JPH0653120A - 照明光学装置 - Google Patents
照明光学装置Info
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- JPH0653120A JPH0653120A JP4219782A JP21978292A JPH0653120A JP H0653120 A JPH0653120 A JP H0653120A JP 4219782 A JP4219782 A JP 4219782A JP 21978292 A JP21978292 A JP 21978292A JP H0653120 A JPH0653120 A JP H0653120A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数傾斜照明を行う場合に、レチクルのパタ
ーンがその照明光の入射面に垂直な方向を長手方向とす
るライン・アンド・スペースパターンであるようなとき
に、その像のコントラストを改善する。 【構成】 2次光源形成部としての空間フィルター24
の4個の開口24a〜24dをそれぞれ偏光板25A〜
25Dで覆い、偏光板25A〜25Dの偏光方向を光軸
AXを軸とする円周の接線方向に設定する。
ーンがその照明光の入射面に垂直な方向を長手方向とす
るライン・アンド・スペースパターンであるようなとき
に、その像のコントラストを改善する。 【構成】 2次光源形成部としての空間フィルター24
の4個の開口24a〜24dをそれぞれ偏光板25A〜
25Dで覆い、偏光板25A〜25Dの偏光方向を光軸
AXを軸とする円周の接線方向に設定する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等を製造する際に使用される投影露光装置
の照明系に適用して好適な照明光学装置に関する。
液晶表示素子等を製造する際に使用される投影露光装置
の照明系に適用して好適な照明光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィー技術を用いて製造する際に、フォトマス
ク又はレチクル(以下、「レチクル」と総称する)のパ
ターンを感光基板上に転写する投影露光装置が使用され
ている。斯かる投影露光装置においては、半導体素子等
の高集積化に伴い、より微細なパターンを高解像度で焼
き付けることが要求されている。これを実現する方法と
して、レチクルのパターン領域の異なる透明部からの光
の干渉効果を利用する位相シフトレチクル法が特公昭6
2−50811号公報に開示されている。この方法をラ
イン・アンド・スペース像に応用すると基本的に0次回
折光がなくなり、±1次回折光のみによる結像となり、
同一の開口数の投影光学系でも従来のレチクルの場合よ
りも微細なライン・アンド・スペース像を高い解像度で
焼き付けることができる。
リソグラフィー技術を用いて製造する際に、フォトマス
ク又はレチクル(以下、「レチクル」と総称する)のパ
ターンを感光基板上に転写する投影露光装置が使用され
ている。斯かる投影露光装置においては、半導体素子等
の高集積化に伴い、より微細なパターンを高解像度で焼
き付けることが要求されている。これを実現する方法と
して、レチクルのパターン領域の異なる透明部からの光
の干渉効果を利用する位相シフトレチクル法が特公昭6
2−50811号公報に開示されている。この方法をラ
イン・アンド・スペース像に応用すると基本的に0次回
折光がなくなり、±1次回折光のみによる結像となり、
同一の開口数の投影光学系でも従来のレチクルの場合よ
りも微細なライン・アンド・スペース像を高い解像度で
焼き付けることができる。
【0003】また、より解像度を高めるための別のアプ
ローチとして、照明光学系を工夫して、微細なパターン
を高い解像度で且つ比較的深い焦点深度で焼き付ける方
法が本出願人により提案されている(例えば1992年
3月応用物理学関係連合講演会予稿集30−a−NA−
3,4参照)。以下ではその方法を「複数傾斜照明法」
と呼び、図8を参照してその方法につき説明する。先ず
図8(a)は複数傾斜照明法を適用した照明光学系にお
ける2次光源部等の等価光源部10を示し、この図8
(a)において、直交座標系を形成するx軸及びy軸に
対してそれぞれ45°で交差する軸x′及びこの軸x′
とy軸に関して対称な軸に沿って4個の小光源11A〜
11Dが配置されている。この小光源11A〜11Dの
配列は、転写対象とするレチクルのパターンが主にx軸
に平行な長いエッジ又はy軸に平行な長いエッジを有す
るライン・アンド・スペースパターンの場合に適してい
る。
ローチとして、照明光学系を工夫して、微細なパターン
を高い解像度で且つ比較的深い焦点深度で焼き付ける方
法が本出願人により提案されている(例えば1992年
3月応用物理学関係連合講演会予稿集30−a−NA−
3,4参照)。以下ではその方法を「複数傾斜照明法」
と呼び、図8を参照してその方法につき説明する。先ず
図8(a)は複数傾斜照明法を適用した照明光学系にお
ける2次光源部等の等価光源部10を示し、この図8
(a)において、直交座標系を形成するx軸及びy軸に
対してそれぞれ45°で交差する軸x′及びこの軸x′
とy軸に関して対称な軸に沿って4個の小光源11A〜
11Dが配置されている。この小光源11A〜11Dの
配列は、転写対象とするレチクルのパターンが主にx軸
に平行な長いエッジ又はy軸に平行な長いエッジを有す
るライン・アンド・スペースパターンの場合に適してい
る。
【0004】図8(b)はその図8(a)の等価光源部
10を光源とする投影露光装置の概略構成を示し、この
図8(b)において、等価光源部10の小光源11Aか
らの照明光の主光線15Aが図示省略したコンデンサー
レンズ系を介してレチクル12に光軸AXに対して斜め
に照射される。等価光源部10は投影光学系13の瞳面
(入射瞳面)10Aと共役であり、この瞳面には開口絞
り13aが設けられている。そのレチクル12からは0
次回折光(これも符号15Aで表す)及び1次回折光1
6Aが光軸AXに対してほぼ対称に射出され、これら0
次回折光15A及び1次回折光16Aは投影光学系13
を経てをほぼ同一の入射角θで感光基板としてのウエハ
14に入射する。この場合、0次回折光15Aと1次回
折光とが光軸AX対して対称に瞳の周縁近くを通過する
ため、投影光学系13の性能限界までの解像度が得られ
る。
10を光源とする投影露光装置の概略構成を示し、この
図8(b)において、等価光源部10の小光源11Aか
らの照明光の主光線15Aが図示省略したコンデンサー
レンズ系を介してレチクル12に光軸AXに対して斜め
に照射される。等価光源部10は投影光学系13の瞳面
(入射瞳面)10Aと共役であり、この瞳面には開口絞
り13aが設けられている。そのレチクル12からは0
次回折光(これも符号15Aで表す)及び1次回折光1
6Aが光軸AXに対してほぼ対称に射出され、これら0
次回折光15A及び1次回折光16Aは投影光学系13
を経てをほぼ同一の入射角θで感光基板としてのウエハ
14に入射する。この場合、0次回折光15Aと1次回
折光とが光軸AX対して対称に瞳の周縁近くを通過する
ため、投影光学系13の性能限界までの解像度が得られ
る。
【0005】また、従来のように0次回折光がウエハ1
4に垂直に入射する方式では、ウエハ14のデフォーカ
ス量に対する0次回折光の波面収差と他の回折光の波面
収差とが大きく異なることから、焦点深度が浅くなって
いる。これに対して、図8(b)の構成では、0次回折
光と1次回折光とが等しい入射角でウエハ14に入射す
るため、ウエハ14が投影光学系13の焦点位置の前後
にあるときの0次回折光と1次回折光との波面収差は相
等しく、焦点深度が深くなっている。
4に垂直に入射する方式では、ウエハ14のデフォーカ
ス量に対する0次回折光の波面収差と他の回折光の波面
収差とが大きく異なることから、焦点深度が浅くなって
いる。これに対して、図8(b)の構成では、0次回折
光と1次回折光とが等しい入射角でウエハ14に入射す
るため、ウエハ14が投影光学系13の焦点位置の前後
にあるときの0次回折光と1次回折光との波面収差は相
等しく、焦点深度が深くなっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】その複数傾斜照明法で
は、x軸方向又はy軸方向のライン・アンド・スペース
パターン8であれば有効である。これに対して、図9に
示すように、長いエッジがx軸又はy軸に対して45゜
の方向のライン・アンド・スペースパターン9の場合
は、10Aが投影光学系の瞳であるとすると、図8
(a)の4つの小光源11A〜11Dのうちの2つの小
光源11B及び11Dからの回折光は、0次回折光15
B及び15Dのみが投影レンズの瞳10Aを通過し、±
1次回折光16B及び16Dは瞳10Aを通過しないた
め、ウエハ14上でパターンを形成することはなく、単
にウエハ14を一様に照明することになる。その結果、
ウエハ14上でのパターンのコントラストが低下するこ
ととなる。
は、x軸方向又はy軸方向のライン・アンド・スペース
パターン8であれば有効である。これに対して、図9に
示すように、長いエッジがx軸又はy軸に対して45゜
の方向のライン・アンド・スペースパターン9の場合
は、10Aが投影光学系の瞳であるとすると、図8
(a)の4つの小光源11A〜11Dのうちの2つの小
光源11B及び11Dからの回折光は、0次回折光15
B及び15Dのみが投影レンズの瞳10Aを通過し、±
1次回折光16B及び16Dは瞳10Aを通過しないた
め、ウエハ14上でパターンを形成することはなく、単
にウエハ14を一様に照明することになる。その結果、
ウエハ14上でのパターンのコントラストが低下するこ
ととなる。
【0007】このことを簡単な数値計算で示す。0次回
折光の強さに対する±1次回折光の強さをaとし、各小
光源11A〜11Dは点光源とみなす。このとき、y軸
方向に長いライン・アンド・スペースパターンの場合の
x軸上の像強度分布I(x)は各小光源による像強度分
布の和として次のようになる。
折光の強さに対する±1次回折光の強さをaとし、各小
光源11A〜11Dは点光源とみなす。このとき、y軸
方向に長いライン・アンド・スペースパターンの場合の
x軸上の像強度分布I(x)は各小光源による像強度分
布の和として次のようになる。
【数1】 I(x)=4{1+a2 +2a・cos[(4π/λ)(sinθ)x]}
【0008】ここで、入射角θは、図8(b)に示すよ
うに、0次回折光又は±1次回折光が光軸AXとなす角
である。これに対して、x軸又はy軸に45゜で交差す
る方向に長いライン・アンド・スペースパターンの場合
に、45゜方向の座標軸をx′軸とすると、強度分布I
(x′)は次のようになる。
うに、0次回折光又は±1次回折光が光軸AXとなす角
である。これに対して、x軸又はy軸に45゜で交差す
る方向に長いライン・アンド・スペースパターンの場合
に、45゜方向の座標軸をx′軸とすると、強度分布I
(x′)は次のようになる。
【数2】 I(x′)=2{1+a2 +2a・cos[(4π/λ)(sinθ)x]} +2{1} =4{1+(a2 /2)+a・cos[(4π/λ)(sinθ)x]}
【0009】(数1)及び(数2)から各々の強度分布
のコントラストCx及びCx′を求めると、次のように
なる。
のコントラストCx及びCx′を求めると、次のように
なる。
【数3】 Cx=2a/(1+a2 ),Cx′=a/(1+a2/2 )
【0010】この場合、次式が成立する。 Cx−Cx′=a/{(1+a2 )(1+a2 /2)}>0 従って、次式が成立する。
【数4】Cx>Cx′
【0011】従って、x軸に45゜で交差する方向に長
いパターンのコントラストの低下が示される。例えばラ
インとスペースとの幅が等しい場合には、±1次回折光
の強さaは2/πとなるので、次式のようになる。 Cx=0.906,Cx′=0.529
いパターンのコントラストの低下が示される。例えばラ
インとスペースとの幅が等しい場合には、±1次回折光
の強さaは2/πとなるので、次式のようになる。 Cx=0.906,Cx′=0.529
【0012】なお、上述の説明では複数傾斜照明法の場
合を例として説明したが、例えば輪帯照明法等を使用し
た場合でも、像のコントラストをより改善することが望
まれている。本発明は斯かる点に鑑み、光軸に対して傾
斜した照明光を積極的に利用してレチクル等を照明する
照明光学装置において、そのレチクル等のパターンがそ
の照明光の入射面に垂直な方向を長手方向とするライン
・アンド・スペースパターンであるような場合に、投影
光学系でそのレチクル等のパターンを投影したときに照
明光学装置側の工夫でその像のコントラストを改善でき
るようにすることを目的とする。
合を例として説明したが、例えば輪帯照明法等を使用し
た場合でも、像のコントラストをより改善することが望
まれている。本発明は斯かる点に鑑み、光軸に対して傾
斜した照明光を積極的に利用してレチクル等を照明する
照明光学装置において、そのレチクル等のパターンがそ
の照明光の入射面に垂直な方向を長手方向とするライン
・アンド・スペースパターンであるような場合に、投影
光学系でそのレチクル等のパターンを投影したときに照
明光学装置側の工夫でその像のコントラストを改善でき
るようにすることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の照明
光学装置は、例えば図3に示すように、照明光学系から
の照明光によって物体(12)上の所定領域を均一に照
明する照明光学装置において、その照明光学系は、その
所定領域を斜め方向から照明する傾斜光(27B,27
C)を形成する傾斜光形成手段(24)と、この傾斜光
を変換して、その所定領域を傾斜照明するその傾斜光の
入射面に対し直交した方向に直線偏光する照明光を形成
する偏光手段(25B,25C)とを有するものであ
る。
光学装置は、例えば図3に示すように、照明光学系から
の照明光によって物体(12)上の所定領域を均一に照
明する照明光学装置において、その照明光学系は、その
所定領域を斜め方向から照明する傾斜光(27B,27
C)を形成する傾斜光形成手段(24)と、この傾斜光
を変換して、その所定領域を傾斜照明するその傾斜光の
入射面に対し直交した方向に直線偏光する照明光を形成
する偏光手段(25B,25C)とを有するものであ
る。
【0014】また、第2の照明光学装置は、例えば図3
に示すように、照明光を供給する光源(20)とこの照
明光で物体(12)上の所定領域を均一に照明する集光
光学系(26)とを有する照明光学装置において、その
照明光によってその集光光学系の光軸に対し偏心した2
次光源を形成してその所定領域を斜め方向から照明する
傾斜光形成手段(24)をその光源(20)とその集光
光学系(26)との間に配置し、この傾斜光を変換し
て、その所定領域を傾斜照明する傾斜光の入射面に対し
直交した方向に直線偏光する照明光を形成する偏光手段
(25B,25C)をその傾斜光形成手段(24)とそ
の集光光学系(26)との間に配置したものである。
に示すように、照明光を供給する光源(20)とこの照
明光で物体(12)上の所定領域を均一に照明する集光
光学系(26)とを有する照明光学装置において、その
照明光によってその集光光学系の光軸に対し偏心した2
次光源を形成してその所定領域を斜め方向から照明する
傾斜光形成手段(24)をその光源(20)とその集光
光学系(26)との間に配置し、この傾斜光を変換し
て、その所定領域を傾斜照明する傾斜光の入射面に対し
直交した方向に直線偏光する照明光を形成する偏光手段
(25B,25C)をその傾斜光形成手段(24)とそ
の集光光学系(26)との間に配置したものである。
【0015】
【作用】以下、本発明の原理につき偏心した4個の小光
源からの照明光で物体を照明する複数傾斜照明法を例に
とって説明する。先ず、本発明の第1の照明光学装置に
よれば、例えば図3に示すように、物体(12)の所定
領域を斜め方向から照明する傾斜光(27B,27C)
が形成され、これら傾斜光(27B,27C)はそれぞ
れ物体(12)に対する入射面(紙面)に垂直な方向に
直線偏光(入射面に垂直な方向に電気ベクトルが振動)
している。なお、直線偏光とは、光波の電気ベクトルの
振動方向が一平面内にある状態を意味し、電気ベクトル
の振動方向を直線偏光の方向と定義する。また、入射面
とは、光が媒質の境界面に達した時に、その点での面の
法線と光の入射方向とを含む面の事と定義する。その図
3の照明光学装置を簡略化すると図1のようになる。
源からの照明光で物体を照明する複数傾斜照明法を例に
とって説明する。先ず、本発明の第1の照明光学装置に
よれば、例えば図3に示すように、物体(12)の所定
領域を斜め方向から照明する傾斜光(27B,27C)
が形成され、これら傾斜光(27B,27C)はそれぞ
れ物体(12)に対する入射面(紙面)に垂直な方向に
直線偏光(入射面に垂直な方向に電気ベクトルが振動)
している。なお、直線偏光とは、光波の電気ベクトルの
振動方向が一平面内にある状態を意味し、電気ベクトル
の振動方向を直線偏光の方向と定義する。また、入射面
とは、光が媒質の境界面に達した時に、その点での面の
法線と光の入射方向とを含む面の事と定義する。その図
3の照明光学装置を簡略化すると図1のようになる。
【0016】図1(a)は図3の照明光学装置の2次光
源部等の等価光源部10を示し、この図1(a)におい
て、直交座標系を形成するx軸及びy軸に対してそれぞ
れ45°で交差する軸x′及びこの軸x′とy軸に関し
て対称な軸に沿って4個の小光源11A〜11Dが配置
されている。
源部等の等価光源部10を示し、この図1(a)におい
て、直交座標系を形成するx軸及びy軸に対してそれぞ
れ45°で交差する軸x′及びこの軸x′とy軸に関し
て対称な軸に沿って4個の小光源11A〜11Dが配置
されている。
【0017】図1(b)はその図3の照明光学装置を用
いた投影露光装置の概略構成を示し、この図1(b)に
おいて、等価光源部10は図1(a)の等価光源部と等
しい。その等価光源部10の小光源11Aからの露光光
の主光線15Aが図示省略したコンデンサーレンズ系を
介してレチクル12に光軸AXに対して斜めに照射され
る。その主光線15Aが図3の傾斜光(27B,27
C)に対応する。その主光線15Aの入射面は図1
(b)の紙面に平行であるため、本発明によれば、その
主光線15Aは図1(b)の紙面に垂直な方向に直線偏
光(紙面に垂直な方向に電気ベクトルが振動)してレチ
クル12に入射する。同様に、図1(a)において、各
小光源11B〜11Dからの光は、図1(a)の矢印の
方向即ち、レチクル12に対する入射面に垂直な方向に
直線偏光して図1(b)のレチクル12に入射する。
いた投影露光装置の概略構成を示し、この図1(b)に
おいて、等価光源部10は図1(a)の等価光源部と等
しい。その等価光源部10の小光源11Aからの露光光
の主光線15Aが図示省略したコンデンサーレンズ系を
介してレチクル12に光軸AXに対して斜めに照射され
る。その主光線15Aが図3の傾斜光(27B,27
C)に対応する。その主光線15Aの入射面は図1
(b)の紙面に平行であるため、本発明によれば、その
主光線15Aは図1(b)の紙面に垂直な方向に直線偏
光(紙面に垂直な方向に電気ベクトルが振動)してレチ
クル12に入射する。同様に、図1(a)において、各
小光源11B〜11Dからの光は、図1(a)の矢印の
方向即ち、レチクル12に対する入射面に垂直な方向に
直線偏光して図1(b)のレチクル12に入射する。
【0018】また、レチクル12からの0次回折光(こ
れをも符号15Aで表す)及び1次回折光16Aは投影
光学系13を経てウエハ14上に入射する。先ず、その
レチクル12に形成されたパターンが、従来例に好適な
パターンである図1(a)のx軸又はy軸に平行な方向
に長いライン・アンド・スペースパターンであるとする
と、そのパターンによりx方向又はy方向に回折された
照明光は、偏光方向がそのパターンに対して45゜方向
であるので、ランダム偏光と同じ結像状況である。従っ
て、コントラストは従来例と同様である。
れをも符号15Aで表す)及び1次回折光16Aは投影
光学系13を経てウエハ14上に入射する。先ず、その
レチクル12に形成されたパターンが、従来例に好適な
パターンである図1(a)のx軸又はy軸に平行な方向
に長いライン・アンド・スペースパターンであるとする
と、そのパターンによりx方向又はy方向に回折された
照明光は、偏光方向がそのパターンに対して45゜方向
であるので、ランダム偏光と同じ結像状況である。従っ
て、コントラストは従来例と同様である。
【0019】これに対して、そのレチクル12に形成さ
れたパターンが、図1(a)のx′軸に垂直な方向に長
いライン・アンド・スペースパターン9であるとする
と、小光源11Aからの照明光15Aの1次回折光が投
影光学系13の瞳内に入ることになる。尚、図1(b)
ではx′軸は紙面と平行になっている。ここで、図1
(b)に示すように、その照明光15Aの0次回折光1
5A及び1次回折光15Bは共に偏光方向(電気ベクト
ルの振動する方向)がウエハ14の表面で平行なS偏光
(図1(b)の紙面に垂直な方向に電気ベクトルが振動
する光)である。従って、ウエハ14上における干渉効
果がランダム偏光のときよりも大きくなり、高コントラ
ストの像が作られる。このため、図9を用いて説明した
ようにx′方向に回折された場合に、回折光の一部が瞳
外に出てしまうことによりコントラストが低下するとい
う従来の不都合が補われることになる。
れたパターンが、図1(a)のx′軸に垂直な方向に長
いライン・アンド・スペースパターン9であるとする
と、小光源11Aからの照明光15Aの1次回折光が投
影光学系13の瞳内に入ることになる。尚、図1(b)
ではx′軸は紙面と平行になっている。ここで、図1
(b)に示すように、その照明光15Aの0次回折光1
5A及び1次回折光15Bは共に偏光方向(電気ベクト
ルの振動する方向)がウエハ14の表面で平行なS偏光
(図1(b)の紙面に垂直な方向に電気ベクトルが振動
する光)である。従って、ウエハ14上における干渉効
果がランダム偏光のときよりも大きくなり、高コントラ
ストの像が作られる。このため、図9を用いて説明した
ようにx′方向に回折された場合に、回折光の一部が瞳
外に出てしまうことによりコントラストが低下するとい
う従来の不都合が補われることになる。
【0020】ここで、偏光方向による強度分布の差を簡
単に以下に述べる。図2では、像面、即ちウエハ14の
表面付近の様子をP偏光(電気ベクトルの振動方向が入
射面内にある光)とS偏光(電気ベクトルの振動方向が
入射面と垂直な光)を用いて示してある。0次回折光1
5A及び1次回折光16Aの入射角をそれぞれθ0 及び
θ1 とすると、S偏光の場合の像面上の強度分布Is
(x)は振幅分布Us(x)を用いて次のように簡単に
示される。
単に以下に述べる。図2では、像面、即ちウエハ14の
表面付近の様子をP偏光(電気ベクトルの振動方向が入
射面内にある光)とS偏光(電気ベクトルの振動方向が
入射面と垂直な光)を用いて示してある。0次回折光1
5A及び1次回折光16Aの入射角をそれぞれθ0 及び
θ1 とすると、S偏光の場合の像面上の強度分布Is
(x)は振幅分布Us(x)を用いて次のように簡単に
示される。
【数5】 Is(x)=|Us(x)|2 , Vs(x)=a0 ・exp〔−i(2π/λ)(sinθ0 )x〕 +a1 ・exp〔−i(2π/λ)(sinθ 1)x〕
【0021】従って、強度分布Is(x)は次のように
なる。
なる。
【数6】 Is(x)=a0 2+a1 2 +2a0 a1 ・cos〔(2π/λ)(sinθ0 −sinθ1 )x〕 ここで、係数a0 及びa1 はそれぞれ0次回折光及び1
次回折光の強さ(振幅)である。x′方向にピッチを持
つライン・アンド・スペースパターンの場合、4つの小
光源の内、2つは0次回折光しか投影光学系13を通過
しないのでS偏光のコントラストCsは次のようにな
る。
次回折光の強さ(振幅)である。x′方向にピッチを持
つライン・アンド・スペースパターンの場合、4つの小
光源の内、2つは0次回折光しか投影光学系13を通過
しないのでS偏光のコントラストCsは次のようにな
る。
【数7】Cs=2a0a1/(2a0 2+a1 2)
【0022】一方、P偏光の場合は、偏光のx成分と、
z成分とを考えなくてはいけない。P偏光の場合の像面
上の振幅分布Up(x)をベクトルで表して、x成分と
z成分とを示すと次式が得られる。
z成分とを考えなくてはいけない。P偏光の場合の像面
上の振幅分布Up(x)をベクトルで表して、x成分と
z成分とを示すと次式が得られる。
【数8】 Up(x)=(a0 ・exp 〔−i(2π/λ)(sin θ0 )x〕・cos θ0 +a1 ・exp 〔−i(2π/λ)(sin θ1 )x〕・cos θ1 , a0 ・exp 〔−i(2π/λ)(sin θ0 )x〕・sin θ0 +a1 ・exp 〔−i(2π/λ)(sin θ1 )x〕・sin θ1 )
【0023】従って、P偏光の場合の像面上の強度分布
Ip(x)は次のようになる。
Ip(x)は次のようになる。
【数9】 Ip(x)=|Up(x)|2 =a0 2+a1 2+2a0 a1 ×(cosθ0 cosθ1 +sinθ0 sinθ1 ) ×cos〔(2π/λ)(sinθ0 −sinθ1 )x〕
【0024】従って、P偏光の場合のコントラストCp
は次のようになる。
は次のようになる。
【数10】 Cp=2a0 a1 cos(θ0 −θ1 )/(2a0 2+a1 2) (数7)と(数10)とを比較して、P偏光の場合は、
コントラストがcos(θ0 −θ1 )倍となることが分
かる。例えば、sinθ0 =0.4、sinθ1 =−
0.4の場合を考えると、cos(θ0 −θ1 )=0.
68となり、P偏光の場合とS偏光の場合とでは大きな
差がつく。ランダム偏光は、P偏光とS偏光との平均と
考えられるので、コントラストは(1/2)(1+0.
68)=0.84である。
コントラストがcos(θ0 −θ1 )倍となることが分
かる。例えば、sinθ0 =0.4、sinθ1 =−
0.4の場合を考えると、cos(θ0 −θ1 )=0.
68となり、P偏光の場合とS偏光の場合とでは大きな
差がつく。ランダム偏光は、P偏光とS偏光との平均と
考えられるので、コントラストは(1/2)(1+0.
68)=0.84である。
【0025】このように、S偏光とすることにより、コ
ントラストに大きな差が生じる。即ち、図1(a)のよ
うな偏光状態の照明光を使用すると、x軸及びy軸に対
して45゜で交差する方向にエッジが平行なライン・ア
ンド・スペースパターンに対して、従来よりも2割程度
のコントラストの増加が見込まれ、微細パターンに有効
であることが分かる。
ントラストに大きな差が生じる。即ち、図1(a)のよ
うな偏光状態の照明光を使用すると、x軸及びy軸に対
して45゜で交差する方向にエッジが平行なライン・ア
ンド・スペースパターンに対して、従来よりも2割程度
のコントラストの増加が見込まれ、微細パターンに有効
であることが分かる。
【0026】なお、これまでは複数傾斜照明法を例にと
って説明したが、本発明を例えば輪帯照明法に適用する
と、例えば図7(a)に示すように、等価光源部10の
輪帯状の光源からの光をそれぞれ入射面に垂直な方向、
即ち光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する光に
変換すればよい。
って説明したが、本発明を例えば輪帯照明法に適用する
と、例えば図7(a)に示すように、等価光源部10の
輪帯状の光源からの光をそれぞれ入射面に垂直な方向、
即ち光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する光に
変換すればよい。
【0027】次に、本発明の第2の照明光学装置によれ
ば、例えば図3に示すように、傾斜光を形成するのに、
光源からの照明光により偏心した2次光源が形成されて
いる。その2次光源を例えば図1(a)の等価光源10
とみなせば、上述の説明はそのまま本発明にも適用され
る。
ば、例えば図3に示すように、傾斜光を形成するのに、
光源からの照明光により偏心した2次光源が形成されて
いる。その2次光源を例えば図1(a)の等価光源10
とみなせば、上述の説明はそのまま本発明にも適用され
る。
【0028】
【実施例】以下、本発明による照明光学装置を備えた投
影露光装置の第1実施例につき図3及び図4を参照して
説明する。本例は投影露光装置の照明光学系に本発明を
適用したものである。図3は本実施例の投影露光装置の
照明光学系を示し、この図3において、水銀ランプより
なる光源20からの照明光が楕円鏡21で集光され、こ
の集光された照明光がコリメータレンズ22を介してフ
ライアイレンズ23(オプティカルインテグレータ)に
入射する。フライアイレンズ23の射出側(レチクル
側)の焦点面には面状の2次光源が形成される。
影露光装置の第1実施例につき図3及び図4を参照して
説明する。本例は投影露光装置の照明光学系に本発明を
適用したものである。図3は本実施例の投影露光装置の
照明光学系を示し、この図3において、水銀ランプより
なる光源20からの照明光が楕円鏡21で集光され、こ
の集光された照明光がコリメータレンズ22を介してフ
ライアイレンズ23(オプティカルインテグレータ)に
入射する。フライアイレンズ23の射出側(レチクル
側)の焦点面には面状の2次光源が形成される。
【0029】フライアイレンズ23の射出端付近に光軸
AXに対して偏心した4個の開口が形成された空間フィ
ルター24を設ける。また、この空間フィルター24の
4個の開口のレチクル側(又は光源20側でもよい)に
それぞれ偏光板25A〜25Dを被着する。但し、図3
では偏光板25B及び25Cのみが現れている。図4
(a)は図3の空間フィルター24をレチクル側から見
た正面図、図4(b)は図4(a)のAA線に沿う断面
図であり、これら図4(a)及び(b)に示すように、
空間フィルター24には光軸AXを中心として、90°
間隔で4個の開口24a〜24dが形成され、これら開
口がそれぞれ偏光板25A〜25Dで覆われている。ま
た、それら偏光板25A〜25Dの偏光方向はそれぞれ
矢印で示すように、光軸AXを中心とした円周の接線方
向に設定されている。従って、その空間フィルター24
の開口24a〜24dから射出される照明光は、それぞ
れ光軸AXを中心とした円周の接線方向にほぼ平行な方
向に直線偏光している。
AXに対して偏心した4個の開口が形成された空間フィ
ルター24を設ける。また、この空間フィルター24の
4個の開口のレチクル側(又は光源20側でもよい)に
それぞれ偏光板25A〜25Dを被着する。但し、図3
では偏光板25B及び25Cのみが現れている。図4
(a)は図3の空間フィルター24をレチクル側から見
た正面図、図4(b)は図4(a)のAA線に沿う断面
図であり、これら図4(a)及び(b)に示すように、
空間フィルター24には光軸AXを中心として、90°
間隔で4個の開口24a〜24dが形成され、これら開
口がそれぞれ偏光板25A〜25Dで覆われている。ま
た、それら偏光板25A〜25Dの偏光方向はそれぞれ
矢印で示すように、光軸AXを中心とした円周の接線方
向に設定されている。従って、その空間フィルター24
の開口24a〜24dから射出される照明光は、それぞ
れ光軸AXを中心とした円周の接線方向にほぼ平行な方
向に直線偏光している。
【0030】図3に戻り、空間フィルター24により光
軸AXに対して偏心した4個の2次光源が形成される。
それら4個の2次光源から射出された照明光はそれぞれ
偏光板25A〜25Dを通過した後に、コンデンサーレ
ンズ系26を経てレチクル12に入射する。尚、コンデ
ンサーレンズ系26の前側焦点(光源側焦点)位置に
は、空間フィルター24(偏光板25A〜25D)が設
けられており、レチクル12のパターン形成面はコンデ
ンサーレンズ系26に関して空間フィルター24の配置
面とフーリエ変換の関係にある。この場合、例えば空間
フィルター24の開口24b及び24cから射出された
主光線27B及び27Cはコンデンサーレンズ系26を
経てそれぞれレチクル12上に光軸AXに対して斜めに
入射する。また、これら主光線27B及び27Cはそれ
ぞれレチクル12に対する入射面(紙面方向)に対して
垂直な方向に直線偏光している。
軸AXに対して偏心した4個の2次光源が形成される。
それら4個の2次光源から射出された照明光はそれぞれ
偏光板25A〜25Dを通過した後に、コンデンサーレ
ンズ系26を経てレチクル12に入射する。尚、コンデ
ンサーレンズ系26の前側焦点(光源側焦点)位置に
は、空間フィルター24(偏光板25A〜25D)が設
けられており、レチクル12のパターン形成面はコンデ
ンサーレンズ系26に関して空間フィルター24の配置
面とフーリエ変換の関係にある。この場合、例えば空間
フィルター24の開口24b及び24cから射出された
主光線27B及び27Cはコンデンサーレンズ系26を
経てそれぞれレチクル12上に光軸AXに対して斜めに
入射する。また、これら主光線27B及び27Cはそれ
ぞれレチクル12に対する入射面(紙面方向)に対して
垂直な方向に直線偏光している。
【0031】このような照明光学系を使用すると、本発
明の原理説明で説明したように、例えばレチクル12上
に図4(a)の開口24aと24cとを結ぶ直線に対し
て平行又は垂直な方向に長いエッジを有するライン・ア
ンド・スペースパターンが形成されている場合に、従来
よりも良好なコントラストのもとでそのパターンを投影
光学系13を通してウエハ14上に投影することができ
る。ここで、図3の装置では、フライアイレンズ23の
入射側面と物体面(レチクル12又はウエハ14)とが
共役に構成されており、フライアイレンズ23の射出側
面(2次光源10)と投影光学系13の瞳面10Aとが
共役に構成されている。なお、図3の構成の他に、フラ
イアイレンズ23と空間フィルター24との間に別の大
きな偏光板を配置し、空間フィルター24の4個の開口
24a〜24dの一部又は全部に1/2波長板を配置し
て、各1/2波長板の回転角を調整するようにしてもよ
い。これによっても、図4(a)に示すような、光軸A
Xを中心とする円周の接線方向に偏光した照明光が得ら
れる。この場合、別の大きな偏光板の偏光方向によつて
は、1/2波長板は空間フィルター24のすべての開口
に設ける必要はない。
明の原理説明で説明したように、例えばレチクル12上
に図4(a)の開口24aと24cとを結ぶ直線に対し
て平行又は垂直な方向に長いエッジを有するライン・ア
ンド・スペースパターンが形成されている場合に、従来
よりも良好なコントラストのもとでそのパターンを投影
光学系13を通してウエハ14上に投影することができ
る。ここで、図3の装置では、フライアイレンズ23の
入射側面と物体面(レチクル12又はウエハ14)とが
共役に構成されており、フライアイレンズ23の射出側
面(2次光源10)と投影光学系13の瞳面10Aとが
共役に構成されている。なお、図3の構成の他に、フラ
イアイレンズ23と空間フィルター24との間に別の大
きな偏光板を配置し、空間フィルター24の4個の開口
24a〜24dの一部又は全部に1/2波長板を配置し
て、各1/2波長板の回転角を調整するようにしてもよ
い。これによっても、図4(a)に示すような、光軸A
Xを中心とする円周の接線方向に偏光した照明光が得ら
れる。この場合、別の大きな偏光板の偏光方向によつて
は、1/2波長板は空間フィルター24のすべての開口
に設ける必要はない。
【0032】更に、例えば光源として直線偏光のレーザ
ービームが射出されるようなレーザー光源を使用するこ
とにより、等価光源となる図3の空間フィルター24の
全体を直線偏光の照明光で照明する場合には、空間フィ
ルター24の4個の開口24a〜24dの一部または全
部に適当な回転方向の1/2波長板を設けるだけでよ
い。この場合、一部の開口に1/2波長板を設けるだけ
でもよいが、全部の開口に1/2波長板を設けるほうが
照明のバラツキを低減する上で効果がある。このように
1/2波長板を使用して偏光方向を調整した場合には、
照明光の損失がないので照明効率が良い。
ービームが射出されるようなレーザー光源を使用するこ
とにより、等価光源となる図3の空間フィルター24の
全体を直線偏光の照明光で照明する場合には、空間フィ
ルター24の4個の開口24a〜24dの一部または全
部に適当な回転方向の1/2波長板を設けるだけでよ
い。この場合、一部の開口に1/2波長板を設けるだけ
でもよいが、全部の開口に1/2波長板を設けるほうが
照明のバラツキを低減する上で効果がある。このように
1/2波長板を使用して偏光方向を調整した場合には、
照明光の損失がないので照明効率が良い。
【0033】また、全体として円偏光の照明光を発生す
る装置を用いて、等価光源となる図3の空間フィルター
24を照明する場合には、空間フィルター24の各開口
に適当な回転方向の1/4波長板を設けることがよい。
る装置を用いて、等価光源となる図3の空間フィルター
24を照明する場合には、空間フィルター24の各開口
に適当な回転方向の1/4波長板を設けることがよい。
【0034】次に、本発明の第2実施例につき図5を参
照して説明する。図5は本例の投影露光装置を示し、こ
の図5において、光源20からの照明光は楕円鏡21、
折り曲げミラー28及びインプットレンズ29を経てほ
ぼ平行光束になる。その楕円鏡21と折り曲げミラー2
8との間にシャッター30を配置し、このシャッター3
0を駆動モーター31で閉じることにより、インプット
レンズ29に対する照明光の供給を随時停止する。光源
1としては、水銀ランプの外に、例えばKrFレーザー
光等を発生するエキシマレーザー光源等を使用すること
ができる。エキシマレーザー光源を使用する場合には、
楕円鏡21〜インプットレンズ29までの光学系の代わ
りにビームエクスパンダ等が使用される。
照して説明する。図5は本例の投影露光装置を示し、こ
の図5において、光源20からの照明光は楕円鏡21、
折り曲げミラー28及びインプットレンズ29を経てほ
ぼ平行光束になる。その楕円鏡21と折り曲げミラー2
8との間にシャッター30を配置し、このシャッター3
0を駆動モーター31で閉じることにより、インプット
レンズ29に対する照明光の供給を随時停止する。光源
1としては、水銀ランプの外に、例えばKrFレーザー
光等を発生するエキシマレーザー光源等を使用すること
ができる。エキシマレーザー光源を使用する場合には、
楕円鏡21〜インプットレンズ29までの光学系の代わ
りにビームエクスパンダ等が使用される。
【0035】そして、インプットレンズ29から順に、
4角錐型(ピラミッド型)の凹部を有する第1の多面体
プリズム32及び4角錐型(ピラミッド型)の凸部を有
する第2の多面体プリズム33を配置する。この第2の
多面体プリズム33から射出される照明光は、光軸を中
心として光軸の周囲に等角度で4個の光束に分割されて
いる。
4角錐型(ピラミッド型)の凹部を有する第1の多面体
プリズム32及び4角錐型(ピラミッド型)の凸部を有
する第2の多面体プリズム33を配置する。この第2の
多面体プリズム33から射出される照明光は、光軸を中
心として光軸の周囲に等角度で4個の光束に分割されて
いる。
【0036】これら4個に分割された光束をそれぞれ第
2群のフライアイレンズ34A,34B,34C及び3
4Dに入射させる。図5ではフライアイレンズ34A及
び34Bのみが示されているが、図5の紙面に垂直な方
向に光軸を挟んで2個のフライアイレンズ34C及び3
4Dが配置されている。そして、フライアイレンズ34
Aから射出された光束は、レンズ系35A及び36Aよ
りなるガイド光学系を介してほぼ平行光束に変換されて
第1群のフライアイレンズ37Aに入射する。同様に、
第2群のフライアイレンズ34Bを射出した光束は、レ
ンズ系35B及び36Bよりなるガイド光学系を介して
ほぼ平行光束に変換されて第1群のフライアイレンズ3
7Bに入射し、図示省略するも、第2群のフライアイレ
ンズ34C及び34Dを射出した光束は、それぞれガイ
ド光学系を介して第1群のフライアイレンズ37C及び
37Dに入射する。
2群のフライアイレンズ34A,34B,34C及び3
4Dに入射させる。図5ではフライアイレンズ34A及
び34Bのみが示されているが、図5の紙面に垂直な方
向に光軸を挟んで2個のフライアイレンズ34C及び3
4Dが配置されている。そして、フライアイレンズ34
Aから射出された光束は、レンズ系35A及び36Aよ
りなるガイド光学系を介してほぼ平行光束に変換されて
第1群のフライアイレンズ37Aに入射する。同様に、
第2群のフライアイレンズ34Bを射出した光束は、レ
ンズ系35B及び36Bよりなるガイド光学系を介して
ほぼ平行光束に変換されて第1群のフライアイレンズ3
7Bに入射し、図示省略するも、第2群のフライアイレ
ンズ34C及び34Dを射出した光束は、それぞれガイ
ド光学系を介して第1群のフライアイレンズ37C及び
37Dに入射する。
【0037】第1群のフライアイレンズ37A〜37D
は光軸の回りに90°間隔で配置されている。第1群の
フライアイレンズ37A〜37Dのレチクル側焦点面に
はそれぞれ面状の2次光源が形成されるが、それら2次
光源の形成面にそれぞれ可変開口絞り38A〜38Dを
配置する。更に、これら可変開口絞り38A〜38Dの
レチクル側にそれぞれ偏光板39A〜39Dを配置す
る。なお、図5では可変開口絞り13A,13B及び偏
光板39A,39Bのみが現れている。
は光軸の回りに90°間隔で配置されている。第1群の
フライアイレンズ37A〜37Dのレチクル側焦点面に
はそれぞれ面状の2次光源が形成されるが、それら2次
光源の形成面にそれぞれ可変開口絞り38A〜38Dを
配置する。更に、これら可変開口絞り38A〜38Dの
レチクル側にそれぞれ偏光板39A〜39Dを配置す
る。なお、図5では可変開口絞り13A,13B及び偏
光板39A,39Bのみが現れている。
【0038】それら可変開口絞り38A〜38Dから偏
光板39A〜39Dを透過して射出した照明光は、それ
ぞれ補助コンデンサーレンズ40、ミラー41及び主コ
ンデンサーレンズ42を経て適度に集光されてレチクル
12をほぼ均一な照度で照明する。そのレチクル12の
パターンが投影光学系13によりウエハステージWS上
のウエハ14に所定の縮小倍率βで転写される。それら
偏光板39A〜39Dの偏光方向は、光軸AXを中心と
する円周の接線方向に平行である。例えば可変開口絞り
38Aから偏光板39Aを透過して射出される光束の主
光線43Aは、紙面に垂直な方向に直線偏光した状態で
レチクル12上に光軸AXに対して斜めに入射する。な
お、図5に示した偏光板39A〜39Dは、実質的に、
補助コンデンサーレンズ40と主コンデンサーレンズと
の合成系のコンデンサーレンズ系の前側焦点(光源側焦
点)位置に設けられており、この位置は実質的に投影光
学系13の瞳面10Aと共役である。
光板39A〜39Dを透過して射出した照明光は、それ
ぞれ補助コンデンサーレンズ40、ミラー41及び主コ
ンデンサーレンズ42を経て適度に集光されてレチクル
12をほぼ均一な照度で照明する。そのレチクル12の
パターンが投影光学系13によりウエハステージWS上
のウエハ14に所定の縮小倍率βで転写される。それら
偏光板39A〜39Dの偏光方向は、光軸AXを中心と
する円周の接線方向に平行である。例えば可変開口絞り
38Aから偏光板39Aを透過して射出される光束の主
光線43Aは、紙面に垂直な方向に直線偏光した状態で
レチクル12上に光軸AXに対して斜めに入射する。な
お、図5に示した偏光板39A〜39Dは、実質的に、
補助コンデンサーレンズ40と主コンデンサーレンズと
の合成系のコンデンサーレンズ系の前側焦点(光源側焦
点)位置に設けられており、この位置は実質的に投影光
学系13の瞳面10Aと共役である。
【0039】本例によっても、レチクル12上の所定の
方向のライン・アンド・スペースパターンのウエハ14
上の投影像のコントラストを改善することができる。更
に、第1群のフライアイレンズ37A〜37Dの他に第
2群のフライアイレンズ34A〜34Dが設けられてい
るので、レチクル12上の照度の均一性が更に改善され
ている。なお、図5において、偏光板39A及び39B
はそれぞれ例えばリレー光学系の間の位置44A及び4
4Bに配置してもよく、更に他の位置に配置してもよ
い。また、光源20からの照明光が既に直線偏光である
ような場合には、偏光板39A及び39Bの代わりに1
/2波長板を使用してもよい。
方向のライン・アンド・スペースパターンのウエハ14
上の投影像のコントラストを改善することができる。更
に、第1群のフライアイレンズ37A〜37Dの他に第
2群のフライアイレンズ34A〜34Dが設けられてい
るので、レチクル12上の照度の均一性が更に改善され
ている。なお、図5において、偏光板39A及び39B
はそれぞれ例えばリレー光学系の間の位置44A及び4
4Bに配置してもよく、更に他の位置に配置してもよ
い。また、光源20からの照明光が既に直線偏光である
ような場合には、偏光板39A及び39Bの代わりに1
/2波長板を使用してもよい。
【0040】次に、本発明の第3実施例につき図6及び
図7を参照して説明する。本実施例は、先に説明した図
3に示す第1実施例の空間フィルター24を変えて、図
6(a)に示す如き輪帯状の開口240aを有する空間
フィルター240をフライアイレンズ23の射出側に設
けた例を示すものである。この空間フィルター240の
配置により、フライアイレンズ23の射出側には、図6
(a)に示す如く、光軸AXから偏心した輪帯状の2次
光源45が形成され、この輪帯状の2次光源45からの
光が、図3に示す如く、コンデンサーレンズ26、レチ
クル12を介して投影光学系13の瞳面10A(入射瞳
面)に達する。ここで、説明を簡単にするために、レチ
クル12のライン・アンド・スペースパターンの回折作
用による0次回折光と1次回折光との様子について考え
ると、この投影光学系13の瞳面10Aには、図6
(b)に示す如く、輪帯光源45と相似な輪帯状の0次
回折光45Aと輪帯状の0次回折光45Aを横ずれさせ
た輪帯状の1次回折光45Bが形成される。
図7を参照して説明する。本実施例は、先に説明した図
3に示す第1実施例の空間フィルター24を変えて、図
6(a)に示す如き輪帯状の開口240aを有する空間
フィルター240をフライアイレンズ23の射出側に設
けた例を示すものである。この空間フィルター240の
配置により、フライアイレンズ23の射出側には、図6
(a)に示す如く、光軸AXから偏心した輪帯状の2次
光源45が形成され、この輪帯状の2次光源45からの
光が、図3に示す如く、コンデンサーレンズ26、レチ
クル12を介して投影光学系13の瞳面10A(入射瞳
面)に達する。ここで、説明を簡単にするために、レチ
クル12のライン・アンド・スペースパターンの回折作
用による0次回折光と1次回折光との様子について考え
ると、この投影光学系13の瞳面10Aには、図6
(b)に示す如く、輪帯光源45と相似な輪帯状の0次
回折光45Aと輪帯状の0次回折光45Aを横ずれさせ
た輪帯状の1次回折光45Bが形成される。
【0041】この場合、本例では図7(a)に示すよう
に、等価光源部10の輪帯状の2次光源45から射出さ
れる照明光をそれぞれ光軸AXを中心とする円周の接線
方向に偏光させる輪帯状の偏光板250が空間フィルタ
ー240上に設けられている。これにより、微細パター
ンに対して高コントラストの像を得ることができる。な
お、図7(b)に示すように輪帯状光源を円弧状の各ゾ
ーンに分ける開口を持つ空間フィルター240を用い
て、各ゾーン上に偏光板250A〜250Hを設けて、
各ゾーンごとに光軸AXを軸とする円周の接線方向の直
線偏光の照明光となるようにしてもよい。
に、等価光源部10の輪帯状の2次光源45から射出さ
れる照明光をそれぞれ光軸AXを中心とする円周の接線
方向に偏光させる輪帯状の偏光板250が空間フィルタ
ー240上に設けられている。これにより、微細パター
ンに対して高コントラストの像を得ることができる。な
お、図7(b)に示すように輪帯状光源を円弧状の各ゾ
ーンに分ける開口を持つ空間フィルター240を用い
て、各ゾーン上に偏光板250A〜250Hを設けて、
各ゾーンごとに光軸AXを軸とする円周の接線方向の直
線偏光の照明光となるようにしてもよい。
【0042】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。
【0043】
【発明の効果】本発明の第1及び第2の照明光学装置に
よれば、物体に対して傾斜して入射する照明光が入射面
に垂直な方向に偏光しているので、その物体上のパター
ンがその照明光の入射面に垂直な方向を長手方向とする
ライン・アンド・スペースパターンであるような場合
に、投影光学系でその物体のパターンを投影したときに
その像のコントラストを大幅に改善できる利点がある。
よれば、物体に対して傾斜して入射する照明光が入射面
に垂直な方向に偏光しているので、その物体上のパター
ンがその照明光の入射面に垂直な方向を長手方向とする
ライン・アンド・スペースパターンであるような場合
に、投影光学系でその物体のパターンを投影したときに
その像のコントラストを大幅に改善できる利点がある。
【図1】(a)は本発明による照明光学装置の原理の説
明に供する等価光源を示す図、(b)は図1(a)の等
価光源を使用した投影露光装置を示す概略構成図であ
る。
明に供する等価光源を示す図、(b)は図1(a)の等
価光源を使用した投影露光装置を示す概略構成図であ
る。
【図2】本発明の原理の説明に供する図である。
【図3】本発明の第1実施例の投影露光装置の照明光学
系を示す構成図である。
系を示す構成図である。
【図4】(a)は図3の空間フィルター24及び偏光板
25A〜25Dを示す正面図、(b)は図4(a)のA
A線に沿う断面図である。
25A〜25Dを示す正面図、(b)は図4(a)のA
A線に沿う断面図である。
【図5】本発明の第2実施例の投影露光装置を示す構成
図である。
図である。
【図6】(a)は本発明の第3実施例の等価光源及び空
間フィルター240を示す図、(b)は空間フィルター
240を用いた事による投影光学系13の瞳での回折光
の様子を示す図である。
間フィルター240を示す図、(b)は空間フィルター
240を用いた事による投影光学系13の瞳での回折光
の様子を示す図である。
【図7】(a)は第3実施例の等価光源からの照明光の
偏光状態を示す図、(b)は第3実施例の変形例の等価
光源を示す図である。
偏光状態を示す図、(b)は第3実施例の変形例の等価
光源を示す図である。
【図8】(a)は複数傾斜照明の等価光源を示す図、
(b)は図8(a)の等価光源を用いた場合の投影光学
系13の瞳での回折光の様子を示す図である。
(b)は図8(a)の等価光源を用いた場合の投影光学
系13の瞳での回折光の様子を示す図である。
【図9】複数傾斜照明で特定のパターンを照明した場合
を示す図である。
を示す図である。
10 等価光源 11A〜11D 小光源 12 レチクル 13 投影光学系 14 ウエハ 20 光源 22 コリメータレンズ 23 フライアイレンズ 24 空間フィルター 24a〜24d 開口 25A〜25D 偏光板 26 コンデンサーレンズ系
Claims (2)
- 【請求項1】 照明光学系からの照明光によって物体上
の所定領域を均一に照明する照明光学装置において、 前記照明光学系は、前記所定領域を斜め方向から照明す
る傾斜光を形成する傾斜光形成手段と、該傾斜光を変換
して、前記所定領域を傾斜照明する前記傾斜光の入射面
に対し直交した方向に直線偏光する照明光を形成する偏
光手段とを有することを特徴とする照明光学装置。 - 【請求項2】 照明光を供給する光源と該照明光で物体
上の所定領域を均一に照明する集光光学系とを有する照
明光学装置において、 前記照明光によって前記集光光学系の光軸に対し偏心し
た2次光源を形成して前記所定領域を斜め方向から照明
する傾斜光形成手段を前記光源と前記集光光学系との間
に配置し、 該傾斜光を変換して、前記所定領域を傾斜照明する傾斜
光の入射面に対し直交した方向に直線偏光する照明光を
形成する偏光手段を前記傾斜光形成手段と前記集光光学
系との間に配置したことを特徴とする照明光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21978292A JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21978292A JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653120A true JPH0653120A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3246615B2 JP3246615B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=16740926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21978292A Expired - Lifetime JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3246615B2 (ja) |
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| JP2010157743A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-07-15 | Nikon Corp | 照明光学装置、投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
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| JP2012156536A (ja) * | 2012-03-28 | 2012-08-16 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
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| JP2014116612A (ja) * | 2013-12-27 | 2014-06-26 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
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| JP2015172749A (ja) * | 2015-04-03 | 2015-10-01 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
| JP2016136273A (ja) * | 2016-03-07 | 2016-07-28 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
| JP2017173839A (ja) * | 2017-05-11 | 2017-09-28 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
| JP2018010303A (ja) * | 2017-08-03 | 2018-01-18 | 株式会社ニコン | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2019082711A (ja) * | 2019-01-15 | 2019-05-30 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP2019091057A (ja) * | 2019-01-15 | 2019-06-13 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3246615B2 (ja) | 2002-01-15 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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