JPH0545082B2 - - Google Patents
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- JPH0545082B2 JPH0545082B2 JP60213106A JP21310685A JPH0545082B2 JP H0545082 B2 JPH0545082 B2 JP H0545082B2 JP 60213106 A JP60213106 A JP 60213106A JP 21310685 A JP21310685 A JP 21310685A JP H0545082 B2 JPH0545082 B2 JP H0545082B2
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は通信機器のローカルオシレータや、ダ
ブルスーパ方式チユーナの固定ローカルオシレー
タとして用いられる局部発振器に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a local oscillator used as a local oscillator for communication equipment or a fixed local oscillator for a double super tuner.
従来の技術
近年、自動車電話等の移動通信には800〜
1000MHz帯を使用したシステムが多く使われはじ
めており、その通信機器のローカルオシレータと
して、又、最近のテレビのCATV化に伴ない多
チヤンネル受信に適するダブルスーパ方式のチユ
ーナの固定ローカルオシレータとして、誘電体セ
ラミツクを用いた同軸共振器を利用することが考
えられる。従来の技術としては、例えば「ナシヨ
ナルテクニカルレポートVol31，No.２，1985年４
月松下電器産業(株) 発行」がある。Conventional technology In recent years, mobile communications such as car phones have been using 800~
Many systems using the 1000 MHz band are beginning to be used, and dielectric materials are being used as local oscillators in communication equipment, and as fixed local oscillators in double super tuners suitable for multi-channel reception with the recent shift to CATV televisions. One possibility is to use a coaxial resonator made of ceramic. As for the conventional technology, for example, "National Technical Report Vol. 31, No. 2, April 1985"
Published by Tsuki Matsushita Electric Industrial Co., Ltd."
第３図は従来の同軸共振器を用いた局部発振器
を示す。１は誘電体セラミツクを用いた同軸共振
器、２は同軸共振器１と発振回路とを結合する結
合コンデンサ、３は発振周波数可変用の可変容量
ダイオード４と前記同軸共振器１とを結合する結
合コンデンサ、５は発振用トランジスタ、６，
７，９は帰還用コンデンサ、８は発振用トランジ
スタ５のベースを接地するコンデンサ、１０はバ
イパスコンデンサ、１１〜１４はトランジスタ５
に電源を供給、或いはバイアスするための抵抗、
１５は可変容量ダイオード４に電圧を供給するた
めの抵抗である。この第３図ではベース接地型の
クラツプ発振回路の構成になつており、λ／４型
の同軸共振器１で共振点近傍での誘導性（Ｌ成
分）を利用したものである。第４図はクラツプ発
振回路の基本回路を示す。その発振周波数は次の
ように表わされる。 FIG. 3 shows a local oscillator using a conventional coaxial resonator. 1 is a coaxial resonator using dielectric ceramic, 2 is a coupling capacitor that couples the coaxial resonator 1 and the oscillation circuit, and 3 is a coupling that couples the variable capacitance diode 4 for varying the oscillation frequency with the coaxial resonator 1. capacitor, 5 is an oscillation transistor, 6,
7 and 9 are feedback capacitors, 8 is a capacitor that grounds the base of the oscillation transistor 5, 10 is a bypass capacitor, and 11 to 14 are transistors 5.
A resistor for supplying power to or biasing the
15 is a resistor for supplying voltage to the variable capacitance diode 4. In FIG. 3, the configuration is a grounded base type Clapp oscillation circuit, which utilizes the inductivity (L component) near the resonance point of a λ/4 type coaxial resonator 1. FIG. 4 shows the basic circuit of the Clapp oscillation circuit. Its oscillation frequency is expressed as follows.
o＝１／2π√Ｌ・Co …… ここでCo＝C1C2C3／C1C2＋C2C3＋C1C3である。 o=1/2π√L・Co... Here, Co=C 1 C 2 C 3 /C 1 C 2 +C 2 C 3 +C 1 C 3 .
又、同軸共振器１には並列に可変容量ダイオー
ド４が付加されており、抵抗１５を介してＡ点か
らのコントロール電圧により、その容量値を変化
させ、同軸共振器１の共振周波数を等価的に変化
させている。発振出力はトランジスタ５のエミツ
タのＢ点より取出される。 Further, a variable capacitance diode 4 is added in parallel to the coaxial resonator 1, and its capacitance value is changed by a control voltage from point A via a resistor 15, so that the resonant frequency of the coaxial resonator 1 is equivalently changed. It is changing to. The oscillation output is taken out from point B of the emitter of transistor 5.
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、第１式で示したよ
うに、発振周波数の決まる要素として、第３図の
結合コンデンサ２，６，７，９が作用する。その
ため温度変化による発振周波数の変化は、これら
のコンデンサの温度特性に大きく左右される。
又、同軸共振器１自体は約10〔ppm／℃〕位でほ
ぼ直線的な変化であるが、コンデンサも含めた発
振器全体としては、数百ＫHzの幅をもつた曲線と
なるため、例え温度補償を行なつても、幅の分だ
けの周波数誤差が出るという問題点があつた。Problems to be Solved by the Invention In such a conventional configuration, as shown in the first equation, the coupling capacitors 2, 6, 7, and 9 in FIG. 3 act as elements that determine the oscillation frequency. Therefore, changes in oscillation frequency due to temperature changes are greatly influenced by the temperature characteristics of these capacitors.
In addition, although the coaxial resonator 1 itself exhibits a nearly linear change of approximately 10 [ppm/℃], the oscillator as a whole including the capacitor exhibits a curve with a width of several hundred KHz, so even if the temperature Even if compensation was performed, there was a problem in that a frequency error corresponding to the width occurred.
本発明は温度ドリフトの影響を軽減し、安定で
簡易な発振器を提供することを目的とする。 The present invention aims to reduce the influence of temperature drift and provide a stable and simple oscillator.
問題点を解決するための手段
本発明の局部発振器は、同軸共振器と可変容量
ダイオードとを交流的に並列に接続した共振体を
帰還回路の一部として発振器を構成し、前記可変
容量ダイオードの逆バイアス電位を変化させて前
記発振器の発振周波数を可変すると共に、前記可
変容量ダイオードに逆バイアス電位を印加する回
路を、前記発振周波数信号で周波数変換された中
間周波数のAFC検波電位をトランジスタのコレ
クタに抵抗を介して与え、別に設定した基準電位
を抵抗分割して前記トランジスタのベースに加
え、エミツタを抵抗を介して接地し、コレクタか
ら前記逆バイアス電位を取り出したことを特徴と
する。Means for Solving the Problems The local oscillator of the present invention includes a resonator in which a coaxial resonator and a variable capacitance diode are connected in parallel in an alternating current manner as part of a feedback circuit. A circuit that varies the oscillation frequency of the oscillator by changing the reverse bias potential and applies a reverse bias potential to the variable capacitance diode is connected to the collector of the transistor by applying the AFC detection potential of the intermediate frequency frequency-converted by the oscillation frequency signal. is applied to the transistor via a resistor, a separately set reference potential is divided by a resistor and applied to the base of the transistor, the emitter is grounded via the resistor, and the reverse bias potential is taken out from the collector.
作 用
この構成によると、トランジスタのベース・エ
ミツタ間のダイオード特性の温度変化を利用し、
この変化を増幅するとともに、上記トランジスタ
のコレクタ電源端子としてAFC電位を用いてい
るため、温度補償電位にAFC電位が重畳された
逆バイアス電位可変容量ダイオードに印加され
る。Function: According to this configuration, temperature changes in the diode characteristics between the base and emitter of the transistor are utilized.
Since this change is amplified and the AFC potential is used as the collector power supply terminal of the transistor, a reverse bias potential in which the AFC potential is superimposed on the temperature compensation potential is applied to the variable capacitance diode.
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図と第２図に基
づいて説明する。第１図は本発明の局部発振器を
示し、第３図と同様の作用を成すものには同一符
号を付けてその説明を省く。１６はAFC電圧を
用いてこれを温度補償電圧に重畳するAFC−温
度補償回路、１ＡがAFC電圧入力端子である。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 shows a local oscillator according to the present invention, and parts having the same functions as those in FIG. 3 are given the same reference numerals and their explanation will be omitted. 16 is an AFC-temperature compensation circuit that uses an AFC voltage and superimposes it on a temperature compensation voltage; 1A is an AFC voltage input terminal.
第２図はAFC−温度補償回路１６の具体例を
示すものである。第２図において、１７はトラン
ジスタで、１８，１９，２０，２１，２４はトラ
ンジスタ１７を動作させるためのバイアス及び負
荷等の抵抗である。２２は安定化電源である。
AFC電圧入力端子１Ａには、中間周波数信号を
周波数検波して中間周波数信号が高くなれば基準
レベルよりも低いレベルが、低くなれば基準より
高い電位のAFC電圧が印加される。２Ｂは補償
回路１６の出力端子で、前記Ａ点に接続される。
トランジスタ１７のベースには安定化基準電位２
２を抵抗１９と２０で分割した電位が与えられ
る。抵抗１８とトランジスタ１７および抵抗２９
の直列回路にはAFC電圧が印加されている。ト
ランジスタ１７のベース・エミツタ間のダイオー
ドの温度変化に応じてコレクタ電流が変化する。
その電流は抵抗１８と２１の比率で電圧増幅さ
れ、トランジスタ１７のコレクタに現われる。す
なわち、温度が上がればコレクタ電位は下がる。
一方、AFC電位のためのトランジスタ１７のコ
レクタ電位はAFC電位に温度変化による電位を
重畳した電位となる。これが、抵抗２４を介して
端子２Ｂより第１図の抵抗１５を介して周波数補
正用としての可変容量ダイオード４のカソードに
加えられる。発振回路は、同軸共振器１自体が前
述のように約10〜20〔ppm／℃〕の直線的な変化
をする。これを補償するには温度上昇に応じて周
波数補正用の可変容量ダイオード４の逆バイアス
容量を小さくするように、すなわち、前述の
AFC−温度補償回路１６の出力電位にて温度補
償ができるわけである。一方、AFC補償につい
ては第１図の発振回路はアツプ−ダウンチユーナ
のタウンコンバータ用の固定発振器として使用す
る場合に、ダウンコンバート用の固定発振器の周
波数移動方向と第２中間周波信号の移動方向は同
じ方向に設定されるので、前述のように周波数が
高い方にずれたときには基準電位より低くなり、
低い方にずれたときには基準電位より高くなるよ
うに設定しておけばAFCループも閉じるわけで
ある。 FIG. 2 shows a specific example of the AFC-temperature compensation circuit 16. In FIG. 2, 17 is a transistor, and 18, 19, 20, 21, 24 are resistors such as bias and load for operating the transistor 17. 22 is a stabilized power supply.
The AFC voltage input terminal 1A is applied with an AFC voltage having a potential lower than the reference level if the intermediate frequency signal becomes high by frequency detection of the intermediate frequency signal, and a potential higher than the reference level if the intermediate frequency signal becomes low. 2B is an output terminal of the compensation circuit 16, and is connected to the point A.
A stabilizing reference potential 2 is applied to the base of the transistor 17.
2 divided by resistors 19 and 20 is applied. Resistor 18, transistor 17 and resistor 29
AFC voltage is applied to the series circuit of . The collector current changes depending on the temperature change of the diode between the base and emitter of the transistor 17.
The current is voltage amplified by the ratio of resistors 18 and 21 and appears at the collector of transistor 17. That is, as the temperature rises, the collector potential falls.
On the other hand, the collector potential of the transistor 17 for the AFC potential is a potential obtained by superimposing a potential due to temperature change on the AFC potential. This is applied from the terminal 2B via the resistor 24 to the cathode of the variable capacitance diode 4 for frequency correction via the resistor 15 in FIG. In the oscillation circuit, the coaxial resonator 1 itself undergoes a linear change of about 10 to 20 [ppm/°C] as described above. In order to compensate for this, the reverse bias capacitance of the variable capacitance diode 4 for frequency correction should be reduced in accordance with the temperature rise.
Temperature compensation can be performed using the output potential of the AFC-temperature compensation circuit 16. On the other hand, regarding AFC compensation, when the oscillation circuit shown in Figure 1 is used as a fixed oscillator for a town converter in an up-down tuner, the direction of frequency movement of the fixed oscillator for down-conversion and the direction of movement of the second intermediate frequency signal are the same. Since the voltage is set in the direction, as mentioned above, when the frequency shifts to the higher side, it becomes lower than the reference potential,
If the voltage is set to be higher than the reference potential when the voltage shifts to the lower side, the AFC loop will also be closed.
このようにAFC検波出力信号を温度補償用ト
ランジスタのコレクタに与える電位として使用す
ることにより、発振器の温度補償電位とAFC電
位とを合成することが簡単に実現でき、局部発振
器の周波数の安定度が増大する。 By using the AFC detection output signal as the potential to be applied to the collector of the temperature compensation transistor in this way, it is possible to easily synthesize the temperature compensation potential of the oscillator and the AFC potential, thereby improving the frequency stability of the local oscillator. increase
発明の効果
以上のように本発明の局部発振器は、同軸共振
器と可変容量ダイオードとで構成される共振体を
有する発振器を構成すると共に、前記可変容量ダ
イオードに、トランジスタのベース・エミツタ間
のダイオード特性の温度変化を積極的に利用して
AFC検波電位に温度補償電位を重畳した電位を
印加するため、構成簡単にして温度的に周波数が
安定した発振出力信号を確保することができる。Effects of the Invention As described above, the local oscillator of the present invention constitutes an oscillator having a resonator composed of a coaxial resonator and a variable capacitance diode, and a diode between the base and emitter of a transistor is added to the variable capacitance diode. Actively utilizes temperature changes in characteristics
Since a potential obtained by superimposing a temperature compensation potential on the AFC detection potential is applied, it is possible to simplify the configuration and ensure an oscillation output signal whose frequency is stable in terms of temperature.
第１図は本発明の局部発振器の一実施例の構成
図、第２図は第１図のAFC−温度補償回路の一
実施例の回路図、第３図は従来の局部発振器の回
路図、第４図はクラツプ発振器の基本回路図であ
る。
１……同軸共振器、１Ａ……AFC電圧入力端
子、４……可変容量ダイオード、５……発振器用
のトランジスタ、１６……AFC・温度補償回路、
１７……AFC・温度補償用のトランジスタ、１
８，１９，２０，２１……抵抗、２２……安定化
電源〔基準電位〕。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the local oscillator of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the AFC-temperature compensation circuit of FIG. 1, and FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional local oscillator. FIG. 4 is a basic circuit diagram of a Clapp oscillator. 1...Coaxial resonator, 1A...AFC voltage input terminal, 4...Variable capacitance diode, 5...Transistor for oscillator, 16...AFC/temperature compensation circuit,
17...AFC/temperature compensation transistor, 1
8, 19, 20, 21...Resistor, 22...Stabilized power supply [reference potential].
Claims (1)
に並列に接続した共振体を帰還回路の一部として
発振器を構成し、前記可変容量ダイオードの逆バ
イアス電位を変化させて前記発振器の発振周波数
を可変すると共に、前記可変容量ダイオードに逆
バイアス電位を印加する回路を、前記発振周波数
信号で周波数変換された中間周波数のAFC検波
電位をトランジスタのコレクタに抵抗を介して与
え、別に設定した基準電位を抵抗分割して前記ト
ランジスタのベースに加え、エミツタを抵抗を介
して接地し、コレクタから前記逆バイアス電位を
取り出した局部発振器。1 An oscillator is constructed by using a resonator in which a coaxial resonator and a variable capacitance diode are connected in parallel in an alternating current manner as part of a feedback circuit, and the oscillation frequency of the oscillator is varied by changing the reverse bias potential of the variable capacitance diode. At the same time, a circuit for applying a reverse bias potential to the variable capacitance diode is configured to apply an AFC detection potential of an intermediate frequency frequency-converted by the oscillation frequency signal to the collector of the transistor via a resistor, and apply a separately set reference potential to the resistor. A local oscillator which is divided and added to the base of the transistor, the emitter is grounded via a resistor, and the reverse bias potential is taken out from the collector.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213106A JPS6273803A (en) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | local oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213106A JPS6273803A (en) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | local oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273803A JPS6273803A (en) | 1987-04-04 |
| JPH0545082B2 true JPH0545082B2 (en) | 1993-07-08 |
Family
ID=16633676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213106A Granted JPS6273803A (en) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | local oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273803A (en) |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60213106A patent/JPS6273803A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6273803A (en) | 1987-04-04 |
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