JPH0537530Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、利得調整装置に関し、特に周囲温
度が変化しても、利得が変動しないように温度補
償を施したものに関する。

〔従来技術〕

一般に、増幅器は周囲温度が高くなると、利得
が減少し、周囲温度が低くなると、利得が増加す
る傾向がある。これは、増幅用トランジスタの温
度変化による影響が大きい。このような周囲温度
の変動による利得の変動を防止するため、従来、
増幅器内のトランジスタの各バイアス回路内にサ
ーミスタを設けて、トランジスタの温度変化によ
る利得の変動を防止するものがあつた。その例を
第５図及び第６図に示す。両図において、２，４
は増幅用トランジスタ、６，８はバイアス回路で
ある。第５図の例ではトランジスタ２のエミツタ
側に、第６図の例ではトランジスタ４のベース側
に、それぞれサーミスタ１０，１２を設けてい
る。なお、両図において、１４はRFC、１６は
直流阻止コンデンサ、１８はバイアスコンデンサ
である。

〔考案が解決しようとする問題点〕

第５図及び第６図に示したものでは、増幅器を
構成している各トランジスタ２，４に対して１個
づつサーミスタ１０，１２を設けて、それぞれ各
トランジスタの温度変化による利得変化をバイア
ス電流を変化させて防止しているので、費用が高
くなるという問題点があつた。特に、高周波増幅
器の場合、高周波増幅段を多段接続することが多
いので、各増幅段をそれぞれ構成しているトラン
ジスタ１個に対して１個の割合でサーミスタ１
０，１２を設けるには多大な費用が必要で、大き
な問題点となる。

〔問題点を解決するための手段〕

上記のような各問題点を解決するため、本考案
は、入力端子と出力端子との間に第１のPINダイ
オードを有し、この第１のPINダイオードの上記
入力端子は第１の抵抗器を介して基準電位点に接
続され、第２及び第３のPINダイオードからなる
ダイオード直列回路と直流阻止コンデンサとの直
列回路が、第１のPINダイオードに並列に接続さ
れ、第２及び第３のPINダイオードの接続点が高
周波的に上記基準電位点に接続されている減衰回
路と、温度上昇によつて抵抗値が低下し、温度低
下によつて抵抗値が増加する感温素子と、可変抵
抗器とを、介して電源から第１のPINダイオード
の上記出力端子側に電流を供給し、第２の抵抗器
を介して上記電源から上記ダイオード直列回路と
上記直流阻止コンデンサとの接続点に電流を供給
する電流調整回路とを具備するものである。

〔作用〕

本考案によれば、周囲温度が低い場合、感温素
子の抵抗値は増加するので、電源から感温素子及
び可変抵抗器を介して第１のPINダイオードに供
給される電流が減少し、第２の抵抗器を介して第
２及び第３のPINダイオードに供給される電流が
増加する。従つて、第１のPINダイオードの高周
波抵抗値が増加し、第２及び第３のPINダイオー
ドの高周波抵抗値が低下するので、第１乃至第３
のPINダイオードで構成されたπ型減衰回路の減
衰量が増加する。

周囲温度が高い場合、感温素子の抵抗値は減少
するので、電源から感温素子及び可変抵抗器を介
して第１のPINダイオードに供給される電流が増
加し、抵抗器を介して第２及び第３のPINダイオ
ードに流れる電流が減少する。その結果、第１の
PINダイオードの高周波抵抗値が低下し、第２及
び第３のPINダイオードの高周波抵抗値が増加す
る。従つて、第１乃至第３のPINダイオードで構
成されたπ型減衰回路の減衰量が減少する。

また、可変抵抗器の操作によつても、上記と同
様に第１のPINダイオードに流れる電流が大きく
なると、第２及び第３のPINダイオードに流れる
電流が小さくなり、反対に第１のPINダイオード
に流れる電流が小さいときには、第２及び第３の
PINダイオードに流れる電流が大きくなり、上記
と同様に減衰量が調整される。

なお、第２及び第３のPINダイオードと、第１
のPINダイオードとの間には、直流阻止コンデン
サが接続されているので、感温素子及び可変抵抗
器を介しての電流が、第２及び第３のPINダイオ
ードに流れることはなく、第２の抵抗器を介して
の電流が、第１のPINダイオードに流れることも
ない。

〔実施例〕

第１の実施例29は、第１図に示すようにPINダ
イオード３０を有する。このPINダイオード３０
のカソード側は、PINダイオード３２のカソード
側に接続されている。また、PINダイオード３０
のアノード側は直流阻止コンデンサ３６を介して
PINダイオード３８のアノード側に接続されてい
る。PINダイオード３２のアノード側とPINダイ
オード３８のカソード側とは互いに接続されてお
り、その接続点は、バイパスコンデンサ４０を介
して接地されている。

PINダイオード３０のカソード側は直流阻止コ
ンデンサ４２を介して入力端子４４に接続される
と共に、抵抗器４６を介して接地されている。

PINダイオード３０のアノード側は直流阻止コ
ンデンサ４８を介して出力端子５０に接続されて
いる。また、PINダイオード３０のアノード側
は、RFC５２を介して可変抵抗器５４の腕にも
接続されている。この可変抵抗器５４の一端ａ
は、半固定抵抗器５６を介して接地され、可変抵
抗器５４の他端ｂは、感温素子としてのサーミス
タ５８を介して電源端子６０に接続されている。
この電源端子６０は抵抗器６２を介してコンデン
サ３６とPINダイオード３８のアノード側との接
続点に接続されている。抵抗器４６，６２、
RFC５２、可変抵抗器５４、半固定抵抗器５６、
サーミスタ５８等が電流調整回路６４を構成して
いる。６６，６８はバイパスコンデンサである。

この実施例は、例えば第４図に示すように、入
力端子４４を多段接続された高周波増幅段７０の
最終段の出力側に接続しており、出力端子５０を
やはり多段接続された高周波増幅段７２の初段の
入力側に接続している。

次に、この実施例29の動作を説明する。説明の
便宜上、可変抵抗器５４の他端ｂが電源端子６０
に直接に接続されている状態について説明する。
この状態において、可変抵抗器５４の腕が他端ｂ
側に摺動しているとすると、PINダイオード３０
及び抵抗器４６に流れる電流が増加する。これに
よつて、抵抗器４６の電圧降下が大きくなり、
PINダイオード３２のカソード側の電位が上昇
し、PINダイオード３２，３８に流れる電流が減
少する。従つて、PINダイオード３０の高周波抵
抗値が減少し、PINダイオード３２，３８の高周
波抵抗値が増加するので、入力端子４４に供給さ
れた信号は、余り減衰されずに出力端子５０に送
出される。

また、可変抵抗器５４の腕を一端ａ側に摺動さ
せると、PINダイオード３０及び抵抗器４６に流
れる電流が減少する。これによつて、抵抗器４６
の電圧降下が小さくなり、PINダイオード３２の
カソード側の電位が小さくなり、PINダイオード
３２，３８に流れる電流が増加する。従つて、
PINダイオード３０の高周波抵抗値が増加し、
PINダイオード３２，３８の高周波抵抗値が減少
するので、入力端子４４に供給された信号は、大
きく減衰されて出力端子５０に送出される。

このようにPINダイオード３０の高周波抵抗値
が大きいときには、PINダイオード３２，３８の
高周波抵抗値が小さく、反対にPINダイオード３
０の高周波抵抗値が小さいときには、PINダイオ
ード３２，３８の高周波抵抗値が大きくなるの
で、減衰量を、特定のPINダイオードの高周波抵
抗値のみを変化させた場合よりも大きく変化させ
ることができる。また、可変抵抗器５４の腕の位
置の調整量に応じた減衰量に、入力端子４４に供
給された信号を減衰させて出力端子５０に送出で
きる。

次に、この実施例29の動作について説明する。
今、可変抵抗器５４の腕が一端ａと他端ｂとの中
間に位置しているとする。この状態において周囲
温度が高くなると、高周波増幅段７０，７２の利
得は共に小さくなる。ところが、サーミスタ５８
の抵抗値が減少し、PINダイオード３０、抵抗値
４６に流れる電流が大きくなり、PINダイオード
３２，３８に流れる電流が少なくなる。すなわ
ち、サーミスタ５８が設けられていない状態で可
変抵抗器５４の腕を他端ｂ側に摺動させたのと等
価になり、出力端子５０に送出される信号の減衰
量が減少し、高周波増幅段７０，７２での利得の
低下を補なえる。

また、周囲温度が低くなると、高周波増幅段７
０，７２の利得が大きくなる。ところが、サーミ
スタ５８の抵抗値が増加し、PINダイオード３
０、抵抗器４６に流れる電流が小さくなり、PIN
ダイオード３０，３８に流れる電流が大きくな
る。すなわち、サーミスタ５８が設けられていな
い状態で可変抵抗器５４の腕を他端ａ側に摺動さ
せたのと等価になり、出力端子５０に送出される
信号の減衰量が増加し、高周波増幅段７０，７２
での利得の増加を押さえる。

従つて、この実施例29では、周囲温度が上下し
ても、この実施例29を設けた高周波増幅段７０，
７２の総合利得を一定に保持できる。

第２の実施例29aは、第２図に示すように、電
流調整回路６４ａの構成が異なる以外、第１の実
施例29と同様に構成されている。同等部分には同
一符号を付して、説明を省略する。

第１の実施例29では、サーミスタ５８を可変抵
抗器５４の他端ｂと電源端子６０との間に接続し
ていたのに対し、第２の実施例では可変抵抗器５
４の他端ｂを電源端子６０に直接に接続し、その
代りに可変抵抗器５４の腕とRFC５２との間に
サーミスタ５８ａを接続してある。

第２の実施例29aも第１の実施例と同様に動作
する。すなわち周囲温度が高くなると、サーミス
タ５８ａの抵抗値が減小し、可変抵抗器５４の腕
を他端ｂ側へ摺動したのと等価になり、周囲温度
が低くなると、サーミスタ５８ａの抵抗値が増加
し、可変抵抗器５４の腕を一端ａ側に摺動したの
と等価になる。

第３の実施例29bも、第３図に示すように電流
調整回路６４ｂの構成が異なる以外、第１の実施
例29と同様に構成されている。すなわち、第１の
実施例29から可変抵抗器５４を除去し、RFC５
２とサーミスタ５８と半固定抵抗器５６とを直接
に接続したものである。この実施例29bも第１の
実施例29と同様に動作する。なお、この実施例
29bは頻繁に減衰量を変化させない場合に適す
る。

上記の各実施例29，29a，29bは、高周波増幅
段７０，７２間に設けたが、高周波増幅段７０の
入力側または高周波増幅段７２の出力側のいずれ
かに設けてもよい。

〔効果〕

以上述べたように、本考案によれば、第１の
PINダイオードの高周波抵抗値が大きいときに
は、第２及び第３のPINダイオードの高周波抵抗
値を小さく、逆に第１のPINダイオードの高周波
抵抗値が小さいときには、第２及び第３のPINダ
イオードの高周波抵抗値を大きくなるように回路
を構成しているので、減衰量の変化を大きくとる
ことができる。しかも、可変抵抗器を操作するこ
とによつて、上記減衰量の可変範囲における任意
の減衰量に減衰量を設定することができるので、
本考案による利得調整装置の前段及び後段にどの
ような利得の増幅器が設けられても対応すること
ができ、これら増幅器の利得が温度変化に応じて
変化しても、感温素子の抵抗値が変化することに
よつて、第１乃至第３のPINダイオードの高周波
抵抗値が変化し、本考案による利得調整装置と前
後段の増幅器との総合利得を温度変化にかかわら
ず、一定にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の第１の実施例の回路図、第
２図は同第２の実施例の回路図、第３図は同第３
の実施例の回路図、第４図は第１乃至第３の実施
例を実施した高周波増幅器のブロツク図である。
第５図及び第６図はそれぞれ従来の温度補償回路
を備えた高周波増幅器のブロツク図である。 ３０，３２，３８……PINダイオード、６４，
６４ａ，６４ｂ……電流調整回路、５８，５８ａ
……サーミスタ（感温素子）。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 入力端子と出力端子との間に第１のPINダイオ
   ードを有し、この第１のPINダイオードの上記入
   力端子側は第１の抵抗器を介して基準電位点に接
   続され、第２及び第３のPINダイオードからなる
   ダイオード直列回路と直流阻止コンデンサとの直
   列回路が、第１のPINダイオードに並列に接続さ
   れ、第２及び第３のPINダイオードの接続点が高
   周波的に上記基準電位点に接続されている減衰回
   路と、 温度上昇によつて抵抗値が低下し、温度低下に
   よつて抵抗値が増加する感温素子と、可変抵抗器
   とを、介して電源から第１のPINダイオードの上
   記出力端子側に電流を供給し、第２の抵抗器を介
   して上記電源から上記ダイオード直列回路と上記
   直流阻止コンデンサとの接続点に電流を供給する
   電流調整回路と、 を具備する利得調整装置。