【０１１０】
【数４１】
【０１１１】
【数４２】
【０１１２】次に、図６のＩD3が図１のＩo に相当する
ことを考慮すると、結局図６の遮断周波数ｆCの式は、
式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶB1を式（３
８）で表されるＶB1で置き換えたものを用い、かつＩo
の代わりに式（３９）で与えられるＩD3を用いることに
より、次式（４３），（４４）のように導出される。
ことを考慮すると、結局図６の遮断周波数ｆCの式は、
式（２５）中のβ1として式（２２）中のＶB1を式（３
８）で表されるＶB1で置き換えたものを用い、かつＩo
の代わりに式（３９）で与えられるＩD3を用いることに
より、次式（４３），（４４）のように導出される。
【０１１３】
【数４３】
【０１１４】ただし
【０１１５】
【数４４】
【０１１６】さらに、Ｒ03＝Ｒ04と設定し、またｉC10
はほぼｉC11，ｉD2はほぼｉD1（＝ｉD3）となるように
抵抗３２，４８の値を設定すれば、ＶBE10はほぼ
ＶBE11，ＶD2 はほぼＶD1（＝ＶD3）となるので、β6 は
ほぼ１（一定）となる。
はほぼｉC11，ｉD2はほぼｉD1（＝ｉD3）となるように
抵抗３２，４８の値を設定すれば、ＶBE10はほぼ
ＶBE11，ＶD2 はほぼＶD1（＝ＶD3）となるので、β6 は
ほぼ１（一定）となる。
【０１１７】図６の回路の効果は、式（４３）が式（３
０）と同一の形なので、図３の回路の効果と同様であ
る。なお、図２，図４の実施例においても、定電流源３
６，直流電圧源３９を図６の実施例と同様の構成で置き
換えることができる。
０）と同一の形なので、図３の回路の効果と同様であ
る。なお、図２，図４の実施例においても、定電流源３
６，直流電圧源３９を図６の実施例と同様の構成で置き
換えることができる。
【０１１８】なお、上記各発明の実施例において、
（１）定電流源６の代わりに抵抗を用いた場合、（２）
抵抗３の抵抗値と抵抗４の抵抗値とが等しくない場合、
（３）第１および第２のトランジスタ２，５から成る差
動増幅回路として他の回路を用いた場合、（４）出力信
号を第２のトランジスタ５のベースに帰還させる手段と
して他の回路を用いた場合、（５）図面に示したのとは
異なる極性のトランジスタを用いた場合、（６）リアク
タンス回路１７として他の回路を用いた場合、（７）第
１の信号入力端子１をバイアス電圧源などにより交流的
に接地し、第２の信号入力端子１８から信号を入力する
ことによって１次のハイパスフィルタ回路を構成した場
合、（８）第１および第２の信号入力端子１，１８のそ
れぞれに信号を入力することによって、第１の信号入力
端子１からの入力信号に対しては１次のローパスフィル
タ、第２の信号入力端子１８からの入力信号に対して
は、１次のハイパスフィルタとした場合、（９）第１，
第２のバイアス電圧供給端子をそれぞれ電源端子に接続
または接地する代わりに、任意の電圧値を持った直流電
圧源に接続した場合、においても、この発明は同様に適
用でき、同一の効果がある。
（１）定電流源６の代わりに抵抗を用いた場合、（２）
抵抗３の抵抗値と抵抗４の抵抗値とが等しくない場合、
（３）第１および第２のトランジスタ２，５から成る差
動増幅回路として他の回路を用いた場合、（４）出力信
号を第２のトランジスタ５のベースに帰還させる手段と
して他の回路を用いた場合、（５）図面に示したのとは
異なる極性のトランジスタを用いた場合、（６）リアク
タンス回路１７として他の回路を用いた場合、（７）第
１の信号入力端子１をバイアス電圧源などにより交流的
に接地し、第２の信号入力端子１８から信号を入力する
ことによって１次のハイパスフィルタ回路を構成した場
合、（８）第１および第２の信号入力端子１，１８のそ
れぞれに信号を入力することによって、第１の信号入力
端子１からの入力信号に対しては１次のローパスフィル
タ、第２の信号入力端子１８からの入力信号に対して
は、１次のハイパスフィルタとした場合、（９）第１，
第２のバイアス電圧供給端子をそれぞれ電源端子に接続
または接地する代わりに、任意の電圧値を持った直流電
圧源に接続した場合、においても、この発明は同様に適
用でき、同一の効果がある。
【０１１９】さらに、アクティブ・フィルタ回路を縦続
接続すること等により、様々な伝達関数を有し、多様な
フィルタ特性を実現した回路においても、上記実施例中
で用いたこの発明による制御回路を適用でき、同一の効
果がある。
接続すること等により、様々な伝達関数を有し、多様な
フィルタ特性を実現した回路においても、上記実施例中
で用いたこの発明による制御回路を適用でき、同一の効
果がある。
【０１２０】
【発明の効果】以上のようにこの第１，第２の発明によ
れば、抵抗と、２個のダイオードと、直流電圧源と、定
電流源から構成される制御手段を、アクティブ・フィル
タ回路に設けたため、アクティブ・フィルタ回路の遮断
周波数は、精度良く設定できると共に温度特性が良好
な、抵抗回路の抵抗値と抵抗の抵抗値との相対比によっ
て与えられる。このため、無調整で遮断周波数を所定の
値に正確に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化
に適したアクティブ・フィルタ回路を得ることができる
効果がある。第３の発明によれば、第１，第２の発明の
制御手段の定電流源の代わりに第２の抵抗で構成するだ
けで、第１の発明と同じ効果が得られる。第４の発明に
よれば、第１〜第３の発明の制御手段の第２のダイオー
ドの代わりに第５のトランジスタを用いることにより、
第１の発明と同じ効果が得られる。第５の発明によれ
ば、第１〜第４の発明の制御手段の直流電圧源を、少な
くとも１個以上の、ダイオードまたはトランジスタ，抵
抗とで構成し、構成を変えるだけで、第１の発明と同じ
効果が得られる。第６の発明によれば、第１，第２，第
４，第５の発明の制御手段の定電流源を、１個以上のダ
イオードと、第３の抵抗とで構成することにより、構成
を変えるだけで、第１の発明と同じ効果が得られる。
れば、抵抗と、２個のダイオードと、直流電圧源と、定
電流源から構成される制御手段を、アクティブ・フィル
タ回路に設けたため、アクティブ・フィルタ回路の遮断
周波数は、精度良く設定できると共に温度特性が良好
な、抵抗回路の抵抗値と抵抗の抵抗値との相対比によっ
て与えられる。このため、無調整で遮断周波数を所定の
値に正確に設定でき、かつ、温度特性が良好な、ＩＣ化
に適したアクティブ・フィルタ回路を得ることができる
効果がある。第３の発明によれば、第１，第２の発明の
制御手段の定電流源の代わりに第２の抵抗で構成するだ
けで、第１の発明と同じ効果が得られる。第４の発明に
よれば、第１〜第３の発明の制御手段の第２のダイオー
ドの代わりに第５のトランジスタを用いることにより、
第１の発明と同じ効果が得られる。第５の発明によれ
ば、第１〜第４の発明の制御手段の直流電圧源を、少な
くとも１個以上の、ダイオードまたはトランジスタ，抵
抗とで構成し、構成を変えるだけで、第１の発明と同じ
効果が得られる。第６の発明によれば、第１，第２，第
４，第５の発明の制御手段の定電流源を、１個以上のダ
イオードと、第３の抵抗とで構成することにより、構成
を変えるだけで、第１の発明と同じ効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図２】この発明の第２の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図３】この発明の第３の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図４】この発明の第４の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図５】この発明の第５の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図６】この発明の第６の発明の一実施例によるアクテ
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
ィブ・フィルタ回路の回路図である。
【図７】従来のアクティブ・フィルタ回路の回路図であ
る。
る。
【図８】図７に示すアクティブ・フィルタ回路の等価回
路の回路図である。
路の回路図である。
【符号の説明】 １ 第１の信号入力端子 ２ 第１のトランジスタ ３，４ 抵抗回路の抵抗 ５ 第２のトランジスタ ８ 第３のトランジスタ ９ 第４のトランジスタ １０ 第１の制御端子 １２ 第２の制御端子 １４ 電流源 １７ リアクタンス回路 １８ 第２の信号入力端子 １９〜２１ 帰還回路 ３１，３１ａ 制御回路 ３２ 抵抗 ３３ 第１のバイアス電圧供給端子 ３４ 第１のダイオード ３５ 第２のダイオード ３６ 定電流源 ３７ 第２のバイアス電圧供給端子 ３８ 第３のバイアス電圧供給端子 ４０ 第２の抵抗 ４１ 第５のトランジスタ ５１ １個ないし複数個のダイオード ５２ 第３の抵抗
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
Claims (6)
- 【請求項１】 第１および第２の差動対のトランジスタ
と、これらのトランジスタの間に直列に接続された抵抗
回路とを有する第１のトランジスタ差動増幅回路と、第
３および第４の差動対のトランジスタと、第３，第４の
トランジスタの制御電極に接続された第１，第２の制御
端子と、一端が上記第４のトランジスタの主電極に接続
され、他端が電源と接続された電流源とを有し、上記第
１のトランジスタの制御電極の入力に対する非反転出力
に負荷として接続された第２のトランジスタ差動増幅回
路とを備えるアクティブ・フィルタ回路において、上記
第１および第２の制御端子と上記電源とに接続された制
御手段を設け、上記制御手段は、上記電源と接続された
第１のバイアス電圧供給端子と、一端が接地されて設け
られた直流電圧源と、この直流電圧源の他端に接続され
た第３のバイアス電圧供給端子と、上記第１のバイアス
電圧供給端子と上記第２のバイアス電圧供給端子との間
に直列に接続された抵抗，第１のダイオード，定電流源
と、上記抵抗と上記第３のバイアス電圧供給端子との間
に接続された第２のダイオードとを備え、上記第１のダ
イオードと上記定電流源との相互接続点または上記第３
のバイアス電圧供給端子のいずれか一方が上記第１の制
御端子に接続され、他方が第２の制御端子に接続された
ことを特徴とするアクティブ・フィルタ回路。 - 【請求項２】 上記第１のバイアス電圧供給端子が接地
され、上記第２のバイアス電圧供給端子が上記電源と接
続されたことを特徴とする請求項１記載のアクティブ・
フィルタ回路。 - 【請求項３】 上記定電流源の代わりに、第２の抵抗を
用いたことを特徴とする請求項１記載のアクティブ・フ
ィルタ回路。 - 【請求項４】 上記第２のダイオードの代わりに、第５
のトランジスタを用い、上記トランジスタの制御電極が
上記第３のバイアス電圧供給端子および上記第２の制御
端子と接続されるとともに、上記第５のトランジスタの
一方の電極が上記抵抗と上記第１のダイオードとの相互
接続点に接続されたことを特徴とする請求項１記載のア
クティブ・フィルタ回路。 - 【請求項５】 上記直流電圧源を、少なくとも１個以上
の、ダイオードまたはトランジスタと、抵抗とで構成し
たことを特徴とする請求項１，２，３または４記載のア
クティブ・フィルタ回路。 - 【請求項６】 上記定電流源を、１個以上のダイオード
と第３の抵抗とで構成したことを特徴とする請求項１，
２，４または５記載のアクティブ・フィルタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214773A JP2783301B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | アクティブ・フィルタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3214773A JP2783301B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | アクティブ・フィルタ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537295A true JPH0537295A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2783301B2 JP2783301B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=16661301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3214773A Expired - Lifetime JP2783301B2 (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | アクティブ・フィルタ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2783301B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583959A (en) * | 1994-05-27 | 1996-12-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical pulse compression device |
| US6782775B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-08-31 | Toyoda Iron Works Co., Ltd. | Vehicle pedal device wherein non-operated position of operating portion is adjustable in longitudinal direction of vehicle |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02268507A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブ・フィルタ回路 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3214773A patent/JP2783301B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02268507A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブ・フィルタ回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583959A (en) * | 1994-05-27 | 1996-12-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical pulse compression device |
| US6782775B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-08-31 | Toyoda Iron Works Co., Ltd. | Vehicle pedal device wherein non-operated position of operating portion is adjustable in longitudinal direction of vehicle |
| US7047837B2 (en) | 2000-12-22 | 2006-05-23 | Toyoda Iron Works Co., Ltd. | Vehicle pedal device wherein non-operated position of operating portion is adjustable in longitudinal direction of vehicle |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2783301B2 (ja) | 1998-08-06 |
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