JPH0541346A - 微細パタン投影露光装置 - Google Patents
微細パタン投影露光装置Info
- Publication number
- JPH0541346A JPH0541346A JP3218099A JP21809991A JPH0541346A JP H0541346 A JPH0541346 A JP H0541346A JP 3218099 A JP3218099 A JP 3218099A JP 21809991 A JP21809991 A JP 21809991A JP H0541346 A JPH0541346 A JP H0541346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- prism
- illumination
- optical element
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学素子を用いて投影露光装置の照明光学系
の構成に無理を与えることなく、逆円錐状の傾斜照明を
実現する。 【構成】 マスク２１の上部に配置される光学素子とし
ての片プリズム１１がマスク面に垂直な照明光Ｉを角度
α傾ける。ここでαは投影光学系の開口数に対応した角
度である。プリズム１１により傾斜した照明光はマスク
２１を照らす。ここでプリズム１１をマスク面に垂直な
軸ｌ−ｌ′を中心として矢印１０の方向に回転させる。
マスク２１上の任意の一点Ｑを照明する光ＩM は、図１
（ｂ）に示すように逆円錐状の傾斜照明となる。。
の構成に無理を与えることなく、逆円錐状の傾斜照明を
実現する。 【構成】 マスク２１の上部に配置される光学素子とし
ての片プリズム１１がマスク面に垂直な照明光Ｉを角度
α傾ける。ここでαは投影光学系の開口数に対応した角
度である。プリズム１１により傾斜した照明光はマスク
２１を照らす。ここでプリズム１１をマスク面に垂直な
軸ｌ−ｌ′を中心として矢印１０の方向に回転させる。
マスク２１上の任意の一点Ｑを照明する光ＩM は、図１
（ｂ）に示すように逆円錐状の傾斜照明となる。。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細パタン
を投影レンズを用いてウエハ（基板）上に形成するとき
の投影露光装置に関するものである。
を投影レンズを用いてウエハ（基板）上に形成するとき
の投影露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の微細パタンを形成するための
投影露光装置には高い解像力が要求され、投影露光装置
の投影レンズは、光の波長から決まる理論限界に近い解
像度を有している。しかし、さらにより微細なパタンを
形成するため、位相シフト法の検討が最近進んでいる。
投影露光装置には高い解像力が要求され、投影露光装置
の投影レンズは、光の波長から決まる理論限界に近い解
像度を有している。しかし、さらにより微細なパタンを
形成するため、位相シフト法の検討が最近進んでいる。
【０００３】位相シフト法では、図７（ａ）に示すよう
に、マスク２１上にパタンが周期ｄで存在するとき、１
つおきにシフタ２２を設ける。これによりシフタ２２が
存在する部分で負の振幅とできるので、光から見た周期
が２ｄとなり、さらに直流成分が零となる。このため、
回折の開き角αは従来の約半分となり、従来法に比べ周
期が１／２までのパタンの像形成が可能となる。なお、
図７中Ｉはマスク２１を照射する照明光を示し、２３は
マスク２１の下部に配置されるアパーチャ（開口絞り）
である。
に、マスク２１上にパタンが周期ｄで存在するとき、１
つおきにシフタ２２を設ける。これによりシフタ２２が
存在する部分で負の振幅とできるので、光から見た周期
が２ｄとなり、さらに直流成分が零となる。このため、
回折の開き角αは従来の約半分となり、従来法に比べ周
期が１／２までのパタンの像形成が可能となる。なお、
図７中Ｉはマスク２１を照射する照明光を示し、２３は
マスク２１の下部に配置されるアパーチャ（開口絞り）
である。
【０００４】この原理に基づき、同一出願人の出願に係
る特願平３ー１３５３１７号では、図７（ｂ）に示すよ
うに、マスク２１を照射する光線Ｉに、投影レンズの開
口数に対応した角度の傾きを与える方法が記述されてい
る。この方法では通常のマスク２１を用いながら、位相
シフト法と同等の効果を得ることができ、シフタを形成
する工程が無くなるばかりでなく、シフタ配置が困難な
形状のパタンに対しても解像度を向上できる利点を持っ
ている。
る特願平３ー１３５３１７号では、図７（ｂ）に示すよ
うに、マスク２１を照射する光線Ｉに、投影レンズの開
口数に対応した角度の傾きを与える方法が記述されてい
る。この方法では通常のマスク２１を用いながら、位相
シフト法と同等の効果を得ることができ、シフタを形成
する工程が無くなるばかりでなく、シフタ配置が困難な
形状のパタンに対しても解像度を向上できる利点を持っ
ている。
【０００５】マスク面にこのような傾斜照明を与えるに
は、円環状のアパーチャを利用するか、あるいは同一出
願人の出願に係る特願平３ー１４２７８２号に述べられ
ているような、マスク直上部に光軸を傾けるための光学
素子を置く方法がある。光学素子は簡便な手法であり、
特にプリズムでは光学素子の製造誤差等が入りにくく、
理想に近い傾斜照明が得られる利点を有している。
は、円環状のアパーチャを利用するか、あるいは同一出
願人の出願に係る特願平３ー１４２７８２号に述べられ
ているような、マスク直上部に光軸を傾けるための光学
素子を置く方法がある。光学素子は簡便な手法であり、
特にプリズムでは光学素子の製造誤差等が入りにくく、
理想に近い傾斜照明が得られる利点を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】傾斜照明を与えるため
に光学素子としてプリズムを用いる方法では、図６
（ａ）に示すように一方向からの傾斜照明はマスク２１
の転写パタン存在領域とほぼ同じ大きさのプリズム２５
でよく、現存する投影露光装置への導入も特に問題とな
らない。しかし、２方向からの傾斜照明とするプリズム
２６の場合、図６（ｂ）に示すように傾斜させる方向の
プリズムの大きさを、照射すべきマスク２１の大きさの
約２倍とする必要がある。さらにプリズム２６とマスク
２１との間の距離も傾斜角度に応じて確保する必要があ
る。図６（ｃ）に示す４方向の傾斜照明とするプリズム
２７を用いる場合も同様の制約を受ける。これらの制約
は、投影露光装置の照明光学系を組む上で、著しい障害
となる。
に光学素子としてプリズムを用いる方法では、図６
（ａ）に示すように一方向からの傾斜照明はマスク２１
の転写パタン存在領域とほぼ同じ大きさのプリズム２５
でよく、現存する投影露光装置への導入も特に問題とな
らない。しかし、２方向からの傾斜照明とするプリズム
２６の場合、図６（ｂ）に示すように傾斜させる方向の
プリズムの大きさを、照射すべきマスク２１の大きさの
約２倍とする必要がある。さらにプリズム２６とマスク
２１との間の距離も傾斜角度に応じて確保する必要があ
る。図６（ｃ）に示す４方向の傾斜照明とするプリズム
２７を用いる場合も同様の制約を受ける。これらの制約
は、投影露光装置の照明光学系を組む上で、著しい障害
となる。
【０００７】半導体集積回路の回路パタンを転写する場
合、一方向からの傾斜照明では、ウエハ面が結像面から
ずれた時、すなわちデフォーカスした時、像の位置がず
れる欠点を有している。この像のずれを生じさせないた
めには、結像点で対称に結像に寄与する光が必要で、こ
の意味から２方向からの傾斜照明が必要となる。さらに
回路パタンでは様々向きのパタンが存在していることか
ら、２方向だけでなく４方向あるいは逆円錐状の傾斜照
明とすることが望ましい。
合、一方向からの傾斜照明では、ウエハ面が結像面から
ずれた時、すなわちデフォーカスした時、像の位置がず
れる欠点を有している。この像のずれを生じさせないた
めには、結像点で対称に結像に寄与する光が必要で、こ
の意味から２方向からの傾斜照明が必要となる。さらに
回路パタンでは様々向きのパタンが存在していることか
ら、２方向だけでなく４方向あるいは逆円錐状の傾斜照
明とすることが望ましい。
【０００８】本発明は以上の点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、光学素子を用いて投影露光装置の照
明光学系の構成に無理を与えることなく逆円錐状の傾斜
照明を実現する微細パタン投影露光装置を提供すること
にある。
あり、その目的は、光学素子を用いて投影露光装置の照
明光学系の構成に無理を与えることなく逆円錐状の傾斜
照明を実現する微細パタン投影露光装置を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の微細パタン投影露光装置は、マスク面に垂
直な照射光を投影レンズの開口数に対応した角度までの
所定の角度だけ傾ける機能を持つ光学素子を投影露光装
置のマスクの光源側に保持し、かつこの光学素子をマス
ク面に垂直な軸を中心軸として回転させる機構を備えた
ものである。
めに本発明の微細パタン投影露光装置は、マスク面に垂
直な照射光を投影レンズの開口数に対応した角度までの
所定の角度だけ傾ける機能を持つ光学素子を投影露光装
置のマスクの光源側に保持し、かつこの光学素子をマス
ク面に垂直な軸を中心軸として回転させる機構を備えた
ものである。
【００１０】
【作用】本発明の作用を片プリズムを用いた場合を例
に、図１により説明する。図１（ａ）において、マスク
２１の上部に配置される片プリズム１１がマスク面に垂
直な照明光Ｉを角度α傾ける。ここでαは投影光学系の
開口数に対応した角度である。プリズム１１により傾斜
した照明光はマスク２１を照らす。ここでプリズム１１
をマスク面に垂直な軸ｌ−ｌ′を中心として矢印１０の
方向に回転させる。マスク２１上の任意の一点Ｑを照明
する光ＩM は、図１（ｂ）に示すように逆円錐状の傾斜
照明となる。
に、図１により説明する。図１（ａ）において、マスク
２１の上部に配置される片プリズム１１がマスク面に垂
直な照明光Ｉを角度α傾ける。ここでαは投影光学系の
開口数に対応した角度である。プリズム１１により傾斜
した照明光はマスク２１を照らす。ここでプリズム１１
をマスク面に垂直な軸ｌ−ｌ′を中心として矢印１０の
方向に回転させる。マスク２１上の任意の一点Ｑを照明
する光ＩM は、図１（ｂ）に示すように逆円錐状の傾斜
照明となる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す原理説明図で
ある。この実施例は、マスク面に垂直な照明光Ｉを投影
レンズの開口数に対応した角度傾ける光学素子として片
プリズム１１を用い、このプリズム１１をマスク２１の
光源側に保持するとともに、そのプリズム１１をマスク
面に垂直な軸ｌ−ｌ′を中心軸として回転させるものと
なっている。なお、図中同一符号は同一または相当部分
を示している。
ある。この実施例は、マスク面に垂直な照明光Ｉを投影
レンズの開口数に対応した角度傾ける光学素子として片
プリズム１１を用い、このプリズム１１をマスク２１の
光源側に保持するとともに、そのプリズム１１をマスク
面に垂直な軸ｌ−ｌ′を中心軸として回転させるものと
なっている。なお、図中同一符号は同一または相当部分
を示している。
【００１２】次に本発明の実施例を具体的な数値を例示
して以下に示す。投影露光装置として、投影レンズの開
口数ＮＡ＝０．５、縮小倍率１／５とする。もしマスク
照明光が完全に平行で光源の大きさがないとみなせるな
ら、投影光学系に対応した傾斜照明角αは、
して以下に示す。投影露光装置として、投影レンズの開
口数ＮＡ＝０．５、縮小倍率１／５とする。もしマスク
照明光が完全に平行で光源の大きさがないとみなせるな
ら、投影光学系に対応した傾斜照明角αは、
【００１３】 ｓｉｎα＝（１／５）＊０．５＝０．１ ・・・・(1)
【００１４】から、α＝５．７度となる。しかし一般に
は、光源は大きさを持ち、図２に示すように照明光Ｉは
開き角ηを有している。プリズム１１により光軸を傾斜
させると照明光Ｉの開き角はηからη′に変化するが、
その差は微小であり、η′＝ηとしてかまわない。この
場合（α＋η）を投影光学系に対応させる必要から、
は、光源は大きさを持ち、図２に示すように照明光Ｉは
開き角ηを有している。プリズム１１により光軸を傾斜
させると照明光Ｉの開き角はηからη′に変化するが、
その差は微小であり、η′＝ηとしてかまわない。この
場合（α＋η）を投影光学系に対応させる必要から、
【００１５】 ｓｉｎ（α＋η）＝（１／５）＊０．５＝０．１ ・・・(2)
【００１６】と設定する。このような傾斜照明角αは、
片プリズム１１の頂角φを適正化することで選べる。例
えば、プリズムの材料を屈折率１．４６５の石英ガラス
とし、η＝０．０、ｓｉｎα＝０．１とするとφ＝１
２．２度を得る。プリズムの大きさは、マスクのパタン
領域を覆う必要があるから、マスクのパタン領域を７５
ｍｍ角とするとプリズムの直径が例えば８０ｍｍ必要と
なる。回転軸を中心とする円形とすれば、空気の不要な
攪絆を避けることができるので望ましい。
片プリズム１１の頂角φを適正化することで選べる。例
えば、プリズムの材料を屈折率１．４６５の石英ガラス
とし、η＝０．０、ｓｉｎα＝０．１とするとφ＝１
２．２度を得る。プリズムの大きさは、マスクのパタン
領域を覆う必要があるから、マスクのパタン領域を７５
ｍｍ角とするとプリズムの直径が例えば８０ｍｍ必要と
なる。回転軸を中心とする円形とすれば、空気の不要な
攪絆を避けることができるので望ましい。
【００１７】１回の露光時間が通常０．５秒程度である
から、露光の開始と終了のタイミングに関係なくほぼ均
一な照射とするには、回転数を１分間に２０００から３
０００回転とする必要がある。このような高回転は振
動、部品の磨耗に伴う信頼性等の観点からできれば避け
ることが望ましい。そこで１回の露光時間の間に丁度ｎ
回転するよう制御する方法がある。ここでｎとは、１か
ら１０程度であり、回転機構に無理が及ばない範囲であ
れば良い。
から、露光の開始と終了のタイミングに関係なくほぼ均
一な照射とするには、回転数を１分間に２０００から３
０００回転とする必要がある。このような高回転は振
動、部品の磨耗に伴う信頼性等の観点からできれば避け
ることが望ましい。そこで１回の露光時間の間に丁度ｎ
回転するよう制御する方法がある。ここでｎとは、１か
ら１０程度であり、回転機構に無理が及ばない範囲であ
れば良い。
【００１８】回転機構では、回転軸が回転体の重心を通
ることが必要となる。図３（ａ）は片プリズム１１を円
形とし、その周囲に円柱状のつば１２を付けたもので、
石英で一体化して加工する。図３（ｂ）は、同図（ａ）
の断面図で、さらにつば１２の部分に金属製の枠１３を
はめ、この金属枠１３にバランサを取り付けて回転軸が
回転体の重心を通るよう調整できる構造としている。金
属枠１３の外側の側面は、例えば回転力を与えるための
回転軸を押し当てる面として使用できる。
ることが必要となる。図３（ａ）は片プリズム１１を円
形とし、その周囲に円柱状のつば１２を付けたもので、
石英で一体化して加工する。図３（ｂ）は、同図（ａ）
の断面図で、さらにつば１２の部分に金属製の枠１３を
はめ、この金属枠１３にバランサを取り付けて回転軸が
回転体の重心を通るよう調整できる構造としている。金
属枠１３の外側の側面は、例えば回転力を与えるための
回転軸を押し当てる面として使用できる。
【００１９】片プリズム１１をそのまま用いると、回転
のバランスをとるためにこのような工夫が必要となる
が、もっと簡便な光学素子として図４のような波状にし
たプリズム１５がある。このプリズム１５では、ほぼ平
面と見なしてよいことから回転バランスをとる必要がな
いか、あるいは僅かのバランス調整で回転が可能にな
り、また片プリズムに比べ厚みが全体として薄いため、
高速回転させやすい。
のバランスをとるためにこのような工夫が必要となる
が、もっと簡便な光学素子として図４のような波状にし
たプリズム１５がある。このプリズム１５では、ほぼ平
面と見なしてよいことから回転バランスをとる必要がな
いか、あるいは僅かのバランス調整で回転が可能にな
り、また片プリズムに比べ厚みが全体として薄いため、
高速回転させやすい。
【００２０】図５は、光学素子として位相型の一次元グ
レーティング１６を用いた場合である。傾斜角αをｓｉ
ｎα＝０．１とし、使用する波長を水銀灯のｉ線（３６
５ｎｍ）とすると、グレーティング１６の周期は３．６
５μｍとなる。一次元グレーティング１６では回転させ
なくても２方向からの傾斜照明が実現できるが、回転さ
せることで逆円錐状の傾斜照明が可能となる。
レーティング１６を用いた場合である。傾斜角αをｓｉ
ｎα＝０．１とし、使用する波長を水銀灯のｉ線（３６
５ｎｍ）とすると、グレーティング１６の周期は３．６
５μｍとなる。一次元グレーティング１６では回転させ
なくても２方向からの傾斜照明が実現できるが、回転さ
せることで逆円錐状の傾斜照明が可能となる。
【００２１】なお、図４および図５には照明光をある方
向に傾ける光学素子だけを示したが、実際にはこれらの
素子を回転させるため、図３のように周囲に突き出た部
分や回転力を伝える機構部品が必要となる。
向に傾ける光学素子だけを示したが、実際にはこれらの
素子を回転させるため、図３のように周囲に突き出た部
分や回転力を伝える機構部品が必要となる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、マスクの
光源側に置いた光学素子を回転させることにより、限ら
れた方向だけからの傾斜した照明光を回転させ、マスク
上の任意の点が逆円錐状に照明され、その結果、様々な
方向をもつ集積回路パターンを投影光学系の持つ最高の
解像度で転写することができる。
光源側に置いた光学素子を回転させることにより、限ら
れた方向だけからの傾斜した照明光を回転させ、マスク
上の任意の点が逆円錐状に照明され、その結果、様々な
方向をもつ集積回路パターンを投影光学系の持つ最高の
解像度で転写することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す原理説明図であって、
（ａ）はその概略構成図、（ｂ）はその逆円錐状の傾斜
照明を示す図である。
（ａ）はその概略構成図、（ｂ）はその逆円錐状の傾斜
照明を示す図である。
【図２】本実施例における照明光の開く様子を示す図で
ある。
ある。
【図３】（ａ）は図１のプリズムの具体例を示す斜視
図、（ｂ）はその断面図である。
図、（ｂ）はその断面図である。
【図４】（ａ）は本実施例において光学素子として用い
る波状にしたプリズムの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部
の拡大図である。
る波状にしたプリズムの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部
の拡大図である。
【図５】（ａ）は本実施例において光学素子として用い
る位相型一次元グレーティングの平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ部の拡大図である。
る位相型一次元グレーティングの平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ部の拡大図である。
【図６】同一出願人にて提案された傾斜照明による露光
方法の一例をそれぞれ示す説明図である。
方法の一例をそれぞれ示す説明図である。
【図７】（ａ）は従来例による位相シフト法の説明図、
（ｂ）は同一出願人にて提案された傾斜照明法の説明図
である。
（ｂ）は同一出願人にて提案された傾斜照明法の説明図
である。
１１ プリズム １２ プリズムのつば １３ プリズムの枠 １５ 波状にしたプリズム １６ 位相型一次元グレーティング ２１ マスク
フロントページの続き (72)発明者 竹内 良亘 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 原田 勝征 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 三村 義昭 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 マスク上のパタンを投影光学系を介して
ウエハ上に投影露光する投影露光装置において、マスク
面に垂直な照射光を投影レンズの開口数に対応した角度
までの所定の角度だけ傾ける機能を持つ光学素子を投影
露光装置のマスクの光源側に保持し、かつ該光学素子を
マスク面に垂直な軸を中心軸として回転させる機構を有
することを特徴とする微細パタン投影露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218099A JPH0541346A (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 微細パタン投影露光装置 |
| EP92302512A EP0507487B1 (en) | 1991-04-05 | 1992-03-24 | Optical projection exposure method and system using the same |
| DE69215942T DE69215942T2 (de) | 1991-04-05 | 1992-03-24 | Verfahren und System zur optischen Projetkionsbelichtung |
| US07/863,454 US5208629A (en) | 1991-04-05 | 1992-04-03 | Optical projection exposure method and system using the same |
| KR1019920005715A KR970004682B1 (ko) | 1991-04-05 | 1992-04-06 | 투영노광방법 및 그 사용시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3218099A JPH0541346A (ja) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 微細パタン投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541346A true JPH0541346A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16714620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3218099A Pending JPH0541346A (ja) | 1991-04-05 | 1991-08-05 | 微細パタン投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009151257A (ja) * | 2007-12-24 | 2009-07-09 | Ind Technol Res Inst | 傾斜露光リソグラフシステム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165187A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Canon Inc | 照明装置 |
-
1991
- 1991-08-05 JP JP3218099A patent/JPH0541346A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165187A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-29 | Canon Inc | 照明装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009151257A (ja) * | 2007-12-24 | 2009-07-09 | Ind Technol Res Inst | 傾斜露光リソグラフシステム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6379867B1 (en) | Moving exposure system and method for maskless lithography system | |
| JP4097508B2 (ja) | マイクロレンズ基板の作製方法およびマイクロレンズ露光光学系 | |
| JPH0653120A (ja) | 照明光学装置 | |
| JPH113849A (ja) | 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置 | |
| JP2000206321A (ja) | 回折光学素子、回折光学素子を備えた光学系、回折光学素子の製造方法、回折光学素子を備えた光学系を含む露光装置、及び露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH08145645A (ja) | 傾き検出装置 | |
| US6057970A (en) | Apparatus for enhancing depth of focus using birefringent material | |
| EP0644581B1 (en) | Wafer Stepper | |
| US4498009A (en) | Optical lithographic system having a dynamic coherent optical system | |
| US4652134A (en) | Mask alignment system | |
| JPH0684746A (ja) | 投影露光装置及びパタン形成方法 | |
| JPH04133414A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPS5817446A (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JPH0541346A (ja) | 微細パタン投影露光装置 | |
| US5481332A (en) | Projection exposure method and apparatus for improved image transfer from photomask having periodic and non-periodic patterns | |
| WO2000062127A1 (en) | System and method for performing lithography on a substrate | |
| JP2002075859A (ja) | 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPH0519447A (ja) | 投影露光装置用マスク | |
| JPH0574681A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPH0833651B2 (ja) | フォトマスク | |
| JP2682436B2 (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP3102087B2 (ja) | 投影露光装置及び方法、並びに回路素子形成方法 | |
| JPH10339804A (ja) | 回折光学素子及び該素子の光軸調整装置 | |
| JP2908100B2 (ja) | 投影露光装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3376291B2 (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 |