JPS5976480A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
- Publication number
- JPS5976480A JPS5976480A JP57187765A JP18776582A JPS5976480A JP S5976480 A JPS5976480 A JP S5976480A JP 57187765 A JP57187765 A JP 57187765A JP 18776582 A JP18776582 A JP 18776582A JP S5976480 A JPS5976480 A JP S5976480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- solar battery
- clear
- layer
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明絶縁基板上に被着された透明導電膜を一方
の電極とし、その上に設けたアモルファスシリコン層の
反基板側の金属膜を他方の電極とする太陽電池セルを接
続してなるアモルファスシリコン太陽電池に関する。
の電極とし、その上に設けたアモルファスシリコン層の
反基板側の金属膜を他方の電極とする太陽電池セルを接
続してなるアモルファスシリコン太陽電池に関する。
このような太陽電池におけるセルは、例えば第１図のよ
うな構造を有しガラス基板１の上にＩＴＯ（インジウム
すずの酸化物）などからなる透明電極２、アモルファス
シリコン（以下ａ−８ｉと記す）層３、Ａノ、Ｔｉある
いはＮｉ などの蒸着などで形成される上側金属電極４
が積層されている０ａ−８！層は例えば８ｉＨ４ガスの
グロー放電分解により形成され、適時適応した不純物ガ
スを８ｉＨ４に混入することＫよりｐｉｎ構造を有する
。セルの接続は第２図に示すように下側透明電極２と点
線で示す上側金属１！極４を外側の部位５でつなぐ方法
で行なわれる。この場合上側電極４のパターンの形成は
、−面に蒸着した金属膜にホトエツチング、プラズマエ
ツチングなどマスクを用いた選択エツチングを施すこと
により行われる。しかしＡＩなどをエツチングする時水
素を発生し、この水素が第２図でＡで示すように露出し
た下地の透明導電膜を構成する酸化物を還元させること
により、あるいはエツチング液自体の作用により透明電
導膜の抵抗値の増大、透過度の低下などの劣化を起こし
、接続抵抗が高くなり、１．圧降下が生じやすいという
欠点がある。
うな構造を有しガラス基板１の上にＩＴＯ（インジウム
すずの酸化物）などからなる透明電極２、アモルファス
シリコン（以下ａ−８ｉと記す）層３、Ａノ、Ｔｉある
いはＮｉ などの蒸着などで形成される上側金属電極４
が積層されている０ａ−８！層は例えば８ｉＨ４ガスの
グロー放電分解により形成され、適時適応した不純物ガ
スを８ｉＨ４に混入することＫよりｐｉｎ構造を有する
。セルの接続は第２図に示すように下側透明電極２と点
線で示す上側金属１！極４を外側の部位５でつなぐ方法
で行なわれる。この場合上側電極４のパターンの形成は
、−面に蒸着した金属膜にホトエツチング、プラズマエ
ツチングなどマスクを用いた選択エツチングを施すこと
により行われる。しかしＡＩなどをエツチングする時水
素を発生し、この水素が第２図でＡで示すように露出し
た下地の透明導電膜を構成する酸化物を還元させること
により、あるいはエツチング液自体の作用により透明電
導膜の抵抗値の増大、透過度の低下などの劣化を起こし
、接続抵抗が高くなり、１．圧降下が生じやすいという
欠点がある。
本発明はこの欠点を除去して、上側金属電極パターン形
成のだめのエツチングの影響による下側透明［枠膜の劣
化が起きないようなａ−８ｉ太陽電池を提供することを
目的とする。
成のだめのエツチングの影響による下側透明［枠膜の劣
化が起きないようなａ−８ｉ太陽電池を提供することを
目的とする。
この目的は下（ＩＱ透す１電極の隣接セルとの梓続のた
めの延長部が隣接セルの上側金属電極と接触する部分を
除いてａ−８ｉ層により覆われることによって達成され
る。
めの延長部が隣接セルの上側金属電極と接触する部分を
除いてａ−８ｉ層により覆われることによって達成され
る。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
３図においてａ−８ｉ層３は透明電極２と金Ｉｆｆ＞
電極４のつなぎ部５まで広げられている。この結ＳＱＬ
電極パターン作成のだめにエツチングされる部分ては
蒸着金夙膜と透明導電膜が直接型なることがなくなり、
透明導電膜に対するエツチングの悪影響を阻止すること
ができる。
３図においてａ−８ｉ層３は透明電極２と金Ｉｆｆ＞
電極４のつなぎ部５まで広げられている。この結ＳＱＬ
電極パターン作成のだめにエツチングされる部分ては
蒸着金夙膜と透明導電膜が直接型なることがなくなり、
透明導電膜に対するエツチングの悪影響を阻止すること
ができる。
以上述べたように本発明は太陽電池セルを接続してなる
太陽電池において、酸に弱いＩＴＯなどの透明導電膜の
露出部分をａ−８ｉ層で偉う構造とすることによりＡｌ
、Ｔｉ、Ｎｉなどの上側電極のエツチング時に劣化する
ことを防止したもので、特性良好な安定した太陽電池を
製造する際に極めて有
太陽電池において、酸に弱いＩＴＯなどの透明導電膜の
露出部分をａ−８ｉ層で偉う構造とすることによりＡｌ
、Ｔｉ、Ｎｉなどの上側電極のエツチング時に劣化する
ことを防止したもので、特性良好な安定した太陽電池を
製造する際に極めて有
第１図は従来の太陽電池の断面図、第２図はその平面図
、第３図は本発明実施例の平面図である。 ■・・・透明絶縁基板、２・・・透明導電膜、３ ・ａ
−８ｉ層、４・・金属膜、５・・・つなぎ部。 才１ｖ 才２闇 才３圀
、第３図は本発明実施例の平面図である。 ■・・・透明絶縁基板、２・・・透明導電膜、３ ・ａ
−８ｉ層、４・・金属膜、５・・・つなぎ部。 才１ｖ 才２闇 才３圀
Claims (1)
- ｌ）透明導電基板上の被着された透明導電膜を一方の電
極とし、その上に設けたアモルファスシリコン層の反基
板側の金属膜を他方の電極とする太陽電池セルの透明電
極を隣接する同様のセルの金属電極と接続してなるもの
において、透明電極の隣接セルとの接続のだめの延長部
が脚接セルの金
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187765A JPS5976480A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57187765A JPS5976480A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976480A true JPS5976480A (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=16211811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57187765A Pending JPS5976480A (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976480A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122370U (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-08 | 富士電機株式会社 | 光起電力素子 |
| JPS6276786A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS63222467A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| CN107394007A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 渤海大学 | 一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107277A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Small-size electronic device |
-
1982
- 1982-10-26 JP JP57187765A patent/JPS5976480A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55107277A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Small-size electronic device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122370U (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-08 | 富士電機株式会社 | 光起電力素子 |
| JPS6276786A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS63222467A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| CN107394007A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 渤海大学 | 一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法 |
| CN107394007B (zh) * | 2017-07-31 | 2019-06-14 | 渤海大学 | 一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法 |
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