JPH0542741B2 - - Google Patents

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JPH0542741B2
JPH0542741B2 JP59100926A JP10092684A JPH0542741B2 JP H0542741 B2 JPH0542741 B2 JP H0542741B2 JP 59100926 A JP59100926 A JP 59100926A JP 10092684 A JP10092684 A JP 10092684A JP H0542741 B2 JPH0542741 B2 JP H0542741B2
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JP
Japan
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light
signal
magneto
optical memory
linearly polarized
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JP59100926A
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English (en)
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JPS60243845A (ja
Inventor
Yukinori Okazaki
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP59100926A priority Critical patent/JPS60243845A/ja
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Publication of JPH0542741B2 publication Critical patent/JPH0542741B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光磁気効果を用いて情報を読み出す
光磁気メモリの再生装置に関する。
従来例の構成とその問題点 近年、レーザ光を用いて情報を高密度に記録
し、再生する光メモリ装置が開発されている。特
にその中でも、膜面に垂直方向に磁化の容易軸を
有するMnBi,アモルフアスのTbDyFe,
TbCdFe等の磁性薄膜をメモリ媒体に用いた光磁
気メモリは、情報の消去がたやすく行なえる高密
度記録担体として注目を集めている。光磁気メモ
リへの情報の記録方法を第1図を用いて説明す
る。磁性薄膜1は情報を記録する以前には第1図
イに示すように磁化2が膜面に垂直方向で、媒体
全体にわたつて一方向を向くように磁化されてい
る。この膜1上に第1図ロに示すようにレーザー
光3を照射して、膜の一部を加熱し局部的にキユ
リー点付近まで温度を上昇させると共に、この部
分を含む領域に外部磁界4を付加して、記録前の
磁化方向と反対の方向の磁界をかけると、レーザ
ー光3が照射された部分の磁化の方向が反射し、
情報が記録される。従つて情報は磁性薄膜1上
に、磁化の方向の違いとして蓄積される。一方、
蓄積された情報の読み出しも、やはりレーザー光
を磁性薄膜上に照射し、磁化の方向の違いを光学
的に検出して行なわれる。このレーザー光を用い
た検出方法は、カー効果、或いはフアラデー効果
を利用したもので、磁性体に照射した光の偏光方
向が、磁化の方向によつて変化する現象を用いて
いる。磁性薄膜に蓄積された情報によつて偏光方
向が変化を受けて磁性薄膜より戻つてくる再生光
には、膜からの反射光と透過光が考えられるが、
反射光、透過光共同じ方向の磁化に対しては、偏
光方向の変化は同じ向きに起こる。情報の検出方
法を透過光を例にとり、第2図を用いて説明す
る。第2図イに示すように情報が記録された磁性
薄膜5に、矢印6の方向に偏光したレーザー光7
を照射すると、透過光8は照射前の偏光方向6に
対して、+θk度回転して矢印9の方向の偏光とな
る。一方、第2図ロに示すように磁性薄膜上で、
磁化の方向が逆の方向を向いた部分に、同じく矢
印6の方向に偏光したレーザー光7を照射する
と、透過光10は偏光方向6に対して、−θk度回
転した矢印11の方向の偏光となる。従つて検光
子を用いて、これら偏光方向の異なつた2つの光
を区別すると、偏光方向の違いが検光子を通つた
光の強度の違いとなり、光電変換を行なう事によ
り、情報が再生されるわけである。
上に述べた再生方法を用いた光磁気メモリより
の情報の再生の従来例を第3図を用いて説明す
る。レーザー光源12よりの光はコリメート・レ
ンズ13によつて平行光束となり、グラン・トム
ソン・プリズム等の偏光子14によつて直線偏光
にされ、ハーフミラー15を通り、集光レンズ1
6によつて光磁気メモリ媒体17上に集光され
る。光磁気メモリ媒体17によつて偏光方向が回
転した反射光は、再びハーフミラー15を通り、
更にハーフミラー18で2分割され、各々検光子
19A,19Bを通つて光検出器20A,20B
に受光される。検光子19A,19Bはやはりグ
ラン・トムソン・プリズム等で構成され、各々偏
波面が磁気メモリ媒体17への入射光の偏光方向
に対し各々45゜をなし、かつ互いに直交する位置
に設定されている。光検出器20A,20Bの出
力は、差動増幅器21によつて差動出力が求めら
れ、磁化の方向変化による偏光方向の回転成分の
みが検出される構成になつている。
しかし一般に、偏光方向の回転角θkは1゜以下の
値の為、従来例の構成では光電変換過程を経て得
られる信号の振幅が非常に小さく、再生信号の
S/N比が充分でないという欠点を有している。
発明の目的 本発明は上記の欠点に鑑みてなされたもので、
光磁気メモリ媒体に記録された情報をより高品質
に、S/N比良く再生する事を目的としている。
発明の構成 本発明は、レーザービームを光磁気メモリ上に
照射し、その反射光、或いは透過光を受光して、
光磁気メモリ上に磁化の変化として記録された情
報を光学的に再生するに際し、前記ビームとし
て、再生される情報信号が有する最高周波数の少
なくとも2倍以上の周波数差を持つ2つの直線偏
光ビームを用い、前記磁性薄膜上に前記直線偏光
ビームの1つを入射させて得られる磁性薄膜から
の反射光、或いは透過光と前記直線偏光ビームの
他の1つの偏光ビームとを第一の光検出器に入射
させて得られる信号を、前記2つの直線偏光ビー
ムを第二の光検出器に入射させて得られる信号を
基準にして、復調する事により、前記磁性薄膜上
の情報を、再生する事を特徴とするものである。
実施例の説明 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。第4図は本発明を用いた光磁気メモ
リ再生装置の実施例の構成を示す図である。レー
ザー光源22より出た光はコリメート・レンズ2
3によつて平行光束にされ、偏光子24によつて
紙面に垂直方向の直線偏光になり、音響光学光変
調素子25に入いる。音響光学光変調素子25内
では、周波数fAの超音波によつて、入射したレー
ザービームが回折され、0次回折光26と1次回
折光27に分けられるが、この時これら2つの光
ビームの間には、超音波の周波数fAだけの周波数
差ができている。この2つの光ビームは第4図の
紙面に垂直な直線偏光のまま、ミラー28及び2
9で反射される。2つのビームの内、0次回折光
26は信号再生用のビームとしてハーフミラー3
0及び31、さらに集光レンズ32を通つて光磁
気メモリ媒体36に入射する。一方、1次回折光
27は光ビート信号検出用の参照用ビームとし
て、ハーフミラー33で反射されてハーフミラー
30に、又ハーフミラー33を通追し、ミラー3
4及びλ/2板35を通つてハーフミラー31に
各々入射する。ハーフミラー30では、光磁気メ
モリ媒体に入射する信号再生用ビームと参照用ビ
ームが重ね合わされ、光検出器37によつて2つ
のビームの周波数差fAに一致したビート信号が検
出される。一方ハーフミラー31では、光磁気メ
モリ媒体36より反射した光とλ/2板35によ
つて偏光方向が回転した参照用ビームが重ね合わ
され、光検出器38によつて2つのビームの周波
数差及び偏光方向によるビート信号が検出され
る。光磁気メモリ媒体上に蓄積された情報信号を
含んだ光検出器38の出力は、光検出器37の出
力を参照信号として、AM復調器39でAM復調
され、情報信号の再生が行なわれる。
次に光磁気メモリ媒体よりの反射光の偏光方向
の変化と光検出器38に検出されるビート信号の
関係について説明する。第5図に於いて、光磁気
メモリ媒体に入射した光の偏光方向が40の方向で
あつたと仮定すると、前記媒体上の磁化の方向に
よつて反射してくる光の偏光方向は41A及び4
1Bの方向の光になつている。この反射光に対
し、参照用ビームの偏光方向をλ/2板35によ
つて、前記反射光の2つの偏光方向のうちの一方
と直交する方向、例えば第5図の42の方向に変
える事ができる。これは、λ/2板35の結晶軸
方向を回転させる事で簡単に達成できる。従つて
第5図に示されたような偏光方向を持つ2つのビ
ームがハーフミラー31で重ね合わされ、光検出
器38に入射させる事ができる。ここで、42の
偏光方向を持つ参照用ビームと41A又は41B
の偏光方向を持つ光磁気メモリ媒体よりの反射光
の間にはやはりfAだけの周波数差が存在してい
る。一方、光のビート信号は2つの光の偏光方向
が直交している時は観測される事はなく、従つ
て、光検出器38では、光磁気メモリ媒体よりの
反射光の偏光方向が第5図の41Aの方向を向い
た時だけ光ビート信号が観察される事になる。す
なわち光検出器38の出力信号は、第6図cに示
したようになる。第6図でaは光磁気メモリ媒体
上の磁化の方向を、bは偏光方向の回転角の変化
を各々示している。第6図cに示された信号は、
光磁気メモリ媒体に記録された情報信号を、ビー
ト周波数fAで強度変調(AM)された形式になつ
ており、第4図のAM復調器39で復調して元の
情報信号を再生する事が可能となる。
本発明は、従来微弱な信号として検出されてい
た光磁気メモリによる偏光方向の微小な変化を、
光ビートを起こさせる事により、情報信号帯域の
最大周波数成分に対し2培以上の高い周波数をキ
ヤリアとする強度変調信号に変換し、信号を再生
しようとするものである。このような信号を高い
周波数で変調して検出する手法は、微小信号の検
出には従来より広く用いられている方法であり、 (i) キヤリア周波数に比べ充分帯域の狭い増幅器
で信号増幅でき、雑音が低下する。
(ii) 強度変調された信号をキヤリア周波数で同期
検波する事により、信号の平滑化が行なわれ、
雑音が低下する。
等の効果があり、従来、偏光方向の変化を直接測
定していた場合と比べ、再生信号のS/N比の向
上をたやすく行なう事ができる。
本発明で、ビート周波数はサンプリング定理よ
り、再生される情報信号が有する最高の周波数に
対して、少なくとも2倍以上に選ぶ必要がある。
上述の実施例のように音響光学光変調素子を用い
た場合、ビート周波数を与える超音波の周波数fA
は、例えば80MHz程度にとる事ができ、40MHzま
での情報信号に対して本発明の再生方式を用いる
事が可能である。
発明の効果 以上説明したように、本発明を用いる事により
光磁気メモリよりの情報の再生に際し、信号増幅
時の雑音を低下させ、又信号の平滑化による雑音
の除去ができ、高い品質で信号再生を行なう事が
可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光磁気メモリの記録過程原理を示す斜
視図、第2図は光磁気メモリの再生過程原理を示
す斜視図、第3図は従来の光磁気メモリ再生方式
の構成を示すブロツク図、第4図は本発明の光磁
気メモリ再生方式の1実施例を示すブロツク図、
第5図は本発明の同実施例に於ける偏光方向の状
態を説明する図、第6図は本発明の同実施例に於
ける検出信号の例を示す図である。 22……レーザー光源、23……コリメートレ
ンズ、24……偏光子、25……音響光学光変調
素子、26……0次回折光、27……1次回折
光、28,29,34……ミラー、30,31,
33……ハーフミラー、32……集光レンズ、3
5……λ/2板、36……光磁気メモリ媒体、3
7,38……光検出器、39……AM復調器、4
0,41A,41B,42……偏光方向。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 磁性薄膜の膜面に垂直方向の磁化の変化とし
    て記録された情報を光ビームにより読みとる際、
    光ビームとして、再生される情報信号が有する最
    高周波数の少なくとも2倍以上の周波数差を持つ
    2つの直線偏光ビームを用い、前記磁性薄膜上に
    前記直線偏光ビームの1つを入射させて得られる
    磁性薄膜からの反射光、或いは透過光と前記直線
    偏光ビームの他の1つの偏光ビームとを第一の光
    検出器に入射させて得られる信号を、前記2つの
    直線偏光ビームを第二の光検出器に入射させて得
    られる信号を基準にして、復調する事により、前
    記磁性薄膜上の情報を、再生する事を特徴とする
    光磁気メモリ再生装置。 2 周波数差を有する2つの直線偏光ビームを作
    り出す手段として、音響光学光変調素子を用いた
    事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光磁
    気メモリ再生装置。
JP59100926A 1984-05-18 1984-05-18 光磁気メモリ再生装置 Granted JPS60243845A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59100926A JPS60243845A (ja) 1984-05-18 1984-05-18 光磁気メモリ再生装置

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JPS60243845A JPS60243845A (ja) 1985-12-03
JPH0542741B2 true JPH0542741B2 (ja) 1993-06-29

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