JPH0546285Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0546285Y2 JPH0546285Y2 JP1987130680U JP13068087U JPH0546285Y2 JP H0546285 Y2 JPH0546285 Y2 JP H0546285Y2 JP 1987130680 U JP1987130680 U JP 1987130680U JP 13068087 U JP13068087 U JP 13068087U JP H0546285 Y2 JPH0546285 Y2 JP H0546285Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- emitting diode
- diode array
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本考案は光プリンタヘツドに用いる発光ダイオ
ードアレイに関する。
ードアレイに関する。
ロ 従来の技術
一般に光プリンタヘツドに用いる発光ダイオー
ドアレイは0.5〜0.04mm間隔で発光領域を整列さ
せるため、モノリシツク発光ダイオードアレイが
利用され、結晶成長技術や歩留りの理由により４
〜10mmの長さのものを複数個連接して用いる。こ
のため実開昭61−30264号公報や実開昭61−79553
号公報の如く、発光ダイオードアレイの基準位置
を確認して、複数の発光ダイオードアレイにわた
つても発光領域が略等間隔でかつ直線性よく整列
されるように電極パターンに工夫を行つていた。
これは例えば第３図に示すようにアルミニウム等
の電極３０に直線性がよくかつ互いに直交する端
縁イ，ロを設け、位置と方向がパターン認識でき
るようにするものである。
ドアレイは0.5〜0.04mm間隔で発光領域を整列さ
せるため、モノリシツク発光ダイオードアレイが
利用され、結晶成長技術や歩留りの理由により４
〜10mmの長さのものを複数個連接して用いる。こ
のため実開昭61−30264号公報や実開昭61−79553
号公報の如く、発光ダイオードアレイの基準位置
を確認して、複数の発光ダイオードアレイにわた
つても発光領域が略等間隔でかつ直線性よく整列
されるように電極パターンに工夫を行つていた。
これは例えば第３図に示すようにアルミニウム等
の電極３０に直線性がよくかつ互いに直交する端
縁イ，ロを設け、位置と方向がパターン認識でき
るようにするものである。
ところが最近になつて、光出力の安定化のため
に発光ダイオードアレイの特に発光領域の表面に
絶縁被膜を設けるとよいこと及び、その被膜を用
いて電極端縁も覆つておくとワイヤボンド時の衝
撃や大駆動電流を流した時に生じやすい電極剥離
が防止できることもわかり、CVD法等で被膜を
設ける事が多くなつた。ところがこの被膜により
電極３０の表面と化合物半導体の基板１０の表面
との反射光量差が少なく電極の輪郭が判別しにく
くなつた。
に発光ダイオードアレイの特に発光領域の表面に
絶縁被膜を設けるとよいこと及び、その被膜を用
いて電極端縁も覆つておくとワイヤボンド時の衝
撃や大駆動電流を流した時に生じやすい電極剥離
が防止できることもわかり、CVD法等で被膜を
設ける事が多くなつた。ところがこの被膜により
電極３０の表面と化合物半導体の基板１０の表面
との反射光量差が少なく電極の輪郭が判別しにく
くなつた。
ハ 考案が解決しようとする問題点
本考案は上述の点を考慮してなされたもので、
被膜の長所を生かし乍らアレイの位置・方向の確
認を確実に行うことのできる発光ダイオードアレ
イを提供するものである。
被膜の長所を生かし乍らアレイの位置・方向の確
認を確実に行うことのできる発光ダイオードアレ
イを提供するものである。
ニ 問題点を解決するための手段
本考案は絶縁被膜と遮光性金属との光反射率差
よりも光半導体との光反射率差が大きいことに着
目してなされたもので、発光領域や電極端縁を覆
う前述の絶縁被膜に、基板の非発光領域の１部を
露出させるための所定形状の透孔を設けたもので
ある。
よりも光半導体との光反射率差が大きいことに着
目してなされたもので、発光領域や電極端縁を覆
う前述の絶縁被膜に、基板の非発光領域の１部を
露出させるための所定形状の透孔を設けたもので
ある。
ホ 作用
これにより化合物半導体の基板の露出部分端縁
での光反射率差をコントラストよく鮮明に判別す
ることができ、特性の安定した発光ダイオードア
レイを作業性よく整列することができる。
での光反射率差をコントラストよく鮮明に判別す
ることができ、特性の安定した発光ダイオードア
レイを作業性よく整列することができる。
ヘ 実施例
第１図は本考案実施例の発光ダイオードアレイ
の平面図で、第２図はその断面図である。これら
の図において、１は化合物半導体の基板で、例え
ばGaAs上に気相エピタキシヤル成長でGaAsP層
を設けたものである。２，２……は基板１の
GaAsP層の表面に選択拡散法で形成された発光
領域で、１列に整列して設けてある。３，３……
は発光領域２，２……にオーミツク接触され基板
１の表面に絶縁層４を介して設けられた電極で、
アルミニウム蒸着膜等からなりワイヤボンドをす
るための配線領域３１，３１……を有している。
５は基板１の表面を覆う絶縁被膜で、CVD法等
で設けられた窒化硅素、PSG等の透光性パツシ
ベーシヨン膜等からなり、特に露出した発光領域
２，２……と電極３，３……の端縁を覆つてい
る。６は裏面電極である。
の平面図で、第２図はその断面図である。これら
の図において、１は化合物半導体の基板で、例え
ばGaAs上に気相エピタキシヤル成長でGaAsP層
を設けたものである。２，２……は基板１の
GaAsP層の表面に選択拡散法で形成された発光
領域で、１列に整列して設けてある。３，３……
は発光領域２，２……にオーミツク接触され基板
１の表面に絶縁層４を介して設けられた電極で、
アルミニウム蒸着膜等からなりワイヤボンドをす
るための配線領域３１，３１……を有している。
５は基板１の表面を覆う絶縁被膜で、CVD法等
で設けられた窒化硅素、PSG等の透光性パツシ
ベーシヨン膜等からなり、特に露出した発光領域
２，２……と電極３，３……の端縁を覆つてい
る。６は裏面電極である。
そしてこの絶縁被膜５は、電極３，３……の配
線領域３１，３１……と、基板１の非発光領域の
１部とのみに透孔５１，５１……５２，５２を有
している。非発光領域とは後述する様に、化合物
半導体の比較的広い範囲の同一結晶状態の一部
（より好ましくはエピタキシヤル成長面）または
化合物半導体の上に設けられた非通電金属薄膜な
どの発光に寄与しない部分ということである。こ
のうち透孔５１，５１……は電極３，３……にワ
イヤボンド配線をして電流を供給するために設け
てある。一方透孔５２，５２は絶縁層４をも貫通
して設けられ、他の表面と光反射の条件の差を検
出して発光ダイオードアレイの位置と方向を確認
するためのものである。その確認は、最も整列性
が求められる発光領域２，２……に対して行うの
が好ましく、またウエハからの切出し等の作業中
に透孔５２，５２の端縁形状が損なわれない様に
する必要がある。従つて好ましくは透孔５２，５
２は発光領域２，２……の列に平行な辺を有する
例えば４角形をなし最も端に位置する発光領域か
ら５〜100μm離れ、基板１端縁から10〜30μm離
れた電極３，３……に接しない位置に設けるのが
よい。尚この透孔５２，５２は発光領域２，２…
…を含まない様に設けなければならないが、それ
は発光領域２，２……は選択拡散やオーミツク処
理で不純物濃度や結晶性に変化があり、光反射特
性の差が非発光領域表面ほど顕著に判別できない
からである。
線領域３１，３１……と、基板１の非発光領域の
１部とのみに透孔５１，５１……５２，５２を有
している。非発光領域とは後述する様に、化合物
半導体の比較的広い範囲の同一結晶状態の一部
（より好ましくはエピタキシヤル成長面）または
化合物半導体の上に設けられた非通電金属薄膜な
どの発光に寄与しない部分ということである。こ
のうち透孔５１，５１……は電極３，３……にワ
イヤボンド配線をして電流を供給するために設け
てある。一方透孔５２，５２は絶縁層４をも貫通
して設けられ、他の表面と光反射の条件の差を検
出して発光ダイオードアレイの位置と方向を確認
するためのものである。その確認は、最も整列性
が求められる発光領域２，２……に対して行うの
が好ましく、またウエハからの切出し等の作業中
に透孔５２，５２の端縁形状が損なわれない様に
する必要がある。従つて好ましくは透孔５２，５
２は発光領域２，２……の列に平行な辺を有する
例えば４角形をなし最も端に位置する発光領域か
ら５〜100μm離れ、基板１端縁から10〜30μm離
れた電極３，３……に接しない位置に設けるのが
よい。尚この透孔５２，５２は発光領域２，２…
…を含まない様に設けなければならないが、それ
は発光領域２，２……は選択拡散やオーミツク処
理で不純物濃度や結晶性に変化があり、光反射特
性の差が非発光領域表面ほど顕著に判別できない
からである。
ト 考案の効果
以上の如くにより、化合物半導体の基板の特定
された露出部分を位置・方向の確認判定に用いる
ので保護や光特性安定のための絶縁被膜を用いて
も猶、発光領域を直線性よく等間隔で長尺に作業
性よく整列させることができる。
された露出部分を位置・方向の確認判定に用いる
ので保護や光特性安定のための絶縁被膜を用いて
も猶、発光領域を直線性よく等間隔で長尺に作業
性よく整列させることができる。
第１図は本考案実施例の発光ダイオードアレイ
の平面図で、第２図はその断面図、第３図は従来
の発光ダイオードアレイの要部平面図である。 １……（化合物半導体の）基板、２，２，……
…発光領域、３，３，………電極、５……絶縁被
膜、５１，５１…５２，５２……透孔。
の平面図で、第２図はその断面図、第３図は従来
の発光ダイオードアレイの要部平面図である。 １……（化合物半導体の）基板、２，２，……
…発光領域、３，３，………電極、５……絶縁被
膜、５１，５１…５２，５２……透孔。
Claims (1)
- 化合物半導体の基板と、基板の表面に形成され
た複数の発光領域と、発光領域にオーミツク接触
され基板の表面に設けられた電極と、基板の表面
を覆う絶縁被膜とを有した発光ダイオードアレイ
において、前記絶縁被膜には基板の非発光領域の
１部を露出させるための所定形状の透孔が設けら
れている事を特徴とする発光ダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987130680U JPH0546285Y2 (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987130680U JPH0546285Y2 (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435766U JPS6435766U (ja) | 1989-03-03 |
| JPH0546285Y2 true JPH0546285Y2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=31386067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987130680U Expired - Lifetime JPH0546285Y2 (ja) | 1987-08-27 | 1987-08-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0546285Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0760904B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1995-06-28 | イーストマン・コダックジャパン株式会社 | 発光素子 |
-
1987
- 1987-08-27 JP JP1987130680U patent/JPH0546285Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6435766U (ja) | 1989-03-03 |
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