JPS6384078A - 太陽電池の分光感度測定法 - Google Patents
太陽電池の分光感度測定法Info
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- JPS6384078A JPS6384078A JP61228828A JP22882886A JPS6384078A JP S6384078 A JPS6384078 A JP S6384078A JP 61228828 A JP61228828 A JP 61228828A JP 22882886 A JP22882886 A JP 22882886A JP S6384078 A JPS6384078 A JP S6384078A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、アモルファス半導体を用いた単層型（シング
ル）太陽電池を評価するだめの分光感度測定法に関する
ものである。
ル）太陽電池を評価するだめの分光感度測定法に関する
ものである。
〈従来技術〉
アモルファス半導体を真性半導体として用いたシングル
太陽電池に短波長直流バイアス光を照射してその分光感
度を測定し、無バイアス光下の分光感度とは異なる信号
を検出して真性半導体中の弱電界領域を分析した報告は
既に存在する。この従来例としては、水素化アモルファ
スシリコン（以下、ａ−８ｔ：Ｈと記す）をアモルファ
ス半導体として用いた金属−真性アモルファス半導体＝
ｎ型アモルファス半導体型のショットキー型太陽電池ト
、水素化アモルファスシリコンゲルマニウムを真性半導
体層（以下ｉ層と記す）に用いて、ｐ型半導体層（以下
ｐ層と記す）−１層−ｎ型半導体層（以下ｎ層と記す）
のｐｉｎ接合を形成したシングル太陽電池の測定例が知
られている。しかしながら、これら従来の測定法を用い
て新規な構造の太陽電池すなわちａ−８ｉ ：Ｈをｐ層
、ｉ層、及びｎ層として用いてｐｉｎ接合をステンレス
基板（以下ｓ、ｓ、と記す）上に形成しこの上にＩＴＯ
膜（透明導電膜）の電極を設けたシングル太陽電池（以
下Ｓ、Ｓ、／ｐｉｎ／ＩＴＯと記す）を測定すると、第
３図の曲線１，２に示すように短波長バイアス光下の分
光感度（曲線２）と無バイアス光下の分光感度（曲線１
）との差異は極めて小さく、このため短波長直流バイア
ス光照射による効果を正確に検知することが困難である
という問題点が生ずる。
太陽電池に短波長直流バイアス光を照射してその分光感
度を測定し、無バイアス光下の分光感度とは異なる信号
を検出して真性半導体中の弱電界領域を分析した報告は
既に存在する。この従来例としては、水素化アモルファ
スシリコン（以下、ａ−８ｔ：Ｈと記す）をアモルファ
ス半導体として用いた金属−真性アモルファス半導体＝
ｎ型アモルファス半導体型のショットキー型太陽電池ト
、水素化アモルファスシリコンゲルマニウムを真性半導
体層（以下ｉ層と記す）に用いて、ｐ型半導体層（以下
ｐ層と記す）−１層−ｎ型半導体層（以下ｎ層と記す）
のｐｉｎ接合を形成したシングル太陽電池の測定例が知
られている。しかしながら、これら従来の測定法を用い
て新規な構造の太陽電池すなわちａ−８ｉ ：Ｈをｐ層
、ｉ層、及びｎ層として用いてｐｉｎ接合をステンレス
基板（以下ｓ、ｓ、と記す）上に形成しこの上にＩＴＯ
膜（透明導電膜）の電極を設けたシングル太陽電池（以
下Ｓ、Ｓ、／ｐｉｎ／ＩＴＯと記す）を測定すると、第
３図の曲線１，２に示すように短波長バイアス光下の分
光感度（曲線２）と無バイアス光下の分光感度（曲線１
）との差異は極めて小さく、このため短波長直流バイア
ス光照射による効果を正確に検知することが困難である
という問題点が生ずる。
このａ −３ｉ ：Ｈを用いたＳ −３、／ｐ ｉ ｎ
／ Ｉ Ｔｏ型太陽電池の短波長直流バイアス光照射下
における分光感度の測定時に使用したプローブ光のチョ
ッピング周波数（以下ｆと記す）は１７０Ｈ２の高い値
であった。
／ Ｉ Ｔｏ型太陽電池の短波長直流バイアス光照射下
における分光感度の測定時に使用したプローブ光のチョ
ッピング周波数（以下ｆと記す）は１７０Ｈ２の高い値
であった。
〈発明の目的〉
本発明は、上述した短波長直流バイアス光の効果を検知
するために、プローブ光のｆの値を制御して短波長バイ
アス光を太陽電池に照射しその分光感度信号の強度を増
大させた太陽電池の分光感度測定法を提供することを目
的とする。
するために、プローブ光のｆの値を制御して短波長バイ
アス光を太陽電池に照射しその分光感度信号の強度を増
大させた太陽電池の分光感度測定法を提供することを目
的とする。
〈発明の概要〉
上記目的を達成するために、本発明では太陽電池の分光
感度測定系において短波長直流バイアス光照射下で分光
感度を測定する際に用いるチョップしたプローブ光のチ
ョッピング周波数ｆを低減することによって要求される
測定精度の分光感度検出を行なうことを特徴とする。
感度測定系において短波長直流バイアス光照射下で分光
感度を測定する際に用いるチョップしたプローブ光のチ
ョッピング周波数ｆを低減することによって要求される
測定精度の分光感度検出を行なうことを特徴とする。
〈実施例〉
〈実施例〉
第１図は本発明の１実施例の説明に供する太陽電池の分
光感度測定系のブロック構成図である。
光感度測定系のブロック構成図である。
試料としては、例えばＳ、Ｓ、／ｐｉｎ／工ＴＯのａ−
８ｉ単層（シングル）太陽電池が用いられる。試料にＸ
ｅ ランプを光源としＡＭｌ、５用フイルター及び短波
長を透過するフィルターを介してＤＣバイアス光を照射
しさらに他のＸｅランプ光源より分光器及びチロツバ−
を介してチョップされたプローブ光を重畳する。このと
きにプローブ光によって変化する光電流をロックインア
ンプで検出し、試料に入射した光エネルギーに対する比
を求めたものがバイアス光下での試料の分光感度である
。
８ｉ単層（シングル）太陽電池が用いられる。試料にＸ
ｅ ランプを光源としＡＭｌ、５用フイルター及び短波
長を透過するフィルターを介してＤＣバイアス光を照射
しさらに他のＸｅランプ光源より分光器及びチロツバ−
を介してチョップされたプローブ光を重畳する。このと
きにプローブ光によって変化する光電流をロックインア
ンプで検出し、試料に入射した光エネルギーに対する比
を求めたものがバイアス光下での試料の分光感度である
。
従来技術で詳述した如く、プローブ光のチョッピング周
波数ｆ＝１７０Ｈｚにおいて短波長直流バイアス光の効
果が正確に検知できなかった太陽電池すなわちａ−８ｉ
：Ｈを用いた５−８−／ｐｉ ｎ／ ＩＴＯ型太陽電
池について、ｆを１７０Ｈｚから６Ｈｚまで順次低減さ
せ、それ以外の測定条件を第３図のそれと同一にして測
定した短波長直流バイアス光下の分光感度を無バイアス
光下のそれと共に第２図に示す。第２図において、曲線
３は無バイアス光下での分光感度曲線でありプローブ光
のチョッピング周波数ｆを１７０Ｈｚから６Ｈｚ迄変化
させてもｆ依存性を示さず信号の変化はない。曲線４乃
至９は短波長直流バイアス光下での分光感度を示し、４
はプローブ光のチョッピング周波数ｆが１７０Ｈｚ。
波数ｆ＝１７０Ｈｚにおいて短波長直流バイアス光の効
果が正確に検知できなかった太陽電池すなわちａ−８ｉ
：Ｈを用いた５−８−／ｐｉ ｎ／ ＩＴＯ型太陽電
池について、ｆを１７０Ｈｚから６Ｈｚまで順次低減さ
せ、それ以外の測定条件を第３図のそれと同一にして測
定した短波長直流バイアス光下の分光感度を無バイアス
光下のそれと共に第２図に示す。第２図において、曲線
３は無バイアス光下での分光感度曲線でありプローブ光
のチョッピング周波数ｆを１７０Ｈｚから６Ｈｚ迄変化
させてもｆ依存性を示さず信号の変化はない。曲線４乃
至９は短波長直流バイアス光下での分光感度を示し、４
はプローブ光のチョッピング周波数ｆが１７０Ｈｚ。
５ばｆが８６Ｈｚ、６はｆが５０Ｈｚ、７はｆが２５Ｈ
ｚ。
ｚ。
８はｆが１０Ｈｚ、９はｆが６ Ｈｚの場合の分光感度
曲線である。第２図より明らかな如く、ｆの値が小さく
なるに従って短波長バイアス光下の分光感度曲線と無バ
イアス光下の分光感度曲線との差が漸次大きくなる。こ
の差が大きくなれば短波長バイアス光照射による効果を
高精度に検出することができる。
曲線である。第２図より明らかな如く、ｆの値が小さく
なるに従って短波長バイアス光下の分光感度曲線と無バ
イアス光下の分光感度曲線との差が漸次大きくなる。こ
の差が大きくなれば短波長バイアス光照射による効果を
高精度に検出することができる。
以上より測定に際して要求される精度に対応した値にｆ
を設定することにより希望する分光感度のデータが得ら
れる。
を設定することにより希望する分光感度のデータが得ら
れる。
尚、上記実施例は試料としてＳ −Ｓ−／ｐｉ ｎ／
ＩＴＯ型太陽電池を用いた場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく ａ−８ｉ：Ｈを
用いたＳ、Ｓ 、／ｎｉｐ／ＩＴＯ太陽電池やアモルフ
ァス半導体を用いた他の型のシングル太陽電池において
も、ｆの低減による短波長直流バイアス光照射下の分光
感度の増大が認められる。
ＩＴＯ型太陽電池を用いた場合について説明したが、本
発明はこれに限定されるものではなく ａ−８ｉ：Ｈを
用いたＳ、Ｓ 、／ｎｉｐ／ＩＴＯ太陽電池やアモルフ
ァス半導体を用いた他の型のシングル太陽電池において
も、ｆの低減による短波長直流バイアス光照射下の分光
感度の増大が認められる。
〈発明の効果〉
本発明によれば、アモルファス半導体を用いたシングル
太陽電池の短波長直流バイアス光下の分光感度信号を増
大できるようになるため、短波長直流バイアス光の効果
を高精度で正確に検知することができ、シングル太陽電
池の真性半導体層中の弱電界領域に関する情報を正確に
得ることができる。
太陽電池の短波長直流バイアス光下の分光感度信号を増
大できるようになるため、短波長直流バイアス光の効果
を高精度で正確に検知することができ、シングル太陽電
池の真性半導体層中の弱電界領域に関する情報を正確に
得ることができる。
第１図はＳ、Ｓ、／ｐｉｎ／ＩＴＯ太陽電池のｆ＝１７
０Ｈｚにおける短波長直流バイアス光下及び無バイアス
光下の分光感度である。第１図は本発明の１実施例の説
明に供する直流バイアス光下での太陽電池の分光感度測
定系である。第２図はＳ−８、／ｐｉｎ／ＩＴＯ太陽電
池の短波長直流バイアス光下及び無バイアス光下での分
光感度のｆ依存性を示す特性図である。第３図はＳ、Ｓ
−／ｐ ｉ ｎ／ ＩＴＯ太陽電池のｆ＝１７０Ｈｚ
における短波長直流バイアス光下及び無バイアス光下の
分光感度を示す特性図である。 １〜９・・・分光感度曲線 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第 ｌ［１
２１ 力ど４ （ｎｍ〕 纂２図
０Ｈｚにおける短波長直流バイアス光下及び無バイアス
光下の分光感度である。第１図は本発明の１実施例の説
明に供する直流バイアス光下での太陽電池の分光感度測
定系である。第２図はＳ−８、／ｐｉｎ／ＩＴＯ太陽電
池の短波長直流バイアス光下及び無バイアス光下での分
光感度のｆ依存性を示す特性図である。第３図はＳ、Ｓ
−／ｐ ｉ ｎ／ ＩＴＯ太陽電池のｆ＝１７０Ｈｚ
における短波長直流バイアス光下及び無バイアス光下の
分光感度を示す特性図である。 １〜９・・・分光感度曲線 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第 ｌ［１
２１ 力ど４ （ｎｍ〕 纂２図
Claims (1)
- １、短波長直流バイアス光の照射下でプローブ光を太陽
電池に重畳して照射することにより分光感度を検出する
太陽電池の分光感度測定法において、測定に要する精度
に対応して前記プローブ光のチョッピング周波数を制御
設定することを特徴とする太陽電池の分光感度測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228828A JPS6384078A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61228828A JPS6384078A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384078A true JPS6384078A (ja) | 1988-04-14 |
| JPH0543276B2 JPH0543276B2 (ja) | 1993-07-01 |
Family
ID=16882494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61228828A Granted JPS6384078A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 太陽電池の分光感度測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384078A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353474A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の内部量子効率測定装置および方法 |
| JP2004281706A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Japan Science & Technology Agency | Ｌｅｄを用いた太陽電池の評価方法及びその評価装置 |
| CN102455404A (zh) * | 2010-10-27 | 2012-05-16 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 太阳能电池光谱响应量测法、测量仪及光源衰减补偿法 |
| WO2012172767A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | コニカミノルタオプティクス株式会社 | 分光感度測定装置、および、分光感度測定方法 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61228828A patent/JPS6384078A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353474A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の内部量子効率測定装置および方法 |
| JP2004281706A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Japan Science & Technology Agency | Ｌｅｄを用いた太陽電池の評価方法及びその評価装置 |
| CN102455404A (zh) * | 2010-10-27 | 2012-05-16 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 太阳能电池光谱响应量测法、测量仪及光源衰减补偿法 |
| WO2012172767A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | コニカミノルタオプティクス株式会社 | 分光感度測定装置、および、分光感度測定方法 |
| JPWO2012172767A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2015-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 分光感度測定装置、および、分光感度測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543276B2 (ja) | 1993-07-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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