JPS6215879A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS6215879A JPS6215879A JP15471885A JP15471885A JPS6215879A JP S6215879 A JPS6215879 A JP S6215879A JP 15471885 A JP15471885 A JP 15471885A JP 15471885 A JP15471885 A JP 15471885A JP S6215879 A JPS6215879 A JP S6215879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguides
- active
- semiconductor laser
- optically coupled
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザアレイ装置、特にすべこの活性
導波路内の光波が同位相で結合したモード（０°位相モ
ード）で高出力まで安定に発振する半導体レーザアレイ
装置に関する。
導波路内の光波が同位相で結合したモード（０°位相モ
ード）で高出力まで安定に発振する半導体レーザアレイ
装置に関する。
背景技術
光ディスク、レーザプリンタ、その地元計測システムな
どの光源として、半導体レーザは用いられているが、現
在その高出力化が切望されている。
どの光源として、半導体レーザは用いられているが、現
在その高出力化が切望されている。
しかし現状の半導体レーザは、単一活性導波路構造であ
り、窓効果や端面反射率制御などの応用としても６０〜
７０μＷ程度が限界である。
り、窓効果や端面反射率制御などの応用としても６０〜
７０μＷ程度が限界である。
そこｔ′複数の活性導波路を持つ半導体レーザアレイの
研究、開発が盛んになされている。この半導体レーザア
レイは、すべての導波路における充電異位相が同期した
スーパーモード（０°位相モード）を選択的に発振させ
ることにより、細い一本のビームで高出力光を放出でき
る。
研究、開発が盛んになされている。この半導体レーザア
レイは、すべての導波路における充電異位相が同期した
スーパーモード（０°位相モード）を選択的に発振させ
ることにより、細い一本のビームで高出力光を放出でき
る。
しかし従来の半導体レーザアレイにおいては、上述のよ
うにすべての導波路での光位相の完全な一致は実現され
でいない、具体的には、たとえば隣接する導波路間での
光位相が１８０°ずれを持ったスーパーモード（１８０
°位相モード）で発振し、出力光がある開き角度をもっ
た２本のビームの形で放出されるという第１の現象が生
じる。この第１の一現象が観測される半導体レーザアレ
イの構造について、第５図および第６図を参照しながら
説明する。まずＰ−ＧａＡｓ基板１の（００１）面上に
、０．７μ鯵厚のｎ” Ａｆ ｏ、＋Ｇａｏ、ｓＡ
ｓ電流狭さくＮ２と、０．１＃ｌ＋ｏ厚のｎＧａＡｓ表
面保護Ｎ３とをこの順序で成長させる。成長方法として
は液相エピタキシャル成長法を用いる。次にこれら各層
２．３を貫通して、Ｐ −Ｇ ｕ Ａ ｓ基板１に達す
る直線的な凹溝４を平行に３本形成する。凹溝４の谷幅
Ｄ１は４μｍ、深さＤ２は約１μｍ１各凹溝４の中心間
距離Ｄ３は５μｍとする。またこの凹溝４は、レーザ共
振器端面である（１１０）面に垂直とした。このような
ウエノ１上に再び液相エピタキシャル成長法により０．
２μ鯵厚のＰ−Ａｆ。、４２Ｇａ、。
うにすべての導波路での光位相の完全な一致は実現され
でいない、具体的には、たとえば隣接する導波路間での
光位相が１８０°ずれを持ったスーパーモード（１８０
°位相モード）で発振し、出力光がある開き角度をもっ
た２本のビームの形で放出されるという第１の現象が生
じる。この第１の一現象が観測される半導体レーザアレ
イの構造について、第５図および第６図を参照しながら
説明する。まずＰ−ＧａＡｓ基板１の（００１）面上に
、０．７μ鯵厚のｎ” Ａｆ ｏ、＋Ｇａｏ、ｓＡ
ｓ電流狭さくＮ２と、０．１＃ｌ＋ｏ厚のｎＧａＡｓ表
面保護Ｎ３とをこの順序で成長させる。成長方法として
は液相エピタキシャル成長法を用いる。次にこれら各層
２．３を貫通して、Ｐ −Ｇ ｕ Ａ ｓ基板１に達す
る直線的な凹溝４を平行に３本形成する。凹溝４の谷幅
Ｄ１は４μｍ、深さＤ２は約１μｍ１各凹溝４の中心間
距離Ｄ３は５μｍとする。またこの凹溝４は、レーザ共
振器端面である（１１０）面に垂直とした。このような
ウエノ１上に再び液相エピタキシャル成長法により０．
２μ鯵厚のＰ−Ａｆ。、４２Ｇａ、。
Ｓ、ＡＳクラッドＮ５と、０．０８μｍ厚のＰまたはｎ
Ａ 、Ｉ： ｏ、：４Ｇａｏ、５６Ａｓ活性層６と
、０．８＃ｍのｎ Ａ Ａ’ Ｏ＋４２Ｇ ｓｏ＋ｓ
ｓＡ ｓクラッド層７と、１．５μｍＷのｎ＋−ＧａＡ
ｓコンタクト層８とを連続的にこの順序で成長させる。
Ａ 、Ｉ： ｏ、：４Ｇａｏ、５６Ａｓ活性層６と
、０．８＃ｍのｎ Ａ Ａ’ Ｏ＋４２Ｇ ｓｏ＋ｓ
ｓＡ ｓクラッド層７と、１．５μｍＷのｎ＋−ＧａＡ
ｓコンタクト層８とを連続的にこの順序で成長させる。
凹溝４は、Ｐ型クラッド層５により完全に埋められるた
め、Ｐ型クラッド層５の上面は平坦になっている。その
後、ウエノ１の両面に蒸着により抵抗性全面電極を形成
し、合金化処理を行なった後、（０１１）面でへき開し
、半導体レーザアレイつとした。このように作製された
半導体レー・ザアレイ９の発振ビームの光電界分布と遠
視野像を第７図お上びＰｔ５８図のラインＬ１、Ｌ２で
それぞれ示す、これらの結果により、隣接する活性導波
路間で光の時間的位相差は１８０゛であることが明らか
である。
め、Ｐ型クラッド層５の上面は平坦になっている。その
後、ウエノ１の両面に蒸着により抵抗性全面電極を形成
し、合金化処理を行なった後、（０１１）面でへき開し
、半導体レーザアレイつとした。このように作製された
半導体レー・ザアレイ９の発振ビームの光電界分布と遠
視野像を第７図お上びＰｔ５８図のラインＬ１、Ｌ２で
それぞれ示す、これらの結果により、隣接する活性導波
路間で光の時間的位相差は１８０゛であることが明らか
である。
１８０゛位相モードが選択的に発振するのは、従来例の
ような複数平行損失導波路構造の半導体レーザアレイ９
では、各活性導波路間の光結合領域で光吸収が存在する
ため、１８０゛位相モードのしきい値ゲインが最低にな
るからである。このことは理論計算からも理解される。
ような複数平行損失導波路構造の半導体レーザアレイ９
では、各活性導波路間の光結合領域で光吸収が存在する
ため、１８０゛位相モードのしきい値ゲインが最低にな
るからである。このことは理論計算からも理解される。
導波路解析より、導波路の中心間距離を５μＩとして、
３工レメント平行損失導波路構造の半導体レーザアレイ
９の３つのスーパーモードのしきい値ゲインの横方向屈
折率差依存性を求めたグラフを第９図のラインＬ ３
、Ｌ ４ 、Ｌ ５１こそれぞれ示す、この上う１こ１
８０゛位相モードを選択的かつ安定に発振させるのが理
論的にも実験的にも可能であることがわかるが、レーザ
索子応用において萌述したようなＰｔ５１の現象となっ
て現われる。また第１の現象のほか、０°位相または１
８０゛位相モード以外のスーパーモードで発振し、出力
光は複数のビームとなって放出される＠２の現象が生じ
たり、２つ以上のスーパーモードが非干渉の状態で重な
り合いビームが太くなる第３の現象が生じたりする。
３工レメント平行損失導波路構造の半導体レーザアレイ
９の３つのスーパーモードのしきい値ゲインの横方向屈
折率差依存性を求めたグラフを第９図のラインＬ ３
、Ｌ ４ 、Ｌ ５１こそれぞれ示す、この上う１こ１
８０゛位相モードを選択的かつ安定に発振させるのが理
論的にも実験的にも可能であることがわかるが、レーザ
索子応用において萌述したようなＰｔ５１の現象となっ
て現われる。また第１の現象のほか、０°位相または１
８０゛位相モード以外のスーパーモードで発振し、出力
光は複数のビームとなって放出される＠２の現象が生じ
たり、２つ以上のスーパーモードが非干渉の状態で重な
り合いビームが太くなる第３の現象が生じたりする。
これら第１〜第３の各現象は、半導体レーザ７レイを使
用する立場からは不都合であり、？…−スーパーモード
発振でかつ出力光は単一ビームであることが必要である
。
用する立場からは不都合であり、？…−スーパーモード
発振でかつ出力光は単一ビームであることが必要である
。
またこのような欠点を改良するために、結合領域での損
失をなくした実屈折率導波路構造の半導体レーザアレイ
１０が試作されており、第１０図にその一例を示す。ｎ
−ＧａＡｓ基板１１の（００１）面上に、０．８μｍ厚
のｎ−Ａ 、ｌ’ ｘＧ ａ、 −ｘＡ ｓグラフ、
ド層１２と、０．１μ鯵厚のｎまたはＰ−ＡＪ！ｙＧａ
、−ｙＡｓ活性層１３と、０．８μ−厚のＰ −Ａ Ｊ
ｘＧ ａ １− Ｘ Ａ ３クラッド層１４と、１．
０μ鯵厚のＰ”−ＧａＡｓコンタクト層１５とを、この
順序で連続的に成長させる。成長法としてはＭＯＣＶＤ
法の他、分子線エピタキシアル法（Ｍ Ｂ Ｅ ）や液
相成長法（ＬＰＥ）などが適用可能である。その後、ウ
ニ八両面に抵抗性電極を形成した。このようにして準備
されたフエへに通常のホトリソグラフィ技術と、反応性
イオンビームエツチング（ＲＩＢＥ）技術とを用いて、
３本の平行なメサストライプの導波路１６を形成した。
失をなくした実屈折率導波路構造の半導体レーザアレイ
１０が試作されており、第１０図にその一例を示す。ｎ
−ＧａＡｓ基板１１の（００１）面上に、０．８μｍ厚
のｎ−Ａ 、ｌ’ ｘＧ ａ、 −ｘＡ ｓグラフ、
ド層１２と、０．１μ鯵厚のｎまたはＰ−ＡＪ！ｙＧａ
、−ｙＡｓ活性層１３と、０．８μ−厚のＰ −Ａ Ｊ
ｘＧ ａ １− Ｘ Ａ ３クラッド層１４と、１．
０μ鯵厚のＰ”−ＧａＡｓコンタクト層１５とを、この
順序で連続的に成長させる。成長法としてはＭＯＣＶＤ
法の他、分子線エピタキシアル法（Ｍ Ｂ Ｅ ）や液
相成長法（ＬＰＥ）などが適用可能である。その後、ウ
ニ八両面に抵抗性電極を形成した。このようにして準備
されたフエへに通常のホトリソグラフィ技術と、反応性
イオンビームエツチング（ＲＩＢＥ）技術とを用いて、
３本の平行なメサストライプの導波路１６を形成した。
この導波路１６の幅Ｄ１１は３μＩ、中心間距離Ｄ１２
は４μｍ、高さＤｉｓは１．５μ鎧であ′す、基板の＜
１１０＞方向に平行にした。すなわち、メサストライプ
の導波路１６の部分以外でのＰ−クラッド層１４の厚さ
Ｄ１４が０．３μａｌｌこなるまでエツチングされたわ
けである。レーザ共振器１７は、結晶の（１１０）面を
へ！開することにより形成した。また半導体レーザアレ
イ１０の長さＤｉｓは、約２５０μｍである。
は４μｍ、高さＤｉｓは１．５μ鎧であ′す、基板の＜
１１０＞方向に平行にした。すなわち、メサストライプ
の導波路１６の部分以外でのＰ−クラッド層１４の厚さ
Ｄ１４が０．３μａｌｌこなるまでエツチングされたわ
けである。レーザ共振器１７は、結晶の（１１０）面を
へ！開することにより形成した。また半導体レーザアレ
イ１０の長さＤｉｓは、約２５０μｍである。
このようにして作製された実屈折率導波路構造の牛４体
レーザアレイ１０の発振横モードをａ察すると、複数の
スーパーモードが混在していることがわかった。この現
末は次のような理由によると思われる。前述の損失導波
路構造では結合領域での光吸収が大きいため、１８０°
位相モードが選択されていたのに対し、この実屈折率導
波路４ｖ造の半導体レーザアレイ１０では、結合領域で
の光吸収がないため、素子構造が許容するすべてのスー
パーモードのしきいイ直ゲインが番まげ等しくなる。そ
のため、すべてのスーパーモードが同時に発振するので
ある。このように複数のスーパーモードの混在発振する
半導体レーザアレイ１０の出力ビームは、回折限界の数
倍の太さになってしまい、実用上大きな問題となる。
レーザアレイ１０の発振横モードをａ察すると、複数の
スーパーモードが混在していることがわかった。この現
末は次のような理由によると思われる。前述の損失導波
路構造では結合領域での光吸収が大きいため、１８０°
位相モードが選択されていたのに対し、この実屈折率導
波路４ｖ造の半導体レーザアレイ１０では、結合領域で
の光吸収がないため、素子構造が許容するすべてのスー
パーモードのしきいイ直ゲインが番まげ等しくなる。そ
のため、すべてのスーパーモードが同時に発振するので
ある。このように複数のスーパーモードの混在発振する
半導体レーザアレイ１０の出力ビームは、回折限界の数
倍の太さになってしまい、実用上大きな問題となる。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、高出力で
安定した単一〇°位相モーＶでの発振を実現することが
できる半導体レーザアレイ装置を提供することである。
安定した単一〇°位相モーＶでの発振を実現することが
できる半導体レーザアレイ装置を提供することである。
！ 問題を解決するための手段本発明は、互い
に光学的結合状態にある複数本の第１の活性導波路と、
第１の活性導波路と交差する単一または複数の第２の活
性または非活性な導波路とを含み、 前記第１および第２の導波路は、波長程度またはそれ以
下の周期をもつ周Ｊｉ２１構造により光学的に結合して
ることを特徴とする半導体レーザアレイ装置である。
に光学的結合状態にある複数本の第１の活性導波路と、
第１の活性導波路と交差する単一または複数の第２の活
性または非活性な導波路とを含み、 前記第１および第２の導波路は、波長程度またはそれ以
下の周期をもつ周Ｊｉ２１構造により光学的に結合して
ることを特徴とする半導体レーザアレイ装置である。
作 用
本発明に従えば、互いに光学的結合状態にある第１の複
数活性導波と、第１の導波路とある角度をなして交わる
第２の導波路を有し、かつ第１と第２の導波路は波長程
度の周期をもつ周期構造により光学的に結合するように
したので、高出力でかつ安定した単二〇°位相モードで
の発振を実現することができる。
数活性導波と、第１の導波路とある角度をなして交わる
第２の導波路を有し、かつ第１と第２の導波路は波長程
度の周期をもつ周期構造により光学的に結合するように
したので、高出力でかつ安定した単二〇°位相モードで
の発振を実現することができる。
実施例
第１図およＣ／第２図は、本発明に従う半導体レーザア
レイ装置１９を説明するための図である。
レイ装置１９を説明するための図である。
まずｎ−ＧａＡｓ基板２１の（００１）面上に、ＭＯ’
ＣＶＤ法！ＭＢＥ法、ＬＰＥ法などを用いて、０゜８μ
論厚のｎ−Ａ７ｘＧａ＋−ｘＡｓ クラッド層２２を成
長させる。次にこのクラッド層２２のＩ ＦｆＢ ｌ：
Ｎ品の＜０１０＞方向と平行にグレーティング２３を
形成する。このグレーティング２３は、第２図のハ・ノ
チングで示したように横幅１１μＩ１１． 縦幅７μ
蛸の長方形の範囲にだけ形成する。またグレーティング
２３の周期としては、レーザ発振光の素子内波長の１／
２までが選ばれる。続いてこのようなグレーティング付
きのウェハを基板として、ＭＯＣＶＤ法により、０，３
μ鎗厚のｎ−ＡＪ！ｚＧａ１−ｚＡｓ尤導波層２４と、
０．１μｍｌ＋７の１１ またはＰ−Ａノｙ−Ｇａｌ−
ｙＡｓ活性活性Ｉ２５と、０．８μｆの厚のＰ−Ａ、ｆ
ｉ’ＸＧａ１−ｘＡｓクラッド層２６と、１゜０μ＋６
厚のｎ”−ＧａＡｓ：ｌンタクト／１ｍ ２７とを、こ
の順序で連続的に成長させる。そして成長面および基板
２１の裏面に抵抗性の電極材料を蒸着し、４５０℃で２
〜３分間、真空中で合金化処理を行なう。その後、ホト
リソグラフィ技術と、ＲＩＢＥ技術を用いて２方向の互
いに交差するメサストライプの活性導波路２８．２９を
、幅ｄ１＝３μｗ１中心間距離ｄ２＝４μｍ、高さｄ３
＝１．５μｍの条件で形成する。ここでは活性導波路２
８を結晶の＜１１０＞方向に平行にしてあり、活性導波
路２９を結晶の＜１１０＞方向に平行にしである。そし
て、これら２方向の導波路の直交する長方形の部分３０
は、先にグレーティング２３を形成した部分に一致する
ように制御した。最後に（１１０）面３１と（ｉｉｏ）
面３２とをそれぞれへき開することにより、互いに直交
する４つの面をレーザ共振器端面とした。また（１１０
）面３２には誘電体多層膜を蒸着し、その反射率を９６
％にした。
ＣＶＤ法！ＭＢＥ法、ＬＰＥ法などを用いて、０゜８μ
論厚のｎ−Ａ７ｘＧａ＋−ｘＡｓ クラッド層２２を成
長させる。次にこのクラッド層２２のＩ ＦｆＢ ｌ：
Ｎ品の＜０１０＞方向と平行にグレーティング２３を
形成する。このグレーティング２３は、第２図のハ・ノ
チングで示したように横幅１１μＩ１１． 縦幅７μ
蛸の長方形の範囲にだけ形成する。またグレーティング
２３の周期としては、レーザ発振光の素子内波長の１／
２までが選ばれる。続いてこのようなグレーティング付
きのウェハを基板として、ＭＯＣＶＤ法により、０，３
μ鎗厚のｎ−ＡＪ！ｚＧａ１−ｚＡｓ尤導波層２４と、
０．１μｍｌ＋７の１１ またはＰ−Ａノｙ−Ｇａｌ−
ｙＡｓ活性活性Ｉ２５と、０．８μｆの厚のＰ−Ａ、ｆ
ｉ’ＸＧａ１−ｘＡｓクラッド層２６と、１゜０μ＋６
厚のｎ”−ＧａＡｓ：ｌンタクト／１ｍ ２７とを、こ
の順序で連続的に成長させる。そして成長面および基板
２１の裏面に抵抗性の電極材料を蒸着し、４５０℃で２
〜３分間、真空中で合金化処理を行なう。その後、ホト
リソグラフィ技術と、ＲＩＢＥ技術を用いて２方向の互
いに交差するメサストライプの活性導波路２８．２９を
、幅ｄ１＝３μｗ１中心間距離ｄ２＝４μｍ、高さｄ３
＝１．５μｍの条件で形成する。ここでは活性導波路２
８を結晶の＜１１０＞方向に平行にしてあり、活性導波
路２９を結晶の＜１１０＞方向に平行にしである。そし
て、これら２方向の導波路の直交する長方形の部分３０
は、先にグレーティング２３を形成した部分に一致する
ように制御した。最後に（１１０）面３１と（ｉｉｏ）
面３２とをそれぞれへき開することにより、互いに直交
する４つの面をレーザ共振器端面とした。また（１１０
）面３２には誘電体多層膜を蒸着し、その反射率を９６
％にした。
このような構造を有する半導体レーザアレイ装置１９で
は、主エレメントである活性導波路２８と副エレメント
である活性導波路２９とは、グレーティング２３により
光学的に結合されている。
は、主エレメントである活性導波路２８と副エレメント
である活性導波路２９とは、グレーティング２３により
光学的に結合されている。
ここでは前述の条件によりグレーティング２３を形成し
たため、光波は９０°方向に変化し等位相面は平坦にな
る。すなわち副エレメントである活性導波路２９内の光
波が主エレメントである活性導波−路２８内に入射する
際の等位相面は、平坦状であり、３本の活性導波路２８
での光波位相関係は、０°位相モードの場合と等しくな
る二とがわかる。
たため、光波は９０°方向に変化し等位相面は平坦にな
る。すなわち副エレメントである活性導波路２９内の光
波が主エレメントである活性導波−路２８内に入射する
際の等位相面は、平坦状であり、３本の活性導波路２８
での光波位相関係は、０°位相モードの場合と等しくな
る二とがわかる。
従来例に示したような副エレメントをもたない通常の実
屈折率導波路型の半導体レーザ７レイ１０では、各スー
パーモードのしきい値ゲインの差がほとんどなく、数モ
ードの混在しｒこ状態での発振が観察される。しかし本
発明のように副エレメントである活性導波路２９よりグ
レーティング２３を媒してＯ゛位相モードの光波を主エ
レメントである実屈折率平行導波路２８に注入すること
により、０°位相モードだけのしきい値ゲインを低下さ
せることが可能となる。すなわち、グレーティング２３
の結合効率とレーザ共振器の端面反射率を最適化するこ
とにより、０°位相モードのみを選択的に発振させ得る
わけである。
屈折率導波路型の半導体レーザ７レイ１０では、各スー
パーモードのしきい値ゲインの差がほとんどなく、数モ
ードの混在しｒこ状態での発振が観察される。しかし本
発明のように副エレメントである活性導波路２９よりグ
レーティング２３を媒してＯ゛位相モードの光波を主エ
レメントである実屈折率平行導波路２８に注入すること
により、０°位相モードだけのしきい値ゲインを低下さ
せることが可能となる。すなわち、グレーティング２３
の結合効率とレーザ共振器の端面反射率を最適化するこ
とにより、０°位相モードのみを選択的に発振させ得る
わけである。
本発明者の実験結果によれＣｒ、このようにして作製し
た半導体レーザアレイ装置１９の特性とし１ ては、
発振波長８９０μＷで１００ＩＩＷ まで単一〇°位
相モード発振することがわかった。このときの近視野像
を第４図に示し、その遠視野像を第５図に示す。
た半導体レーザアレイ装置１９の特性とし１ ては、
発振波長８９０μＷで１００ＩＩＷ まで単一〇°位
相モード発振することがわかった。このときの近視野像
を第４図に示し、その遠視野像を第５図に示す。
本発明に従う半導体レーザアレイ装置１９は、前記実施
例で述べた材料すなわちＡノＧａＡｓ／ＧａＡｓ系以外
の材料を用いて構成されるレーザ素子に関しても実施さ
れ得る。また活性導波路の構造が前記実施例以外の構造
を有するレーザ素子や、前記実施例の伝導型とすべての
伝導型が逆のレーザ素子などに関しても実施され得る。
例で述べた材料すなわちＡノＧａＡｓ／ＧａＡｓ系以外
の材料を用いて構成されるレーザ素子に関しても実施さ
れ得る。また活性導波路の構造が前記実施例以外の構造
を有するレーザ素子や、前記実施例の伝導型とすべての
伝導型が逆のレーザ素子などに関しても実施され得る。
効 果
以上のように本発明によれば、互いに光学的結合状態に
ある複数本の第１の活性導波路（主エレメント）と、こ
れら第１の導波路と交わる第２の導波路（副エレメント
）をもち、かつ第１と第２の導波路は、波長程度または
それ以下の周期をもつ周期構造により、光学的に結合し
ている素子では、０°位相のみを選択的に高出力領域ま
で発振させることが可能となる。
ある複数本の第１の活性導波路（主エレメント）と、こ
れら第１の導波路と交わる第２の導波路（副エレメント
）をもち、かつ第１と第２の導波路は、波長程度または
それ以下の周期をもつ周期構造により、光学的に結合し
ている素子では、０°位相のみを選択的に高出力領域ま
で発振させることが可能となる。
第１図および第２図は本発明に従う半導体レーザアレイ
装置１９の構造を示す図、第３図および第４図は半導体
レーザアレイ装置１９の近視野像および遠視野像を示す
図、第５図および第６図は従来の半導体レニザアレイク
の構造を示す図、第７図および第８図は半導体レーザア
レイクの近視野像および遠視野像を示す図、第９図は半
導体レーザ７レイクのスーパーモードしきい値ディンの
理論解析結果を示す図、第１０図はその他の従来の半導
体レーザアレイ１０の構造図である。 １９・・・２１・・・基［，２２，２６・・・クラッド
層、２３・・・グレーティング、２４・・・光導波層、
２５・・・活性層、２７・・・コンタクト層、２８．２
９・・・活性導波路 代理人 弁理士 四教 上一部 ３１ 第１図 第２図 第３図 光 角 准 第４図 → 第５図 ｇ６図 第７図 光。 第８図 ０．５ １ ５ １０ 第９図
装置１９の構造を示す図、第３図および第４図は半導体
レーザアレイ装置１９の近視野像および遠視野像を示す
図、第５図および第６図は従来の半導体レニザアレイク
の構造を示す図、第７図および第８図は半導体レーザア
レイクの近視野像および遠視野像を示す図、第９図は半
導体レーザ７レイクのスーパーモードしきい値ディンの
理論解析結果を示す図、第１０図はその他の従来の半導
体レーザアレイ１０の構造図である。 １９・・・２１・・・基［，２２，２６・・・クラッド
層、２３・・・グレーティング、２４・・・光導波層、
２５・・・活性層、２７・・・コンタクト層、２８．２
９・・・活性導波路 代理人 弁理士 四教 上一部 ３１ 第１図 第２図 第３図 光 角 准 第４図 → 第５図 ｇ６図 第７図 光。 第８図 ０．５ １ ５ １０ 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 互いに光学的結合状態にある複数本の第１の活性導波路
と、第１の活性導波路と交差する単一または複数の第２
の活性または非活性な導波路とを含み、 前記第１および第２の導波路は、波長程度またはそれ以
下の周期をもつ周期構造により光学的に結合してること
を特徴とする半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15471885A JPS6215879A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15471885A JPS6215879A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215879A true JPS6215879A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15590444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15471885A Pending JPS6215879A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215879A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985897A (en) * | 1988-10-07 | 1991-01-15 | Trw Inc. | Semiconductor laser array having high power and high beam quality |
| US5206185A (en) * | 1988-12-29 | 1993-04-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5692001A (en) * | 1994-09-06 | 1997-11-25 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor device with a semiconductor diode laser |
| JP2006303052A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
| EP0965060B1 (en) * | 1997-03-07 | 2008-01-09 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Optical wavelength selective device including at least one bragg-grating structure |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP15471885A patent/JPS6215879A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4985897A (en) * | 1988-10-07 | 1991-01-15 | Trw Inc. | Semiconductor laser array having high power and high beam quality |
| US5206185A (en) * | 1988-12-29 | 1993-04-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5692001A (en) * | 1994-09-06 | 1997-11-25 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor device with a semiconductor diode laser |
| EP0965060B1 (en) * | 1997-03-07 | 2008-01-09 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Optical wavelength selective device including at least one bragg-grating structure |
| JP2006303052A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3613348B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH0212886A (ja) | 間隔の狭いアンチガイドを使用する半導体レーザの位相ロック・アレイ | |
| EP0378098B1 (en) | Semiconductor optical device | |
| US4890293A (en) | Semiconductor laser device | |
| US4903274A (en) | Semiconductor laser array device | |
| US4792962A (en) | A ring-shaped resonator type semiconductor laser device | |
| JP4445292B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| WO1990003055A1 (fr) | Dispositif photo-emetteur et procede de production | |
| US4813051A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPS6215879A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| US4791651A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPH0431195B2 (ja) | ||
| JPS6328520B2 (ja) | ||
| JPS61296785A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| US4764936A (en) | Semiconductor laser array device | |
| JPH0440875B2 (ja) | ||
| JPS61102087A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6373683A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS6373685A (ja) | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 | |
| US7577174B2 (en) | Semiconductor laser device and semiconductor laser element array | |
| JP2687449B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH0440874B2 (ja) | ||
| JPH0440877B2 (ja) | ||
| JPH051992B2 (ja) | ||
| JPH10223970A (ja) | 半導体レーザ |