JPH0541530A - フオトセンサの作製法 - Google Patents
フオトセンサの作製法Info
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- JPH0541530A JPH0541530A JP3355045A JP35504591A JPH0541530A JP H0541530 A JPH0541530 A JP H0541530A JP 3355045 A JP3355045 A JP 3355045A JP 35504591 A JP35504591 A JP 35504591A JP H0541530 A JPH0541530 A JP H0541530A
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- Japan
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- layer
- photosensor
- manufacturing
- ohmic contact
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｓ／Ｎが高く且つ均一性に優れた薄膜半導体
を提供する。 【構成】 非晶質シリコンからなる半導体層上にオーミ
ックコンタクト層を介して電極が形成されている薄膜半
導体の作製法において、非晶質シリコンからなる半導体
層２２上にオーミックコンタクト層２３を形成し、その
上に所望の形状の電極２５，２６を形成し、次いでプラ
ズマエッチング法により露出部分のオーミックコンタク
ト層を除去し、しかる後に３５０℃以下の温度で熱処理
を施す。２１は基板である。
を提供する。 【構成】 非晶質シリコンからなる半導体層上にオーミ
ックコンタクト層を介して電極が形成されている薄膜半
導体の作製法において、非晶質シリコンからなる半導体
層２２上にオーミックコンタクト層２３を形成し、その
上に所望の形状の電極２５，２６を形成し、次いでプラ
ズマエッチング法により露出部分のオーミックコンタク
ト層を除去し、しかる後に３５０℃以下の温度で熱処理
を施す。２１は基板である。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は画像情報処理用光電変換装置にお
いて光信号の取出しのために用いられるフォトセンサに
関する。
いて光信号の取出しのために用いられるフォトセンサに
関する。
【０００２】
【従来技術】ファクシミリやデジタルコピー等の画像読
取部を構成する光電変換手段としてフォトセンサが用い
られることは一般に良く知られている。このフォトセン
サとしては、カルコゲナイド、ＣｄＳ、ＣｄＳ−Ｓｅ、
非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等からなる光導
電層上の受光部となる間隙を形成する様に対向して一対
の金属電極層を付与することにより作製されるプレナー
型の光導電型フォトセンサが例示できる。光導電型フォ
トセンサは容易に長尺ラインセンサアレイを形成し得る
ので、近年特にその研究が行なわれている。なかでもａ
−Ｓｉ光導電層を用いたフォトセンサは特に光応答性に
優れており、高速読取が可能なフォトセンサとして期待
されている。
取部を構成する光電変換手段としてフォトセンサが用い
られることは一般に良く知られている。このフォトセン
サとしては、カルコゲナイド、ＣｄＳ、ＣｄＳ−Ｓｅ、
非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等からなる光導
電層上の受光部となる間隙を形成する様に対向して一対
の金属電極層を付与することにより作製されるプレナー
型の光導電型フォトセンサが例示できる。光導電型フォ
トセンサは容易に長尺ラインセンサアレイを形成し得る
ので、近年特にその研究が行なわれている。なかでもａ
−Ｓｉ光導電層を用いたフォトセンサは特に光応答性に
優れており、高速読取が可能なフォトセンサとして期待
されている。
【０００３】図１は従来のプレナー型フォトセンサの作
製法の一例を示す断面概略図である。ガラス基板たとえ
ばコーニング社製 #７０５９ガラス基板１１上にＰＣＶ
Ｄ法を用いてａ−Ｓｉの光導電層（イントリンジック
層）１２を堆積し、その上に全面一様にＡｌ層１３を形
成し、次に不要部のＡｌを除去して光電変換部となるセ
ンサギャップ１４を生ぜしめ、一対の電極１５及び１６
を形成する。センサギャップ幅が２００μであるフォト
センサにおける光照射時のＶ−Ｉ特性の一例を図２に示
す。これによれば、電界強度が約５０Ｖ／ｃｍを越える
と、電極１５及び１６と光導電層１２との界面に存在す
る逆方向のダイオードが支配的となりオーミック特性を
示さなくなる（非オーミック領域）。同時に、この領域
では光点滅時のフォトセンサの応答が極めて遅くなるた
め高い性能は得られない。そこでａ−Ｓｉ光導電層１２
と電極１５及び１６との界面にオーミックコンタクト層
であるｎ+ 層を介在させ、高電界下においてもオーミッ
ク特性を示す様にすることが行なわれる。この様なｎ+
層を有するフォトセンサの光照射時のＶ−Ｉ特性の一例
を図３に示す。
製法の一例を示す断面概略図である。ガラス基板たとえ
ばコーニング社製 #７０５９ガラス基板１１上にＰＣＶ
Ｄ法を用いてａ−Ｓｉの光導電層（イントリンジック
層）１２を堆積し、その上に全面一様にＡｌ層１３を形
成し、次に不要部のＡｌを除去して光電変換部となるセ
ンサギャップ１４を生ぜしめ、一対の電極１５及び１６
を形成する。センサギャップ幅が２００μであるフォト
センサにおける光照射時のＶ−Ｉ特性の一例を図２に示
す。これによれば、電界強度が約５０Ｖ／ｃｍを越える
と、電極１５及び１６と光導電層１２との界面に存在す
る逆方向のダイオードが支配的となりオーミック特性を
示さなくなる（非オーミック領域）。同時に、この領域
では光点滅時のフォトセンサの応答が極めて遅くなるた
め高い性能は得られない。そこでａ−Ｓｉ光導電層１２
と電極１５及び１６との界面にオーミックコンタクト層
であるｎ+ 層を介在させ、高電界下においてもオーミッ
ク特性を示す様にすることが行なわれる。この様なｎ+
層を有するフォトセンサの光照射時のＶ−Ｉ特性の一例
を図３に示す。
【０００４】ところで、ａ−Ｓｉは結晶シリコンに比べ
て耐熱性が低いため、ｎ+ 層形成のためのドーピングの
手段としてイオンプランテーションや熱拡散を用いるこ
とはできない。従って、ＰＣＶＤの原料ガスにＰＨ3、
ＡｓＨ3 等のドーピングガスを混入してＰＣＶＤ法によ
りオーミックコンタクト層であるｎ+ 層を形成するのが
一般的である。かくしてｎ+ 層は全面一様に堆積される
ので、続いてセンサギャップに相当する部分のｎ+ 層を
除去する必要があり、長尺ラインセンサアレイを作製す
る場合には隣接ビット間のｎ+ 層をも併せて除去する必
要がある。ｎ+層の除去手段としてはフッ酸・硝酸・酢
酸の混合液でエッチングする方法（ウェットエッチング
法）及びハロゲン化カーボンを主成分とするガスのプラ
ズマ放電でエッチングする方法（プラズマエッチング
法）がある。しかしながら、従来知られているこれらエ
ッチング法には以下に示す欠点がある。
て耐熱性が低いため、ｎ+ 層形成のためのドーピングの
手段としてイオンプランテーションや熱拡散を用いるこ
とはできない。従って、ＰＣＶＤの原料ガスにＰＨ3、
ＡｓＨ3 等のドーピングガスを混入してＰＣＶＤ法によ
りオーミックコンタクト層であるｎ+ 層を形成するのが
一般的である。かくしてｎ+ 層は全面一様に堆積される
ので、続いてセンサギャップに相当する部分のｎ+ 層を
除去する必要があり、長尺ラインセンサアレイを作製す
る場合には隣接ビット間のｎ+ 層をも併せて除去する必
要がある。ｎ+層の除去手段としてはフッ酸・硝酸・酢
酸の混合液でエッチングする方法（ウェットエッチング
法）及びハロゲン化カーボンを主成分とするガスのプラ
ズマ放電でエッチングする方法（プラズマエッチング
法）がある。しかしながら、従来知られているこれらエ
ッチング法には以下に示す欠点がある。
【０００５】（Ａ）ウェットエッチング法の欠点（１）
エッチングされた表面はダングリングボンドが増加し、
ノイズ成分である暗電流が増大する；（２）エッチング
レート１００Å／ｓｅｃのエッチング液を用いてさえ、
表面にエッチピットが発生する；（３）上記エッチング
液ではｎ+ 層及び光導電層の選択性が大き過ぎ、ｎ+ 層
と光導電層の界面に存在するｎ- 層が除去できず、暗電
流の増加や特性のばらつきの増大をまねく；（４）エッ
チング液にフッ酸を含むため、ガラス基板表面が荒れ
る。従って、ガラス基板側から光を入射する形態のフォ
トセンサでは光電変換部に到達する光量が減少する。
エッチングされた表面はダングリングボンドが増加し、
ノイズ成分である暗電流が増大する；（２）エッチング
レート１００Å／ｓｅｃのエッチング液を用いてさえ、
表面にエッチピットが発生する；（３）上記エッチング
液ではｎ+ 層及び光導電層の選択性が大き過ぎ、ｎ+ 層
と光導電層の界面に存在するｎ- 層が除去できず、暗電
流の増加や特性のばらつきの増大をまねく；（４）エッ
チング液にフッ酸を含むため、ガラス基板表面が荒れ
る。従って、ガラス基板側から光を入射する形態のフォ
トセンサでは光電変換部に到達する光量が減少する。
【０００６】（Ｂ）プラズマエッチング法の欠点（１）
エッチングされた表面はダングリングボンドが増加し、
ノイズ成分である暗電流が増大する；（２）カソード材
料たとえばＳＵＳのインプランテーションが発生する。
エッチングされた表面はダングリングボンドが増加し、
ノイズ成分である暗電流が増大する；（２）カソード材
料たとえばＳＵＳのインプランテーションが発生する。
【０００７】従って、ウェットエッチング法及びプラズ
マエッチング法のいづれを用いてもＳ／Ｎが悪く且つ性
能のばらつきの大きなフォトセンサしか作製できなかっ
た。
マエッチング法のいづれを用いてもＳ／Ｎが悪く且つ性
能のばらつきの大きなフォトセンサしか作製できなかっ
た。
【０００８】
【本発明の目的】本発明は、以上の如き従来技術に鑑
み、Ｓ／Ｎが高く且つ均一性に優れたフォトセンサを提
供することを目的とする。
み、Ｓ／Ｎが高く且つ均一性に優れたフォトセンサを提
供することを目的とする。
【０００９】以上の如き目的は、フォトセンサ作製時に
プラズマエッチング法で不要部分のオーミックコンタク
ト層を除去した後に熱処理を施すことにより達成され
る。
プラズマエッチング法で不要部分のオーミックコンタク
ト層を除去した後に熱処理を施すことにより達成され
る。
【００１０】
【本発明の実施例】以下、実施例をあげて本発明を具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１１】図４は本発明によるフォトセンサ作製法の
好適な実施例を説明するための断面概略図であり、図５
は本発明作製法により得られた長尺ラインセンサアレイ
の部分平面概略図である。
好適な実施例を説明するための断面概略図であり、図５
は本発明作製法により得られた長尺ラインセンサアレイ
の部分平面概略図である。
【００１２】先ず、ガラス基板（コーニング社製 #７０
５９）２１の上にグロー放電法によってａ−Ｓｉ層から
なる光導電層（イントリンシック層）２２を設けた。即
ち、Ｈ2 で１０容量％に希釈されたＳｉＨ4 をガス圧
０．５０Ｔｏｒｒ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ）パワー１０Ｗ、基板温度２５０℃で２時間堆積さ
せることによって０．７μ厚の光導電層２２を得た。同
様にグロー放電法によりｎ+ 層２３を設けた。即ち、Ｈ
2 で１０容量％に希釈されたＳｉＨ4 とＨ2 で１００ｐ
ｐｍに希釈されたＰＨ3 とを混合比１：１０で混合した
ガスを原料として用い、その他は光導電層２２の堆積条
件と同様にして光導電層２２に連続して０．１μ厚のｎ
+ 層２３を設けた。次に、電子ビーム蒸着法でＡｌを
０．３μ厚に堆積させて導電層２４を形成した。続い
て、光電変換部となる部分の導電層２４を除去した。即
ち、ポジ型のマイクロポジット１３００−２７（商品
名：Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）フォトレジストを用いて所望
の形状にフォトレジストパターンを形成した後、リン酸
（８５容量％水溶液）、硝酸（６０容量％水溶液）、氷
酢酸及び水を１６：１：２：１の容積比で混合したエッ
チング液を用いて露出部の導電層２４を除去し、共通電
極２５及び個別電極２６を形成した。次に、光電変換部
となる部分のｎ+ 層２３を除去した。即ち、上記マイク
ロポジット１３００−２７フォトレジストを剥離した
後、平行平板型プラズマエッチング装置（日電アネルバ
社製ＤＥＭ−４５１）を用いてプラズマエッチング法
（別名リアクティブイオンエッチング法）でＲＦパワー
１２０Ｗ、ガス圧０．１ＴｏｒｒでＣＦ4 ガスによるド
ライエッチングを５分間行ない、露出部のｎ+ 層２３及
び光導電層２２の表面層の一部を除去した。尚、本実施
例では、エッチング装置のカソード材料のインプランテ
ーションを防止するために、カソード上にポリシリコン
のスパッタ用ターゲット（８インチφ、純度９９．９９
９％）を置き、その上に試料をのせ、カソード材料のＳ
ＵＳが露出する部分はドーナツ状に切抜いたテフロンシ
ートでカバーし、ＳＵＳ面が殆どプラズマにさらされな
い状態でエッチングを行なった。その後、窒素を３リッ
トル／ｍｉｎ流したオーブン内で２００℃、６０分の熱
処理を行なった。
５９）２１の上にグロー放電法によってａ−Ｓｉ層から
なる光導電層（イントリンシック層）２２を設けた。即
ち、Ｈ2 で１０容量％に希釈されたＳｉＨ4 をガス圧
０．５０Ｔｏｒｒ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ）パワー１０Ｗ、基板温度２５０℃で２時間堆積さ
せることによって０．７μ厚の光導電層２２を得た。同
様にグロー放電法によりｎ+ 層２３を設けた。即ち、Ｈ
2 で１０容量％に希釈されたＳｉＨ4 とＨ2 で１００ｐ
ｐｍに希釈されたＰＨ3 とを混合比１：１０で混合した
ガスを原料として用い、その他は光導電層２２の堆積条
件と同様にして光導電層２２に連続して０．１μ厚のｎ
+ 層２３を設けた。次に、電子ビーム蒸着法でＡｌを
０．３μ厚に堆積させて導電層２４を形成した。続い
て、光電変換部となる部分の導電層２４を除去した。即
ち、ポジ型のマイクロポジット１３００−２７（商品
名：Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）フォトレジストを用いて所望
の形状にフォトレジストパターンを形成した後、リン酸
（８５容量％水溶液）、硝酸（６０容量％水溶液）、氷
酢酸及び水を１６：１：２：１の容積比で混合したエッ
チング液を用いて露出部の導電層２４を除去し、共通電
極２５及び個別電極２６を形成した。次に、光電変換部
となる部分のｎ+ 層２３を除去した。即ち、上記マイク
ロポジット１３００−２７フォトレジストを剥離した
後、平行平板型プラズマエッチング装置（日電アネルバ
社製ＤＥＭ−４５１）を用いてプラズマエッチング法
（別名リアクティブイオンエッチング法）でＲＦパワー
１２０Ｗ、ガス圧０．１ＴｏｒｒでＣＦ4 ガスによるド
ライエッチングを５分間行ない、露出部のｎ+ 層２３及
び光導電層２２の表面層の一部を除去した。尚、本実施
例では、エッチング装置のカソード材料のインプランテ
ーションを防止するために、カソード上にポリシリコン
のスパッタ用ターゲット（８インチφ、純度９９．９９
９％）を置き、その上に試料をのせ、カソード材料のＳ
ＵＳが露出する部分はドーナツ状に切抜いたテフロンシ
ートでカバーし、ＳＵＳ面が殆どプラズマにさらされな
い状態でエッチングを行なった。その後、窒素を３リッ
トル／ｍｉｎ流したオーブン内で２００℃、６０分の熱
処理を行なった。
【００１３】かくして作製された図５に示される如き長
尺フォトセンサアレイの３２個の各フォトセンサに均一
照度となる様に光を入射させた時の光電流の均一性のデ
ータを図６に示す。このデータは図５における共通電極
２５と個別電極２６との間のギャップ幅１０μ、共通電
極２５と個別電極２６との間の印加電圧１０Ｖ、光電変
換部における照度１００lxの及び１０lxの場合の光電流
を示すものである。また、上記フォトセンサアレイの光
応答時間（τ）のデータを表１に示す：
尺フォトセンサアレイの３２個の各フォトセンサに均一
照度となる様に光を入射させた時の光電流の均一性のデ
ータを図６に示す。このデータは図５における共通電極
２５と個別電極２６との間のギャップ幅１０μ、共通電
極２５と個別電極２６との間の印加電圧１０Ｖ、光電変
換部における照度１００lxの及び１０lxの場合の光電流
を示すものである。また、上記フォトセンサアレイの光
応答時間（τ）のデータを表１に示す：
【００１４】
【表１】 尚、ここでτon及びτoff はそれぞれ照度が１０lxか
ら１００lxへ及び１００lxから１０lxへとパルス的に増
加及び減少した際に光電流が１００lxの飽和値−１０％
及び−９０％に達するまでの時間を示す。一般に読取速
度にかかわる光応答速度はτon及びτoff のうちいづれ
か一方の遅い方が支配する。
ら１００lxへ及び１００lxから１０lxへとパルス的に増
加及び減少した際に光電流が１００lxの飽和値−１０％
及び−９０％に達するまでの時間を示す。一般に読取速
度にかかわる光応答速度はτon及びτoff のうちいづれ
か一方の遅い方が支配する。
【００１５】比較のために、上記実施例の作製工程中の
熱処理を行なわないことを除いて全く同様にして作製さ
れたフォトセンサアレイについても同様にして光電流の
均一性を測定した。そのデータを図７に示す。また、同
様にして光応答時間（τ）を測定した。そのデータを表
２に示す：
熱処理を行なわないことを除いて全く同様にして作製さ
れたフォトセンサアレイについても同様にして光電流の
均一性を測定した。そのデータを図７に示す。また、同
様にして光応答時間（τ）を測定した。そのデータを表
２に示す：
【００１６】
【表２】 以上から、プラズマエッチング後に熱処理を行なうこ
とにより次の利点が得られることが判る。 （１）均一性が著しく向上する； （２）光量増加に伴なう光電流の増加率であるγ値：γ
＝ log（Ｉphoto-2 ／Ｉphoto-1 ）／ log（Ｆ2 ／Ｆ
1 ）が向上し１を越える値を示す； （３）光応答時間τon及びτoff のバランスがとれ、特
にτoff が著しく短縮される。
とにより次の利点が得られることが判る。 （１）均一性が著しく向上する； （２）光量増加に伴なう光電流の増加率であるγ値：γ
＝ log（Ｉphoto-2 ／Ｉphoto-1 ）／ log（Ｆ2 ／Ｆ
1 ）が向上し１を越える値を示す； （３）光応答時間τon及びτoff のバランスがとれ、特
にτoff が著しく短縮される。
【００１７】この結果、高Ｓ／Ｎで且つ均一性に優れ光
束読取が可能なフォトセンサアレイを得ることができ
た。
束読取が可能なフォトセンサアレイを得ることができ
た。
【００１８】次に、フォトセンサ性能の熱処理の温度、
時間依存性を調べた。その結果を図８及び図９に示す。
図８はγ値のデータであり、図９は照度１００lx下にお
ける光電流の値のデータである。高温、長時間になる程
γ値は増大するが同時に光電流が減少する。特に、１５
０〜２００℃の雰囲気で３０分以上、２００〜２５０℃
で２０分以上、２５０〜３００℃で１０〜６０分、３０
０〜３５０℃で５〜３０分行なうのが好ましい。
時間依存性を調べた。その結果を図８及び図９に示す。
図８はγ値のデータであり、図９は照度１００lx下にお
ける光電流の値のデータである。高温、長時間になる程
γ値は増大するが同時に光電流が減少する。特に、１５
０〜２００℃の雰囲気で３０分以上、２００〜２５０℃
で２０分以上、２５０〜３００℃で１０〜６０分、３０
０〜３５０℃で５〜３０分行なうのが好ましい。
【００１９】本発明作製法におけるプラズマエッチング
工程において用いられるガスとしては、ＣＦ4 に限ら
ず、ハロゲン化炭化水素を主成分とするガス、たとえば
ＣＨＦ3 、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＣＦ3 Ｂｒ、ＣＦ4 ＋Ｃｌ
2 、ＣＦ4 ＋Ｏ2 、ＣＦ4 ＋Ｈ2を用いることができ、
この場合にも同様な結果が得られた。
工程において用いられるガスとしては、ＣＦ4 に限ら
ず、ハロゲン化炭化水素を主成分とするガス、たとえば
ＣＨＦ3 、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＣＦ3 Ｂｒ、ＣＦ4 ＋Ｃｌ
2 、ＣＦ4 ＋Ｏ2 、ＣＦ4 ＋Ｈ2を用いることができ、
この場合にも同様な結果が得られた。
【００２０】また、本発明作製法における熱処理の雰囲
気はＮ2 に限らずＨ2 、Ａｒ、乾燥空気及び真空でもよ
い。
気はＮ2 に限らずＨ2 、Ａｒ、乾燥空気及び真空でもよ
い。
【００２１】本発明作製法における熱処理によるフォト
センサの特性向上の原因としては、膜の応力の緩和、及
びプラズマエッチング時にａ−Ｓｉ光導電層の表面に残
留したＦ等のハロゲン原子によるダングリングボンドの
ターミネート等が考えられる。
センサの特性向上の原因としては、膜の応力の緩和、及
びプラズマエッチング時にａ−Ｓｉ光導電層の表面に残
留したＦ等のハロゲン原子によるダングリングボンドの
ターミネート等が考えられる。
【００２２】尚、ウェットエッチング法でｎ+ 層を除去
して作製されたフォトセンサにおいても熱処理によって
若干の特性向上が認められるが、そもそも暗電流が著し
く大きいために実用的なものは得られないことが判っ
た。
して作製されたフォトセンサにおいても熱処理によって
若干の特性向上が認められるが、そもそも暗電流が著し
く大きいために実用的なものは得られないことが判っ
た。
【００２３】
【本発明の効果】以上の如き本発明のフォトセンサの作
製法によれば高Ｓ／Ｎで均一性に優れた高速読取の可能
なフォトセンサが提供される。
製法によれば高Ｓ／Ｎで均一性に優れた高速読取の可能
なフォトセンサが提供される。
【図１】従来のフォトセンサの作製法を示す断面図
【図２】フォトセンサにおけるＶ−Ｉ特性のグラフ
【図３】フォトセンサにおけるＶ−Ｉ特性のグラフ
【図４】本発明フォトセンサ作製法を示す断面図
【図５】本発明作製法により得られたフォトセンサアレ
イの部分平面図
イの部分平面図
【図６】フォトセンサの均一性を示すグラフ
【図７】フォトセンサの均一性を示すグラフ
【図８】本発明作製法における熱処理の温度、時間依存
のフォトセンサ性能特性を示すグラフ
のフォトセンサ性能特性を示すグラフ
【図９】本発明作製法における熱処理の温度、時間依存
のフォトセンサ性能特性を示すグラフ
のフォトセンサ性能特性を示すグラフ
２１ 基板 ２２ 光導電層 ２３ ｎ+ 層 ２４ 導電層 ２５ 共通電極 ２６ 個別電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 薄膜半導体の作製法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明は非晶質シリコンからなる半導体層
上にオーミックコンタクト層を介して電極が形成されて
いる薄膜半導体の作製法に関する。本発明は、例えば画
像処理用光電変換装置において光信号の取出しのために
用いられるフォトセンサの作製に適用することができ
る。
上にオーミックコンタクト層を介して電極が形成されて
いる薄膜半導体の作製法に関する。本発明は、例えば画
像処理用光電変換装置において光信号の取出しのために
用いられるフォトセンサの作製に適用することができ
る。
【０００２】
【従来技術】ファクシミリやデジタルコピー等の画像読
取部を構成する光電変換手段としてフォトセンサが用い
られることは一般に良く知られている。このフォトセン
サとしては、カルコゲナイド、ＣｄＳ、ＣｄＳ−Ｓｅ、
非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等からなる光導
電層上の受光部となる間隙を形成する様に対向して一対
の金属電極層を付与することにより作製されるプレナー
型の光導電型フォトセンサが例示できる。光導電型フォ
トセンサは容易に長尺ラインセンサアレイを形成し得る
ので、近年特にその研究が行なわれている。なかでもａ
−Ｓｉ光導電層を用いたフォトセンサは特に光応答性に
優れており、高速読取が可能なフォトセンサとして期待
されている。
取部を構成する光電変換手段としてフォトセンサが用い
られることは一般に良く知られている。このフォトセン
サとしては、カルコゲナイド、ＣｄＳ、ＣｄＳ−Ｓｅ、
非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉと記す）等からなる光導
電層上の受光部となる間隙を形成する様に対向して一対
の金属電極層を付与することにより作製されるプレナー
型の光導電型フォトセンサが例示できる。光導電型フォ
トセンサは容易に長尺ラインセンサアレイを形成し得る
ので、近年特にその研究が行なわれている。なかでもａ
−Ｓｉ光導電層を用いたフォトセンサは特に光応答性に
優れており、高速読取が可能なフォトセンサとして期待
されている。
【０００３】図１は従来のプレナー型フォトセンサの作
製法の一例を示す断面概略図である。ガラス基板たとえ
ばコーニング社製 #７０５９ガラス基板１１上にＰＣＶ
Ｄ法を用いてａ−Ｓｉの光導電層（イントリンジック
層）１２を堆積し、その上に全面一様にＡｌ層１３を形
成し、次に不要部のＡｌを除去して光電変換部となるセ
ンサギャップ１４を生ぜしめ、一対の電極１５及び１６
を形成する。センサギャップ幅が２００μであるフォト
センサにおける光照射時のＶ−Ｉ特性の一例を図２に示
す。これによれば、電界強度が約５０Ｖ／ｃｍを越える
と、電極１５及び１６と光導電層１２との界面に存在す
る逆方向のダイオードが支配的となりオーミック特性を
示さなくなる（非オーミック領域）。同時に、この領域
では光点滅時のフォトセンサの応答が極めて遅くなるた
め高い性能は得られない。そこでａ−Ｓｉ光導電層１２
と電極１５及び１６との界面にオーミックコンタクト層
であるｎ+ 層を介在させ、高電界下においてもオーミッ
ク特性を示す様にすることが行なわれる。この様なｎ+
層を有するフォトセンサの光照射時のＶ−Ｉ特性の一例
を図３に示す。
製法の一例を示す断面概略図である。ガラス基板たとえ
ばコーニング社製 #７０５９ガラス基板１１上にＰＣＶ
Ｄ法を用いてａ−Ｓｉの光導電層（イントリンジック
層）１２を堆積し、その上に全面一様にＡｌ層１３を形
成し、次に不要部のＡｌを除去して光電変換部となるセ
ンサギャップ１４を生ぜしめ、一対の電極１５及び１６
を形成する。センサギャップ幅が２００μであるフォト
センサにおける光照射時のＶ−Ｉ特性の一例を図２に示
す。これによれば、電界強度が約５０Ｖ／ｃｍを越える
と、電極１５及び１６と光導電層１２との界面に存在す
る逆方向のダイオードが支配的となりオーミック特性を
示さなくなる（非オーミック領域）。同時に、この領域
では光点滅時のフォトセンサの応答が極めて遅くなるた
め高い性能は得られない。そこでａ−Ｓｉ光導電層１２
と電極１５及び１６との界面にオーミックコンタクト層
であるｎ+ 層を介在させ、高電界下においてもオーミッ
ク特性を示す様にすることが行なわれる。この様なｎ+
層を有するフォトセンサの光照射時のＶ−Ｉ特性の一例
を図３に示す。
【０００４】ところで、ａ−Ｓｉは結晶シリコンに比べ
て耐熱性が低いため、ｎ+ 層形成のためのドーピングの
手段としてイオンプランテーションや熱拡散を用いるこ
とはできない。従って、ＰＣＶＤの原料ガスにＰＨ3、
ＡｓＨ3 等のドーピングガスを混入してＰＣＶＤ法によ
りオーミックコンタクト層であるｎ+ 層を形成するのが
一般的である。かくしてｎ+ 層は全面一様に堆積される
ので、続いてセンサギャップに相当する部分のｎ+ 層を
除去する必要があり、長尺ラインセンサアレイを作製す
る場合には隣接ビット間のｎ+ 層をも併せて除去する必
要がある。ｎ+層の除去手段としてはフッ酸・硝酸・酢
酸の混合液でエッチングする方法（ウェットエッチング
法）及びハロゲン化カーボンを主成分とするガスのプラ
ズマ放電でエッチングする方法（プラズマエッチング
法）がある。しかしながら、従来知られているこれらエ
ッチング法には以下に示す欠点がある。
て耐熱性が低いため、ｎ+ 層形成のためのドーピングの
手段としてイオンプランテーションや熱拡散を用いるこ
とはできない。従って、ＰＣＶＤの原料ガスにＰＨ3、
ＡｓＨ3 等のドーピングガスを混入してＰＣＶＤ法によ
りオーミックコンタクト層であるｎ+ 層を形成するのが
一般的である。かくしてｎ+ 層は全面一様に堆積される
ので、続いてセンサギャップに相当する部分のｎ+ 層を
除去する必要があり、長尺ラインセンサアレイを作製す
る場合には隣接ビット間のｎ+ 層をも併せて除去する必
要がある。ｎ+層の除去手段としてはフッ酸・硝酸・酢
酸の混合液でエッチングする方法（ウェットエッチング
法）及びハロゲン化カーボンを主成分とするガスのプラ
ズマ放電でエッチングする方法（プラズマエッチング
法）がある。しかしながら、従来知られているこれらエ
ッチング法には以下に示す欠点がある。
【０００５】（Ａ）ウェットエッチング法の欠点（１）
エッチングされた表面はダングリングボンドが増加し、
ノイズ成分である暗電流が増大する；（２）エッチング
レート１００Å／ｓｅｃのエッチング液を用いてさえ、
表面にエッチピットが発生する；（３）上記エッチング
液ではｎ+ 層及び光導電層の選択性が大き過ぎ、ｎ+ 層
と光導電層の界面に存在するｎ- 層が除去できず、暗電
流の増加や特性のばらつきの増大をまねく；（４）エッ
チング液にフッ酸を含むため、ガラス基板表面が荒れ
る。従って、ガラス基板側から光を入射する形態のフォ
トセンサでは光電変換部に到達する光量が減少する。
エッチングされた表面はダングリングボンドが増加し、
ノイズ成分である暗電流が増大する；（２）エッチング
レート１００Å／ｓｅｃのエッチング液を用いてさえ、
表面にエッチピットが発生する；（３）上記エッチング
液ではｎ+ 層及び光導電層の選択性が大き過ぎ、ｎ+ 層
と光導電層の界面に存在するｎ- 層が除去できず、暗電
流の増加や特性のばらつきの増大をまねく；（４）エッ
チング液にフッ酸を含むため、ガラス基板表面が荒れ
る。従って、ガラス基板側から光を入射する形態のフォ
トセンサでは光電変換部に到達する光量が減少する。
【０００６】（Ｂ）プラズマエッチング法の欠点（１）
エッチングされた表面はダングリングボンドが増加し、
ノイズ成分である暗電流が増大する；（２）カソード材
料たとえばＳＵＳのインプランテーションが発生する。
エッチングされた表面はダングリングボンドが増加し、
ノイズ成分である暗電流が増大する；（２）カソード材
料たとえばＳＵＳのインプランテーションが発生する。
【０００７】従って、ウェットエッチング法及びプラズ
マエッチング法のいづれを用いてもＳ／Ｎが悪く且つ性
能のばらつきの大きなフォトセンサしか作製できなかっ
た。
マエッチング法のいづれを用いてもＳ／Ｎが悪く且つ性
能のばらつきの大きなフォトセンサしか作製できなかっ
た。
【０００８】以上の様な事情は、非晶質シリコンからな
る半導体層上にオーミックコンタクト層を介して電極が
形成されている薄膜半導体であればフォトセンサ以外に
ついても同様である。
る半導体層上にオーミックコンタクト層を介して電極が
形成されている薄膜半導体であればフォトセンサ以外に
ついても同様である。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、
Ｓ／Ｎが高く且つ均一性に優れた、非晶質シリコンから
なる半導体層上にオーミックコンタクト層を介して電極
が形成されている薄膜半導体を提供することを目的とす
る。
Ｓ／Ｎが高く且つ均一性に優れた、非晶質シリコンから
なる半導体層上にオーミックコンタクト層を介して電極
が形成されている薄膜半導体を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【発明の概要】本発明によれば、以上の如き目的を達成
するものとして、非晶質シリコンからなる半導体層上に
オーミックコンタクト層を形成し、その上に所望の形状
の電極を形成し、次いでプラズマエッチング法により露
出部分のオーミックコンタクト層を除去し、しかる後に
３５０℃以下の温度で熱処理を施すことを特徴とする、
薄膜半導体の作製法、が提供される。
するものとして、非晶質シリコンからなる半導体層上に
オーミックコンタクト層を形成し、その上に所望の形状
の電極を形成し、次いでプラズマエッチング法により露
出部分のオーミックコンタクト層を除去し、しかる後に
３５０℃以下の温度で熱処理を施すことを特徴とする、
薄膜半導体の作製法、が提供される。
【００１１】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明
する。
する。
【００１２】図４は本発明による薄膜半導体の作製法の
一例であるフォトセンサ作製の好適な実施例を説明する
ための断面概略図であり、図５は本発明作製法により得
られた長尺ラインセンサアレイの部分平面概略図であ
る。
一例であるフォトセンサ作製の好適な実施例を説明する
ための断面概略図であり、図５は本発明作製法により得
られた長尺ラインセンサアレイの部分平面概略図であ
る。
【００１３】先ず、ガラス基板（コーニング社製 #７０
５９）２１の上にグロー放電法によってａ−Ｓｉ層から
なる光導電層（イントリンシック層）２２を設けた。即
ち、Ｈ2 で１０容量％に希釈されたＳｉＨ4 をガス圧
０．５０Ｔｏｒｒ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ）パワー１０Ｗ、基板温度２５０℃で２時間堆積さ
せることによって０．７μ厚の光導電層２２を得た。同
様にグロー放電法によりｎ+ 層２３を設けた。即ち、Ｈ
2 で１０容量％に希釈されたＳｉＨ4 とＨ2 で１００ｐ
ｐｍに希釈されたＰＨ3 とを混合比１：１０で混合した
ガスを原料として用い、その他は光導電層２２の堆積条
件と同様にして光導電層２２に連続して０．１μ厚のｎ
+ 層２３を設けた。次に、電子ビーム蒸着法でＡｌを
０．３μ厚に堆積させて導電層２４を形成した。続い
て、光電変換部となる部分の導電層２４を除去した。即
ち、ポジ型のマイクロポジット１３００−２７（商品
名：Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）フォトレジストを用いて所望
の形状にフォトレジストパターンを形成した後、リン酸
（８５容量％水溶液）、硝酸（６０容量％水溶液）、氷
酢酸及び水を１６：１：２：１の容積比で混合したエッ
チング液を用いて露出部の導電層２４を除去し、共通電
極２５及び個別電極２６を形成した。次に、光電変換部
となる部分のｎ+ 層２３を除去した。即ち、上記マイク
ロポジット１３００−２７フォトレジストを剥離した
後、平行平板型プラズマエッチング装置（日電アネルバ
社製ＤＥＭ−４５１）を用いてプラズマエッチング法
（別名リアクティブイオンエッチング法）でＲＦパワー
１２０Ｗ、ガス圧０．１ＴｏｒｒでＣＦ4 ガスによるド
ライエッチングを５分間行ない、露出部のｎ+ 層２３及
び光導電層２２の表面層の一部を除去した。尚、本実施
例では、エッチング装置のカソード材料のインプランテ
ーションを防止するために、カソード上にポリシリコン
のスパッタ用ターゲット（８インチφ、純度９９．９９
９％）を置き、その上に試料をのせ、カソード材料のＳ
ＵＳが露出する部分はドーナツ状に切抜いたテフロンシ
ートでカバーし、ＳＵＳ面が殆どプラズマにさらされな
い状態でエッチングを行なった。その後、窒素を３リッ
トル／ｍｉｎ流したオーブン内で２００℃、６０分の熱
処理を行なった。
５９）２１の上にグロー放電法によってａ−Ｓｉ層から
なる光導電層（イントリンシック層）２２を設けた。即
ち、Ｈ2 で１０容量％に希釈されたＳｉＨ4 をガス圧
０．５０Ｔｏｒｒ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎ
ｃｙ）パワー１０Ｗ、基板温度２５０℃で２時間堆積さ
せることによって０．７μ厚の光導電層２２を得た。同
様にグロー放電法によりｎ+ 層２３を設けた。即ち、Ｈ
2 で１０容量％に希釈されたＳｉＨ4 とＨ2 で１００ｐ
ｐｍに希釈されたＰＨ3 とを混合比１：１０で混合した
ガスを原料として用い、その他は光導電層２２の堆積条
件と同様にして光導電層２２に連続して０．１μ厚のｎ
+ 層２３を設けた。次に、電子ビーム蒸着法でＡｌを
０．３μ厚に堆積させて導電層２４を形成した。続い
て、光電変換部となる部分の導電層２４を除去した。即
ち、ポジ型のマイクロポジット１３００−２７（商品
名：Ｓｈｉｐｌｅｙ社製）フォトレジストを用いて所望
の形状にフォトレジストパターンを形成した後、リン酸
（８５容量％水溶液）、硝酸（６０容量％水溶液）、氷
酢酸及び水を１６：１：２：１の容積比で混合したエッ
チング液を用いて露出部の導電層２４を除去し、共通電
極２５及び個別電極２６を形成した。次に、光電変換部
となる部分のｎ+ 層２３を除去した。即ち、上記マイク
ロポジット１３００−２７フォトレジストを剥離した
後、平行平板型プラズマエッチング装置（日電アネルバ
社製ＤＥＭ−４５１）を用いてプラズマエッチング法
（別名リアクティブイオンエッチング法）でＲＦパワー
１２０Ｗ、ガス圧０．１ＴｏｒｒでＣＦ4 ガスによるド
ライエッチングを５分間行ない、露出部のｎ+ 層２３及
び光導電層２２の表面層の一部を除去した。尚、本実施
例では、エッチング装置のカソード材料のインプランテ
ーションを防止するために、カソード上にポリシリコン
のスパッタ用ターゲット（８インチφ、純度９９．９９
９％）を置き、その上に試料をのせ、カソード材料のＳ
ＵＳが露出する部分はドーナツ状に切抜いたテフロンシ
ートでカバーし、ＳＵＳ面が殆どプラズマにさらされな
い状態でエッチングを行なった。その後、窒素を３リッ
トル／ｍｉｎ流したオーブン内で２００℃、６０分の熱
処理を行なった。
【００１４】かくして作製された図５に示される如き長
尺フォトセンサアレイの３２個の各フォトセンサに均一
照度となる様に光を入射させた時の光電流の均一性のデ
ータを図６に示す。このデータは図５における共通電極
２５と個別電極２６との間のギャップ幅１０μ、共通電
極２５と個別電極２６との間の印加電圧１０Ｖ、光電変
換部における照度１００lxの及び１０lxの場合の光電流
を示すものである。また、上記フォトセンサアレイの光
応答時間（τ）のデータを表１に示す：
尺フォトセンサアレイの３２個の各フォトセンサに均一
照度となる様に光を入射させた時の光電流の均一性のデ
ータを図６に示す。このデータは図５における共通電極
２５と個別電極２６との間のギャップ幅１０μ、共通電
極２５と個別電極２６との間の印加電圧１０Ｖ、光電変
換部における照度１００lxの及び１０lxの場合の光電流
を示すものである。また、上記フォトセンサアレイの光
応答時間（τ）のデータを表１に示す：
【００１５】
【表１】 尚、ここでτon及びτoff はそれぞれ照度が１０lxから
１００lxへ及び１００lxから１０lxへとパルス的に増加
及び減少した際に光電流が１００lxの飽和値−１０％及
び−９０％に達するまでの時間を示す。一般に読取速度
にかかわる光応答速度はτon及びτoff のうちいづれか
一方の遅い方が支配する。
１００lxへ及び１００lxから１０lxへとパルス的に増加
及び減少した際に光電流が１００lxの飽和値−１０％及
び−９０％に達するまでの時間を示す。一般に読取速度
にかかわる光応答速度はτon及びτoff のうちいづれか
一方の遅い方が支配する。
【００１６】比較のために、上記実施例の作製工程中の
熱処理を行なわないことを除いて全く同様にして作製さ
れたフォトセンサアレイについても同様にして光電流の
均一性を測定した。そのデータを図７に示す。また、同
様にして光応答時間（τ）を測定した。そのデータを表
２に示す：
熱処理を行なわないことを除いて全く同様にして作製さ
れたフォトセンサアレイについても同様にして光電流の
均一性を測定した。そのデータを図７に示す。また、同
様にして光応答時間（τ）を測定した。そのデータを表
２に示す：
【００１７】
【表２】 以上から、プラズマエッチング後に熱処理を行なうこ
とにより次の利点が得られることが判る。 （１）均一性が著しく向上する； （２）光量増加に伴なう光電流の増加率であるγ値：γ
＝ log（Ｉphoto-2 ／Ｉphoto-1 ）／ log（Ｆ2 ／Ｆ
1 ）が向上し１を越える値を示す； （３）光応答時間τon及びτoff のバランスがとれ、特
にτoff が著しく短縮される。
とにより次の利点が得られることが判る。 （１）均一性が著しく向上する； （２）光量増加に伴なう光電流の増加率であるγ値：γ
＝ log（Ｉphoto-2 ／Ｉphoto-1 ）／ log（Ｆ2 ／Ｆ
1 ）が向上し１を越える値を示す； （３）光応答時間τon及びτoff のバランスがとれ、特
にτoff が著しく短縮される。
【００１８】この結果、高Ｓ／Ｎで且つ均一性に優れ光
束読取が可能なフォトセンサアレイを得ることができ
た。
束読取が可能なフォトセンサアレイを得ることができ
た。
【００１９】次に、フォトセンサ性能の熱処理の温度、
時間依存性を調べた。その結果を図８及び図９に示す。
図８はγ値のデータであり、図９は照度１００lx下にお
ける光電流の値のデータである。高温、長時間になる程
γ値は増大するが同時に光電流が減少する。特に、１５
０〜２００℃の雰囲気で３０分以上、２００〜２５０℃
で２０分以上、２５０〜３００℃で１０〜６０分、３０
０〜３５０℃で５〜３０分行なうのが好ましい。
時間依存性を調べた。その結果を図８及び図９に示す。
図８はγ値のデータであり、図９は照度１００lx下にお
ける光電流の値のデータである。高温、長時間になる程
γ値は増大するが同時に光電流が減少する。特に、１５
０〜２００℃の雰囲気で３０分以上、２００〜２５０℃
で２０分以上、２５０〜３００℃で１０〜６０分、３０
０〜３５０℃で５〜３０分行なうのが好ましい。
【００２０】本発明作製法におけるプラズマエッチング
工程において用いられるガスとしては、ＣＦ4 に限ら
ず、ハロゲン化炭化水素を主成分とするガス、たとえば
ＣＨＦ3 、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＣＦ3 Ｂｒ、ＣＦ4 ＋Ｃｌ
2 、ＣＦ4 ＋Ｏ2 、ＣＦ4 ＋Ｈ2を用いることができ、
この場合にも同様な結果が得られた。
工程において用いられるガスとしては、ＣＦ4 に限ら
ず、ハロゲン化炭化水素を主成分とするガス、たとえば
ＣＨＦ3 、ＣＣｌ2 Ｆ2 、ＣＦ3 Ｂｒ、ＣＦ4 ＋Ｃｌ
2 、ＣＦ4 ＋Ｏ2 、ＣＦ4 ＋Ｈ2を用いることができ、
この場合にも同様な結果が得られた。
【００２１】また、本発明作製法における熱処理の雰囲
気はＮ2 に限らずＨ2 、Ａｒ、乾燥空気及び真空でもよ
い。
気はＮ2 に限らずＨ2 、Ａｒ、乾燥空気及び真空でもよ
い。
【００２２】本発明作製法における熱処理による薄膜半
導体の特性向上の原因としては、膜の応力の緩和、及び
プラズマエッチング時にａ−Ｓｉ層の表面に残留したＦ
等のハロゲン原子によるダングリングボンドのターミネ
ート等が考えられる。
導体の特性向上の原因としては、膜の応力の緩和、及び
プラズマエッチング時にａ−Ｓｉ層の表面に残留したＦ
等のハロゲン原子によるダングリングボンドのターミネ
ート等が考えられる。
【００２３】尚、ウェットエッチング法でｎ+ 層を除去
して作製されたフォトセンサにおいても熱処理によって
若干の特性向上が認められるが、そもそも暗電流が著し
く大きいために実用的なものは得られないことが判っ
た。
して作製されたフォトセンサにおいても熱処理によって
若干の特性向上が認められるが、そもそも暗電流が著し
く大きいために実用的なものは得られないことが判っ
た。
【００２４】
【発明の効果】以上の如き本発明の作製法によれば高Ｓ
／Ｎで均一性に優れた高速動作の可能な薄膜半導体が提
供される。
／Ｎで均一性に優れた高速動作の可能な薄膜半導体が提
供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のフォトセンサの作製法を示す断面図
【図２】フォトセンサにおけるＶ−Ｉ特性のグラフ
【図３】フォトセンサにおけるＶ−Ｉ特性のグラフ
【図４】本発明によるフォトセンサの作製を示す断面図
【図５】本発明作製法により得られたフォトセンサアレ
イの部分平面図
イの部分平面図
【図６】フォトセンサの均一性を示すグラフ
【図７】フォトセンサの均一性を示すグラフ
【図８】本発明作製法における熱処理の温度、時間依存
のフォトセンサ性能特性を示すグラフ
のフォトセンサ性能特性を示すグラフ
【図９】本発明作製法における熱処理の温度、時間依存
のフォトセンサ性能特性を示すグラフ
のフォトセンサ性能特性を示すグラフ
【符号の説明】 ２１ 基板 ２２ 光導電層 ２３ ｎ+ 層 ２４ 導電層 ２５ 共通電極 ２６ 個別電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柿本 誠治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 光導電層上にオーミックコンタクト層を
介して電極が形成されているフォトセンサの作製法にお
いて、光導電層上にオーミックコンタクト層を形成し、
その上に所望の形状の電極を形成し、次いでプラズマエ
ッチング法により露出部分のオーミックコンタクト層を
除去し、しかる後に熱処理を施すことを特徴とする、フ
ォトセンサの作製法。 - 【請求項２】 光導電層及びオーミックコンタクト層が
非晶質シリコンを母体とするものである、請求項１の作
製法。 - 【請求項３】 プラズマエッチングがハロゲン化カーボ
ンを主体としたガスを用いて行なわれる、請求項１の作
製法。 - 【請求項４】 熱処理が３５０℃以下の温度で行なわれ
る、請求項１の作製法。 - 【請求項５】 熱処理が、１５０〜２００℃の雰囲気で
３０分以上、２００〜２５０℃で２０分以上、２５０〜
３００℃で１０〜６０分、または３００〜３５０℃で５
〜３０分行なわれる、請求項４の作製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3355045A JPH0541530A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | フオトセンサの作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3355045A JPH0541530A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | フオトセンサの作製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59021930A Division JPH0763097B2 (ja) | 1984-02-10 | 1984-02-10 | フオトセンサの作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541530A true JPH0541530A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=18441614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3355045A Pending JPH0541530A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | フオトセンサの作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541530A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6642826B1 (en) | 2000-08-09 | 2003-11-04 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Magnetic field generator and assembling method thereof |
| JP2022101468A (ja) * | 2020-12-24 | 2022-07-06 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線デバイス及び赤外線デバイスの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167478A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Canon Inc | フオトセンサの作製法 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP3355045A patent/JPH0541530A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167478A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Canon Inc | フオトセンサの作製法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6642826B1 (en) | 2000-08-09 | 2003-11-04 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Magnetic field generator and assembling method thereof |
| US6781495B2 (en) | 2000-08-09 | 2004-08-24 | Neomax Co., Ltd. | Magnetic field generator and assembling method thereof |
| JP2022101468A (ja) * | 2020-12-24 | 2022-07-06 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線デバイス及び赤外線デバイスの製造方法 |
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