JPH0613656A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
- Publication number
- JPH0613656A JPH0613656A JP16632192A JP16632192A JPH0613656A JP H0613656 A JPH0613656 A JP H0613656A JP 16632192 A JP16632192 A JP 16632192A JP 16632192 A JP16632192 A JP 16632192A JP H0613656 A JPH0613656 A JP H0613656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- insulating layer
- emitting region
- diode array
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光領域の整列方向に於ける輝度特性を均一
化することによって、高解像度の発光ダイオードアレイ
を提供するものである。 【構成】 化合物半導体の表面に複数の発光領域を形成
し、発光領域を露出する様に化合物半導体の表面上に絶
縁層を形成する。発光領域を略２等分して発光領域の略
中央にストライプ状に１端をオーミック接触させ、かつ
他端を絶縁層上に位置する様に表面電極を形成する。そ
して、発光領域上の表面電極と略同じ幅を有しかつ隣接
する発光領域の間の絶縁層上にストライプ電極を形成す
るものである。
化することによって、高解像度の発光ダイオードアレイ
を提供するものである。 【構成】 化合物半導体の表面に複数の発光領域を形成
し、発光領域を露出する様に化合物半導体の表面上に絶
縁層を形成する。発光領域を略２等分して発光領域の略
中央にストライプ状に１端をオーミック接触させ、かつ
他端を絶縁層上に位置する様に表面電極を形成する。そ
して、発光領域上の表面電極と略同じ幅を有しかつ隣接
する発光領域の間の絶縁層上にストライプ電極を形成す
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光プリンタヘッドに用い
る発光ダイオードアレイに関する。
る発光ダイオードアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、選択拡散法により高密度に発光領
域を形成した発光ダイオードアレイは特開昭６０−６６
２７３号公報等に開示されている。この公報を示す図３
に於て化合物半導体２１の表面に複数の発光領域２２が
形成されている。その発光領域２２を露出する様に化合
物半導体２１の上に絶縁層２３が形成されている。そし
て発光領域２２の略中央にストライプ状にオーミック接
触して表面電極２４が形成されている。
域を形成した発光ダイオードアレイは特開昭６０−６６
２７３号公報等に開示されている。この公報を示す図３
に於て化合物半導体２１の表面に複数の発光領域２２が
形成されている。その発光領域２２を露出する様に化合
物半導体２１の上に絶縁層２３が形成されている。そし
て発光領域２２の略中央にストライプ状にオーミック接
触して表面電極２４が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしてこの様な発光
ダイオードアレイでは、発光領域２２の整列方向に於け
る輝度特性が図４の２５に示す様に、隣接する発光領域
２２の境界２６で輝度が低下する。その理由は隣接する
発光領域２２の間が非発光領域となるため、その領域に
対応した位置２６で極端に輝度が低下するからである。
この不均一な輝度特性のために高解像度が得られない。
故に、本発明は上述の従来のアレイの欠点に鑑みてなさ
れたものであり、発光領域の整列方向に於ける輝度特性
を均一化することによって、高解像度の発光ダイオード
アレイを提供するものである。
ダイオードアレイでは、発光領域２２の整列方向に於け
る輝度特性が図４の２５に示す様に、隣接する発光領域
２２の境界２６で輝度が低下する。その理由は隣接する
発光領域２２の間が非発光領域となるため、その領域に
対応した位置２６で極端に輝度が低下するからである。
この不均一な輝度特性のために高解像度が得られない。
故に、本発明は上述の従来のアレイの欠点に鑑みてなさ
れたものであり、発光領域の整列方向に於ける輝度特性
を均一化することによって、高解像度の発光ダイオード
アレイを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、化合物半導体の表面に複数の発光領域を
形成し、発光領域を露出する様に化合物半導体の表面上
に絶縁層を形成する。発光領域を略２等分して発光領域
の略中央にストライプ状に１端をオーミック接触させ、
かつ他端を絶縁層上に位置する様に表面電極を形成す
る。そして、発光領域上の表面電極と略同じ幅を有しか
つ隣接する発光領域の間の絶縁層上にストライプ電極を
形成するものである。
決するために、化合物半導体の表面に複数の発光領域を
形成し、発光領域を露出する様に化合物半導体の表面上
に絶縁層を形成する。発光領域を略２等分して発光領域
の略中央にストライプ状に１端をオーミック接触させ、
かつ他端を絶縁層上に位置する様に表面電極を形成す
る。そして、発光領域上の表面電極と略同じ幅を有しか
つ隣接する発光領域の間の絶縁層上にストライプ電極を
形成するものである。
【０００５】
【作用】本発明は上述の様に、発光領域上の表面電極と
略同じ幅を有しかつ隣接する発光領域の間の絶縁層上に
ストライプ電極を形成する。故に発光領域から出た光は
ストライプ電極に反射して上方に進むので、非発光領域
での輝度の低下が少なくなる。
略同じ幅を有しかつ隣接する発光領域の間の絶縁層上に
ストライプ電極を形成する。故に発光領域から出た光は
ストライプ電極に反射して上方に進むので、非発光領域
での輝度の低下が少なくなる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１と図２に従って
説明する。図１は本実施例に係る発光ダイオードアレイ
の要部断面図であり、図２はその発光ダイオードアレイ
の要部平面図である。これらの図に於て、化合物半導体
１は例えばＧａＡｓベース上にｎ−ＧａＡｓＰ層を気相
エピタキシャル成長させたものである。絶縁層２は化合
物半導体１の表面に設けられ、ＣＶＤ法による窒化硅素
（Ｓｉ3Ｎ4）膜等からなる。絶縁層２は化合物半導体１
の長手方向に沿って、複数の透孔部３が所定の間隔で形
成されている。
説明する。図１は本実施例に係る発光ダイオードアレイ
の要部断面図であり、図２はその発光ダイオードアレイ
の要部平面図である。これらの図に於て、化合物半導体
１は例えばＧａＡｓベース上にｎ−ＧａＡｓＰ層を気相
エピタキシャル成長させたものである。絶縁層２は化合
物半導体１の表面に設けられ、ＣＶＤ法による窒化硅素
（Ｓｉ3Ｎ4）膜等からなる。絶縁層２は化合物半導体１
の長手方向に沿って、複数の透孔部３が所定の間隔で形
成されている。
【０００７】発光領域４は化合物半導体１の表面に設け
られ、絶縁層２をマスクとし亜鉛の選択拡散により形成
されたＰ型拡散領域であり、その境界にはＰｎ接合が形
成されている。例えば４００ｄｐｉの発光ダイオードア
レイを製作するには、化合物半導体１の長手方向に沿っ
て発光領域４を４６μｍの長さに、幅を５０μｍに、間
隔を６３．５μｍに形成すればよい。
られ、絶縁層２をマスクとし亜鉛の選択拡散により形成
されたＰ型拡散領域であり、その境界にはＰｎ接合が形
成されている。例えば４００ｄｐｉの発光ダイオードア
レイを製作するには、化合物半導体１の長手方向に沿っ
て発光領域４を４６μｍの長さに、幅を５０μｍに、間
隔を６３．５μｍに形成すればよい。
【０００８】表面電極５は１端が発光領域４とオーミッ
ク接触されたオーミック接触部６と他端が絶縁層２上に
位置する配線部７を有し、アルミニウム蒸着膜等からな
る。オーミック接触部６は発光領域４の整列方向に略直
交して、かつ発光領域４を略２等分する様に発光領域４
の略中央に位置し、その幅は１０〜１５μｍでその厚さ
は１〜５μｍである。配線部７はワイヤボンドし易くす
るためにオーミック接触部６よりも幅広に形成されてい
る。
ク接触されたオーミック接触部６と他端が絶縁層２上に
位置する配線部７を有し、アルミニウム蒸着膜等からな
る。オーミック接触部６は発光領域４の整列方向に略直
交して、かつ発光領域４を略２等分する様に発光領域４
の略中央に位置し、その幅は１０〜１５μｍでその厚さ
は１〜５μｍである。配線部７はワイヤボンドし易くす
るためにオーミック接触部６よりも幅広に形成されてい
る。
【０００９】ストライプ電極８は隣接する発光領域４の
間に位置する絶縁層２の非発光領域上にアルミニウム蒸
着等によって形成されている。ストライプ電極８の幅は
オーミック接触部６の幅と略同じ１０〜１５μｍに、厚
さは１〜５μｍに形成されている。そしてストライプ電
極８もオーミック接触部６も断面が略台形になる様に側
面が傾斜している。裏面電極９は化合物半導体１の裏面
上に形成され、共通電極としての機能を有する。
間に位置する絶縁層２の非発光領域上にアルミニウム蒸
着等によって形成されている。ストライプ電極８の幅は
オーミック接触部６の幅と略同じ１０〜１５μｍに、厚
さは１〜５μｍに形成されている。そしてストライプ電
極８もオーミック接触部６も断面が略台形になる様に側
面が傾斜している。裏面電極９は化合物半導体１の裏面
上に形成され、共通電極としての機能を有する。
【００１０】反射光１０は発光領域４から出た後、オー
ミック接触部６の傾斜した側面で反射し上方に進む光で
ある。反射光１１は発光領域４から後、非発光領域であ
る絶縁層２上のストライプ電極８の傾斜した側面で反射
し上方に進む光である。
ミック接触部６の傾斜した側面で反射し上方に進む光で
ある。反射光１１は発光領域４から後、非発光領域であ
る絶縁層２上のストライプ電極８の傾斜した側面で反射
し上方に進む光である。
【００１１】次に本実施例に係る発光ダイオードアレイ
の整列方向に於ける輝度特性を図４の１２に示す。この
図に於て、輝度低下部分１３はオーミック接触部６に対
応し輝度低下部分１４はストライプ電極８に対応する。
本発明は従来に比べて、非発光領域上の輝度低下が極め
て少ないことが判る。これは本発明のストライプ電極８
の側面により反射された光が非発光領域上の輝度低下を
少なくしているからである。
の整列方向に於ける輝度特性を図４の１２に示す。この
図に於て、輝度低下部分１３はオーミック接触部６に対
応し輝度低下部分１４はストライプ電極８に対応する。
本発明は従来に比べて、非発光領域上の輝度低下が極め
て少ないことが判る。これは本発明のストライプ電極８
の側面により反射された光が非発光領域上の輝度低下を
少なくしているからである。
【００１２】
【発明の効果】本発明は上述の様に、隣接する発光領域
の間の絶縁層上にストライプ電極を形成する。故に発光
領域から出た光はストライプ電極に反射して上方に進む
ので、非発光領域での輝度の低下が少なくなる。更に発
光領域上の表面電極、すなわちオーミック接触部の幅と
ストライプ電極の幅を略同じに形成する。故にオーミッ
ク接触部とストライプ電極によるそれぞれの反射光の輝
度を略同じに設定することにより、ストライプ電極上の
輝度低下をオーミック接触部上の輝度低下と略同じ程度
に小さくすることができる。その結果、発光領域の整列
方向に於ける輝度が均一化される。そして発光領域の略
中央にオーミック接触部を設けるので、オーミック接触
部を中心として輝度特性は対称的な形状をなす。従っ
て、オーミック接触部上の輝度特性とストライプ電極上
の輝度特性が略同じになるので、解像度が２倍になり、
高解像度の発光ダイオードアレイが得られる。
の間の絶縁層上にストライプ電極を形成する。故に発光
領域から出た光はストライプ電極に反射して上方に進む
ので、非発光領域での輝度の低下が少なくなる。更に発
光領域上の表面電極、すなわちオーミック接触部の幅と
ストライプ電極の幅を略同じに形成する。故にオーミッ
ク接触部とストライプ電極によるそれぞれの反射光の輝
度を略同じに設定することにより、ストライプ電極上の
輝度低下をオーミック接触部上の輝度低下と略同じ程度
に小さくすることができる。その結果、発光領域の整列
方向に於ける輝度が均一化される。そして発光領域の略
中央にオーミック接触部を設けるので、オーミック接触
部を中心として輝度特性は対称的な形状をなす。従っ
て、オーミック接触部上の輝度特性とストライプ電極上
の輝度特性が略同じになるので、解像度が２倍になり、
高解像度の発光ダイオードアレイが得られる。
【図１】本発明の実施例に係る発光ダイオードアレイの
要部断面図である。
要部断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る発光ダイオードアレイの
要部平面図である。
要部平面図である。
【図３】従来の発光ダイオードアレイの断面図である。
【図４】発光ダイオードアレイの整列方向に於ける輝度
特性図である。
特性図である。
１ 化合物半導体 ２ 絶縁層 ４ 発光領域 ５ 表面電極 ８ ストライプ電極
Claims (1)
- 【請求項１】 化合物半導体の表面に形成された複数の
発光領域と、その発光領域を露出する様に前記化合物半
導体の表面上に形成された絶縁層と、前記発光領域を略
２等分する様に前記発光領域の略中央にストライプ状に
オーミック接触され前記絶縁層上に形成された表面電極
と、前記発光領域上の前記表面電極と略同じ幅を有しか
つ隣接する前記発光領域の間の前記絶縁層上に形成され
たストライプ電極とを具備した事を特徴とする発光ダイ
オードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16632192A JPH0613656A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16632192A JPH0613656A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613656A true JPH0613656A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15829193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16632192A Pending JPH0613656A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849833A (en) * | 1995-07-21 | 1998-12-15 | Rohm And Haas Company | Method for improving drying speed in printing process and fast dry printing ink used therein |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16632192A patent/JPH0613656A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849833A (en) * | 1995-07-21 | 1998-12-15 | Rohm And Haas Company | Method for improving drying speed in printing process and fast dry printing ink used therein |
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