JPH0543429Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、例えばＸ線撮影装置等、二次元放射
線画像を得るための装置に利用することのでき
る、放射線検出器に関する。

〈従来の技術〉 一般に、上述の放射線検出器においては、複数
個の放射線検出素子、およびその各検出素子から
の信号を処理するための信号処理回路を、例えば
基板等にどのように実装するかが一つの課題とな
つている。

従来、その実装は、例えば第４図に示すよう
に、複数個の放射線検出素子、およびその検出素
子の個数に応じた信号処理回路を、それぞれ一枚
のチツプ内に設けて検出素子チツプD₄および処
理回路チツプC₄を形成し、この検出素子チツプ
D₄および処理回路チツプC₄を、基板４１の一面
上に搭載するとともに、基板４１の表面上に形成
された配線パターンによつて検出素子チツプD₄
の各検出素子と処理回路チツプC₄の信号処理回
路とを接続する方法が採られている。そして、こ
のように構成された放射線検出器B₄を、第５図
に示すように、順次積層することによつて、大面
積を有する二次元放射線検出器アレイを形成して
いた。

〈考案が解決しようとする課題〉 ところで、上述の実装方法によれば、一枚の検
出素子チツプD₄に形成する放射線検出素子の個
数が多くなるにつれ、基板４１の配線パターンの
密集度が高くなり、各放射線検出素子および各信
号処理回路を、それぞれ該当する配線パターンに
接続することが困難になるばかりでなく、処理回
路チツプC₄内の信号処理回路の集積度も高くな
り、処理回路チツプC₄の製造も困難になるとと
もに、処理回路チツプC₄内の各信号処理回路の
信頼性も低下する等の理由から、一枚の検出素子
チツプD₄にあまり多くの放射線検出素子を設け
ることができないという問題があつた。

本考案の目的は、基板上の配線パターンの密集
度および処理回路チツプ内の信号処理回路の集積
度を高くすることなく、検出素子チツプに配列す
る放射線検出素子の個数の増加を図ることのでき
る、放射線検出器を提供することにある。

〈課題を解決するための手段〉 上記の目的を達成するための構成を、実施例に
対応する第１図を参照しつつ説明すると、本考案
は、基板１上に、放射線検出素子が複数個配列さ
れた一枚の検出素子チツプD₁を配設するととも
に、複数個の信号処理回路が形成された少なくと
も二枚の処理回路チツプC₁₁およびC₁₂を配設す
る。そして、検出素子チツプD₁の各放射線検出
素子からの複数の配線を、所定本数ごとに各処理
回路チツプC₁₁，C₁₂に振り分けて、それぞれの処
理回路チツプC₁₁，C₁₂の信号処理回路に接続す
る。

〈作用〉 一枚の検出素子チツプD₁に対して二枚の処理
回路チツプC₁₁およびC₁₂を設けることにより、各
処理回路チツプC₁₁，C₁₂内の信号処理回路の集積
度を、一枚の処理回路チツプを設けた場合に対し
て低くすることが可能になるとともに、検出素子
チツプD₁の各放射線検出素子からの複数の配線
を二方向に分散することができ、その配線の密集
度を緩和することも可能になる。

〈実施例〉 本考案の実施例を、以下、図面に基づいて説明
する。

第１図は本考案実施例の側面図である。

基板１上に、複数個の放射線検出素子（図示せ
ず）が配列された検出素子チツプD₁が配設され
ており、検出素子チツプD₁の側方両側近傍の基
板１上には、それぞれ処理回路チツプC₁₁および
C₁₂が配設されている。

各処理回路チツプC₁₁，C₁₂内には、それぞれ検
出素子チツプD₁の放射線検出素子の半数に相当
する個数の信号処理回路（図示せず）が一列に互
いに隣接して形成されている。

検出素子チツプD₁の複数個の放射線検出素子
のうち半数は、処理回路チツプC₁₁内の該当する
信号処理回路に、また、他の半数の処理回路チツ
プC₁₂内の該当する信号処理回路に、それぞれ基
板１表面上に形成された配線パターンおよび接続
ワイヤ（共に図示せず）等によつて電気的に接続
されており、検出素子チツプD₁の各放射線検出
素子からの信号は、図中二点鎖で示すように、処
理回路チツプC₁₁またはC₁₂内の信号処理回路を経
て出力される。

以上のように構成された放射線検出器B₁複数
個を順次積層して、第２図に示すような大面積を
有する二次元放射線検出器アレイを形成すること
ができる。なお、各検出素子チツプD₁は、それ
ぞれ回路処理チツプC₁₁および基板１によつて覆
われているが、Ｘ線等の放射線は処理回路チツプ
C₁₁および基板１上を通過して検出素子チツプD₁
に入射する。

ここで、本実施例においては、一つの検出素子
チツプD₁に対して二枚の処理回路チツプC₁₁およ
びC₁₂を設けたので、例えば従来と同じ面積を有
する検出素子チツプD₁に、従来と同じ個数の放
射線検出素子を形成した場合には、各処理回路チ
ツプC₁₁，C₁₂それぞれの信号処理回路の集積度
を、従来のように、一枚の検出素子チツプに一枚
の処理回路チツプを設けた場合に対し、半分にす
ることが可能になり、各処理回路チツプC₁₁，C₁₂
内の信号処理回路の信頼性の向上を図ることがで
きるとともに、基板１上の配線パターンのピツチ
も従来に比して広くすることができる。また、検
出素子チツプD₁の放射線検出素子の個数を例え
ば従来の２倍にした場合でも、各処理回路チツプ
C₁₁，C₁₂の信号処理回路の集積度および配線パタ
ーンの密集度を従来と同じ程度に止留めることが
できる。

なお、本実施例では、二枚の処理回路チツプ
C₁₁およびC₁₂を基板１の同じ面側に配設している
が、本考案はこれに限られることなく、例えば第
３図に示すように、二枚の処理回路チツプC₁₁お
よびC₁₂のうちの一方の処理回路チツプC₁₂を、基
板３１の反対側の面に配設してもよく、この場
合、第２図に示すような放射線検出器アレイを形
成した際に、Ｘ線等の放射線が処理回路チツプ
C₁₁を通過することなく検出素子チツプD₁に入射
するので、処理回路チツプC₁₁が放射線による悪
影響を受ける虞れがなくなる。

また、以上の本実施例では、一枚の検出素子チ
ツプD₁に対して二枚の処理回路チツプC₁₁および
C₁₂を設けた場合について説明したが、一枚の検
出素子チツプD₁に対して三枚以上の処理回路チ
ツプを設けてもよい。

〈考案の効果〉 以上説明したように、本考案によれば、放射線
検出素子が複数個配列された一枚の検出素子チツ
プに対して、その放射線検出素子からの信号を処
理するための信号処理回路が形成された少なくと
も二枚の処理回路チツプを設けたから、各処理回
路チツプ内での信号処理回路の集積度、および検
出素子チツプの各放射線検出素子からの配線の密
集度を、従来に比して低くすることが可能にな
り、各処理回路チツプの製造、および検出素子チ
ツプと処理回路チツプとのコンタクトが従来より
も容易になるとともに、各処理回路チツプ内の信
号処理回路の信頼性も高くなる。

また、検出素子チツプの放射線検出素子の個数
を多くした場合でも、処理回路チツプの個数を多
くすることにより、処理回路チツプ内での信号処
理回路の集積度が高くなることを抑えることがで
きる。従つて、一枚の検出素子チツプにおける単
位面積当りの画素数の増加を図ることができ、解
像力が従来に比して高い二次元放射線検出器アレ
イを形成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案実施例の側面図、第２図はその
実施例を複数個積層して形成した二次元放射線検
出器アレイの側面図、第３図は本考案の他の実施
例の側面図、第４図は放射線検出器の従来例の側
面図、第５図は二次元放射線検出器アレイの従来
例の側面図である。 １……基板、C₁₁，C₁₂……処理回路チツプ、
D₁……検出素子チツプ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板上に、放射線検出素子が複数個配列された
   一枚の検出素子チツプを配設するとともに、信号
   処理回路が複数個形成された少なくとも二枚の処
   理回路チツプを配設し、上記各放射線検出素子か
   らの複数の配線を、所定本数ごとに上記各処理回
   路チツプに振り分けて、それぞれの処理回路チツ
   プの信号処理回路に接続してなる、放射線検出
   器。