JPH0542764B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0542764B2 JPH0542764B2 JP61052947A JP5294786A JPH0542764B2 JP H0542764 B2 JPH0542764 B2 JP H0542764B2 JP 61052947 A JP61052947 A JP 61052947A JP 5294786 A JP5294786 A JP 5294786A JP H0542764 B2 JPH0542764 B2 JP H0542764B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- base material
- transparent conductive
- conductive film
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に透明導電膜を形成する方法
に関するものである。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題
点〕 従来、この種透明導電膜の製造方法には、所
謂、蒸着法及びスパツタリング法があり、夫々例
えば第２図及び第３図に示される如き装置が使用
されている。図中、１１，１１′はIo−So合金又
はその酸化物で成る母材、１２，１２′は透明導
電膜がその上に形成されるべき基板、１３，１
３′は該基板を加熱するためのヒーター、１４，
１４′は反応室１５，１５′内の雰囲気を形成すべ
く該反応室１５，１５′内へ導入される酸素とア
ルゴン、ヘリウム等の不活性気体とより成る混合
ガス、１６，１６′は反応済のガス等を反応室１
５，１５′より排気せしめる排気系、１７は放電
用電源であり、かかる装置において、反応室１
５，１５′内の圧力を蒸着法では10-4〜
10-6Torr、スパツタリング法では10-2〜10Torr、
基板１２，１２′を共に200〜400℃とすることに
より各々透明導電膜の製造が行なわれている。
尚、蒸着法の場合、母材１１と基板１２との間に
バイアス電圧を印加することによる両者間に生ず
る放電を利用する所謂、イオンプレーテイング法
によつても行なわれ得る。斯して得られた透明導
電膜は透明で導電性を有し、具体的には可視光透
過率90％以上及び比抵抗１×10-3Ωcm以下という
測定結果が得られている。 しかしながら、かかる従来の製造方法において
は、基板１２，１２′は200〜400℃程度まで加熱
されていることを要し、このため耐熱性の低い基
板に対しては適用され得ず、又、成膜反応中に外
部からの不純物が混入し透明導電膜の純度を低下
せしめ、更には成膜反応終了後形成された透明導
電膜の温度が該加熱温度から常温まで極度に低下
するためその際の熱歪によつて該膜内に内部応力
が残留する等の不都合があつた。本発明はかかる
実情に鑑み、室温程度の温度で行なわれ得ると共
に種々の材質で成る基板に対して適用されて著し
く品質の改良された透明導電膜が形成され得る製
造方法を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段及び作用〕 本発明方法では、母材を加熱することによる生
ぜしめられた蒸気と酸素を含む活性化せしめられ
たガスとが、酸化反応を介して実質上室温程度に
保持された基板上に堆積せしめられて透明導電膜
が形成される。従つて、基板には、従来の如き耐
熱性は最早不要となるから、本発明方法は種々の
材質でなる広範囲の基板に対し適用され得ると共
に、該基板上には内部応力のない極めて高品質の
透明導電膜が形成され得る。 〔実施例〕 第１図は本発明方法に好適に用いられる装置の
概略的構成を示しているが、図中、１はインジウ
ム、錫若しくはこれらの合金又はこれらの酸化物
でなる母材、２は室温とほほ同程度に維持されて
いる基板であり、この基板は接地してある。３は
熱電子で成る電子線３′に所定の電界及び磁界を
印加することにより該電子線３′を適宜加速又は
偏向させこれを母材１へ衝突せしめる電子線加熱
装置、４は反応室５内へ導入される酸素又はこれ
とアルゴン若しくはヘリウム等の不活性ガスとの
体積比ｃが０≦ｃ＜100（ｃ＝不活性ガスの体積／
酸素の体積）とされている混合ガスで成る反応ガ
ス、６は加速された熱電子により反応ガス４をイ
オン化等活性化せしめこれを反応室４内へ放出さ
せ得る熱陰極型活性化装置、７は該熱陰極型活性
化装置６に対する基板２の電位を少なくとも数百
ボルトまでの負電位になし得活性化された反応ガ
ス４を加速して基板２へ向わしめる加速用電源、
８は排気系である。 次に上記装置による基板２上への成膜方法につ
いて説明すれば、反応室５内の圧力は排気系８に
より排気された十分に低く維持されていて、先
づ、母材１を電子線加熱装置３により加熱すると
該母材１は融点に達し、更に加熱されて反応室５
内へ蒸発せしめられる（矢印１′）。この加熱の
際、電子線３′により母材１に極所的に集中して
加熱されるので、この熱が基板２へ影響すること
はなく従つて該基板２の温度はほぼ室温に保持さ
れている。一方、反応ガス４は熱陰極型活性化装
置６内を通過する際イオン化せしめられる等活性
化状態となり、更に該イオンは加速用電源７によ
る該活性化装置６及び基板２間の電界によつて加
速せしめられるので、ガス流４′となつて基板２
に向つて流動せしめられる。尚、このガス流４′
によつてもたらされる基板２における電流密度は
10ｍＡ／m2〜10A／m2に達し、又、加速用電源７
による電界が零の場合には反応ガス４はそれによ
つては加速されないが、この場合にも該ガス４は
反応室５内へ拡散して基板２へ到達し得る。この
時の反応室５内の圧力は10-5〜10-3Torrである。
かくして、母材１が蒸発せしめられてなる蒸気及
び反応ガス４を構成する夫々の分子は基板２上若
しくはその近傍で相互に衝突して反応し合い、そ
の結果、該基板２上に酸化膜が形成せしめられ
る。かかる成膜速度は0.5Å／sec〜500Å／secの
範囲で適宜調節され得、形成された透明導電膜は
その可視光透過率90％以上、比抵抗10-3Ωcm以下
となる。 更に具体的には、表１に示される成膜条件ａ、
ｂの下で夫々表２に示される成膜結果Ａ、Ｂが得
られ、何れの場合も表２の如く形成された透明導
電膜はその可視光透過率が90％以上、比抵抗
10-3Ωcm以下である。
に関するものである。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題
点〕 従来、この種透明導電膜の製造方法には、所
謂、蒸着法及びスパツタリング法があり、夫々例
えば第２図及び第３図に示される如き装置が使用
されている。図中、１１，１１′はIo−So合金又
はその酸化物で成る母材、１２，１２′は透明導
電膜がその上に形成されるべき基板、１３，１
３′は該基板を加熱するためのヒーター、１４，
１４′は反応室１５，１５′内の雰囲気を形成すべ
く該反応室１５，１５′内へ導入される酸素とア
ルゴン、ヘリウム等の不活性気体とより成る混合
ガス、１６，１６′は反応済のガス等を反応室１
５，１５′より排気せしめる排気系、１７は放電
用電源であり、かかる装置において、反応室１
５，１５′内の圧力を蒸着法では10-4〜
10-6Torr、スパツタリング法では10-2〜10Torr、
基板１２，１２′を共に200〜400℃とすることに
より各々透明導電膜の製造が行なわれている。
尚、蒸着法の場合、母材１１と基板１２との間に
バイアス電圧を印加することによる両者間に生ず
る放電を利用する所謂、イオンプレーテイング法
によつても行なわれ得る。斯して得られた透明導
電膜は透明で導電性を有し、具体的には可視光透
過率90％以上及び比抵抗１×10-3Ωcm以下という
測定結果が得られている。 しかしながら、かかる従来の製造方法において
は、基板１２，１２′は200〜400℃程度まで加熱
されていることを要し、このため耐熱性の低い基
板に対しては適用され得ず、又、成膜反応中に外
部からの不純物が混入し透明導電膜の純度を低下
せしめ、更には成膜反応終了後形成された透明導
電膜の温度が該加熱温度から常温まで極度に低下
するためその際の熱歪によつて該膜内に内部応力
が残留する等の不都合があつた。本発明はかかる
実情に鑑み、室温程度の温度で行なわれ得ると共
に種々の材質で成る基板に対して適用されて著し
く品質の改良された透明導電膜が形成され得る製
造方法を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段及び作用〕 本発明方法では、母材を加熱することによる生
ぜしめられた蒸気と酸素を含む活性化せしめられ
たガスとが、酸化反応を介して実質上室温程度に
保持された基板上に堆積せしめられて透明導電膜
が形成される。従つて、基板には、従来の如き耐
熱性は最早不要となるから、本発明方法は種々の
材質でなる広範囲の基板に対し適用され得ると共
に、該基板上には内部応力のない極めて高品質の
透明導電膜が形成され得る。 〔実施例〕 第１図は本発明方法に好適に用いられる装置の
概略的構成を示しているが、図中、１はインジウ
ム、錫若しくはこれらの合金又はこれらの酸化物
でなる母材、２は室温とほほ同程度に維持されて
いる基板であり、この基板は接地してある。３は
熱電子で成る電子線３′に所定の電界及び磁界を
印加することにより該電子線３′を適宜加速又は
偏向させこれを母材１へ衝突せしめる電子線加熱
装置、４は反応室５内へ導入される酸素又はこれ
とアルゴン若しくはヘリウム等の不活性ガスとの
体積比ｃが０≦ｃ＜100（ｃ＝不活性ガスの体積／
酸素の体積）とされている混合ガスで成る反応ガ
ス、６は加速された熱電子により反応ガス４をイ
オン化等活性化せしめこれを反応室４内へ放出さ
せ得る熱陰極型活性化装置、７は該熱陰極型活性
化装置６に対する基板２の電位を少なくとも数百
ボルトまでの負電位になし得活性化された反応ガ
ス４を加速して基板２へ向わしめる加速用電源、
８は排気系である。 次に上記装置による基板２上への成膜方法につ
いて説明すれば、反応室５内の圧力は排気系８に
より排気された十分に低く維持されていて、先
づ、母材１を電子線加熱装置３により加熱すると
該母材１は融点に達し、更に加熱されて反応室５
内へ蒸発せしめられる（矢印１′）。この加熱の
際、電子線３′により母材１に極所的に集中して
加熱されるので、この熱が基板２へ影響すること
はなく従つて該基板２の温度はほぼ室温に保持さ
れている。一方、反応ガス４は熱陰極型活性化装
置６内を通過する際イオン化せしめられる等活性
化状態となり、更に該イオンは加速用電源７によ
る該活性化装置６及び基板２間の電界によつて加
速せしめられるので、ガス流４′となつて基板２
に向つて流動せしめられる。尚、このガス流４′
によつてもたらされる基板２における電流密度は
10ｍＡ／m2〜10A／m2に達し、又、加速用電源７
による電界が零の場合には反応ガス４はそれによ
つては加速されないが、この場合にも該ガス４は
反応室５内へ拡散して基板２へ到達し得る。この
時の反応室５内の圧力は10-5〜10-3Torrである。
かくして、母材１が蒸発せしめられてなる蒸気及
び反応ガス４を構成する夫々の分子は基板２上若
しくはその近傍で相互に衝突して反応し合い、そ
の結果、該基板２上に酸化膜が形成せしめられ
る。かかる成膜速度は0.5Å／sec〜500Å／secの
範囲で適宜調節され得、形成された透明導電膜は
その可視光透過率90％以上、比抵抗10-3Ωcm以下
となる。 更に具体的には、表１に示される成膜条件ａ、
ｂの下で夫々表２に示される成膜結果Ａ、Ｂが得
られ、何れの場合も表２の如く形成された透明導
電膜はその可視光透過率が90％以上、比抵抗
10-3Ωcm以下である。
【表】
上述のように本発明方法は、基板の材質に制約
されないから適用範囲が拡大され得ると共に、形
成された透明導電膜の品質は向上し且つ成膜によ
る基板の変形が防止され得る等の利点を有する。
されないから適用範囲が拡大され得ると共に、形
成された透明導電膜の品質は向上し且つ成膜によ
る基板の変形が防止され得る等の利点を有する。
第１図は本発明による製造方法に用いられる装
置の構成を示す図、第２図及び第３図は従来の製
造方法に適用される装置の夫々構成を示す図であ
る。 １……母材、２……基板、３……電子線加熱装
置、４……反応ガス、５……反応室、６……熱陰
極型活性化装置、７……加速用電源。
置の構成を示す図、第２図及び第３図は従来の製
造方法に適用される装置の夫々構成を示す図であ
る。 １……母材、２……基板、３……電子線加熱装
置、４……反応ガス、５……反応室、６……熱陰
極型活性化装置、７……加速用電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応室内で母材を加熱して蒸発させ、基板上
に透明導電膜を形成せしめるようにした透明導電
膜の製造方法において、 10-5乃至10-3Torrに保持された雰囲気下で、
上記母材を電子線加熱装置により加熱し蒸発せし
めると共に、酸素と不活性気体とを混合してなる
反応ガスを上記基板における電流密度が10ｍＡ／
m2乃至10A／m2となるように熱陰極型活性化装置
により活性化せしめつつ加速用電源により該基板
に向けて加速流動せしめ、 上記母材の蒸気と上記反応ガスとを実質上室温
程度に保持された上記基板上又はその近傍で反応
させるようにしたことを特徴とする透明導電膜の
製造方法。 ２ 母材は、インジウム、錫若しくはこれらの合
金又はこれら酸化物よりなることを特徴とする、
特許請求の範囲１に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294786A JPS62216112A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294786A JPS62216112A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216112A JPS62216112A (ja) | 1987-09-22 |
| JPH0542764B2 true JPH0542764B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=12929066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5294786A Granted JPS62216112A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216112A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100186286B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-05-15 | 한갑수 | 주석산화물 박막을 이용한 메탄 가스 감지용 센서 및 프로판 가스 감지용 센서와 그 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59200757A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 蒸着方法 |
| JPS60132319A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜形成方法 |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP5294786A patent/JPS62216112A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62216112A (ja) | 1987-09-22 |
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