JPH0542142B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0542142B2 JPH0542142B2 JP62055565A JP5556587A JPH0542142B2 JP H0542142 B2 JPH0542142 B2 JP H0542142B2 JP 62055565 A JP62055565 A JP 62055565A JP 5556587 A JP5556587 A JP 5556587A JP H0542142 B2 JPH0542142 B2 JP H0542142B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode film
- power generation
- photoactive layer
- extension
- semiconductor photoactive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は複数の発電領域を直列接続した光起電
力装置の製造方法に関する。
力装置の製造方法に関する。
(ロ) 従来の技術
基板の絶縁表面に複数の発電領域を設け。これ
ら領域を電気的に直列接続した光起電力装置は特
公昭58−21827号公報に示された如く、基板上に
１つの半導体光活性層と該光活性層を挟む複数の
第１及び第２電極膜とから成る複数の発電領域を
有し、隣接する発電領域の第１及び第２電極膜は
半導体光活性層の外で互いに電気的に接続された
構造である。
ら領域を電気的に直列接続した光起電力装置は特
公昭58−21827号公報に示された如く、基板上に
１つの半導体光活性層と該光活性層を挟む複数の
第１及び第２電極膜とから成る複数の発電領域を
有し、隣接する発電領域の第１及び第２電極膜は
半導体光活性層の外で互いに電気的に接続された
構造である。
斯る光起電力装置では、半導体光活性層はマス
キング手法を用いて所望のパターンに形成され、
製造工程の簡略化を図つている。
キング手法を用いて所望のパターンに形成され、
製造工程の簡略化を図つている。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
然し乍ら、斯るマスキング手法にあつては、こ
れに用いるマスクを基板に対して半導体光活性層
の被着箇所を露出するように正確に位置決めしな
ければならない。
れに用いるマスクを基板に対して半導体光活性層
の被着箇所を露出するように正確に位置決めしな
ければならない。
また、マスクが正確に位置決めされたとして
も、マスクと基板との間に僅かながらも〓間が形
成されるために、斯る〓間に半導体光活性層を形
成する半導体材料が泌み出し、半導体光活性層は
実際のパターンよりも大きく形成されてしまう。
このため、半導体光活性層から外へ延びて接続さ
れる第１及び第２電極膜部分は、上記半導体材料
泌み出しを考慮して半導体光活性層の周縁部分か
ら大面積で延びて設けなければならない。
も、マスクと基板との間に僅かながらも〓間が形
成されるために、斯る〓間に半導体光活性層を形
成する半導体材料が泌み出し、半導体光活性層は
実際のパターンよりも大きく形成されてしまう。
このため、半導体光活性層から外へ延びて接続さ
れる第１及び第２電極膜部分は、上記半導体材料
泌み出しを考慮して半導体光活性層の周縁部分か
ら大面積で延びて設けなければならない。
ところが、半導体光活性層から外へ延びて互い
に接続される第１及び第２電極膜部分は、発電に
全く寄与しない部分であるため、可能な限り小面
積であるのが好ましいが、上述のような半導体材
料泌み出しは、斯る小面積化を妨げる。
に接続される第１及び第２電極膜部分は、発電に
全く寄与しない部分であるため、可能な限り小面
積であるのが好ましいが、上述のような半導体材
料泌み出しは、斯る小面積化を妨げる。
なお、半導体光活性層のパターニングに、フオ
トリソグラフイ手法を用いれば、パターニング精
度が向上し、上記泌み出し部分の発生はなくなる
ものの、工程の煩雑化及び製造コストの上昇化の
原因となる。
トリソグラフイ手法を用いれば、パターニング精
度が向上し、上記泌み出し部分の発生はなくなる
ものの、工程の煩雑化及び製造コストの上昇化の
原因となる。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明の製造方法は、上記問題点を解決ずべ
く、基板の絶縁表面に複数の発電領域毎に、該発
電領の各々から上記基板の同一周縁に向かつて延
在する第１の延長部を有する第１の電極膜を分割
配置する工程と、この第１電極膜を含んで上記基
板の絶縁表面の略全面に半導体光活性層を形成す
る工程と、隣接する発電領域の上記第１の延長部
の上まで延在する第２の延長部を有する第２の電
極膜を上記半導体光活性層上の発電領域毎に分割
配置する工程と、一端の第１延長部と重なる島状
の出力取出電極膜を上記半導体光活性層上に配置
する工程と上記第２延長部及び出力取出電極膜に
この配列方向に沿つてエネルギービームを照射し
て重なり合つた上記第１延長部と第２延長部とを
溶着することにより隣接した発電領域を電気的に
直列接続すると共に、一端の出力取出電極膜及び
他端の第２延長部よりなる出力取出部を形成する
工程とを備えることを特徴とする。
く、基板の絶縁表面に複数の発電領域毎に、該発
電領の各々から上記基板の同一周縁に向かつて延
在する第１の延長部を有する第１の電極膜を分割
配置する工程と、この第１電極膜を含んで上記基
板の絶縁表面の略全面に半導体光活性層を形成す
る工程と、隣接する発電領域の上記第１の延長部
の上まで延在する第２の延長部を有する第２の電
極膜を上記半導体光活性層上の発電領域毎に分割
配置する工程と、一端の第１延長部と重なる島状
の出力取出電極膜を上記半導体光活性層上に配置
する工程と上記第２延長部及び出力取出電極膜に
この配列方向に沿つてエネルギービームを照射し
て重なり合つた上記第１延長部と第２延長部とを
溶着することにより隣接した発電領域を電気的に
直列接続すると共に、一端の出力取出電極膜及び
他端の第２延長部よりなる出力取出部を形成する
工程とを備えることを特徴とする。
(ホ) 作用
本発明では、第１電極膜、基板の略全面の半導
体光活性層及び第２電極膜をこの順に設けた後、
上記第２電極膜の第２延長部に、この延長部にエ
ネルギービームを照射することによつて、第１電
極膜の延長部と第２電極膜の延長部とが溶着され
る。
体光活性層及び第２電極膜をこの順に設けた後、
上記第２電極膜の第２延長部に、この延長部にエ
ネルギービームを照射することによつて、第１電
極膜の延長部と第２電極膜の延長部とが溶着され
る。
(ヘ) 実施例
第１図乃至第４図は本発明の製造方法を工程別
に示す平面図である。
に示す平面図である。
第１図の工程では、ガラス、耐熱プラスチツク
等から成る透光性の絶縁基板１の一表面の長手方
向に整列区画された複数の発電領域２ａ〜２ｃ
に、第１電極膜３ａ〜３ｃが分割配置される。こ
の第１電極膜３ａ〜３ｃは、酸化錫（SnO2）や
酸化インジウム錫（ITO）等の透光性導電酸化物
（TCO）の単層あるいは積層構造から成る。更
に、第１電極膜３ａ〜３ｃは基板１の一方の周縁
に向かつて延出した第１延長部３ae〜３ceを有
し、そして、第１電極膜３ａ，３ｃに形成された
第１延長部３be，３ceは、左隣りの第１電極膜
３ａ，３ｂ方向に約0.3mmの幅で向かう逆Ｌ字状
に形成されている。
等から成る透光性の絶縁基板１の一表面の長手方
向に整列区画された複数の発電領域２ａ〜２ｃ
に、第１電極膜３ａ〜３ｃが分割配置される。こ
の第１電極膜３ａ〜３ｃは、酸化錫（SnO2）や
酸化インジウム錫（ITO）等の透光性導電酸化物
（TCO）の単層あるいは積層構造から成る。更
に、第１電極膜３ａ〜３ｃは基板１の一方の周縁
に向かつて延出した第１延長部３ae〜３ceを有
し、そして、第１電極膜３ａ，３ｃに形成された
第１延長部３be，３ceは、左隣りの第１電極膜
３ａ，３ｂ方向に約0.3mmの幅で向かう逆Ｌ字状
に形成されている。
第２図の工程では、第１電極膜３ａ〜３ｃ及び
第１延長部３ac〜３ceを含んで基板１の一表面
の略全面に、SiH4，SiF4等のシリコン化合物ガ
スを原料ガスとするプラズマCVD法や光CVD法
によりアモルフアスシリコン（ａ−Si）、アモル
フアスシリコンカーバイド（ａ−SiC）、アモル
フアスシリコンゲルマニウム（ａ−SiGe）等を
pn，pinに積層した半導体光活性層４が形成され
る。
第１延長部３ac〜３ceを含んで基板１の一表面
の略全面に、SiH4，SiF4等のシリコン化合物ガ
スを原料ガスとするプラズマCVD法や光CVD法
によりアモルフアスシリコン（ａ−Si）、アモル
フアスシリコンカーバイド（ａ−SiC）、アモル
フアスシリコンゲルマニウム（ａ−SiGe）等を
pn，pinに積層した半導体光活性層４が形成され
る。
第３図の工程では、半導体光活性層４上の複数
の発電領域２ａ〜２ｃに、第１電極膜３ａ〜３ｃ
と重なるように第２電極膜５ａ〜５ｃが分割配置
される。この第２電極膜５ａ〜５ｃは、アルミニ
ウム（Ａ）、チタン銀合金（TiAｇ）、銀（Ａ
ｇ）等の金属から成る単層または積層構造から成
る。更に、第２電極膜５ａ〜５ｃは第１電極膜３
ａ〜３ｃと同じく基板一の一方の周縁に向かつて
延出した第２延長部５ae〜５ceを有し、そして、
第２電極膜５ａ，５ｂに形成された第２延長部５
ac，５beは、夫々右隣りの第１電極膜３ｂ，３
ｃの第１延長部３be，３ceと略重なり合うよう
にＬ字状に形成されている。なお、斯る工程時左
端の第１電極膜３ａの第１延長部３aeと重なる
ように、取出電極膜６も、配置される。
の発電領域２ａ〜２ｃに、第１電極膜３ａ〜３ｃ
と重なるように第２電極膜５ａ〜５ｃが分割配置
される。この第２電極膜５ａ〜５ｃは、アルミニ
ウム（Ａ）、チタン銀合金（TiAｇ）、銀（Ａ
ｇ）等の金属から成る単層または積層構造から成
る。更に、第２電極膜５ａ〜５ｃは第１電極膜３
ａ〜３ｃと同じく基板一の一方の周縁に向かつて
延出した第２延長部５ae〜５ceを有し、そして、
第２電極膜５ａ，５ｂに形成された第２延長部５
ac，５beは、夫々右隣りの第１電極膜３ｂ，３
ｃの第１延長部３be，３ceと略重なり合うよう
にＬ字状に形成されている。なお、斯る工程時左
端の第１電極膜３ａの第１延長部３aeと重なる
ように、取出電極膜６も、配置される。
第４図の工程では、第２延長部５ae〜５ceの
上からこれらの配列方向に、レーザビームや電子
ビーム等のエネルギービームを照射することによ
つて第１電極膜３ａ，３ｂ，３ｃの第１延長部３
ae，３be，３ceの夫々と取出電極膜６及び第２
電極膜５ａ，５ｂの第２延長部５ae，５beの
夫々とが溶着される。斯る溶着部７はまず、ビー
ム照射により第２延長部に孔が穿たれ、この孔を
通してこの部分の半導体光活性層が蒸発除去され
た後、上記孔の周囲の第２延長部が溶融してこの
孔を通つて第１延長部まで達することによつて行
なわれる。使用されるエネルギービーム源として
は、Ｑスイツチ付の出力1WのYAGレーザが適当
であり、スポツト径0.05mm、スポツト間隔0.03mm
で直線上に照射される。なお、本実施例にあつて
は、第２延長部５ae，５be及び取出電極膜６上
に３本の溶着部７を設けることによつて、第１延
長部３be，３ceと第２延長部５ae，５beとの接
続箇所を増して接続抵抗の低下を図つている。
上からこれらの配列方向に、レーザビームや電子
ビーム等のエネルギービームを照射することによ
つて第１電極膜３ａ，３ｂ，３ｃの第１延長部３
ae，３be，３ceの夫々と取出電極膜６及び第２
電極膜５ａ，５ｂの第２延長部５ae，５beの
夫々とが溶着される。斯る溶着部７はまず、ビー
ム照射により第２延長部に孔が穿たれ、この孔を
通してこの部分の半導体光活性層が蒸発除去され
た後、上記孔の周囲の第２延長部が溶融してこの
孔を通つて第１延長部まで達することによつて行
なわれる。使用されるエネルギービーム源として
は、Ｑスイツチ付の出力1WのYAGレーザが適当
であり、スポツト径0.05mm、スポツト間隔0.03mm
で直線上に照射される。なお、本実施例にあつて
は、第２延長部５ae，５be及び取出電極膜６上
に３本の溶着部７を設けることによつて、第１延
長部３be，３ceと第２延長部５ae，５beとの接
続箇所を増して接続抵抗の低下を図つている。
こうして、３つの発電領域２ａ〜２ｃは電気的
に直列接続され、これら発電領域２ａ〜２ｃの直
列出力は、左端の第１電極膜３ａの第１延長部３
aeに接続されている取出電極膜６と右端の第２
電極膜５ｃの第２延長部５ceとの間から取出され
る。
に直列接続され、これら発電領域２ａ〜２ｃの直
列出力は、左端の第１電極膜３ａの第１延長部３
aeに接続されている取出電極膜６と右端の第２
電極膜５ｃの第２延長部５ceとの間から取出され
る。
なお、本実施例では、基板１を透光性として受
光面側としているため、第１電極膜３ａ〜３ｃを
透光性としているが、第２電極膜５ａ〜５ｃを受
光面側とし、これらを透光性としてもよい。
光面側としているため、第１電極膜３ａ〜３ｃを
透光性としているが、第２電極膜５ａ〜５ｃを受
光面側とし、これらを透光性としてもよい。
(ト) 発明の効果
本発明によれば、基板上に第１電極膜、半導体
光活性層及び第２電極膜をこの順序で積層形成し
た後、第２電極膜の第２延長部にエネルギービー
ムを照射することによつて第１電極膜の第１延長
部と第２電極膜の第２延長部とを電気的に直列に
接続するようにしたので、半導体光活性層のパタ
ーニングが全く不要となり、第１電極膜及び第２
電極膜の各延長部を小面積とすることができる。
従つて、発電に寄与しない無効面積を小さくする
ことができる。
光活性層及び第２電極膜をこの順序で積層形成し
た後、第２電極膜の第２延長部にエネルギービー
ムを照射することによつて第１電極膜の第１延長
部と第２電極膜の第２延長部とを電気的に直列に
接続するようにしたので、半導体光活性層のパタ
ーニングが全く不要となり、第１電極膜及び第２
電極膜の各延長部を小面積とすることができる。
従つて、発電に寄与しない無効面積を小さくする
ことができる。
加えて、直列接続するために重なり合つた第１
延長部と第２延長部とを溶着する工程と同工程
で、出力を取り出すために一端の第１電極膜の延
長部分と取出電極膜の溶着を行うことができ、製
造工程を非常に簡略化できる。
延長部と第２延長部とを溶着する工程と同工程
で、出力を取り出すために一端の第１電極膜の延
長部分と取出電極膜の溶着を行うことができ、製
造工程を非常に簡略化できる。
第１図乃至第４図は本発明製造方法を工程別に
示す平面図であつて、１は基板、２ａ〜２ｃは発
電領域、３ａ〜３ｃは第１電極膜、３ac〜３ce
は斯る第１電極膜の第１延長部、４は半導体光活
性層、５ａ〜５ｃは第２電極膜、５ae〜５ceは
斯る第２電極膜の第２延長部である。
示す平面図であつて、１は基板、２ａ〜２ｃは発
電領域、３ａ〜３ｃは第１電極膜、３ac〜３ce
は斯る第１電極膜の第１延長部、４は半導体光活
性層、５ａ〜５ｃは第２電極膜、５ae〜５ceは
斯る第２電極膜の第２延長部である。
Claims (1)
- １ 基板の絶縁表面に複数の発電領域毎に、該発
電領域の各々から上記基板の同一周縁に向かつて
延在する第１延長部を有する第１電極膜を分割配
置する工程と、この第１電極膜を含んで上記基板
の絶縁表面の略全面に半導体光活性層を形成する
工程と、隣接する発電領域の上記第１延長部の上
まで延在する第２延長部を有する第２電極膜を上
記半導体光活性層上の発電領域毎に分割配置する
工程と、一端の第１延長部と重なる島状の出力取
出電極膜を上記半導体光活性層上に配置する工程
と、上記第２延長部及び出力取出電極膜にこの配
列方向に沿つてエネルギービームを照射して重な
り合つた上記第１延長部と第２延長部とを溶着す
ることにより隣接した発電領域を電気的に直列接
続すると共に、一端の出力取出電極膜及び他端の
第２延長部よりなる出力取出部を形成する工程と
を備えることを特徴とする光起電力装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055565A JPS63222467A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62055565A JPS63222467A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222467A JPS63222467A (ja) | 1988-09-16 |
| JPH0542142B2 true JPH0542142B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=13002228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62055565A Granted JPS63222467A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63222467A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2877328B2 (ja) * | 1988-11-18 | 1999-03-31 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5976480A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| JPS61280680A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62219579A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62055565A patent/JPS63222467A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63222467A (ja) | 1988-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |