JPH0543276B2 - - Google Patents
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- JPH0543276B2 JPH0543276B2 JP61228828A JP22882886A JPH0543276B2 JP H0543276 B2 JPH0543276 B2 JP H0543276B2 JP 61228828 A JP61228828 A JP 61228828A JP 22882886 A JP22882886 A JP 22882886A JP H0543276 B2 JPH0543276 B2 JP H0543276B2
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- Japan
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- spectral sensitivity
- solar cell
- light
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Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は、アモルフアス半導体を用いた単層型
（シングル）太陽電池を評価するための分光感度
測定法に関するものである。
（シングル）太陽電池を評価するための分光感度
測定法に関するものである。
＜従来技術＞
アモルフアス半導体を真性半導体として用いた
サングル太陽電池に短波長直流バイアス光を照射
してその分光感度を測定し、無バイアス光下の分
光感度とは異なる信号を検出して真性半導体中の
弱電界領域を分析した報告は既に存在する。この
従来例としては、水素化アモルフアスシリコン
（以下、ａ−si：Ｈと記す）をアモルフアス半導
体として用いた金属−真性アモルフアス半導体−
ｎ型アモルフアス半導体型のシヨツトキー型太陽
電池と、水素化アモルフアスシリコンゲルマニウ
ムを真性半導体層（以下ｉ層と記す）に用いて、
ｐ型半導体層（以下ｐ層と記す）−ｉ層−ｎ型半
導体層（以下ｎ層と記す）のpin接合を形成した
シングル太陽電池の測定例が知られている。しか
しながら、これらの従来の測定法を用いて新規な
構造の太陽電池およびａ−Si：Ｈをｐ層、ｉ層、
及びｎ層として用いてpin接合をステンレス基板
（以下S.S.と記す）上に形成しこの上にITO膜
（透明導電膜）の電極を設けたシングル太陽電池
（以下S.S.／pin／ITOと記す）を測定すると、第
３図の曲線１，２に示すように短波長バイアス光
下の分光感度（曲線２）と無バイアス光下の分光
感度（曲線１）との差異は極めて小さく、このた
め短波長直流バイアス光照射による効果を正確に
検知することが困難であるという問題点が生ず
る。このａ−Si：Ｈを用いたS.S.／pin／ITO型
太陽電池の短波長直流バイアス光照射下における
分光感度の測定時に使用したプローブ光をチヨツ
ピング周波数（以下ｆと記す）は170Hzの高い値
であつた。
サングル太陽電池に短波長直流バイアス光を照射
してその分光感度を測定し、無バイアス光下の分
光感度とは異なる信号を検出して真性半導体中の
弱電界領域を分析した報告は既に存在する。この
従来例としては、水素化アモルフアスシリコン
（以下、ａ−si：Ｈと記す）をアモルフアス半導
体として用いた金属−真性アモルフアス半導体−
ｎ型アモルフアス半導体型のシヨツトキー型太陽
電池と、水素化アモルフアスシリコンゲルマニウ
ムを真性半導体層（以下ｉ層と記す）に用いて、
ｐ型半導体層（以下ｐ層と記す）−ｉ層−ｎ型半
導体層（以下ｎ層と記す）のpin接合を形成した
シングル太陽電池の測定例が知られている。しか
しながら、これらの従来の測定法を用いて新規な
構造の太陽電池およびａ−Si：Ｈをｐ層、ｉ層、
及びｎ層として用いてpin接合をステンレス基板
（以下S.S.と記す）上に形成しこの上にITO膜
（透明導電膜）の電極を設けたシングル太陽電池
（以下S.S.／pin／ITOと記す）を測定すると、第
３図の曲線１，２に示すように短波長バイアス光
下の分光感度（曲線２）と無バイアス光下の分光
感度（曲線１）との差異は極めて小さく、このた
め短波長直流バイアス光照射による効果を正確に
検知することが困難であるという問題点が生ず
る。このａ−Si：Ｈを用いたS.S.／pin／ITO型
太陽電池の短波長直流バイアス光照射下における
分光感度の測定時に使用したプローブ光をチヨツ
ピング周波数（以下ｆと記す）は170Hzの高い値
であつた。
＜発明の目的＞
本発明は、上述した短波長直流バイアス光の効
果を検知するために、プローブ光のｆの値を制御
して短波長バイアス光を太陽電池に照射しその分
光感度信号の強度を増大させた太陽電池の分光感
度測定法を提供することを目的とする。
果を検知するために、プローブ光のｆの値を制御
して短波長バイアス光を太陽電池に照射しその分
光感度信号の強度を増大させた太陽電池の分光感
度測定法を提供することを目的とする。
＜発明の概要＞
上記目的を達成するために、本発明では太陽電
池の分光感度測定系において短波長直流バイアス
光照射下で分光感度を測定する際に用いるチヨツ
プしたプローブ光のチヨツピング周波数ｆを低減
することによつて要求される測定精度の分光感度
検出を行なうことを特徴とする。
池の分光感度測定系において短波長直流バイアス
光照射下で分光感度を測定する際に用いるチヨツ
プしたプローブ光のチヨツピング周波数ｆを低減
することによつて要求される測定精度の分光感度
検出を行なうことを特徴とする。
＜実施例＞
第１図は本発明の１実施例の説明に供する太陽
電池の分光感度測定系のブロツク構成図である。
試料としては、例えばS.S.／pin／ITOのａ−Si
単層（シングル）太陽電池が用いられる。試料に
Xeランプを光源としAM1.5用フイルター及び短
波長を通過するフイルターを介してDCバイアス
光を照射しさらに他のXeランプ光源より分光器
及びチヨツパーを介してチヨツプされたプローブ
光を重畳する。このときにプローブ光によつて変
化する光電流をロツクインアンプで検出し、試料
に入射した光エネルギーに対する比を求めたもの
がバイアス光下での試料の分光感度である。
電池の分光感度測定系のブロツク構成図である。
試料としては、例えばS.S.／pin／ITOのａ−Si
単層（シングル）太陽電池が用いられる。試料に
Xeランプを光源としAM1.5用フイルター及び短
波長を通過するフイルターを介してDCバイアス
光を照射しさらに他のXeランプ光源より分光器
及びチヨツパーを介してチヨツプされたプローブ
光を重畳する。このときにプローブ光によつて変
化する光電流をロツクインアンプで検出し、試料
に入射した光エネルギーに対する比を求めたもの
がバイアス光下での試料の分光感度である。
従来技術で詳述した如く、プローブ光のチヨツ
ピング周波数ｆ＝170Hzにおいて短波長直流バイ
アス光の効果が正確に検知できなかつた太陽電池
すなわちａ−Si：Ｈを用いたS.S.／pin／ITO型
太陽電池について、ｆを170Hzから６Hzまで順次
低減させ、それ以外の測定条件を第３図のそれと
同一にして測定した短波長直流バイアス光下の分
光感度を無バイアス光下のそれと共に第２図に示
す。第２図において、曲線３は無バイアス光下で
の分光感度曲線でありプローブ光のチヨツピング
周波数ｆを170Hzから６Hz迄変化させてもｆ依存
性を示さず信号の変化はない。曲線４乃至９は短
波長直流バイアス光下での分光感度を示し、４は
プローブ光のチヨツピング周波数ｆが170Hz、５
はｆが86Hz、６はｆが50Hz、７は25Hz、８はｆが
10Hz、９はｆが６Hzの場合の分光感度曲線であ
る。第２図より明らかな如く、ｆの値が小さくな
るに従つて短波長バイアス光下の分光感度曲線と
無バイアス光下の分光感度曲線との差が漸次大き
くなる。この差が大きくなれば短波長バイアス光
照射による効果を高精度に検出することができ
る。
ピング周波数ｆ＝170Hzにおいて短波長直流バイ
アス光の効果が正確に検知できなかつた太陽電池
すなわちａ−Si：Ｈを用いたS.S.／pin／ITO型
太陽電池について、ｆを170Hzから６Hzまで順次
低減させ、それ以外の測定条件を第３図のそれと
同一にして測定した短波長直流バイアス光下の分
光感度を無バイアス光下のそれと共に第２図に示
す。第２図において、曲線３は無バイアス光下で
の分光感度曲線でありプローブ光のチヨツピング
周波数ｆを170Hzから６Hz迄変化させてもｆ依存
性を示さず信号の変化はない。曲線４乃至９は短
波長直流バイアス光下での分光感度を示し、４は
プローブ光のチヨツピング周波数ｆが170Hz、５
はｆが86Hz、６はｆが50Hz、７は25Hz、８はｆが
10Hz、９はｆが６Hzの場合の分光感度曲線であ
る。第２図より明らかな如く、ｆの値が小さくな
るに従つて短波長バイアス光下の分光感度曲線と
無バイアス光下の分光感度曲線との差が漸次大き
くなる。この差が大きくなれば短波長バイアス光
照射による効果を高精度に検出することができ
る。
以上より測定に際して要求される精度に対応し
た値にｆを設定することにより希望する分光感度
のデータが得られる。
た値にｆを設定することにより希望する分光感度
のデータが得られる。
尚、上記実施例は試料としてS.S.／pin／ITO
型太陽電池を用いた場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなくａ−Si：Ｈ
を用いたS.S.／nip／ITO太陽電池やアモルフア
ス半導体を用いた他の型のシングル太陽電池にお
いても、ｆの低減による短波長直流バイアス光照
射下の分光感度の増大が認められる。
型太陽電池を用いた場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなくａ−Si：Ｈ
を用いたS.S.／nip／ITO太陽電池やアモルフア
ス半導体を用いた他の型のシングル太陽電池にお
いても、ｆの低減による短波長直流バイアス光照
射下の分光感度の増大が認められる。
＜発明の効果＞
本発明によれば、アモルフアス半導体を用いた
シングル太陽電池の短波長直流バイアス光下の分
光感度信号を増大できるようになるため、短波長
直流バイアス光の効果を高精度で正確に検知する
ことができ、シングル太陽電池の真性半導体層中
の弱電界領域に関する情報を正確に得ることがで
きる。
シングル太陽電池の短波長直流バイアス光下の分
光感度信号を増大できるようになるため、短波長
直流バイアス光の効果を高精度で正確に検知する
ことができ、シングル太陽電池の真性半導体層中
の弱電界領域に関する情報を正確に得ることがで
きる。
第１図はS.S.／pin／ITO太陽電池のｆ＝170Hz
における短波長直流バイアス光下及び無バイアス
光下の分光感度である。第１図は本発明の１実施
例の説明に供する直流バイアス光下での太陽電池
の分光感度測定系である。第２図はS.S.／pin／
ITO太陽電池の短波長直流バイアス光下及び無バ
イアス光下での分光感度のｆ依存性を示す特性図
である。第３図はS.S.／pip／ITO太陽電池のｆ
＝170Hzにおける短波長直流バイアス光下及び無
バイアス光下の分光感度を示す特性図である。 １〜９……分光感度曲線。
における短波長直流バイアス光下及び無バイアス
光下の分光感度である。第１図は本発明の１実施
例の説明に供する直流バイアス光下での太陽電池
の分光感度測定系である。第２図はS.S.／pin／
ITO太陽電池の短波長直流バイアス光下及び無バ
イアス光下での分光感度のｆ依存性を示す特性図
である。第３図はS.S.／pip／ITO太陽電池のｆ
＝170Hzにおける短波長直流バイアス光下及び無
バイアス光下の分光感度を示す特性図である。 １〜９……分光感度曲線。
Claims (1)
- １ 短波長直流バイアス光の照射下でプローブ光
を太陽電池に重畳して照射することにより分光感
度を検出する太陽電池の分光感度測定法におい
て、測定に要する精度に対応して前記プローブ光
のチヨツピング周波数を制御設定することを特徴
とする太陽電池の分光感度測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228828A JPS6384078A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228828A JPS6384078A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384078A JPS6384078A (ja) | 1988-04-14 |
| JPH0543276B2 true JPH0543276B2 (ja) | 1993-07-01 |
Family
ID=16882494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61228828A Granted JPS6384078A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384078A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4663155B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2011-03-30 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の内部量子効率測定装置および方法 |
| JP5256521B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2013-08-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | Ｌｅｄを用いた太陽電池の評価方法及びその評価装置 |
| CN102455404B (zh) * | 2010-10-27 | 2014-06-25 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 太阳能电池光谱响应量测法、测量仪及光源衰减补偿法 |
| WO2012172767A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | コニカミノルタオプティクス株式会社 | 分光感度測定装置、および、分光感度測定方法 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61228828A patent/JPS6384078A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6384078A (ja) | 1988-04-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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