JPH0543335A - セラミツク成形体の焼成方法及び焼成装置 - Google Patents
セラミツク成形体の焼成方法及び焼成装置Info
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- JPH0543335A JPH0543335A JP3199430A JP19943091A JPH0543335A JP H0543335 A JPH0543335 A JP H0543335A JP 3199430 A JP3199430 A JP 3199430A JP 19943091 A JP19943091 A JP 19943091A JP H0543335 A JPH0543335 A JP H0543335A
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B21/00—Open or uncovered sintering apparatus; Other heat-treatment apparatus of like construction
- F27B21/04—Sintering pots or sintering pans
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D7/00—Forming, maintaining or circulating atmospheres in heating chambers
- F27D7/02—Supplying steam, vapour, gases or liquids
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数のセラミック成形体表面に均一に雰囲気
ガスを供給することができ、かつ各セラミック成形体表
面でガス交換された後のガスを均一に排出することを可
能とするセラミック成形体の焼成方法を得る。 【構成】 焼成炉１７の焼成空間１８内に匣１１を載置
し、該匣１１内に堆積されている多数のセラミック成形
体に、匣１１の底面１２ａに設けられた雰囲気ガス導入
口１３ｂから雰囲気ガスを導入することにより、堆積さ
れている多数のセラミック成形体間に雰囲気ガスを導入
しつつ、多数のセラミック成形体を焼成する、セラミッ
ク成形体の焼成方法。
ガスを供給することができ、かつ各セラミック成形体表
面でガス交換された後のガスを均一に排出することを可
能とするセラミック成形体の焼成方法を得る。 【構成】 焼成炉１７の焼成空間１８内に匣１１を載置
し、該匣１１内に堆積されている多数のセラミック成形
体に、匣１１の底面１２ａに設けられた雰囲気ガス導入
口１３ｂから雰囲気ガスを導入することにより、堆積さ
れている多数のセラミック成形体間に雰囲気ガスを導入
しつつ、多数のセラミック成形体を焼成する、セラミッ
ク成形体の焼成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品等に用いられ
るセラミック成形体を焼成するための方法及び装置に関
し、特に、雰囲気ガスの制御を確実かつ効率よく行い得
る焼成方法及び焼成装置に関する。
るセラミック成形体を焼成するための方法及び装置に関
し、特に、雰囲気ガスの制御を確実かつ効率よく行い得
る焼成方法及び焼成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品等の量産に際して
は、多数のセラミック成形体が一度に焼成されているの
が普通である。このような多数のセラミック成形体を焼
成する装置としては、トンネル炉及びバッチ式の焼成炉
が一般的に用いられている。トンネル炉は、比較的簡単
な温度プローファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）で焼成するこ
とができ、かつ雰囲気制御を余り必要としないセラミッ
ク成形体の焼成に用いられており、他方、バッチ式の焼
成炉は、特別な雰囲気制御を必要とするセラミック成形
体の焼成に用いられている。
は、多数のセラミック成形体が一度に焼成されているの
が普通である。このような多数のセラミック成形体を焼
成する装置としては、トンネル炉及びバッチ式の焼成炉
が一般的に用いられている。トンネル炉は、比較的簡単
な温度プローファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）で焼成するこ
とができ、かつ雰囲気制御を余り必要としないセラミッ
ク成形体の焼成に用いられており、他方、バッチ式の焼
成炉は、特別な雰囲気制御を必要とするセラミック成形
体の焼成に用いられている。
【０００３】上記いずれの焼成炉を用いてセラミック成
形体を焼成する場合においても、通常は、図２（ａ）に
示す敷板１上や図２（ｂ）に示す匣３内に、多数のセラ
ミック成形体を堆積し、焼成炉中に配置していた。ま
た、通常、量産性を高めるために、図２（ａ）に示すよ
うに、複数枚の敷板１を積み上げ、各敷板１上に多数の
セラミック成形体（図面上では、多数のセラミック成形
体の集合体を斜線のハッチングを付した参照番号２で示
す。）を載置していた。同様に、図２（ｂ）に示す匣３
についても、図示のように複数段の匣３を積み上げて、
焼成炉内に投入することにより量産性を高めていた。
形体を焼成する場合においても、通常は、図２（ａ）に
示す敷板１上や図２（ｂ）に示す匣３内に、多数のセラ
ミック成形体を堆積し、焼成炉中に配置していた。ま
た、通常、量産性を高めるために、図２（ａ）に示すよ
うに、複数枚の敷板１を積み上げ、各敷板１上に多数の
セラミック成形体（図面上では、多数のセラミック成形
体の集合体を斜線のハッチングを付した参照番号２で示
す。）を載置していた。同様に、図２（ｂ）に示す匣３
についても、図示のように複数段の匣３を積み上げて、
焼成炉内に投入することにより量産性を高めていた。
【０００４】ところで、特別な雰囲気制御が必要なセラ
ミック成形体を焼成する場合には、上述した焼成炉内に
敷板１や匣３を配置して焼成を行っていたが、この場
合、多数のセラミック成形体間に雰囲気ガスが均一に供
給される必要がある。また、各セラミック成形体表面に
おけるガス交換が円滑に進行する必要があるため、セラ
ミック成形体間からのガスの排出も均一に行われなけれ
ばならない。そこで、敷板１を複数段積み上げた図２
（ａ）の方法では敷板１，１間を支柱４で隔てることに
より、雰囲気ガスのセラミック成形体への供給を円滑化
していた。また、図２（ｂ）の匣３を積み上げた構成で
は、各匣３の上方に、雰囲気ガスの導入を円滑化するた
めの切欠３ａが形成されていた。
ミック成形体を焼成する場合には、上述した焼成炉内に
敷板１や匣３を配置して焼成を行っていたが、この場
合、多数のセラミック成形体間に雰囲気ガスが均一に供
給される必要がある。また、各セラミック成形体表面に
おけるガス交換が円滑に進行する必要があるため、セラ
ミック成形体間からのガスの排出も均一に行われなけれ
ばならない。そこで、敷板１を複数段積み上げた図２
（ａ）の方法では敷板１，１間を支柱４で隔てることに
より、雰囲気ガスのセラミック成形体への供給を円滑化
していた。また、図２（ｂ）の匣３を積み上げた構成で
は、各匣３の上方に、雰囲気ガスの導入を円滑化するた
めの切欠３ａが形成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記敷
板１や匣３を用いた焼成方法では、敷板１，１間で形成
される空間内や匣３内への雰囲気ガスの導入こそ円滑に
行われるが、堆積されている多数のセラミック成形体の
内の個々のセラミック成形体に雰囲気ガスをむらなく行
き渡らせることは困難であった。すなわち、図３に断面
図で示すように、多数のセラミック成形体の集合体２に
おいて、導入された雰囲気ガスは該セラミック成形体の
集合体２の表面付近の部分（矢印Ａで示す部分）に位置
するセラミック成形体には円滑に供給されるが、矢印Ｂ
で示す部分に位置するセラミック成形体、すなわち集合
体２の中央下方に位置するセラミック成形体には十分に
行き渡り難かった。
板１や匣３を用いた焼成方法では、敷板１，１間で形成
される空間内や匣３内への雰囲気ガスの導入こそ円滑に
行われるが、堆積されている多数のセラミック成形体の
内の個々のセラミック成形体に雰囲気ガスをむらなく行
き渡らせることは困難であった。すなわち、図３に断面
図で示すように、多数のセラミック成形体の集合体２に
おいて、導入された雰囲気ガスは該セラミック成形体の
集合体２の表面付近の部分（矢印Ａで示す部分）に位置
するセラミック成形体には円滑に供給されるが、矢印Ｂ
で示す部分に位置するセラミック成形体、すなわち集合
体２の中央下方に位置するセラミック成形体には十分に
行き渡り難かった。
【０００６】また、集合体２内の各セラミック成形体の
表面でガス交換された後のガスの排出も均一には行われ
難かった。すなわち、矢印Ａで示す集合体２の表面近傍
部分に位置するセラミック成形体間からはガスが円滑に
排出されるのに対し、矢印Ｂで示す部分に位置するセラ
ミック成形体間からのガスの排出速度はかなり遅くなら
ざるを得なかった。上記のように、上述した敷板１や匣
３を用いた従来の焼成方法では、堆積されているセラミ
ック成形体の集合体２の表面付近に位置したセラミック
成形体と内部に位置していたセラミック成形体との間で
与えられる雰囲気に差が生じていた。その結果、焼結不
十分な焼結体、空孔の残留した焼結体及び電気的な特性
が劣化した焼結体が生じがちであった。
表面でガス交換された後のガスの排出も均一には行われ
難かった。すなわち、矢印Ａで示す集合体２の表面近傍
部分に位置するセラミック成形体間からはガスが円滑に
排出されるのに対し、矢印Ｂで示す部分に位置するセラ
ミック成形体間からのガスの排出速度はかなり遅くなら
ざるを得なかった。上記のように、上述した敷板１や匣
３を用いた従来の焼成方法では、堆積されているセラミ
ック成形体の集合体２の表面付近に位置したセラミック
成形体と内部に位置していたセラミック成形体との間で
与えられる雰囲気に差が生じていた。その結果、焼結不
十分な焼結体、空孔の残留した焼結体及び電気的な特性
が劣化した焼結体が生じがちであった。
【０００７】本発明の目的は、雰囲気制御が必要なセラ
ミック成形体を焼成するに際し、供給される雰囲気ガス
が多数のセラミック成形体の表面に均一に供給され、か
つ各セラミック成形体間に供給された雰囲気ガスが滞留
することなく均一な速度で排出されることを可能とす
る、セラミック成形体の焼成方法及び焼成装置を提供す
ることにある。
ミック成形体を焼成するに際し、供給される雰囲気ガス
が多数のセラミック成形体の表面に均一に供給され、か
つ各セラミック成形体間に供給された雰囲気ガスが滞留
することなく均一な速度で排出されることを可能とす
る、セラミック成形体の焼成方法及び焼成装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１に記載の
発明は、多数のセラミック成形体を収納してなる匣を焼
成炉内に配置して該セラミック成形体を焼成する方法に
おいて、前記匣として、堆積されている多数のセラミッ
ク成形体に接している内壁部分に雰囲気ガス導入口が設
けられた匣を用い、前記雰囲気ガス導入口から雰囲気ガ
スを匣内に導入しつつセラミック成形体の焼成を行うこ
とを特徴とするセラミック成形体の焼成方法である。
発明は、多数のセラミック成形体を収納してなる匣を焼
成炉内に配置して該セラミック成形体を焼成する方法に
おいて、前記匣として、堆積されている多数のセラミッ
ク成形体に接している内壁部分に雰囲気ガス導入口が設
けられた匣を用い、前記雰囲気ガス導入口から雰囲気ガ
スを匣内に導入しつつセラミック成形体の焼成を行うこ
とを特徴とするセラミック成形体の焼成方法である。
【０００９】また、請求項２に記載の発明のセラミック
成形体の焼成装置は、内部にセラミック成形体を焼成す
るための焼成空間を有する焼成炉と、前記焼成炉の焼成
空間内に配置されており、かつ多数のセラミック成形体
を収納するための匣とを備え、前記匣が、内部に堆積さ
れている多数のセラミック成形体に接している内壁部分
に雰囲気ガス導入口が設けられたものであることを特徴
とする、焼成装置である。
成形体の焼成装置は、内部にセラミック成形体を焼成す
るための焼成空間を有する焼成炉と、前記焼成炉の焼成
空間内に配置されており、かつ多数のセラミック成形体
を収納するための匣とを備え、前記匣が、内部に堆積さ
れている多数のセラミック成形体に接している内壁部分
に雰囲気ガス導入口が設けられたものであることを特徴
とする、焼成装置である。
【００１０】
【作用】本願の請求項１，２に記載の発明の焼成方法及
び焼成装置では、雰囲気ガスが、匣の雰囲気ガス導入口
から供給される。そして、雰囲気ガス導入口が、堆積さ
れている多数のセラミック成形体に接している内壁部分
に設けられているため、導入された雰囲気ガスが多数の
セラミック成形体の集合体内に直接供給され、該集合体
内の各セラミック成形体内の空間が雰囲気ガスの経路と
なる。その結果、多数のセラミック成形体の集合体内の
各セラミック成形体表面にムラなく雰囲気ガスが供給さ
れ、かつセラミック成形体表面におけるガス交換が円滑
に進行し、従って効率的にガスがセラミック成形体の集
合体から排出される。また、匣に上記雰囲気ガス導入口
が設けられており、該雰囲気ガス導入口から直接セラミ
ック成形体の集合体に雰囲気ガスを供給するものである
ため、焼成炉全体に雰囲気ガスを導入する必要がない。
すなわち、焼成炉の焼成空間全体を雰囲気制御する必要
がないため、雰囲気ガスの使用量を節約することができ
る。
び焼成装置では、雰囲気ガスが、匣の雰囲気ガス導入口
から供給される。そして、雰囲気ガス導入口が、堆積さ
れている多数のセラミック成形体に接している内壁部分
に設けられているため、導入された雰囲気ガスが多数の
セラミック成形体の集合体内に直接供給され、該集合体
内の各セラミック成形体内の空間が雰囲気ガスの経路と
なる。その結果、多数のセラミック成形体の集合体内の
各セラミック成形体表面にムラなく雰囲気ガスが供給さ
れ、かつセラミック成形体表面におけるガス交換が円滑
に進行し、従って効率的にガスがセラミック成形体の集
合体から排出される。また、匣に上記雰囲気ガス導入口
が設けられており、該雰囲気ガス導入口から直接セラミ
ック成形体の集合体に雰囲気ガスを供給するものである
ため、焼成炉全体に雰囲気ガスを導入する必要がない。
すなわち、焼成炉の焼成空間全体を雰囲気制御する必要
がないため、雰囲気ガスの使用量を節約することができ
る。
【００１１】
【実施例の説明】図４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一
実施例の焼成装置に用いられる匣を示す断面図及び下方
から見た斜視図である。匣１１は、上方に開孔１１ａを
有する角筒状の容器本体１２を有する。容器本体１２の
下方には、底面１２ａに開いた雰囲気ガス導入口１３ａ
を有するように雰囲気ガス導入筒１３が設けられてい
る。また、雰囲気ガス導入口１３ａの容器本体１２の底
面１２ａに臨む部分には、多数のガス導入経路を構成す
るための貫通孔１４ａが形成された目皿１４が配置され
ている。
実施例の焼成装置に用いられる匣を示す断面図及び下方
から見た斜視図である。匣１１は、上方に開孔１１ａを
有する角筒状の容器本体１２を有する。容器本体１２の
下方には、底面１２ａに開いた雰囲気ガス導入口１３ａ
を有するように雰囲気ガス導入筒１３が設けられてい
る。また、雰囲気ガス導入口１３ａの容器本体１２の底
面１２ａに臨む部分には、多数のガス導入経路を構成す
るための貫通孔１４ａが形成された目皿１４が配置され
ている。
【００１２】次に、上記匣１１を用いた焼成方法を図１
を参照して説明する。焼成に際しては、上記匣１１内
に、多数のセラミック成形体を収納する。図１では、こ
の多数のセラミック成形体が匣１１内に収納されてお
り、その堆積されているセラミック成形体の上縁が略図
的に実線Ｘで示されている。すなわち、実線Ｘより下方
に、多数のセラミック成形体が収納されており、図５に
拡大して示すように、多数のセラミック成形体１６が無
秩序に配列されている。 次に、上述のように多数のセ
ラミック成形体１６を収納した匣１１を図１に示すバッ
チ式の焼成炉１７内の焼成空間１８に配置する。焼成炉
１７では、下面に雰囲気ガスを導入するための導入流路
１７ａが形成されており、該導入流路１７ａに焼成用容
器１１の雰囲気ガス導入筒１３が連結されており、それ
によって雰囲気ガスが矢印Ｙで示す方向に供給されるよ
うに構成されている。なお、１９はヒータを示し、焼成
空間１８内を昇温するために設けられている。
を参照して説明する。焼成に際しては、上記匣１１内
に、多数のセラミック成形体を収納する。図１では、こ
の多数のセラミック成形体が匣１１内に収納されてお
り、その堆積されているセラミック成形体の上縁が略図
的に実線Ｘで示されている。すなわち、実線Ｘより下方
に、多数のセラミック成形体が収納されており、図５に
拡大して示すように、多数のセラミック成形体１６が無
秩序に配列されている。 次に、上述のように多数のセ
ラミック成形体１６を収納した匣１１を図１に示すバッ
チ式の焼成炉１７内の焼成空間１８に配置する。焼成炉
１７では、下面に雰囲気ガスを導入するための導入流路
１７ａが形成されており、該導入流路１７ａに焼成用容
器１１の雰囲気ガス導入筒１３が連結されており、それ
によって雰囲気ガスが矢印Ｙで示す方向に供給されるよ
うに構成されている。なお、１９はヒータを示し、焼成
空間１８内を昇温するために設けられている。
【００１３】焼成に際しては、矢印Ｙ方向に雰囲気ガス
を導入しつつ、ヒータ１９により焼成空間１８内を昇温
する。その結果、雰囲気ガスは、目皿１４の貫通孔１４
ａを介して多数のセラミック成形体の集合体内に供給さ
れ、該セラミック成形体の集合体内では多数のランダム
な方向を向いた矢印Ｚで示すように雰囲気ガスが供給さ
れる。すなわち、多数のセラミック成形体間の不規則な
形状の空間を通って雰囲気ガスが供給されることにな
る。このように、堆積されている多数のセラミック成形
体の下方中央から雰囲気ガスが導入されて、上記のよう
に各セラミック成形体内の空間を経由して雰囲気ガスが
上方に移動するため、堆積されているすべてのセラミッ
ク成形体表面に円滑に雰囲気ガスを供給することができ
る。しかも、供給された雰囲気ガスは、各セラミック成
形体表面でガス交換にさらされ、上方に円滑に排出され
ていく。
を導入しつつ、ヒータ１９により焼成空間１８内を昇温
する。その結果、雰囲気ガスは、目皿１４の貫通孔１４
ａを介して多数のセラミック成形体の集合体内に供給さ
れ、該セラミック成形体の集合体内では多数のランダム
な方向を向いた矢印Ｚで示すように雰囲気ガスが供給さ
れる。すなわち、多数のセラミック成形体間の不規則な
形状の空間を通って雰囲気ガスが供給されることにな
る。このように、堆積されている多数のセラミック成形
体の下方中央から雰囲気ガスが導入されて、上記のよう
に各セラミック成形体内の空間を経由して雰囲気ガスが
上方に移動するため、堆積されているすべてのセラミッ
ク成形体表面に円滑に雰囲気ガスを供給することができ
る。しかも、供給された雰囲気ガスは、各セラミック成
形体表面でガス交換にさらされ、上方に円滑に排出され
ていく。
【００１４】なお、上記実施例では、匣１１の容器本体
１２及び雰囲気ガス導入筒１３は、それぞれ角筒状及び
円筒状に形成されていたが、容器本体１２は円筒状等の
他の形状に形成されていてよく、雰囲気ガス導入筒１３
についても角筒状等の他の形状に構成してもよい。ま
た、目皿１４は、供給される雰囲気ガスを、より多方向
に供給するために、並びに堆積されるセラミック成形体
の雰囲気ガス導入筒１３内への落下を防止するために設
けられているが、使用するセラミック成形体の種類や材
質並びに雰囲気ガス導入筒１３の内径によっては、目皿
１４を省略してもよい。
１２及び雰囲気ガス導入筒１３は、それぞれ角筒状及び
円筒状に形成されていたが、容器本体１２は円筒状等の
他の形状に形成されていてよく、雰囲気ガス導入筒１３
についても角筒状等の他の形状に構成してもよい。ま
た、目皿１４は、供給される雰囲気ガスを、より多方向
に供給するために、並びに堆積されるセラミック成形体
の雰囲気ガス導入筒１３内への落下を防止するために設
けられているが、使用するセラミック成形体の種類や材
質並びに雰囲気ガス導入筒１３の内径によっては、目皿
１４を省略してもよい。
【００１５】次に、上記実施例を２×１．２５×０．７
ｍｍの寸法の、１０００ｐＦの容量のセラミック積層コ
ンデンサの製造方法に適用した具体的な実験例を説明す
る。まず、セラミック成形体として、ＢａＴｉＯ3 を主
成分とした材料からなるものを多数用意した。そして、
図１に示した焼成装置を用い、雰囲気ガスとして空気を
０．２リットル／分の速度で雰囲気ガス導入筒１３から
導入し、焼成温度１３０℃×焼成時間２時間で焼成し、
多数の積層コンデンサを得た。なお、使用した焼成装置
における雰囲気ガス導入筒１３の大きさは、内径が１０
ｍｍのものである。
ｍｍの寸法の、１０００ｐＦの容量のセラミック積層コ
ンデンサの製造方法に適用した具体的な実験例を説明す
る。まず、セラミック成形体として、ＢａＴｉＯ3 を主
成分とした材料からなるものを多数用意した。そして、
図１に示した焼成装置を用い、雰囲気ガスとして空気を
０．２リットル／分の速度で雰囲気ガス導入筒１３から
導入し、焼成温度１３０℃×焼成時間２時間で焼成し、
多数の積層コンデンサを得た。なお、使用した焼成装置
における雰囲気ガス導入筒１３の大きさは、内径が１０
ｍｍのものである。
【００１６】比較のために、図２（ａ）に示した敷板１
を用い、実施例と同様にして用意された多数のセラミッ
ク成形体を焼成した。用いた敷板の寸法は、長さ７０ｍ
ｍ×幅１５０ｍｍ×厚さ５ｍｍであった。また、雰囲気
ガスの導入はバッチ式の焼成炉の焼成空間内に空気を
２．５リットル／分の速度で導入することにより行っ
た。
を用い、実施例と同様にして用意された多数のセラミッ
ク成形体を焼成した。用いた敷板の寸法は、長さ７０ｍ
ｍ×幅１５０ｍｍ×厚さ５ｍｍであった。また、雰囲気
ガスの導入はバッチ式の焼成炉の焼成空間内に空気を
２．５リットル／分の速度で導入することにより行っ
た。
【００１７】上記のように実施例及び従来例の焼成方法
に従って得られた多数の積層コンデンサのうち各１００
個を取り出し、容量ばらつきを測定した。その結果、従
来法により得られた積層コンデンサでは容量ばらつきが
４．０ＣＶ／％であるのに対し、実施例で得られた積層
コンデンサでは２．５ＣＶ／％と容量ばらつきがかなり
低減されていることがわかった。従って、実施例の焼成
方法により、雰囲気ガスが多数のセラミック成形体間に
均一に導入され、かつ均一な速度で排出されていると考
えられる。また、上記寸法の雰囲気ガス導入筒を用いた
実施例の焼成方法及び上記寸法の敷板を用いた従来の焼
成方法を比較した場合、焼成に使用し得るセラミック成
形体の数は、実施例では従来法に比べて７倍と、かなり
多くのセラミック成形体を一度に焼成し得ることも確か
められた。
に従って得られた多数の積層コンデンサのうち各１００
個を取り出し、容量ばらつきを測定した。その結果、従
来法により得られた積層コンデンサでは容量ばらつきが
４．０ＣＶ／％であるのに対し、実施例で得られた積層
コンデンサでは２．５ＣＶ／％と容量ばらつきがかなり
低減されていることがわかった。従って、実施例の焼成
方法により、雰囲気ガスが多数のセラミック成形体間に
均一に導入され、かつ均一な速度で排出されていると考
えられる。また、上記寸法の雰囲気ガス導入筒を用いた
実施例の焼成方法及び上記寸法の敷板を用いた従来の焼
成方法を比較した場合、焼成に使用し得るセラミック成
形体の数は、実施例では従来法に比べて７倍と、かなり
多くのセラミック成形体を一度に焼成し得ることも確か
められた。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、匣の内
壁であって、堆積されている多数のセラミック成形体に
接している部分に雰囲気ガス導入口が設けられており、
堆積されている多数のセラミック成形体の各セラミック
成形体間に雰囲気ガス導入口から雰囲気ガスが直接的に
供給されるため、雰囲気ガスが各セラミック成形体表面
にむらなく供給され、かつセラミック成形体表面でガス
交換された後、円滑に排出される。よって、多数のセラ
ミック成形体を確実にかつばらつきなく焼成することが
可能となり、焼結不良や電子部品として使用した場合の
電気的な特性の劣化等の発生を効果的に防止することが
できる。
壁であって、堆積されている多数のセラミック成形体に
接している部分に雰囲気ガス導入口が設けられており、
堆積されている多数のセラミック成形体の各セラミック
成形体間に雰囲気ガス導入口から雰囲気ガスが直接的に
供給されるため、雰囲気ガスが各セラミック成形体表面
にむらなく供給され、かつセラミック成形体表面でガス
交換された後、円滑に排出される。よって、多数のセラ
ミック成形体を確実にかつばらつきなく焼成することが
可能となり、焼結不良や電子部品として使用した場合の
電気的な特性の劣化等の発生を効果的に防止することが
できる。
【００１９】また、本発明の焼成方法及び焼成装置で
は、雰囲気ガスは焼成空間内に配置された匣内にのみ供
給すればよいため、焼成雰囲気の制御が容易かつ確実に
行われると共に、雰囲気ガスの使用量を大幅に節約する
ことができる。従って、セラミック焼結体のコストの低
減も図り得る。さらに、上記のように堆積されている多
数のセラミック成形体間に雰囲気ガスを均一に供給する
ことができるため、より多くのセラミック成形体を匣内
により高密度に充填して焼成することができ、セラミッ
ク成形体の焼成効率を高めることも可能となる。本発明
は焼成雰囲気を制御する必要があるセラミック成形体の
焼成方法一般に好適に適用することができる。
は、雰囲気ガスは焼成空間内に配置された匣内にのみ供
給すればよいため、焼成雰囲気の制御が容易かつ確実に
行われると共に、雰囲気ガスの使用量を大幅に節約する
ことができる。従って、セラミック焼結体のコストの低
減も図り得る。さらに、上記のように堆積されている多
数のセラミック成形体間に雰囲気ガスを均一に供給する
ことができるため、より多くのセラミック成形体を匣内
により高密度に充填して焼成することができ、セラミッ
ク成形体の焼成効率を高めることも可能となる。本発明
は焼成雰囲気を制御する必要があるセラミック成形体の
焼成方法一般に好適に適用することができる。
【図１】本発明の一実施例の焼成装置及び焼成方法を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図２】（ａ）は従来の焼成方法で用いられていた敷板
を説明するための斜視図、（ｂ）は従来法で用いられて
いた匣を説明するための斜視図。
を説明するための斜視図、（ｂ）は従来法で用いられて
いた匣を説明するための斜視図。
【図３】従来法における問題点を説明するための断面
図。
図。
【図４】（ａ）は実施例で用いられる匣の縦断面図、
（ｂ）は匣を下方から見た斜視図。
（ｂ）は匣を下方から見た斜視図。
【図５】堆積されているセラミック成形体を拡大して示
す斜視図。
す斜視図。
１１…匣 １３…雰囲気ガス導入筒 １３ａ…雰囲気ガス導入口 １７…焼成炉 １８…焼成空間 Ｘ…堆積されているセラミック成形体の上縁を示す実線
Claims (2)
- 【請求項１】 多数のセラミック成形体を収納してなる
匣を焼成炉内に配置して上記セラミック成形体を焼成す
る方法において、 前記匣として、内部に堆積されている多数のセラミック
成形体に接している内壁部分に雰囲気ガス導入口が設け
られた匣を用い、 前記雰囲気ガス導入口から雰囲気ガスを匣内に導入しつ
つセラミック成形体の焼成を行うことを特徴とする、セ
ラミック成形体の焼成方法。 - 【請求項２】 セラミック成形体を焼成するための焼成
装置であって、 内部にセラミック成形体を焼成するための焼成空間を有
する焼成炉と、 前記焼成炉の焼成空間内に配置されており、かつ多数の
セラミック成形体を内部に収納するための匣とを備え、 前記匣には、内部に堆積されている多数のセラミック成
形体が接している内壁部分に雰囲気ガス導入口が設けら
れていることを特徴とする、焼成装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3199430A JP2601069B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | セラミック成形体の焼成方法及び焼成装置 |
| US07/926,716 US5312574A (en) | 1991-08-08 | 1992-08-07 | Method for sintering ceramic formed bodies |
| US08/180,206 US5429497A (en) | 1991-08-08 | 1994-01-11 | Apparatus for sintering ceramic formed bodies |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3199430A JP2601069B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | セラミック成形体の焼成方法及び焼成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0543335A true JPH0543335A (ja) | 1993-02-23 |
| JP2601069B2 JP2601069B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=16407688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3199430A Expired - Fee Related JP2601069B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | セラミック成形体の焼成方法及び焼成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5312574A (ja) |
| JP (1) | JP2601069B2 (ja) |
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| WO2013003757A2 (en) | 2011-06-30 | 2013-01-03 | The Spectranetics Corporation | Reentry catheter and method thereof |
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|---|---|---|---|---|
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| US1573453A (en) * | 1923-05-18 | 1926-02-16 | Frank Spiekerman | Drier |
| US3111397A (en) * | 1960-12-12 | 1963-11-19 | Arbed | Method of producing dense refractory blocks having large dimensions |
| NL273415A (ja) * | 1962-01-10 | |||
| US3615082A (en) * | 1969-09-02 | 1971-10-26 | Btu Eng Corp | Furnace muffle |
| DE2707953C2 (de) * | 1977-02-24 | 1986-12-11 | Hugo Dipl.-Phys. Dr. 5757 Wickede Balster | Hochtemperaturrost |
| US4246215A (en) * | 1979-06-06 | 1981-01-20 | General Electric Company | Method for firing low density graphite/alumina compacts and cores |
| JPS5857481B2 (ja) * | 1981-10-24 | 1983-12-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱間静水圧成形方法および装置 |
| US4767582A (en) * | 1986-12-19 | 1988-08-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing voltage nonlinear resistance elements |
| CA2037765C (en) * | 1990-03-12 | 1995-02-07 | Hideki Shimizu | Process for producing oxide superconductive material by firing and apparatus therefor |
-
1991
- 1991-08-08 JP JP3199430A patent/JP2601069B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-08-07 US US07/926,716 patent/US5312574A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-01-11 US US08/180,206 patent/US5429497A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2601069B2 (ja) | 1997-04-16 |
| US5312574A (en) | 1994-05-17 |
| US5429497A (en) | 1995-07-04 |
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