JPH0543172B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0543172B2 JPH0543172B2 JP60218544A JP21854485A JPH0543172B2 JP H0543172 B2 JPH0543172 B2 JP H0543172B2 JP 60218544 A JP60218544 A JP 60218544A JP 21854485 A JP21854485 A JP 21854485A JP H0543172 B2 JPH0543172 B2 JP H0543172B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- semiconductor substrate
- developer
- developing
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程において、
半導体基板の表面に塗布したレジストに所望のパ
ターンを焼付けた後、現像するためのレジスト現
像方法に係り、特に、微細パターン化における高
精度処理に関する。
半導体基板の表面に塗布したレジストに所望のパ
ターンを焼付けた後、現像するためのレジスト現
像方法に係り、特に、微細パターン化における高
精度処理に関する。
半導体装置の製造工程において、半導体基板に
設置したレジストの現像は、その半導体基板の表
面に塗布したレジストに所望のパターンを形成し
たマスクを重ねて露光し、焼付け処理の後、不要
なレジスト部分を除くために行われる。
設置したレジストの現像は、その半導体基板の表
面に塗布したレジストに所望のパターンを形成し
たマスクを重ねて露光し、焼付け処理の後、不要
なレジスト部分を除くために行われる。
この現像処理は、レジストを塗布し、現像前の
処理を行つた半導体基板を現像処理装置のスピナ
ーデベロツパースピン部に設置して行われる。た
とえば、第３図に示すように、半導体基板２に設
置されたレジスト４の表面に現像液６を置いた
後、矢印Ａで示す方向に回転させて行う。
処理を行つた半導体基板を現像処理装置のスピナ
ーデベロツパースピン部に設置して行われる。た
とえば、第３図に示すように、半導体基板２に設
置されたレジスト４の表面に現像液６を置いた
後、矢印Ａで示す方向に回転させて行う。
このようなレジスト現像処理において、半導体
基板の回転は、現像液の撹拌によつて現像現象を
可及的速やかに行うために施されるものである
が、第３図および第４図に矢印Ａで示すように、
従来の半導体基板の回転操作は一方向に回転方向
を設定し、回転、停止を交互に繰り返す方法が取
られている。そして、第４図において、８は現像
処理によつて得られた現像部分を示し、この現像
部分８はレジスト４の残留部分からなる。
基板の回転は、現像液の撹拌によつて現像現象を
可及的速やかに行うために施されるものである
が、第３図および第４図に矢印Ａで示すように、
従来の半導体基板の回転操作は一方向に回転方向
を設定し、回転、停止を交互に繰り返す方法が取
られている。そして、第４図において、８は現像
処理によつて得られた現像部分を示し、この現像
部分８はレジスト４の残留部分からなる。
また、第５図はこの現像部分８の拡大断面を示
す。この拡大断面において、現像部分８のａは正
規の現像部分、ｂは不要部分（スカム）を示す。
す。この拡大断面において、現像部分８のａは正
規の現像部分、ｂは不要部分（スカム）を示す。
この場合、半導体基板２の回転方向が一方向に
設定されているため、回転による現像液の運動エ
ネルギがレジスト４の除去に影響を与え、回転に
よる現像液６の移動方向、すなわち、半導体基板
２の回転方向とは反対側に、不要部分ｂを生じ
る。このような不要部分ｂの発生は、微細パター
ンの精密加工処理を阻害し、半導体装置の高密度
化を妨げ、半導体装置の精度を低下させる原因に
なる。
設定されているため、回転による現像液の運動エ
ネルギがレジスト４の除去に影響を与え、回転に
よる現像液６の移動方向、すなわち、半導体基板
２の回転方向とは反対側に、不要部分ｂを生じ
る。このような不要部分ｂの発生は、微細パター
ンの精密加工処理を阻害し、半導体装置の高密度
化を妨げ、半導体装置の精度を低下させる原因に
なる。
そこで、この発明は、このようなレジスト現像
処理における不要部分の残留を防止して微細パタ
ーンの精密加工を実現したレジスト現像方法の提
供を目的とする。
処理における不要部分の残留を防止して微細パタ
ーンの精密加工を実現したレジスト現像方法の提
供を目的とする。
この発明のレジスト現像方法は、第１図および
第２図に例示するように、半導体基板２の表面に
レジスト４を塗布する工程と、前記レジストの上
にマスクを重ね、前記レジストを前記マスクによ
つて設定されたパターンに焼き付ける工程と、前
記レジストの表面に現像液６を載せた後、半導体
基板を交互に30°〜360°の角度範囲を以て反復回
転させ、前記レジストの現像部分のみを残し、非
現像部分の前記レジストを除去する工程とを備え
たことを特徴とする。
第２図に例示するように、半導体基板２の表面に
レジスト４を塗布する工程と、前記レジストの上
にマスクを重ね、前記レジストを前記マスクによ
つて設定されたパターンに焼き付ける工程と、前
記レジストの表面に現像液６を載せた後、半導体
基板を交互に30°〜360°の角度範囲を以て反復回
転させ、前記レジストの現像部分のみを残し、非
現像部分の前記レジストを除去する工程とを備え
たことを特徴とする。
この発明のレジスト現像方法では、半導体基板
の回転方向が交互に反転するため、現像部分に作
用する現像液が均等に作用し、回転方向を一方向
に設定した場合に生じる不要部分の残留を防止で
きる。
の回転方向が交互に反転するため、現像部分に作
用する現像液が均等に作用し、回転方向を一方向
に設定した場合に生じる不要部分の残留を防止で
きる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
第１図はこの発明のレジスト現像方法の実施例
を示す。
を示す。
半導体基板２の表面にレジスト４を塗布し、そ
の表面に所望のパターンを形成したマスクを重
ね、露光を施して焼付けする。
の表面に所望のパターンを形成したマスクを重
ね、露光を施して焼付けする。
そして、現像前の処理を行つた半導体基板を現
像処理装置のスピナーデベロツパースピン部に載
せ、第３図に示すように、半導体基板２に設置さ
れたレジスト４の表面に現像液６を載せた後、回
転させる。
像処理装置のスピナーデベロツパースピン部に載
せ、第３図に示すように、半導体基板２に設置さ
れたレジスト４の表面に現像液６を載せた後、回
転させる。
この場合、その回転操作は、第２図に矢印Ａ，
Ｂで示すように、特定の角度だけ一方向に回転さ
せた後、一定角度だけ反転させることにより反復
回転を行う。
Ｂで示すように、特定の角度だけ一方向に回転さ
せた後、一定角度だけ反転させることにより反復
回転を行う。
そして、この場合の反復回転角度は、現像液６
の粘度や回転速度などとの関係によつてたとえば
30〜360℃程度に設定するものとする。
の粘度や回転速度などとの関係によつてたとえば
30〜360℃程度に設定するものとする。
このように半導体基板２を反復回転させると、
第２図に示すように、現像液６の流れの方向は矢
印ＡおよびＢの反対方向になり、現像部分８の両
側壁面に対して均等に現像液６が作用するので、
正規の現像部分ａを精密に現像することができ
る。したがつて、現像部分８の両側壁面は半導体
基板２の面に対し直角に処理され、破線で示すよ
うな不要部分（スカム）８ｂの発生を防止するこ
とができる。
第２図に示すように、現像液６の流れの方向は矢
印ＡおよびＢの反対方向になり、現像部分８の両
側壁面に対して均等に現像液６が作用するので、
正規の現像部分ａを精密に現像することができ
る。したがつて、現像部分８の両側壁面は半導体
基板２の面に対し直角に処理され、破線で示すよ
うな不要部分（スカム）８ｂの発生を防止するこ
とができる。
以上説明したように、この発明によれば、レジ
ストを塗布して現像した後、現像液を載せた半導
体基板を30°〜360°の角度範囲を以て回転させ、
その回転方向を交互に反転させるため、現像部分
に現像液が均等に作用して現像処理を均一に行う
ことができるとともに、不要部分の残留防止によ
つて微細パターンの精密加工処理を実現すること
ができ、半導体装置の精度を向上させることがで
きる。
ストを塗布して現像した後、現像液を載せた半導
体基板を30°〜360°の角度範囲を以て回転させ、
その回転方向を交互に反転させるため、現像部分
に現像液が均等に作用して現像処理を均一に行う
ことができるとともに、不要部分の残留防止によ
つて微細パターンの精密加工処理を実現すること
ができ、半導体装置の精度を向上させることがで
きる。
第１図はこの発明のレジスト現像方法の実施例
を示す斜視図、第２図は第１図の−線部分断
面図、第３図は現像液を載せた半導体基板を示す
側面図、第４図は従来のレジスト現像方法を示す
斜視図、第５図は第４図の−線部分断面図で
ある。 ２……半導体基板、４……レジスト、６……現
像液、８……現像部分。
を示す斜視図、第２図は第１図の−線部分断
面図、第３図は現像液を載せた半導体基板を示す
側面図、第４図は従来のレジスト現像方法を示す
斜視図、第５図は第４図の−線部分断面図で
ある。 ２……半導体基板、４……レジスト、６……現
像液、８……現像部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の表面にレジストを塗布する工程
と、 前記レジストの上にマスクを重ね、前記レジス
トを前記マスクによつて設定されたパターンに焼
き付ける工程と、 前記レジストの表面に現像液を載せた後、半導
体基板を交互に30°〜360°の角度範囲を以て反復
回転させ、前記レジストの現像部分のみを残し、
非現像部分の前記レジストを除去する工程と、 を備えたことを特徴とするレジスト現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60218544A JPS6278820A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | レジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60218544A JPS6278820A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | レジスト現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278820A JPS6278820A (ja) | 1987-04-11 |
| JPH0543172B2 true JPH0543172B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=16721593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60218544A Granted JPS6278820A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278820A (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5422777A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-20 | Hitachi Ltd | Invertible processing device |
| JPS5452984A (en) * | 1977-10-04 | 1979-04-25 | Nec Corp | Semiconductor cleansing method |
| JPS57192955A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | Developing method |
| JPS593549A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Hitachi Ltd | フアイル管理方式 |
-
1985
- 1985-10-01 JP JP60218544A patent/JPS6278820A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6278820A (ja) | 1987-04-11 |
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