JPH053756B2 - - Google Patents
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- JPH053756B2 JPH053756B2 JP61011532A JP1153286A JPH053756B2 JP H053756 B2 JPH053756 B2 JP H053756B2 JP 61011532 A JP61011532 A JP 61011532A JP 1153286 A JP1153286 A JP 1153286A JP H053756 B2 JPH053756 B2 JP H053756B2
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- semiconductor laser
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4068—Edge-emitting structures with lateral coupling by axially offset or by merging waveguides, e.g. Y-couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザアレイ装置に関し、特
に高出力まで0°位相モードのみで発振する半導体
レーザアレイ装置に関する。
に高出力まで0°位相モードのみで発振する半導体
レーザアレイ装置に関する。
（従来の技術＞
光デイスク、レーザプリンタ、光計測システム
などの光源として半導体レーザが用いられている
が、現在その高出力化が切望されている。しか
し、現状の半導体レーザは単一活性導波路構造で
あり、窓効果や端面反射率制御などを応用しても
出力は実用上60〜70ｍＷ程度が限界である。
などの光源として半導体レーザが用いられている
が、現在その高出力化が切望されている。しか
し、現状の半導体レーザは単一活性導波路構造で
あり、窓効果や端面反射率制御などを応用しても
出力は実用上60〜70ｍＷ程度が限界である。
そこで、複数の活性導波路を有する半導体レー
ザアレイの研究開発が盛んに行なわれている。こ
の半導体レーザアレイは全ての導波路における光
電界位相が同期したスーパーモード（0°位相モー
ド）を選択的に発振させることにより、細い１本
のビームで高出力光を放出できる可能性がある。
ザアレイの研究開発が盛んに行なわれている。こ
の半導体レーザアレイは全ての導波路における光
電界位相が同期したスーパーモード（0°位相モー
ド）を選択的に発振させることにより、細い１本
のビームで高出力光を放出できる可能性がある。
（発明の解決しようとする問題点）
しかし、従来の半導体レーザアレイにおいて
は、上述のような全ての導波路での光位相の完全
な一致は実現されていない。具体的には次のよう
な現象が観測される。
は、上述のような全ての導波路での光位相の完全
な一致は実現されていない。具体的には次のよう
な現象が観測される。
(i) 隣接する導波路間での光位相が180°のずれを
もつたスーパーモード（180°位相モード）で発
振し、出力光がある開き角をもつた２本のビー
ムの形で放射される。
もつたスーパーモード（180°位相モード）で発
振し、出力光がある開き角をもつた２本のビー
ムの形で放射される。
(ii) 0°位相モードまたは180°位相モード以外のス
ーパーモードで発振し、出力光は複数のビーム
となつて放射される。
ーパーモードで発振し、出力光は複数のビーム
となつて放射される。
(iii) ２つ以上のスーパーモードが非干渉の状態で
重なり合い、ビームが太くなる。
重なり合い、ビームが太くなる。
これらの現象は半導体レーザアレイを使用する
立場からは不都合であり、光デイスクやレーザプ
リンタなどへの応用には出力光は単一のスーパー
モード発振で且つ細い１本のビームであることが
必要である。
立場からは不都合であり、光デイスクやレーザプ
リンタなどへの応用には出力光は単一のスーパー
モード発振で且つ細い１本のビームであることが
必要である。
以下に従来例の１つとして(i)の現象が観測され
る半導体レーザアレイ素子について説明する。第
４図と第５図は、それぞれにこの素子の断面構造
と斜視構造を示す。まず、ｐ−GaAs基板１０１
の００１面上にn+−Al0.1Ga0.9As電流挟さく層１
０２を0.7μｍ厚に、またｎ−GaAs表面保護層１
０３を0.1μｍ厚にそれぞれ成長させる。成長方法
としては、液相成長法が用いられる。次にこれら
の２層１０２，１０３を貫通してｐ−GaAs基板
１０１に達する直線的な溝１０８を３本互いに平
行に形成する。この溝１０８の幅は4μｍ、深さ
は約1μｍ、溝１０８どうしの中心間距離は5μｍ
である。溝１０８の方向は、レーザ共振器端面で
ある１１０面に垂直である。ｎ−GaAs表面保護
層１０３及び溝１０８の上に、さらに、液相成長
法によりｐ−Al0.42Ga0.58Asクラツド層１０４を
溝１０８以外の部分で、0.2μｍ厚となるように、
さらにｐ−またはｎ−Al0.14Ga0.86As活性層１０
５を0.08μｍ厚、ｎ−Al0.42Ga0.58Asクラツド層１
０６を0.8μｍ厚、n+−GaAsコンタクト層１０７
を1.5μｍ厚にそれぞれ成長させる。このとき、溝
１０８はｐ型クラツド層１０４により完全に埋め
られるため、層１０４，１０５，１０６，１０７
のそれぞれの界面は平坦に形成される。この後、
このウエハーの両面に抵抗性全面電極を付け、合
金化処理を行なつた後、１１０面でへき開して素
子化が完了する。
る半導体レーザアレイ素子について説明する。第
４図と第５図は、それぞれにこの素子の断面構造
と斜視構造を示す。まず、ｐ−GaAs基板１０１
の００１面上にn+−Al0.1Ga0.9As電流挟さく層１
０２を0.7μｍ厚に、またｎ−GaAs表面保護層１
０３を0.1μｍ厚にそれぞれ成長させる。成長方法
としては、液相成長法が用いられる。次にこれら
の２層１０２，１０３を貫通してｐ−GaAs基板
１０１に達する直線的な溝１０８を３本互いに平
行に形成する。この溝１０８の幅は4μｍ、深さ
は約1μｍ、溝１０８どうしの中心間距離は5μｍ
である。溝１０８の方向は、レーザ共振器端面で
ある１１０面に垂直である。ｎ−GaAs表面保護
層１０３及び溝１０８の上に、さらに、液相成長
法によりｐ−Al0.42Ga0.58Asクラツド層１０４を
溝１０８以外の部分で、0.2μｍ厚となるように、
さらにｐ−またはｎ−Al0.14Ga0.86As活性層１０
５を0.08μｍ厚、ｎ−Al0.42Ga0.58Asクラツド層１
０６を0.8μｍ厚、n+−GaAsコンタクト層１０７
を1.5μｍ厚にそれぞれ成長させる。このとき、溝
１０８はｐ型クラツド層１０４により完全に埋め
られるため、層１０４，１０５，１０６，１０７
のそれぞれの界面は平坦に形成される。この後、
このウエハーの両面に抵抗性全面電極を付け、合
金化処理を行なつた後、１１０面でへき開して素
子化が完了する。
このようにして作製された複数平行損失導路構
造の半導体レーザアレイの発振ビームの光電界分
布と遠視野像をそれぞれ第６図と第７図に示す。
これらの結果より、隣接する活性導波路間で光の
位相差が180°であることがわかる。180°位相モー
ドが選択的に発振するのは、この素子のように複
数平行損失導波路構造では各活性導波路間の光結
合領域で光吸収が存在するため、180°位相モード
のしきい値ゲインが最低になるからである。これ
は、理論計算からも理解される。導波路解析より
３エレメント平行損失導波路素子における３つの
スーパーモードのしきい値ゲインの横方向屈折率
差依存性を求めた結果を第８図に示す。このよう
に、180°位相モードを選択的かつ安定に発振させ
ることが実験的にも理論的にも可能であることが
理解される。しかし、180°位相モードは、半導体
レーザアレイの応用の面からは、上述のように大
きな障害となる。
造の半導体レーザアレイの発振ビームの光電界分
布と遠視野像をそれぞれ第６図と第７図に示す。
これらの結果より、隣接する活性導波路間で光の
位相差が180°であることがわかる。180°位相モー
ドが選択的に発振するのは、この素子のように複
数平行損失導波路構造では各活性導波路間の光結
合領域で光吸収が存在するため、180°位相モード
のしきい値ゲインが最低になるからである。これ
は、理論計算からも理解される。導波路解析より
３エレメント平行損失導波路素子における３つの
スーパーモードのしきい値ゲインの横方向屈折率
差依存性を求めた結果を第８図に示す。このよう
に、180°位相モードを選択的かつ安定に発振させ
ることが実験的にも理論的にも可能であることが
理解される。しかし、180°位相モードは、半導体
レーザアレイの応用の面からは、上述のように大
きな障害となる。
上述の素子における欠点を改良するために、結
合領域での損失を無くして実屈折率導波路構造の
半導体レーザアレイが用いられる。第９図はこの
実屈折率導波路構造の半導体レーザアレイを示
す。ｐ−GaAs基板１１１の００１面上にｎ−
AlxGa1-xAsクラツド層１１２を0.8μｍ厚、ｎ−
またはｐ−AlyGa1-yAs活性層１１３を0.1μｍ厚、
ｎ−AlxGa1-xAsクラツド層１１４を0.8μｍ厚、
p+−GaAsコンタクト層１１５を0.1μｍ厚にそれ
ぞれ成長させる。成長方法としては、有機金属化
学析出法（MOCVD法）、分子線エピタキシヤル
法（MBE法）あるいは液相成長法（LPE法）な
どが適用可能である。その後、ウエハーの両面に
抵抗性電極を形成する。さらに、このウエハーに
ホトリソグラフイ技術と反応性イオンビームエツ
チング（RIBE）技術を用いて、３本の平行なメ
サストライプ１１６を形成する。このメサストラ
イプ１１６の幅は3μｍ、中心間距離は4μｍ、高
さは1.5μｍであり、方向は基板１１１の＜110＞
方向に平行である。すなわち、メサストライプ１
１６以外の部分のｐ型クラツド層１０４は厚さ
0.3μｍになるまでエツチングされる。さらに、結
晶の１１０面をへき開することにより、レーザ共
振器１１７を形成する。素子の長さは約250μｍ
である。
合領域での損失を無くして実屈折率導波路構造の
半導体レーザアレイが用いられる。第９図はこの
実屈折率導波路構造の半導体レーザアレイを示
す。ｐ−GaAs基板１１１の００１面上にｎ−
AlxGa1-xAsクラツド層１１２を0.8μｍ厚、ｎ−
またはｐ−AlyGa1-yAs活性層１１３を0.1μｍ厚、
ｎ−AlxGa1-xAsクラツド層１１４を0.8μｍ厚、
p+−GaAsコンタクト層１１５を0.1μｍ厚にそれ
ぞれ成長させる。成長方法としては、有機金属化
学析出法（MOCVD法）、分子線エピタキシヤル
法（MBE法）あるいは液相成長法（LPE法）な
どが適用可能である。その後、ウエハーの両面に
抵抗性電極を形成する。さらに、このウエハーに
ホトリソグラフイ技術と反応性イオンビームエツ
チング（RIBE）技術を用いて、３本の平行なメ
サストライプ１１６を形成する。このメサストラ
イプ１１６の幅は3μｍ、中心間距離は4μｍ、高
さは1.5μｍであり、方向は基板１１１の＜110＞
方向に平行である。すなわち、メサストライプ１
１６以外の部分のｐ型クラツド層１０４は厚さ
0.3μｍになるまでエツチングされる。さらに、結
晶の１１０面をへき開することにより、レーザ共
振器１１７を形成する。素子の長さは約250μｍ
である。
この実屈折率導波路構造素子の発振横モードを
観察すると、複数のスーパーモードが混在してい
る。この現象は次のような理由によるものと考え
られる。上述の損失導波路構造素子では結合領域
での光吸収が大きいため180°位相モードが選択さ
れたのに対して、この実屈折率導波路構造素子で
は、結合領域で光吸収が無いため、素子構造が許
容するすべてのスーパーモードのしきい値ゲイン
がほぼ等しくなる。そのため、すべてのスーパー
モードが同時に発振するのである。このように複
数のスーパーモードが混在して発振する素子の出
力ビームは、回折限界の数倍の太さになる。これ
は、上述の(iii)の現象であり、実用上の大きな問題
となる。
観察すると、複数のスーパーモードが混在してい
る。この現象は次のような理由によるものと考え
られる。上述の損失導波路構造素子では結合領域
での光吸収が大きいため180°位相モードが選択さ
れたのに対して、この実屈折率導波路構造素子で
は、結合領域で光吸収が無いため、素子構造が許
容するすべてのスーパーモードのしきい値ゲイン
がほぼ等しくなる。そのため、すべてのスーパー
モードが同時に発振するのである。このように複
数のスーパーモードが混在して発振する素子の出
力ビームは、回折限界の数倍の太さになる。これ
は、上述の(iii)の現象であり、実用上の大きな問題
となる。
上述のように従来の半導体レーザアレイでは、
出力ビームが２本になることや複数のスーパーモ
ードが現在発振するなどの問題があり、レーザプ
リンターや光フアイルのようなシステムの光源と
しての実用では、大きな障害となる。
出力ビームが２本になることや複数のスーパーモ
ードが現在発振するなどの問題があり、レーザプ
リンターや光フアイルのようなシステムの光源と
しての実用では、大きな障害となる。
本発明の目的は、単一のスーパーモードで発振
する半導体レーザアレイを提供することである。
する半導体レーザアレイを提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る半導体レーザアレイ装置は、基板
面上に、第１クラツド層、活性層、第２のクラツ
ド層、コンタクト層を備えた半導体装置におい
て、第２のクラツド層、コンタクト層から形成さ
れる導波路の一部が分岐して、Ｙ形状のメサを形
成し、Ｙ形状共振器方向の１本からなる導波路の
メサ側面部分に光吸収層を設け、２本の活性導波
路部分から出射されるレーザ光のスーパーモード
を0°位相モードとすることを特徴としている。こ
の光吸収体の大きさ、形状および位置は、素子が
より高出力まで一本の細いビームで安定に発振す
るように制御する。
面上に、第１クラツド層、活性層、第２のクラツ
ド層、コンタクト層を備えた半導体装置におい
て、第２のクラツド層、コンタクト層から形成さ
れる導波路の一部が分岐して、Ｙ形状のメサを形
成し、Ｙ形状共振器方向の１本からなる導波路の
メサ側面部分に光吸収層を設け、２本の活性導波
路部分から出射されるレーザ光のスーパーモード
を0°位相モードとすることを特徴としている。こ
の光吸収体の大きさ、形状および位置は、素子が
より高出力まで一本の細いビームで安定に発振す
るように制御する。
（作用）
１本からなる活性導波路部分の周囲に0°位相モ
ード発振に最適なように光損失領域を導入する。
これにより、高出力でかつ回折限界まで集光でき
るビームが得られる。
ード発振に最適なように光損失領域を導入する。
これにより、高出力でかつ回折限界まで集光でき
るビームが得られる。
（実施例）
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例を
説明する。第１図ａ〜ｄに実施例素子の工程図
を、第２図ａ，ｂにその断面図を示す。
説明する。第１図ａ〜ｄに実施例素子の工程図
を、第２図ａ，ｂにその断面図を示す。
まず、第１図ａに示すように、ｎ型GaAs基板
１の００１面上に、ｎ−AlxGa1-xAsクラツド層
２を1.0μｍ厚、AlyGa1-yAs活性層３を0.1μｍ厚、
ｐ−AlxGa1-xAsクラツド層４を0.8μｍ厚、p+−
GaAsコンタクト層５を0.4μｍ厚に連続的に成長
させる（ただし０≦ｙ＜ｘ≦１）。この場合の結
晶成長法としては、液相エピタキシヤル（LPE）
成長法、有機金属化学析出（MOCVD）法、分
子線エピタキシヤル（MBE）成長法、気相エピ
タキシヤル（VPE）成長法などが適用される。
１の００１面上に、ｎ−AlxGa1-xAsクラツド層
２を1.0μｍ厚、AlyGa1-yAs活性層３を0.1μｍ厚、
ｐ−AlxGa1-xAsクラツド層４を0.8μｍ厚、p+−
GaAsコンタクト層５を0.4μｍ厚に連続的に成長
させる（ただし０≦ｙ＜ｘ≦１）。この場合の結
晶成長法としては、液相エピタキシヤル（LPE）
成長法、有機金属化学析出（MOCVD）法、分
子線エピタキシヤル（MBE）成長法、気相エピ
タキシヤル（VPE）成長法などが適用される。
次に第１図ｂに示すように、通常のホトリソグ
ラフイ技術と塩素ガス反応性イオンビームエツチ
ング（RIBE）法を用いて、“Ｙ”形状のメサ５
０を形成する。このときのエツチングは、ｐ−
AlxGa1-xAs層４が活性層３上に0.2μｍ厚になる
まで実施した。また“Ｙ”形状の２本部分５０ａ
でのメサの幅は3.5μｍ、メサ間の溝は1.5μｍであ
り、１本部分でのメサ５０ｂの幅は5.5μｍとし
た。
ラフイ技術と塩素ガス反応性イオンビームエツチ
ング（RIBE）法を用いて、“Ｙ”形状のメサ５
０を形成する。このときのエツチングは、ｐ−
AlxGa1-xAs層４が活性層３上に0.2μｍ厚になる
まで実施した。また“Ｙ”形状の２本部分５０ａ
でのメサの幅は3.5μｍ、メサ間の溝は1.5μｍであ
り、１本部分でのメサ５０ｂの幅は5.5μｍとし
た。
このウエハー上にプラズマ化学折出法（Ｐ−
CVD）法を用いてSi3N4膜９を0.4〜0.5μｍ厚に形
成する。そして、このSi3N4膜９に、ホトリソグ
ラフイ技術とフロンガスRIE法を用いて第１図ｃ
のように穴２０をあける。この穴２０、先に形成
した“Ｙ”形状メサ５０の１本部分５０ｂの両側
に位置している。
CVD）法を用いてSi3N4膜９を0.4〜0.5μｍ厚に形
成する。そして、このSi3N4膜９に、ホトリソグ
ラフイ技術とフロンガスRIE法を用いて第１図ｃ
のように穴２０をあける。この穴２０、先に形成
した“Ｙ”形状メサ５０の１本部分５０ｂの両側
に位置している。
第１図ｄに示すように、このようなウエハー上
に、MOCVD法を用いてｎ型GaAs光吸収層６を
0.5〜1.0μｍ厚に成長させる。このときの成長条
件を適当に選ぶことにより、AlGaAs／GaAs面
２０上にはGaAsが成長するがSi3N4膜９上には
成長しないように制御した。
に、MOCVD法を用いてｎ型GaAs光吸収層６を
0.5〜1.0μｍ厚に成長させる。このときの成長条
件を適当に選ぶことにより、AlGaAs／GaAs面
２０上にはGaAsが成長するがSi3N4膜９上には
成長しないように制御した。
最後に、“Ｙ”形状メサ５０上のSi3N4膜９に
電極用の穴をエツチングにより形成した後、ｐ−
オーミツク電極１０を形成し、基板側にはｎ−オ
ーミツク電極１１を全面に形成した。
電極用の穴をエツチングにより形成した後、ｐ−
オーミツク電極１０を形成し、基板側にはｎ−オ
ーミツク電極１１を全面に形成した。
このようにして作製した素子の“Ｙ”形状メサ
５０の分岐部５０ａの断面が第２図ａであり、集
合部５０ｂの断面が第２図ｂである。集合部のメ
サ５０ｂの両側にはGaAs６が存在し、この
GaAs６は活性層３内の光に対して光吸収体とし
て作用する（損失導波路）。しかし、分岐部メサ
５０ａの両側はSi3N4膜９におおわれており、光
吸収は存在しない（実屈折率導波路）。
５０の分岐部５０ａの断面が第２図ａであり、集
合部５０ｂの断面が第２図ｂである。集合部のメ
サ５０ｂの両側にはGaAs６が存在し、この
GaAs６は活性層３内の光に対して光吸収体とし
て作用する（損失導波路）。しかし、分岐部メサ
５０ａの両側はSi3N4膜９におおわれており、光
吸収は存在しない（実屈折率導波路）。
このように軸方向に損失導波路構造と実屈折率
導波路構造を分布させた素子では、0°位相モード
と他の高次スーパーモードとの損失差を最大にす
ることができる。これは以下のような理由によ
る。
導波路構造を分布させた素子では、0°位相モード
と他の高次スーパーモードとの損失差を最大にす
ることができる。これは以下のような理由によ
る。
まず“Ｙ”形状素子で全て損失導波路構造にし
た場合を考える。この場合には、集合部において
は0°位相モードの損失は高次モードに比べて小さ
いが、分岐部において、高次モードの損失の方が
小さくなる。また、全て実屈折率導波路構造にし
た場合は、0°位相モードと高次モードの損失差は
ほとんどなくなる。このどちらの場合にも、ある
出力以上（〜60ｍＷ）になると、高次モードと0°
位相モードの混在したモードで発振し、その遠視
野像は乱れた形となる。このときの出力特性は電
流に対して非線形になり、この点においても実用
上不便である。
た場合を考える。この場合には、集合部において
は0°位相モードの損失は高次モードに比べて小さ
いが、分岐部において、高次モードの損失の方が
小さくなる。また、全て実屈折率導波路構造にし
た場合は、0°位相モードと高次モードの損失差は
ほとんどなくなる。このどちらの場合にも、ある
出力以上（〜60ｍＷ）になると、高次モードと0°
位相モードの混在したモードで発振し、その遠視
野像は乱れた形となる。このときの出力特性は電
流に対して非線形になり、この点においても実用
上不便である。
本発明においては、分岐部（実屈折率導波路）
５０ａにおいても集合部（損失導波路）５０ｂに
おいても0°位相モードの損失が高次モードに比べ
て小さいため、素子全体として、２モードの損失
差を最大にすることができる。
５０ａにおいても集合部（損失導波路）５０ｂに
おいても0°位相モードの損失が高次モードに比べ
て小さいため、素子全体として、２モードの損失
差を最大にすることができる。
本素子を測定したところ、出力約100ｍＷまで
単一0°位相モード発振が実現されていることが確
認された。このときの遠視野像を第３図に示す。
単一0°位相モード発振が実現されていることが確
認された。このときの遠視野像を第３図に示す。
なお、本発明は上述の実施例に限定されず、
(i) レーザ構造が異なる素子
(ii) 導電型が全て逆の素子
(iii) 材料の異なる素子
(iv) 光吸収体の材料、形、位置の異なる素子
においても適用が可能であることは言うまでもな
い。
い。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明においては半導体
レーザアレイの共振器方向の適当なある一部分に
光吸収体として働く物質を設けたことにより高出
力領域まで単一0°位相モード発振を得ることがで
きる。
レーザアレイの共振器方向の適当なある一部分に
光吸収体として働く物質を設けたことにより高出
力領域まで単一0°位相モード発振を得ることがで
きる。
第１図ａ〜ｄは本発明の実施例の素子の作製工
程を順次示す図である。第２図ａ，ｂはそれぞれ
本発明の実施例の素子の断面構造を示す図であ
る。第３図は本発明の実施例の素子の遠視野像を
示すグラフである。第４図は従来例の素子の断面
構造を示す図である。第５図は従来例の素子の作
製工程中のウエハーの斜視図である。第６図は従
来例の光電界分布を示すグラフである。第７図は
従来例の素子の遠視野像を示すグラフである。第
８図は従来例の素子のスーパーモードしきい値ゲ
インの理論解析結果を示すグラフである。第９図
は他の従来例の素子の斜視構造を示す図である。 １……基板、２……ｎ型クラツド層、３……ｎ
型またはｐ型活性層、４……ｐ型クラツド層、５
……ｐ型コンタクト層、６……光吸収層、９……
Si3N4膜、２０……Si3N4膜のエツチング穴、５
０……“Ｙ”形状のメサ、５０ａ，５０ａ……分
岐部、５０ｂ……集合部。
程を順次示す図である。第２図ａ，ｂはそれぞれ
本発明の実施例の素子の断面構造を示す図であ
る。第３図は本発明の実施例の素子の遠視野像を
示すグラフである。第４図は従来例の素子の断面
構造を示す図である。第５図は従来例の素子の作
製工程中のウエハーの斜視図である。第６図は従
来例の光電界分布を示すグラフである。第７図は
従来例の素子の遠視野像を示すグラフである。第
８図は従来例の素子のスーパーモードしきい値ゲ
インの理論解析結果を示すグラフである。第９図
は他の従来例の素子の斜視構造を示す図である。 １……基板、２……ｎ型クラツド層、３……ｎ
型またはｐ型活性層、４……ｐ型クラツド層、５
……ｐ型コンタクト層、６……光吸収層、９……
Si3N4膜、２０……Si3N4膜のエツチング穴、５
０……“Ｙ”形状のメサ、５０ａ，５０ａ……分
岐部、５０ｂ……集合部。
Claims (1)
- １ 基板面上に、第１のクラツド層、活性層、第
２のクラツド層、コンタクト層を備えた半導体装
置において、第２のクラツド層、コンタクト層か
ら形成される導波路の一部が分岐して、Ｙ形状の
メサを形成し、Ｙ形状共振器方向の１本からなる
導波路のメサ側面部分に光吸収層を設け、２本の
活性導波路部分から出射されるレーザ光のスーパ
ーモードを0°位相モードとすることを特徴とする
半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011532A JPS62169389A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| GB8701163A GB2187330B (en) | 1986-01-21 | 1987-01-20 | Semiconductor laser array device |
| US07/005,056 US4813051A (en) | 1986-01-21 | 1987-01-20 | Semiconductor laser array device |
| DE19873701655 DE3701655A1 (de) | 1986-01-21 | 1987-01-21 | Halbleiterlaseranordnung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011532A JPS62169389A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169389A JPS62169389A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH053756B2 true JPH053756B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=11780577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011532A Granted JPS62169389A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4813051A (ja) |
| JP (1) | JPS62169389A (ja) |
| DE (1) | DE3701655A1 (ja) |
| GB (1) | GB2187330B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282483A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS63306689A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-12-14 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 横結合レーザーダイオードアレー |
| FR2642228A1 (fr) * | 1989-01-20 | 1990-07-27 | Menigaux Louis | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur quasi plat susceptible d'effet laser multi-longueurs d'onde et dispositif correspondant |
| JP2547464B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1996-10-23 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| FR2662304B1 (fr) * | 1990-05-21 | 1992-07-24 | France Telecom | Procede de fabrication d'une structure integree guide-detecteur de lumiere en materiau semi-conducteur. |
| US5325388A (en) * | 1993-05-05 | 1994-06-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Optoelectronic waveguide neural architecture |
| JP3329764B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2002-09-30 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザー及び半導体光増幅器 |
| JP2006186090A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| US9425917B1 (en) * | 2006-03-15 | 2016-08-23 | Neophotonics Corporation | High data rate long reach transceiver using wavelength multiplexed architecture |
| US8085825B2 (en) * | 2007-03-06 | 2011-12-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4156452A (en) * | 1977-11-03 | 1979-05-29 | Sharkey Metals Limited | Furnaces |
| US4255717A (en) * | 1978-10-30 | 1981-03-10 | Xerox Corporation | Monolithic multi-emitting laser device |
| JPS57190386A (en) * | 1981-05-19 | 1982-11-22 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| US4573163A (en) * | 1982-09-13 | 1986-02-25 | At&T Bell Laboratories | Longitudinal mode stabilized laser |
| US4594718A (en) * | 1983-02-01 | 1986-06-10 | Xerox Corporation | Combination index/gain guided semiconductor lasers |
| JPS6089990A (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積回路 |
| JPS60176289A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積回路 |
| JPS61102087A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| US4742526A (en) * | 1985-01-12 | 1988-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP61011532A patent/JPS62169389A/ja active Granted
-
1987
- 1987-01-20 GB GB8701163A patent/GB2187330B/en not_active Expired
- 1987-01-20 US US07/005,056 patent/US4813051A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-01-21 DE DE19873701655 patent/DE3701655A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4813051A (en) | 1989-03-14 |
| GB2187330B (en) | 1989-10-25 |
| GB2187330A (en) | 1987-09-03 |
| DE3701655C2 (ja) | 1992-05-14 |
| GB8701163D0 (en) | 1987-02-25 |
| JPS62169389A (ja) | 1987-07-25 |
| DE3701655A1 (de) | 1987-07-23 |
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