JPH0545082B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0545082B2 JPH0545082B2 JP60213106A JP21310685A JPH0545082B2 JP H0545082 B2 JPH0545082 B2 JP H0545082B2 JP 60213106 A JP60213106 A JP 60213106A JP 21310685 A JP21310685 A JP 21310685A JP H0545082 B2 JPH0545082 B2 JP H0545082B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- transistor
- resistor
- afc
- oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は通信機器のローカルオシレータや、ダ
ブルスーパ方式チユーナの固定ローカルオシレー
タとして用いられる局部発振器に関する。
ブルスーパ方式チユーナの固定ローカルオシレー
タとして用いられる局部発振器に関する。
従来の技術
近年、自動車電話等の移動通信には800〜
1000MHz帯を使用したシステムが多く使われはじ
めており、その通信機器のローカルオシレータと
して、又、最近のテレビのCATV化に伴ない多
チヤンネル受信に適するダブルスーパ方式のチユ
ーナの固定ローカルオシレータとして、誘電体セ
ラミツクを用いた同軸共振器を利用することが考
えられる。従来の技術としては、例えば「ナシヨ
ナルテクニカルレポートVol31，No.２，1985年４
月松下電器産業(株) 発行」がある。
1000MHz帯を使用したシステムが多く使われはじ
めており、その通信機器のローカルオシレータと
して、又、最近のテレビのCATV化に伴ない多
チヤンネル受信に適するダブルスーパ方式のチユ
ーナの固定ローカルオシレータとして、誘電体セ
ラミツクを用いた同軸共振器を利用することが考
えられる。従来の技術としては、例えば「ナシヨ
ナルテクニカルレポートVol31，No.２，1985年４
月松下電器産業(株) 発行」がある。
第３図は従来の同軸共振器を用いた局部発振器
を示す。１は誘電体セラミツクを用いた同軸共振
器、２は同軸共振器１と発振回路とを結合する結
合コンデンサ、３は発振周波数可変用の可変容量
ダイオード４と前記同軸共振器１とを結合する結
合コンデンサ、５は発振用トランジスタ、６，
７，９は帰還用コンデンサ、８は発振用トランジ
スタ５のベースを接地するコンデンサ、１０はバ
イパスコンデンサ、１１〜１４はトランジスタ５
に電源を供給、或いはバイアスするための抵抗、
１５は可変容量ダイオード４に電圧を供給するた
めの抵抗である。この第３図ではベース接地型の
クラツプ発振回路の構成になつており、λ／４型
の同軸共振器１で共振点近傍での誘導性（Ｌ成
分）を利用したものである。第４図はクラツプ発
振回路の基本回路を示す。その発振周波数は次の
ように表わされる。
を示す。１は誘電体セラミツクを用いた同軸共振
器、２は同軸共振器１と発振回路とを結合する結
合コンデンサ、３は発振周波数可変用の可変容量
ダイオード４と前記同軸共振器１とを結合する結
合コンデンサ、５は発振用トランジスタ、６，
７，９は帰還用コンデンサ、８は発振用トランジ
スタ５のベースを接地するコンデンサ、１０はバ
イパスコンデンサ、１１〜１４はトランジスタ５
に電源を供給、或いはバイアスするための抵抗、
１５は可変容量ダイオード４に電圧を供給するた
めの抵抗である。この第３図ではベース接地型の
クラツプ発振回路の構成になつており、λ／４型
の同軸共振器１で共振点近傍での誘導性（Ｌ成
分）を利用したものである。第４図はクラツプ発
振回路の基本回路を示す。その発振周波数は次の
ように表わされる。
o＝１／2π√Ｌ・Co ……
ここでCo＝C1C2C3／C1C2＋C2C3＋C1C3である。
又、同軸共振器１には並列に可変容量ダイオー
ド４が付加されており、抵抗１５を介してＡ点か
らのコントロール電圧により、その容量値を変化
させ、同軸共振器１の共振周波数を等価的に変化
させている。発振出力はトランジスタ５のエミツ
タのＢ点より取出される。
ド４が付加されており、抵抗１５を介してＡ点か
らのコントロール電圧により、その容量値を変化
させ、同軸共振器１の共振周波数を等価的に変化
させている。発振出力はトランジスタ５のエミツ
タのＢ点より取出される。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、第１式で示したよ
うに、発振周波数の決まる要素として、第３図の
結合コンデンサ２，６，７，９が作用する。その
ため温度変化による発振周波数の変化は、これら
のコンデンサの温度特性に大きく左右される。
又、同軸共振器１自体は約10〔ppm／℃〕位でほ
ぼ直線的な変化であるが、コンデンサも含めた発
振器全体としては、数百ＫHzの幅をもつた曲線と
なるため、例え温度補償を行なつても、幅の分だ
けの周波数誤差が出るという問題点があつた。
うに、発振周波数の決まる要素として、第３図の
結合コンデンサ２，６，７，９が作用する。その
ため温度変化による発振周波数の変化は、これら
のコンデンサの温度特性に大きく左右される。
又、同軸共振器１自体は約10〔ppm／℃〕位でほ
ぼ直線的な変化であるが、コンデンサも含めた発
振器全体としては、数百ＫHzの幅をもつた曲線と
なるため、例え温度補償を行なつても、幅の分だ
けの周波数誤差が出るという問題点があつた。
本発明は温度ドリフトの影響を軽減し、安定で
簡易な発振器を提供することを目的とする。
簡易な発振器を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明の局部発振器は、同軸共振器と可変容量
ダイオードとを交流的に並列に接続した共振体を
帰還回路の一部として発振器を構成し、前記可変
容量ダイオードの逆バイアス電位を変化させて前
記発振器の発振周波数を可変すると共に、前記可
変容量ダイオードに逆バイアス電位を印加する回
路を、前記発振周波数信号で周波数変換された中
間周波数のAFC検波電位をトランジスタのコレ
クタに抵抗を介して与え、別に設定した基準電位
を抵抗分割して前記トランジスタのベースに加
え、エミツタを抵抗を介して接地し、コレクタか
ら前記逆バイアス電位を取り出したことを特徴と
する。
ダイオードとを交流的に並列に接続した共振体を
帰還回路の一部として発振器を構成し、前記可変
容量ダイオードの逆バイアス電位を変化させて前
記発振器の発振周波数を可変すると共に、前記可
変容量ダイオードに逆バイアス電位を印加する回
路を、前記発振周波数信号で周波数変換された中
間周波数のAFC検波電位をトランジスタのコレ
クタに抵抗を介して与え、別に設定した基準電位
を抵抗分割して前記トランジスタのベースに加
え、エミツタを抵抗を介して接地し、コレクタか
ら前記逆バイアス電位を取り出したことを特徴と
する。
作 用
この構成によると、トランジスタのベース・エ
ミツタ間のダイオード特性の温度変化を利用し、
この変化を増幅するとともに、上記トランジスタ
のコレクタ電源端子としてAFC電位を用いてい
るため、温度補償電位にAFC電位が重畳された
逆バイアス電位可変容量ダイオードに印加され
る。
ミツタ間のダイオード特性の温度変化を利用し、
この変化を増幅するとともに、上記トランジスタ
のコレクタ電源端子としてAFC電位を用いてい
るため、温度補償電位にAFC電位が重畳された
逆バイアス電位可変容量ダイオードに印加され
る。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図と第２図に基
づいて説明する。第１図は本発明の局部発振器を
示し、第３図と同様の作用を成すものには同一符
号を付けてその説明を省く。１６はAFC電圧を
用いてこれを温度補償電圧に重畳するAFC−温
度補償回路、１ＡがAFC電圧入力端子である。
づいて説明する。第１図は本発明の局部発振器を
示し、第３図と同様の作用を成すものには同一符
号を付けてその説明を省く。１６はAFC電圧を
用いてこれを温度補償電圧に重畳するAFC−温
度補償回路、１ＡがAFC電圧入力端子である。
第２図はAFC−温度補償回路１６の具体例を
示すものである。第２図において、１７はトラン
ジスタで、１８，１９，２０，２１，２４はトラ
ンジスタ１７を動作させるためのバイアス及び負
荷等の抵抗である。２２は安定化電源である。
AFC電圧入力端子１Ａには、中間周波数信号を
周波数検波して中間周波数信号が高くなれば基準
レベルよりも低いレベルが、低くなれば基準より
高い電位のAFC電圧が印加される。２Ｂは補償
回路１６の出力端子で、前記Ａ点に接続される。
トランジスタ１７のベースには安定化基準電位２
２を抵抗１９と２０で分割した電位が与えられ
る。抵抗１８とトランジスタ１７および抵抗２９
の直列回路にはAFC電圧が印加されている。ト
ランジスタ１７のベース・エミツタ間のダイオー
ドの温度変化に応じてコレクタ電流が変化する。
その電流は抵抗１８と２１の比率で電圧増幅さ
れ、トランジスタ１７のコレクタに現われる。す
なわち、温度が上がればコレクタ電位は下がる。
一方、AFC電位のためのトランジスタ１７のコ
レクタ電位はAFC電位に温度変化による電位を
重畳した電位となる。これが、抵抗２４を介して
端子２Ｂより第１図の抵抗１５を介して周波数補
正用としての可変容量ダイオード４のカソードに
加えられる。発振回路は、同軸共振器１自体が前
述のように約10〜20〔ppm／℃〕の直線的な変化
をする。これを補償するには温度上昇に応じて周
波数補正用の可変容量ダイオード４の逆バイアス
容量を小さくするように、すなわち、前述の
AFC−温度補償回路１６の出力電位にて温度補
償ができるわけである。一方、AFC補償につい
ては第１図の発振回路はアツプ−ダウンチユーナ
のタウンコンバータ用の固定発振器として使用す
る場合に、ダウンコンバート用の固定発振器の周
波数移動方向と第２中間周波信号の移動方向は同
じ方向に設定されるので、前述のように周波数が
高い方にずれたときには基準電位より低くなり、
低い方にずれたときには基準電位より高くなるよ
うに設定しておけばAFCループも閉じるわけで
ある。
示すものである。第２図において、１７はトラン
ジスタで、１８，１９，２０，２１，２４はトラ
ンジスタ１７を動作させるためのバイアス及び負
荷等の抵抗である。２２は安定化電源である。
AFC電圧入力端子１Ａには、中間周波数信号を
周波数検波して中間周波数信号が高くなれば基準
レベルよりも低いレベルが、低くなれば基準より
高い電位のAFC電圧が印加される。２Ｂは補償
回路１６の出力端子で、前記Ａ点に接続される。
トランジスタ１７のベースには安定化基準電位２
２を抵抗１９と２０で分割した電位が与えられ
る。抵抗１８とトランジスタ１７および抵抗２９
の直列回路にはAFC電圧が印加されている。ト
ランジスタ１７のベース・エミツタ間のダイオー
ドの温度変化に応じてコレクタ電流が変化する。
その電流は抵抗１８と２１の比率で電圧増幅さ
れ、トランジスタ１７のコレクタに現われる。す
なわち、温度が上がればコレクタ電位は下がる。
一方、AFC電位のためのトランジスタ１７のコ
レクタ電位はAFC電位に温度変化による電位を
重畳した電位となる。これが、抵抗２４を介して
端子２Ｂより第１図の抵抗１５を介して周波数補
正用としての可変容量ダイオード４のカソードに
加えられる。発振回路は、同軸共振器１自体が前
述のように約10〜20〔ppm／℃〕の直線的な変化
をする。これを補償するには温度上昇に応じて周
波数補正用の可変容量ダイオード４の逆バイアス
容量を小さくするように、すなわち、前述の
AFC−温度補償回路１６の出力電位にて温度補
償ができるわけである。一方、AFC補償につい
ては第１図の発振回路はアツプ−ダウンチユーナ
のタウンコンバータ用の固定発振器として使用す
る場合に、ダウンコンバート用の固定発振器の周
波数移動方向と第２中間周波信号の移動方向は同
じ方向に設定されるので、前述のように周波数が
高い方にずれたときには基準電位より低くなり、
低い方にずれたときには基準電位より高くなるよ
うに設定しておけばAFCループも閉じるわけで
ある。
このようにAFC検波出力信号を温度補償用ト
ランジスタのコレクタに与える電位として使用す
ることにより、発振器の温度補償電位とAFC電
位とを合成することが簡単に実現でき、局部発振
器の周波数の安定度が増大する。
ランジスタのコレクタに与える電位として使用す
ることにより、発振器の温度補償電位とAFC電
位とを合成することが簡単に実現でき、局部発振
器の周波数の安定度が増大する。
発明の効果
以上のように本発明の局部発振器は、同軸共振
器と可変容量ダイオードとで構成される共振体を
有する発振器を構成すると共に、前記可変容量ダ
イオードに、トランジスタのベース・エミツタ間
のダイオード特性の温度変化を積極的に利用して
AFC検波電位に温度補償電位を重畳した電位を
印加するため、構成簡単にして温度的に周波数が
安定した発振出力信号を確保することができる。
器と可変容量ダイオードとで構成される共振体を
有する発振器を構成すると共に、前記可変容量ダ
イオードに、トランジスタのベース・エミツタ間
のダイオード特性の温度変化を積極的に利用して
AFC検波電位に温度補償電位を重畳した電位を
印加するため、構成簡単にして温度的に周波数が
安定した発振出力信号を確保することができる。
第１図は本発明の局部発振器の一実施例の構成
図、第２図は第１図のAFC−温度補償回路の一
実施例の回路図、第３図は従来の局部発振器の回
路図、第４図はクラツプ発振器の基本回路図であ
る。 １……同軸共振器、１Ａ……AFC電圧入力端
子、４……可変容量ダイオード、５……発振器用
のトランジスタ、１６……AFC・温度補償回路、
１７……AFC・温度補償用のトランジスタ、１
８，１９，２０，２１……抵抗、２２……安定化
電源〔基準電位〕。
図、第２図は第１図のAFC−温度補償回路の一
実施例の回路図、第３図は従来の局部発振器の回
路図、第４図はクラツプ発振器の基本回路図であ
る。 １……同軸共振器、１Ａ……AFC電圧入力端
子、４……可変容量ダイオード、５……発振器用
のトランジスタ、１６……AFC・温度補償回路、
１７……AFC・温度補償用のトランジスタ、１
８，１９，２０，２１……抵抗、２２……安定化
電源〔基準電位〕。
Claims (1)
- １ 同軸共振器と可変容量ダイオードとを交流的
に並列に接続した共振体を帰還回路の一部として
発振器を構成し、前記可変容量ダイオードの逆バ
イアス電位を変化させて前記発振器の発振周波数
を可変すると共に、前記可変容量ダイオードに逆
バイアス電位を印加する回路を、前記発振周波数
信号で周波数変換された中間周波数のAFC検波
電位をトランジスタのコレクタに抵抗を介して与
え、別に設定した基準電位を抵抗分割して前記ト
ランジスタのベースに加え、エミツタを抵抗を介
して接地し、コレクタから前記逆バイアス電位を
取り出した局部発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213106A JPS6273803A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 局部発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213106A JPS6273803A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 局部発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273803A JPS6273803A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0545082B2 true JPH0545082B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=16633676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213106A Granted JPS6273803A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 局部発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273803A (ja) |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60213106A patent/JPS6273803A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6273803A (ja) | 1987-04-04 |
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