JPH0544021A - 真空蒸着用ｋセル - Google Patents
真空蒸着用ｋセルInfo
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- JPH0544021A JPH0544021A JP3226423A JP22642391A JPH0544021A JP H0544021 A JPH0544021 A JP H0544021A JP 3226423 A JP3226423 A JP 3226423A JP 22642391 A JP22642391 A JP 22642391A JP H0544021 A JPH0544021 A JP H0544021A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度勾配が小さく、低温領域での制御性に優
れ、かつ、蒸着中のｋセル内の状態が直接観察できる真
空蒸着用ｋセルを提供する。 【構成】 本発明の真空蒸着用ｋセルは透明るつぼとそ
の透明るつぼの外壁面上又はその外壁面に近接して設置
された透明ヒーターとを備えた構成を有している。
れ、かつ、蒸着中のｋセル内の状態が直接観察できる真
空蒸着用ｋセルを提供する。 【構成】 本発明の真空蒸着用ｋセルは透明るつぼとそ
の透明るつぼの外壁面上又はその外壁面に近接して設置
された透明ヒーターとを備えた構成を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明の真空蒸着用ｋセルは、化
学物質の蒸着作業において、真空中で化学物質を加熱し
て蒸発または昇華させるために使用されるものである。
学物質の蒸着作業において、真空中で化学物質を加熱し
て蒸発または昇華させるために使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】化学物質の蒸着作業において、化学物質
を加熱して蒸発または昇華させるために各種のｋセルが
提案されている。代表的な構造を図１に示す。従来のｋ
セルは、６００℃以上の高温で無機化合物の蒸着を行う
目的で設計されているため、るつぼにはアルミナやＰＢ
Ｎが使用されている。また、ヒーターは高温使用に適す
る構造とするため、タンタル等を材料とする巻線ヒータ
ーが使用されている。この種のｋセルでは、高温使用時
の温度制御性が良くなるようにヒーターの巻線抵抗や巻
線間隔が設計されているため、４００℃以下の低温領域
で使用しようとすると通電電流が小さくなって温度制御
性が劣る。このため、低沸点・低昇華点の化学物質の蒸
着作業にはむかないという欠点がある。また、低温使用
時には、ヒーター巻線間隔に応じた温度勾配や、ヒータ
ーの巻むらが原因の温度勾配ができやすいという欠点が
ある。
を加熱して蒸発または昇華させるために各種のｋセルが
提案されている。代表的な構造を図１に示す。従来のｋ
セルは、６００℃以上の高温で無機化合物の蒸着を行う
目的で設計されているため、るつぼにはアルミナやＰＢ
Ｎが使用されている。また、ヒーターは高温使用に適す
る構造とするため、タンタル等を材料とする巻線ヒータ
ーが使用されている。この種のｋセルでは、高温使用時
の温度制御性が良くなるようにヒーターの巻線抵抗や巻
線間隔が設計されているため、４００℃以下の低温領域
で使用しようとすると通電電流が小さくなって温度制御
性が劣る。このため、低沸点・低昇華点の化学物質の蒸
着作業にはむかないという欠点がある。また、低温使用
時には、ヒーター巻線間隔に応じた温度勾配や、ヒータ
ーの巻むらが原因の温度勾配ができやすいという欠点が
ある。
【０００３】近年の有機非線形光学材料の研究開発の進
展にともない、有機化合物を蒸着して薄膜化する機会が
多くなってきた。有機化合物は、無機化合物に比べて蒸
気圧が高い、昇華温度や蒸発温度が低い等の特徴を有す
るため、比較的低温領域（１００〜４００℃）で蒸着作
業を行っている。例えば、大きな３次非線形光学定数が
報告されているバナジルフタロシアニン（ＶＯＰｃ）は
最も高温で蒸着作業を行う有機化合物の一つであるが
〔和田、有機エレクトロニクス材料研究会第３５回研究
会講演要旨集２２−２９（１９８９）〕、その蒸着温度
は４００℃程度である。このため、従来の無機化合物用
ｋセルを有機化合物の蒸着に適用すると、温度制御性に
劣るため蒸着速度が安定しない、突沸しやすい、一度蒸
発した蒸着物質がｋセルの出口付近の低温部に再結晶し
て付着しやすい等の問題が発生することが多かった。
展にともない、有機化合物を蒸着して薄膜化する機会が
多くなってきた。有機化合物は、無機化合物に比べて蒸
気圧が高い、昇華温度や蒸発温度が低い等の特徴を有す
るため、比較的低温領域（１００〜４００℃）で蒸着作
業を行っている。例えば、大きな３次非線形光学定数が
報告されているバナジルフタロシアニン（ＶＯＰｃ）は
最も高温で蒸着作業を行う有機化合物の一つであるが
〔和田、有機エレクトロニクス材料研究会第３５回研究
会講演要旨集２２−２９（１９８９）〕、その蒸着温度
は４００℃程度である。このため、従来の無機化合物用
ｋセルを有機化合物の蒸着に適用すると、温度制御性に
劣るため蒸着速度が安定しない、突沸しやすい、一度蒸
発した蒸着物質がｋセルの出口付近の低温部に再結晶し
て付着しやすい等の問題が発生することが多かった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】蒸着中にｋセル内の蒸
着試料の飛散状態や残量を観察できれば蒸着の作業効率
が大幅に改善されるが、従来のｋセルは不透明で使用中
に内部の状態を観察できないため、ｋセル内部の状態は
温度変化や真空度の変化から推定するほかない。蒸着物
質の残存量やｋセル付近の付着状況をモニターできる透
明ｋセルがあれば蒸着作業の効率が大きく改善される。
着試料の飛散状態や残量を観察できれば蒸着の作業効率
が大幅に改善されるが、従来のｋセルは不透明で使用中
に内部の状態を観察できないため、ｋセル内部の状態は
温度変化や真空度の変化から推定するほかない。蒸着物
質の残存量やｋセル付近の付着状況をモニターできる透
明ｋセルがあれば蒸着作業の効率が大きく改善される。
【０００５】本発明の目的は、上記欠点を解決できるｋ
セル、すなわち、温度勾配が小さく、低温領域での制御
性に優れ、かつ、蒸着中のｋセル内の状態が直接観察で
きる真空蒸着用ｋセルを提供することである。
セル、すなわち、温度勾配が小さく、低温領域での制御
性に優れ、かつ、蒸着中のｋセル内の状態が直接観察で
きる真空蒸着用ｋセルを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記目的を
達成するために、真空蒸着用ｋセルを透明るつぼと透明
ヒーターで構成した。
達成するために、真空蒸着用ｋセルを透明るつぼと透明
ヒーターで構成した。
【０００７】
【作用】従来のヒーター巻線方式の場合に問題であった
温度勾配は、ヒーターの巻線間隔や巻線むらに基づく加
熱むらが原因で生ずる。この温度勾配を小さくする方法
としては、面型のヒーターを使用することが有効であ
る。そこで、本発明の真空蒸着用ｋセルでは真空蒸着
法，スパッタ法，スプレー法，ゾルーゲル法，イオンプ
レーティング法，活性反応法等で作成した透明導電膜製
の透明ヒーターを透明坩堝と組み合わせて使用する。な
お、透明ヒーターは透明るつぼに密着させてもよいし、
別に作ってもよい。ヒーターと透明るつぼを別々に作製
する場合には、透明なヒーター支持体の中に透明坩堝を
挿入することにより行う。るつぼの側面に形成した透明
導電膜をヒーターとして使用した場合、面型のヒーター
なのでｋセル内の蒸着物質の加熱は均一に行われること
になり、温度勾配を小さくすることが可能となる。ま
た、低温領域での制御性が良好なｋセルを得るためヒー
ター抵抗値を調節する場合にも、面ヒーターの厚さを増
減することで容易に対処できる。さらに、本発明のｋセ
ルは、まつぼとヒーターが共に透明な材料であるため、
蒸着中のｋセル内の状態を直接観察することができると
いう利点を有する。本発明に使用する透明導電膜の材料
としては、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3 ），スズ（Ｓ
ｎ）をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ），フッ素を
ドープした酸化インジウム，酸化スズ（ＳｎＯ2 ），フ
ッ素をドープした酸化スズ（ＳｎＯ2 ），アンチモン
（Ｓｂ）をドープした酸化スズ（ＳｎＯ2 ），ＣｄＳｎ
Ｏ4 （ＣＴＯ）等があげられる。また、透明なｋセル坩
堝の材料としては、フリントガラス，クラウンガラス等
の光学用ガラス材料の他、石英，サファイア，硬質ガラ
ス，フッ化カルシウム等を使用することができる。な
お、必要に応じて透明ヒーターを螺旋上にパターニング
して抵抗値を大きくとることも可能であるが、面型ヒー
ターでなくなるため温度制御性が低下することは言うま
でもない。
温度勾配は、ヒーターの巻線間隔や巻線むらに基づく加
熱むらが原因で生ずる。この温度勾配を小さくする方法
としては、面型のヒーターを使用することが有効であ
る。そこで、本発明の真空蒸着用ｋセルでは真空蒸着
法，スパッタ法，スプレー法，ゾルーゲル法，イオンプ
レーティング法，活性反応法等で作成した透明導電膜製
の透明ヒーターを透明坩堝と組み合わせて使用する。な
お、透明ヒーターは透明るつぼに密着させてもよいし、
別に作ってもよい。ヒーターと透明るつぼを別々に作製
する場合には、透明なヒーター支持体の中に透明坩堝を
挿入することにより行う。るつぼの側面に形成した透明
導電膜をヒーターとして使用した場合、面型のヒーター
なのでｋセル内の蒸着物質の加熱は均一に行われること
になり、温度勾配を小さくすることが可能となる。ま
た、低温領域での制御性が良好なｋセルを得るためヒー
ター抵抗値を調節する場合にも、面ヒーターの厚さを増
減することで容易に対処できる。さらに、本発明のｋセ
ルは、まつぼとヒーターが共に透明な材料であるため、
蒸着中のｋセル内の状態を直接観察することができると
いう利点を有する。本発明に使用する透明導電膜の材料
としては、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3 ），スズ（Ｓ
ｎ）をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ），フッ素を
ドープした酸化インジウム，酸化スズ（ＳｎＯ2 ），フ
ッ素をドープした酸化スズ（ＳｎＯ2 ），アンチモン
（Ｓｂ）をドープした酸化スズ（ＳｎＯ2 ），ＣｄＳｎ
Ｏ4 （ＣＴＯ）等があげられる。また、透明なｋセル坩
堝の材料としては、フリントガラス，クラウンガラス等
の光学用ガラス材料の他、石英，サファイア，硬質ガラ
ス，フッ化カルシウム等を使用することができる。な
お、必要に応じて透明ヒーターを螺旋上にパターニング
して抵抗値を大きくとることも可能であるが、面型ヒー
ターでなくなるため温度制御性が低下することは言うま
でもない。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面により詳細に説
明する。
明する。
【０００９】（実施例１）図２は本発明の蒸着用ｋセル
を一部縦断面視した図である。透明坩堝９は石英製で内
容量が１０ｃｃである。透明ヒーター１０は、ＩＴＯを
透明坩堝９の外壁面にスパッタ法で蒸着して作製した。
透明ヒーター１０の上端，下端に各１個の電極１１，１
２を設け、電極から各１本のリード線１３，１４を取り
出している。図２に示したｋセルに銅フタロシアニンを
１ｇ充填し、１０-9torrの真空条件下に置いた。透明ヒ
ーターの二つの電極間に電流を流して銅フタロシアニン
（ＣｕＰｃ）を蒸発させた場合のｋセルの温度を、熱電
対８を用いて測定した。また、ｋセル先端から２０cmの
位置に設置した２５℃の水晶式膜厚計上に付着したＣｕ
Ｐｃの膜厚についても測定した。両測定値の経時変化を
図３に示す。ｋセルの温度を段階的に２７０，２９０，
３１０，３３０℃に設定した場合、２７０℃以上での各
２０℃の設定温度上昇に対して、ｋセル温度は約１０分
で安定な状態に達している。また、設定値に達した後
は、温度変化が±０．０５℃の範囲に入っている。膜厚
も設定温度到達後は一定速度で増加しており、蒸着物質
が均一に加熱されていることがわかる。さらに、本ｋセ
ルは加熱中も透明な状態を保っており、ＣｕＰｃの残存
量等の内部の状態を直接観察しながら実験を行うことが
できた。これに対して、従来の巻線ヒーター型ｋセルを
用いて行った同様の試験結果（図４）では、設定温度に
達して安定するまでの時間が約２５分と長く、その後も
±０．３℃程度の温度のゆらぎを示している。さらに、
設定温度を一定に保った場合にも蒸着膜厚の増加量が徐
々に小さくなっていることから、ｋセル内に温度勾配が
あって蒸着速度が経時的に変化することが推察された。
以上述べたように、石英製透明坩堝上にスパッタ法で蒸
着したＩＴＯ膜を透明ヒーターとして使用したｋセル
は、温度勾配が小さく、３３０℃付近の低温領域での制
御性に優れること、及び、蒸着中のｋセル内の状態が直
接観察可能であることがわかった。
を一部縦断面視した図である。透明坩堝９は石英製で内
容量が１０ｃｃである。透明ヒーター１０は、ＩＴＯを
透明坩堝９の外壁面にスパッタ法で蒸着して作製した。
透明ヒーター１０の上端，下端に各１個の電極１１，１
２を設け、電極から各１本のリード線１３，１４を取り
出している。図２に示したｋセルに銅フタロシアニンを
１ｇ充填し、１０-9torrの真空条件下に置いた。透明ヒ
ーターの二つの電極間に電流を流して銅フタロシアニン
（ＣｕＰｃ）を蒸発させた場合のｋセルの温度を、熱電
対８を用いて測定した。また、ｋセル先端から２０cmの
位置に設置した２５℃の水晶式膜厚計上に付着したＣｕ
Ｐｃの膜厚についても測定した。両測定値の経時変化を
図３に示す。ｋセルの温度を段階的に２７０，２９０，
３１０，３３０℃に設定した場合、２７０℃以上での各
２０℃の設定温度上昇に対して、ｋセル温度は約１０分
で安定な状態に達している。また、設定値に達した後
は、温度変化が±０．０５℃の範囲に入っている。膜厚
も設定温度到達後は一定速度で増加しており、蒸着物質
が均一に加熱されていることがわかる。さらに、本ｋセ
ルは加熱中も透明な状態を保っており、ＣｕＰｃの残存
量等の内部の状態を直接観察しながら実験を行うことが
できた。これに対して、従来の巻線ヒーター型ｋセルを
用いて行った同様の試験結果（図４）では、設定温度に
達して安定するまでの時間が約２５分と長く、その後も
±０．３℃程度の温度のゆらぎを示している。さらに、
設定温度を一定に保った場合にも蒸着膜厚の増加量が徐
々に小さくなっていることから、ｋセル内に温度勾配が
あって蒸着速度が経時的に変化することが推察された。
以上述べたように、石英製透明坩堝上にスパッタ法で蒸
着したＩＴＯ膜を透明ヒーターとして使用したｋセル
は、温度勾配が小さく、３３０℃付近の低温領域での制
御性に優れること、及び、蒸着中のｋセル内の状態が直
接観察可能であることがわかった。
【００１０】（実施例２）実施例１において、図１の透
明坩堝９をサファイア製，透明ヒーター１０をアンチモ
ン（Ｓｂ）をドープした酸化スズ（ＳｎＯ2）に変更し
て透明ｋセルを作製した。このｋセルに無水ピロメリッ
ト酸（ＰＭＤＡ）を０．５ｇ充填し、１０-7torrの真空
条件下に置いた。透明ヒーターの二つの電極間に電流を
流してＰＭＤＡを蒸発させた場合のｋセルの温度を、熱
電対により測定した。また、ｋセルの先端から２０cmの
位置に設置した２５℃の水晶式膜厚計上に付着したＰＭ
ＤＡの膜厚についても測定した。両測定値の経時変化を
図５に示す。ｋセルの温度を段階的に７５，８０，８
５，９０℃に設定した場合、７５℃以上での各５℃の設
定温度上昇に対して、ｋセル温度は約５分で安定な状態
に達している。また、設定値に達した後は、温度変化が
±０．０５℃の範囲に入っている。膜厚も設定温度到達
後は一定速度で増加しており、蒸着物質が均一に加熱さ
れていることがわかる。さらに、本ｋセルは加熱中も透
明な状態を保っており、ＰＭＤＡの残存量等の内部の状
態を直接観察しながら実験を行うことができた。これに
対して、従来の巻線ヒーター型ｋセルを用いて行った同
様の試験結果では、本試験の温度領域で設定温度に対す
る熱電対の指示温度の変動を±２℃以下に保つことは困
難であった。さらに、蒸着速度の時間変化がはげしいこ
とから、ｋセル内の温度勾配が大きいことが推察され
た。なお、従来のｋセルでは、本実験の温度領域で蒸着
速度を制御することはできなかった。以上述べたよう
に、サファイア製透明坩堝上に作製したアンチモンドー
プ酸化スズ膜を透明ヒーターとして使用したｋセルは、
７５℃付近の低温領域での制御性に優れること、及び、
蒸着中のｋセル内の状態が直接観察可能であることがわ
かった。
明坩堝９をサファイア製，透明ヒーター１０をアンチモ
ン（Ｓｂ）をドープした酸化スズ（ＳｎＯ2）に変更し
て透明ｋセルを作製した。このｋセルに無水ピロメリッ
ト酸（ＰＭＤＡ）を０．５ｇ充填し、１０-7torrの真空
条件下に置いた。透明ヒーターの二つの電極間に電流を
流してＰＭＤＡを蒸発させた場合のｋセルの温度を、熱
電対により測定した。また、ｋセルの先端から２０cmの
位置に設置した２５℃の水晶式膜厚計上に付着したＰＭ
ＤＡの膜厚についても測定した。両測定値の経時変化を
図５に示す。ｋセルの温度を段階的に７５，８０，８
５，９０℃に設定した場合、７５℃以上での各５℃の設
定温度上昇に対して、ｋセル温度は約５分で安定な状態
に達している。また、設定値に達した後は、温度変化が
±０．０５℃の範囲に入っている。膜厚も設定温度到達
後は一定速度で増加しており、蒸着物質が均一に加熱さ
れていることがわかる。さらに、本ｋセルは加熱中も透
明な状態を保っており、ＰＭＤＡの残存量等の内部の状
態を直接観察しながら実験を行うことができた。これに
対して、従来の巻線ヒーター型ｋセルを用いて行った同
様の試験結果では、本試験の温度領域で設定温度に対す
る熱電対の指示温度の変動を±２℃以下に保つことは困
難であった。さらに、蒸着速度の時間変化がはげしいこ
とから、ｋセル内の温度勾配が大きいことが推察され
た。なお、従来のｋセルでは、本実験の温度領域で蒸着
速度を制御することはできなかった。以上述べたよう
に、サファイア製透明坩堝上に作製したアンチモンドー
プ酸化スズ膜を透明ヒーターとして使用したｋセルは、
７５℃付近の低温領域での制御性に優れること、及び、
蒸着中のｋセル内の状態が直接観察可能であることがわ
かった。
【００１１】（実施例３）図６は本発明の蒸着用ｋセル
の一部縦断面図である。実施例１，２との構造上の相違
は、実施例１における図２の透明坩堝９を本実施例では
透明ヒーター支持体１５として使用し、新たに石英製の
透明坩堝１６を透明ヒーター支持体１５の内側に密着さ
せて挿入することにある。これにより、蒸着物質を変更
する場合には透明坩堝１６のみを交換すれば良いことに
なり、実施例１に比べて作業性が向上する。本実施例で
は、透明ヒーター支持体１５として硬質ガラスを使用
し、その側面にアンチモンをドープした酸化スズを真空
蒸着後５００℃で焼成して透明ヒーター１０を形成し
た。透明るつぼ１６は石英製で内容量が１０ｃｃであ
る。図５に特性図を示したｋセルにテトラメチルテトラ
セレナフルバレン（ＴＭＴＳＦ）を０．２ｇ充填し、１
０-8torrの真空条件下に置いた。透明ヒーターの二つの
電極間に電流を流してＴＭＴＳＦを蒸発させた場合のｋ
セルの温度を、熱電対８を用いて測定した。また、ｋセ
ル先端から２０cmの位置に設置した２５℃の水晶式膜厚
計上に付着したＴＭＴＳＦの膜厚についても測定した。
両測定値の経時変化を図７に示す。ｋセルの温度を段階
的に２１５，２２５，２３５，２４５℃に設定した場
合、２１５℃以上での各１０℃の設定温度上昇に対し
て、ｋセル温度は約１０分で安定な状態に達している。
また、設定値に達した後は、温度変化が±０．０５℃の
範囲に入っている。膜厚も設定温度到達後は一定速度で
増加しており、蒸着物質が均一に加熱されていることが
わかる。さらに、本ｋセルは加熱中も透明な状態を保っ
ており、ＴＭＴＳＦの残存量等の内部の状態を直接観察
しながら実験を行うことができた。これに対して、従来
の巻線ヒーター型ｋセルを用いて行った同様の試験結果
では、実施例１における従来セルの試験結果と同様に、
設定温度に達して安定するまでの時間が約２５分と長
く、その後も±０．３℃程度の温度のゆらぎを示してい
る。さらに、設定温度を一定に保った場合にも蒸着膜厚
の増加量が徐々に小さくなってくることから、ｋセル内
に温度勾配があって蒸着速度が経時的に変化することが
推察された。以上述べたように、図６に示した構造のｋ
セルは、温度勾配が小さく、２３０℃付近の低温領域で
の制御性に優れること、及び、蒸着中のｋセル内の状態
が直接観察可能であることがわかった。
の一部縦断面図である。実施例１，２との構造上の相違
は、実施例１における図２の透明坩堝９を本実施例では
透明ヒーター支持体１５として使用し、新たに石英製の
透明坩堝１６を透明ヒーター支持体１５の内側に密着さ
せて挿入することにある。これにより、蒸着物質を変更
する場合には透明坩堝１６のみを交換すれば良いことに
なり、実施例１に比べて作業性が向上する。本実施例で
は、透明ヒーター支持体１５として硬質ガラスを使用
し、その側面にアンチモンをドープした酸化スズを真空
蒸着後５００℃で焼成して透明ヒーター１０を形成し
た。透明るつぼ１６は石英製で内容量が１０ｃｃであ
る。図５に特性図を示したｋセルにテトラメチルテトラ
セレナフルバレン（ＴＭＴＳＦ）を０．２ｇ充填し、１
０-8torrの真空条件下に置いた。透明ヒーターの二つの
電極間に電流を流してＴＭＴＳＦを蒸発させた場合のｋ
セルの温度を、熱電対８を用いて測定した。また、ｋセ
ル先端から２０cmの位置に設置した２５℃の水晶式膜厚
計上に付着したＴＭＴＳＦの膜厚についても測定した。
両測定値の経時変化を図７に示す。ｋセルの温度を段階
的に２１５，２２５，２３５，２４５℃に設定した場
合、２１５℃以上での各１０℃の設定温度上昇に対し
て、ｋセル温度は約１０分で安定な状態に達している。
また、設定値に達した後は、温度変化が±０．０５℃の
範囲に入っている。膜厚も設定温度到達後は一定速度で
増加しており、蒸着物質が均一に加熱されていることが
わかる。さらに、本ｋセルは加熱中も透明な状態を保っ
ており、ＴＭＴＳＦの残存量等の内部の状態を直接観察
しながら実験を行うことができた。これに対して、従来
の巻線ヒーター型ｋセルを用いて行った同様の試験結果
では、実施例１における従来セルの試験結果と同様に、
設定温度に達して安定するまでの時間が約２５分と長
く、その後も±０．３℃程度の温度のゆらぎを示してい
る。さらに、設定温度を一定に保った場合にも蒸着膜厚
の増加量が徐々に小さくなってくることから、ｋセル内
に温度勾配があって蒸着速度が経時的に変化することが
推察された。以上述べたように、図６に示した構造のｋ
セルは、温度勾配が小さく、２３０℃付近の低温領域で
の制御性に優れること、及び、蒸着中のｋセル内の状態
が直接観察可能であることがわかった。
【００１２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のｋ
セルを使用して有機化合物を蒸着した場合、ｋセル内の
温度勾配が小さく、かつ、７５〜３３０℃の低温域での
温度制御性が良いので蒸着速度を一定に保つことができ
る。また、蒸着中にｋセル内部を観察できるため、蒸着
試料の飛散状態や残留量を確認しながら蒸着作業が行え
る。このため、ｋセルの温度や真空度の変化からｋセル
内部の状態を推察するしかなかった従来の方法に比べ
て、早期に異常の発見が可能となることは明かである。
さらに、試料の追加時期を適切に決められるという利点
も有している。
セルを使用して有機化合物を蒸着した場合、ｋセル内の
温度勾配が小さく、かつ、７５〜３３０℃の低温域での
温度制御性が良いので蒸着速度を一定に保つことができ
る。また、蒸着中にｋセル内部を観察できるため、蒸着
試料の飛散状態や残留量を確認しながら蒸着作業が行え
る。このため、ｋセルの温度や真空度の変化からｋセル
内部の状態を推察するしかなかった従来の方法に比べ
て、早期に異常の発見が可能となることは明かである。
さらに、試料の追加時期を適切に決められるという利点
も有している。
【図１】従来の巻線ヒーター型ｋセルの構造図を示す。
【図２】本発明の一つの実施例による蒸着用ｋセルの一
部縦断面図である。
部縦断面図である。
【図３】本発明によるｋセルの温度と蒸着膜厚の時間変
化を示す特性図である。
化を示す特性図である。
【図４】従来のｋセルの温度と蒸着膜厚の時間変化を示
す特性図である。
す特性図である。
【図５】本発明によるｋセルの温度と蒸着膜厚の時間変
化を示す特性図である。
化を示す特性図である。
【図６】本発明の他の実施例による蒸着用ｋセルの一部
縦断面図である。
縦断面図である。
【図７】図５の特性図によるｋセルの温度と蒸着膜厚の
時間変化を示す特性図である。
時間変化を示す特性図である。
１ るつぼ ２ 蓋 ３ ヒーター線 ４ サポータ ５，９ 絶縁碍子 ６ 金属製の蓋 ７ おさえ ８ 熱電対 ９ 透明るつぼ １０ 透明ヒーター １１ 上部電極 １２ 下部電極 １３，１４ 電極用リード線 １５ 透明ヒーター支持体 １６ 透明坩堝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 孝好 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 透明るつぼと該透明るつぼの外壁面上又
は該外壁面に近接して設置された透明ヒーターとを備え
た真空蒸着用ｋセル。 - 【請求項２】 前記透明ヒーターが、酸化インジウムま
たは酸化スズを主成分とする透明導電膜であることを特
徴とする請求項１記載の真空蒸着用ｋセル。 - 【請求項３】 前記透明ヒーターが酸化インジウムまた
は酸化スズを主成分とする透明導電膜であり、前記透明
るつぼが石英製、硬質ガラス製、またはサファイア製で
あることを特徴とする請求項１記載の真空蒸着用ｋセ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22642391A JP3206760B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 真空蒸着用ｋセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22642391A JP3206760B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 真空蒸着用ｋセル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0544021A true JPH0544021A (ja) | 1993-02-23 |
| JP3206760B2 JP3206760B2 (ja) | 2001-09-10 |
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ID=16844894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22642391A Expired - Fee Related JP3206760B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 真空蒸着用ｋセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3206760B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010053390A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Avc Co Ltd | 蒸気案内管 |
| EP3524354A1 (en) * | 2008-12-05 | 2019-08-14 | Biocartis NV | Thermal cycling system comprising transport heater |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP22642391A patent/JP3206760B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010053390A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Avc Co Ltd | 蒸気案内管 |
| EP3524354A1 (en) * | 2008-12-05 | 2019-08-14 | Biocartis NV | Thermal cycling system comprising transport heater |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3206760B2 (ja) | 2001-09-10 |
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