JPH0546490A

JPH0546490A - メモリカード装置

Info

Publication number: JPH0546490A
Application number: JP20070591A
Authority: JP
Inventors: Takaaki Suyama; 高彰須山
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Priority date: 1991-08-09
Filing date: 1991-08-09
Publication date: 1993-02-26

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、ＥＥＰＲＯＭを使用して、エラー
発生エリアのデータ置換に際して、アドレステーブルエ
リアを確保する必要がないメモリカード装置を提供する
ことを目的とする。【構成】この発明は、複数ページに区分けされるＥＥＰ
ＲＯＭに対して、ページ毎にエラーの有無を検出し、特
定のページをエラーフラグエリアとして、各ページのエ
ラー発生の有無を示すエラーフラグを記録し、エラー発
生ページの書き込みデータは空きページに置換して書き
込み、エラー発生ページには置換先アドレスを書き込
み、読出し時にはエラーフラグエリアを参照してエラー
発生ページを判別し、そのページのバイトデータを読出
して置換先アドレスを判別し、判別したアドレスに基づ
いて置換ページからデータを読み出すようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。

【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められている。内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）、
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。

【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある。反面、書き
込んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモ
リカード内に収容する必要があるため、電池収容スペー
スを設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、Ｓ
ＲＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問
題を持っている。

【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消する半導体メモリとしてＥＥＰＲＯＭが注目され
ている。このＥＥＰＲＯＭは磁気ディスクに代わる記録
媒体として有望視されている。特に、データ保持のため
のバックアップ電池が不要であるとともに、チップ自体
のコストを安くすることができる等、ＳＲＡＭの持たな
い特有な利点を有する。このことから、メモリカード用
として使用するための開発が盛んに行なわれている。図
４に、ＳＲＡＭを用いたメモリカード（ＳＲＡＭカー
ド）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモリカード（ＥＥＰＲＯ
Ｍカード）との長短を比較して示す。

【０００６】まず、比較項目１，２のバックアップ電池
及びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭ
カードはバックアップ電池が必要で、大容量化が困難で
あり、しかもコストも高いという問題を有している。こ
れに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックアップ電池が不
要で、大容量化が容易であり、コストも低くすることが
できるという利点を有している。

【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。

【０００８】ランダムアクセスモードおいて、ＳＲＡＭ
は書き込みスピード及び読み出しスピードが共に速く、
ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み出しスピード
が共に遅くなっている。また、ページモードにおいて、
ＥＥＰＲＯＭは１ページ分の大量のデータを一斉に書き
込み及び読み出しすることから、ランダムアクセスモー
ドに比してデータの書き込みスピード及び読み出しスピ
ードは速くなっている。

【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている記憶領域に新たにデ
ータを書き込む場合、先に書き込まれているデータを一
旦イレースしないと新たなデータを書き込むことができ
ない。このため、データの書き込みを行なうに際して、
このイレースモードが実行されるようになっている。こ
のイレースモードには、前述のページ単位によるページ
消去の他、数Ｋバイトのブロック単位によるブロック消
去、全体を一括消去するチップ消去のモードがある。

【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要がある。これが書き込み
ベリファイである。

【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。

【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要である、大容量
化が容易である、コストが安い、ページ単位のデータ書
き込み及び読み出しが可能である等の、ＳＲＡＭに見ら
れない特有な利点が備えられている。反面、ランダムア
クセスモードにおけるデータの書き込みスピード及び読
み出しスピードが遅く、イレースモードや書き込みベリ
ファイ等のようなＳＲＡＭにはないモードを必要とする
という不都合もある。

【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。その改良すべき点とし
て、以下の課題がある。

【００１４】すなわち、特にコンピュータデータや画像
データ等の情報データを記録する場合には、情報データ
記憶領域の他に、データの属性を記録しておくヘッダデ
ータ記憶領域が不可欠である。このヘッダデータ記憶領
域の書替え回数は頻繁で、また信頼性が特に要求され
る。そのために、エラー検出、訂正等をチップ自体ある
いはソフトウェアで行う必要がある。いずれの場合もそ
のエラーは書き込み時にポーリングにより検出できる
が、後で読み出すときにエラー有無の判断、エラーに対
する処理、例えば置換に対処しなければならない。

【００１５】ここで、ヘッダデータ記憶領域にバイト読
み書きが可能なＥＥＰＲＯＭを採用した例について、図
５を参照して説明する。エラーはランダムにバイト単位
で発生するものとする。

【００１６】図５はヘッダデータ記憶領域の構成を示し
ている。全体は８Ｋバイト（８１９２バイト）であり、
３２バイトを１ページとして区分けされ、２５６ページ
に区分される。各ページにはそれぞれエラーの有無を示
すエラーフラグ（１ビット）を書き込まれ、さらにエラ
ーが発生した場合にはそのページを別のページに置換す
るために、そこに置換先のアドレスを書き込まれること
になる。

【００１７】この場合、アドレスとしてページ毎に１バ
イトを要するため、エラーフラグと合わせて１ページ当
り２バイトを使用する。すなわち、全部で２５６ページ
であるから、全体としては５１２バイト（１６ページ）
分のアドレステーブルが必要となる。

【００１８】このアドレステーブルに要するエリアは、
当然、本来のヘッダデータを書き込むことができないの
で、約６％のエリアが削減されてしまうことになる。ま
た、この例では１ページ３２バイト構成としたが、１６
バイト構成であれば倍の１０２４バイトが必要となり、
使用できないエリアが大きくなって、本来使用されるべ
きヘッダデータエリアを圧迫する問題が生じる。

【００１９】また、置換するエリアを予め用意しておく
必要があるが、このエリアを少なくすると、頻繁にアク
セスするページの置換が何度も行われ、ついには置換先
がなくなることも考えられる。この場合には、大容量の
情報データ記憶領域がまだ書替えできるにもかかわら
ず、小容量のヘッダデータ記憶領域が書替え不能となる
ために、全体が使用不可能になるといった自体に陥って
しまう。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＳＲＡ
Ｍに代えてＥＥＰＲＯＭをメモリカードに使用すること
を考えた場合、ＥＥＰＲＯＭカードをＳＲＡＭカードラ
イクに使用できるように改良を施すことが、実用化に際
して重要な問題となっている。特に、ＥＥＰＲＯＭのエ
ラーエリアのデータを置換するために、アドレステーブ
ルエリアの確保が余儀なくされ、これによって本来のデ
ータエリアが削減され、記録データが制限されたり、全
体の寿命が短くなるといった問題の改善が強く要望され
ている。

【００２１】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、ＥＥＰＲＯＭを使用して、エラー発生エ
リアのデータ置換に際して、アドレステーブルエリアを
確保する必要がなく、ＳＲＡＭカードライクに使用でき
るように改良を施した極めて良好なメモリカード装置を
提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、バイト単位の書き込み、読出しが可能で、
数バイトで構成される単位で複数ページに区分けされる
ＥＥＰＲＯＭと、前記ページ毎にエラーの有無を検出す
るエラー検出手段と、前記複数ページのうち、特定のペ
ージをエラーフラグエリアとして、各ページのエラー発
生の有無を示すエラーフラグを記録するエラーフラグ書
き込み手段と、前記エラーの発生したページの書き込み
データを空きページに置換して書き込むデータ書き込み
置換手段と、前記エラーの発生したページに前記データ
置換手段で置換される置換先アドレスを書き込むアドレ
ス書き込み手段と、前記エラーフラグエリアを参照して
エラー発生ページを判別し、そのページのバイトデータ
を読出して置換先アドレスを判別し、判別したアドレス
に基づいて置換ページからデータを読み出すデータ読出
し手段とを備える。

【００２３】特に、前記アドレス書き込み手段は、前記
エラー発生ページの複数バイトに置換先アドレスを書き
込み、前記データ読出し手段は、エラー発生ページの複
数バイトからデータを読出して、多数決により置換先ア
ドレスを判別するようにしたことを特徴とする。

【００２４】

【作用】上記構成では、複数ページに区分けされるＥＥ
ＰＲＯＭに対して、ページ毎にエラーの有無を検出し、
特定のページをエラーフラグエリアとして、各ページの
エラー発生の有無を示すエラーフラグを記録し、エラー
発生ページの書き込みデータは空きページに置換して書
き込み、エラー発生ページには置換先アドレスを書き込
み、読出し時にはエラーフラグエリアを参照してエラー
発生ページを判別し、そのページのバイトデータを読出
して置換先アドレスを判別し、判別したアドレスに基づ
いて置換ページからデータを読み出すようにしている。

【００２５】すなわち、各エラー発生ページはエラーフ
ラグエリアを参照するだけで判別でき、置換先アドレス
を得るためのエリアはエラー発生ページとしているの
で、特別にそのエリアを確保する必要はない。

【００２６】特に、エラー発生ページの全バイトあるい
はその一部に置換先アドレスを書き込み、エラー発生ペ
ージの全バイトあるいはその一部からデータを読出し
て、多数決により置換先アドレスを判別することによ
り、置換先アドレスが正確に得られ、エラー発生時のデ
ータ置換に対する信頼性を損なうことはない。

【００２７】

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。

【００２８】図１において、１１はメモリカード本体
で、その一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図
示しない電子スチルカメラ本体に接続されるようになさ
れている。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本
体側から、メモリカード本体１１に書き込むべきデジタ
ルデータＤＡと、その書き込み場所を示すアドレスデー
タＡＤと、アドレスデータＡＤに同期したバスクロック
ＢＣＫが供給される。また、図示しないが、カードの書
き込み、読出し、消去の処理を指定する処理モード指定
データも供給される。

【００２９】ここで、電子スチルカメラ本体側から出力
されるデジタルデータＤＡには、メモリカードの属性情
報，各画像データに特有な各種情報，日付情報及び撮影
可能枚数情報等のメモリ管理情報であるヘッダデータＨ
Ｄと、被写体に対応する画像（音声を含む）データＰＤ
とが含まれている。このうち、ヘッダデータＨＤは、そ
の全データ量が１６Ｋバイト程度と小容量であり、例え
ば日付情報や撮影可能枚数情報等のようにバイト単位で
書き替える必要のあるものが多いという性質を有してい
る。また、画像データＰＤは、画像１枚分のデータ量が
非常に多く、しかも全体的にシーケンシャルであるとい
う性質を有している。

【００３０】上記コネクタ１２に供給されたデジタルデ
ータＤＡは、一旦バッファメモリ１３に取り込まれ、記
録される。このときのバッファメモリ１３のデジタルデ
ータＤＡの取り込みタイミングは、アドレス発生回路１
４から出力されるアドレスデータによってコントロール
される。このアドレス発生回路１４は、セレクタ１５に
よって選択されたクロックＣＫをカウントして、バッフ
ァメモリ１３へのアドレスデータを生成する。

【００３１】上記セレクタ１５は、コネクタ１２を通じ
て電子スチルカメラ本体側から供給されるバスクロック
ＢＣＫと、データ処理制御回路１６から供給される読出
しクロックＹＣＫのいずれか一方を、データ処理制御回
路１６から出力されるセレクト信号ＳＥＬによって選択
的に出力する。すなわち、バッファメモリ１３のデジタ
ルデータＤＡの取り込み時にはバスクロックＢＣＫを選
択し、その読出し時には読出しクロックＹＣＫを、クロ
ックＣＫとしてアドレス発生回路１４に導出する。

【００３２】上記データ処理制御回路１６は、コネクタ
１２を通じて供給される処理モード指定データに基づい
て、その指定された処理モードに切り替わる。アドレス
データＡＤは、データ処理制御回路１６に供給されて、
ヘッダ用アドレスデータＨＡＤか画像用アドレスデータ
ＰＡＤかが判別される。上記バッファメモリ１３は、こ
のヘッダデータＨＤを全て記憶することができる記憶容
量（１６Ｋバイト以上）を有している。このバッファメ
モリ１３に取り込まれたデジタルデータＤＡは、データ
処理制御回路１６の後述する制御に基づいて、バッファ
メモリ１３から読み出され、ＥＥＰＲＯＭ１７に書き込
まれる。

【００３３】このＥＥＰＲＯＭ１７は、４Ｍビット以上
の大記憶容量を有し、バイト単位でのデータの書き込み
及び消去は行なえず、一括消去や数Ｋバイトでなるブロ
ック単位の消去が行なえるとともに、数百バイトでなる
ページ単位でのデータの書き込み及び読み出しが行なえ
るものである。

【００３４】上記ＥＥＰＲＯＭ１７のメモリ空間領域
は、ヘッダデータＨＤ記憶領域と、画像データＰＤ記憶
領域とに分けられる。このうち、ヘッダデータＨＤ記憶
領域は図２（ａ）に示すように構成され、全容量８１９
２バイト、ページ容量３２バイト、ページ数２５６に区
分けされている。

【００３５】２５６ページ分のエラーフラグは２５６ビ
ット＝３２バイト必要となる。これは１ページ分に相当
する。ここではエラーフラグエリアとして、最終ページ
を確保している。図２（ｂ）にエラーフラグエリアを拡
大して示す。初期状態では、各ページのエラーフラグと
して全ビットに“０”が書き込まれているが、あるペー
ジにエラーが発生すると、そのページに対応するビット
を“１”に書き替えられる。また、エラー発生ページの
データは予め決められたページに置換されるが、この
際、図２（ｃ）に拡大して示すように、エラー発生ペー
ジの各バイトに置換先ページのアドレスが書き込まれ
る。

【００３６】上記構成において、カード内の動作制御は
データ処理制御回路１６によって行われる。まず、電子
スチルカメラ本体側から送られてくる処理モード指定デ
ータが書き込み処理を指定しており、ヘッダデータＨＤ
及び画像データＰＤをＥＥＰＲＯＭ１７に書き込む場合
の動作について説明する。

【００３７】データ処理制御回路１６は、入力されたア
ドレスデータＡＤがヘッダ用アドレスデータＨＡＤであ
ると判断すると、ＥＥＰＲＯＭ１７に対してアウトイネ
ーブルデータＯＥをアクティブ状態（例えばＨレベル）
にするとともに、ＥＥＰＲＯＭ１７のヘッダデータＨＤ
記憶領域を全て指定するアドレスデータＡＤを発生し
て、ＥＥＰＲＯＭ１７に記憶された全ヘッダデータＨＤ
をページ単位で読み出させるように動作する。

【００３８】次に、データ処理制御回路１６は、バッフ
ァメモリ１３に対してライトイネーブルデータＷＥをア
クティブ状態（例えばＨレベル）にするとともに、セレ
クト信号ＳＥＬを制御して、自己の生成する読出しクロ
ックＹＣＫが、アドレス発生回路１４に導出されるよう
にセレクタ１５を切り替える。このため、読出しクロッ
クＹＣＫに基づいてアドレス発生回路１４で生成される
アドレスデータによって、ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出
された全ヘッダデータＨＤがバッファメモリ１３に書き
込まれる。

【００３９】その後、バッファメモリ１３に全てのヘッ
ダデータＨＤが書き込まれた状態で、データ処理制御回
路１６は、ヘッダ用アドレスデータＨＡＤに基づいて、
書き替えるべきヘッダデータＨＤのバイトを指定するセ
ットアドレスデータＳＡを生成しアドレス発生回路１４
に出力するとともに、そのセットアドレスデータＳＡを
アドレス発生回路１４にセットさせるためのアドレスセ
ットデータＡＳをアドレス発生回路１４に出力する。

【００４０】すると、アドレス発生回路１４は、アドレ
スセットデータＡＳに基づいてセットされたセットアド
レスデータＳＡからアドレスデータを生成し、バッファ
メモリ１３に出力する。このとき、データ処理制御回路
１６は、バッファメモリ１３に対してライトイネーブル
データＷＥをアクティブ状態にし、これによって、バッ
ファメモリ１３の入力されたアドレスデータで指定され
たバイトの内容が、コネクタ１２を介して入力された新
たなヘッダデータＨＤに書き替えられる。

【００４１】そして、バッファメモリ１３内でバイト単
位でのヘッダデータＨＤの書き替えが完了すると、デー
タ処理制御回路１６は、自己の生成するクロックＹＣＫ
がアドレス発生回路１４に導出されるようにセレクタ１
５を制御し、かつバッファメモリ１３に対してアウトイ
ネーブルデータＯＥをアクティブ状態にする。このた
め、クロックＹＣＫに基づいてアドレス発生回路１４で
生成されるアドレスデータによって、バッファメモリ１
３からヘッダデータＨＤが順次読み出される。

【００４２】このとき、データ処理制御回路１６は、Ｅ
ＥＰＲＯＭ１７に対してライトイネーブルデータＷＥを
アクティブ状態にするとともに、ＥＥＰＲＯＭ１７のヘ
ッダデータＨＤ記憶領域を全て指定するアドレスデータ
ＡＤを発生する。このため、バッファメモリ１３に記憶
された書き替え終了後の全ヘッダデータＨＤが、ＥＥＰ
ＲＯＭ１７に転送され、そのヘッダデータＨＤ記憶領域
にページ単位で書き込まれる。

【００４３】その後、ＥＥＰＲＯＭ１７に全てのヘッダ
データＨＤが書き込まれた状態で、データ処理制御回路
１６は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対して、アウトイネーブル
データＯＥをアクティブ状態とするとともに、ヘッダデ
ータＨＤ記憶領域を全て指定するアドレスデータＡＤを
出力して、書き込んだヘッダデータＨＤを読み出し、バ
ッファメモリ１３に記録されたヘッダデータＨＤと一致
しているか否かを判別する、書き込みベリファイを実行
する。

【００４４】そして、ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出した
ヘッダデータＨＤと、バッファメモリ１３に記録された
ヘッダデータＨＤとが一致していないと、再度、バッフ
ァメモリ１３からＥＥＰＲＯＭ１７にヘッダデータＨＤ
を転送して書き込みを行ない、この動作が、ＥＥＰＲＯ
Ｍ１７から読み出したヘッダデータＨＤと、バッファメ
モリ１３に記録されたヘッダデータＨＤとが完全に一致
するまで繰り返され、ここにヘッダデータＨＤの書き込
みが行なわれる。

【００４５】ここで、データ処理制御回路１６は、入力
されたアドレスデータＡＤが画像用アドレスデータＰＡ
Ｄであると判断すると、ＥＥＰＲＯＭ１８に対して、画
像用アドレスデータＰＡＤを出力するとともに、ライト
イネーブルデータＷＥをアクティブ状態とする。次に、
データ処理制御回路１６は、セレクト信号ＳＥＬを制御
して、自己の生成するクロックＹＣＫが、アドレス発生
回路１４に導出されるようにセレクタ１５を切り替え
る。

【００４６】このため、読み出し用クロックＹＣＫに基
づいてアドレス発生回路１４で生成されるアドレスデー
タによって、バッファメモリ１３から画像データＰＤが
順次読み出され、ＥＥＰＲＯＭ１７にページ単位で書き
込まれることになる。

【００４７】その後、ＥＥＰＲＯＭ１７に画像データＰ
Ｄが書き込まれた状態で、データ処理制御回路１６は、
ＥＥＰＲＯＭ１７に対して、アウトイネーブルデータＯ
Ｅをアクティブ状態とするとともに、画像用アドレスデ
ータＰＡＤを出力して、書き込んだ画像データＰＤを読
み出させ、バッファメモリ１３に記録された画像データ
ＰＤと一致しているか否かを判別する、書き込みベリフ
ァイを実行する。

【００４８】そして、ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出した
画像データＰＤと、バッファメモリ１３に記録された画
像データＰＤとが一致していなければ、再度、バッファ
メモリ１３からＥＥＰＲＯＭ１７に画像データＰＤを転
送して書き込み動作を行ない、この動作が、ＥＥＰＲＯ
Ｍ１７から読み出した画像データＰＤと、バッファメモ
リ１３に記録された画像データＰＤとが完全に一致する
まで繰り返され、ここに画像データＰＤの書き込みが行
なわれる。

【００４９】次に、電子スチルカメラ本体側から送られ
てくる処理モード指定データが読出し処理を指定してお
り、ＥＥＰＲＯＭ１７から、ヘッダデータＨＤ及び画像
データＰＤをメモリカード本体１１の外部に読み出す場
合の動作について説明する。

【００５０】まず、電子スチルカメラ本体側からコネク
タ１２を介して読み出すべきデータの記録されたアドレ
スが指定される。すると、指定されたアドレスは、デー
タ処理制御回路１６に供給されて、ヘッダ用アドレスデ
ータＨＡＤか画像用アドレスデータＰＡＤかが判別され
る。

【００５１】その後、データ処理制御回路１６は、判別
結果に基づいて、ＥＥＰＲＯＭ１７及びバッファメモリ
１３に対してアウトイネーブルデータＯＥ及びライトイ
ネーブルデータＷＥをアクティブ状態とするとともに、
自己の生成するクロックＹＣＫが、アドレス発生回路１
４に導出されるようにセレクタ１５を切り替え、ＥＥＰ
ＲＯＭ１７からヘッダデータＨＤ及び画像データＰＤを
ページ単位で読み出して、バッファメモリ１３に書き込
ませる。

【００５２】そして、データ処理制御回路１６は、コネ
クタ１２を介して電子スチルカメラ本体側から供給され
るバスクロックＢＣＫが、アドレス発生回路１４に導出
されるようにセレクタ１５を切り替え、バスクロックＢ
ＣＫに基づいてアドレス発生回路１４で発生されるアド
レスデータで、バッファメモリ１３からデータが読み出
され、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体に導
出されて、ここにヘッダデータＨＤ及び画像データＰＤ
の読み出しが行なわれる。上記ＥＥＰＲＯＭ１７におい
て、ヘッダデータＨＤ記憶領域のあるページにエラーが
発生した場合の動作を、図３を参照して説明する。

【００５３】データ処理制御回路１６は、書き込み処理
の指定（Ｙ）を判別すると（ステップａ）、データの書
き込み時にポーリングを行い（ステップｂ）、エラーが
発生しているか否かを判別する（ステップｃ）。エラー
が発生していなければ（Ｎ）書き込み処理を終了する。
エラーが発生した場合（Ｙ）、例えば図２（ａ）のよう
に第２ページでエラーが発生した場合には、同図（ｂ）
のようにエラーフラグエリアの第２ページ対応ビットを
“１”に書替え、エラーフラグを立てる（ステップ
ｄ）。

【００５４】ここで、あるページにエラーが発生すれ
ば、そのフラグは“１”に保持される。このため、エラ
ーフラグエリアの書替え回数は最大でも８回であり、一
般に保証される回数（１万回以上）をはるかに下回るの
で、このエリアに対するエラーは発生しないと考えてよ
い。

【００５５】次に、空いている置換先ページを探し、図
２（ｃ）に示すように、そのアドレス（図２では第２０
０ページ）を第２ページの全バイト（３２バイト）に書
き込む（ステップｅ）。この例では、アドレスは１バイ
トであるが、２バイトのアドレスでも同様である。この
とき、当然エラーが発生したバイトには書き込めない
が、これは無視する。

【００５６】最後に、ステップｂに戻り、当初書き込む
べきだったヘッダデータを置換先ページ（第２００ペー
ジ）内に書き込む。このとき、ステップｃで再度エラー
発生を判別した場合には、ステップｄ，ｅを繰り返し、
置換処理を行う。エラー発生が検出されなければ、書き
込み処理、エラーページの置換処理を終了する。

【００５７】また、データ処理制御回路１６は、読出し
処理の指定（Ｎ）を判別すると（ステップａ）、まずエ
ラーフラグエリアを参照し、読出しページのフラグが
“０”であれば（Ｎ）、そのページのデータを読出して
（ステップｉ）、読出し処理を終了する。また、読出し
ページのフラグが“１”であれば（Ｙ）、エラーがある
ページと判断し、そのエラー発生ページに書き込まれて
いる全バイトの置換先アドレスを読出し（ステップ
ｇ）、比較して多数決によりアドレスを決定する（ステ
ップｈ）。ここで読み出すデータ数は一部のみでもかま
わない。最後に、決定された置換先アドレスに基づい
て、置換先ページからヘッダデータを読出し（ステップ
ｉ）、読出し処理を終了する。

【００５８】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、データ量が少なくバイト単位で書き替えるものが
多いという性質を有するヘッダデータＨＤに対して書き
替え要求があった場合、ＥＥＰＲＯＭ１７から全ヘッダ
データＨＤをバッファメモリ１３に読み出し、このバッ
ファメモリ１３内でランダムアクセスによりバイト単位
でヘッダデータＨＤを書き替え、再びバッファメモリ１
３の全ヘッダデータＨＤをＥＥＰＲＯＭ１７にページ単
位で書き込むようにしたので、バイト単位でのデータの
書き込み及び読み出しができない大記憶容量のＥＥＰＲ
ＯＭ１７を用いても、容易にバイト単位でのデータの書
き込み及び読み出しが可能となる。

【００５９】しかも、電子スチルカメラ本体とメモリカ
ード本体１１との間におけるデータ転送は、必ずバッフ
ァメモリ１３を介して行なわれるので、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードも向上し、ＳＲＡＭカ
ードライクに使用することができるようになる。また、
ＥＥＰＲＯＭ１７に特有の書き込みベリファイも、メモ
リカード本体１１の内部に設けられたバッファメモリ１
３を用いて行なうようにしているので、メモリカード本
体１１の取り扱いとしては、全くＳＲＡＭカードライク
に使用することができる。

【００６０】さらに、エラー発生ページのデータ置換の
ために要したエリアは、エラーフラグ格納のための１ペ
ージ（３２バイト）のみであり、別にアドレステーブル
エリアを確保する必要がないので、図５に示した従来の
場合より１５ページ（４８０バイト）も削減でき、全体
に対する割合も約０．４％にとどめることができる。こ
の削減したエリアは、本来のヘッダデータの書き込みエ
リアとして利用でき、例えば置換先ページとして用いる
こともできる。これによって、アクセスするページの置
換が低減され、小容量のヘッダデータ記憶領域が書替え
不能となるために、全体が使用不可能になるといった問
題も解消できる。

【００６１】尚、以上説明した中で使用した数値は一例
にすぎず、これに限定されるものではない。また、この
発明はメモリカードのように全体の容量が制限されるメ
ディアには最適であるが、他のメディアに対しても適用
可能である。この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
ＥＥＰＲＯＭを使用して、エラー発生エリアのデータ置
換に際して、アドレステーブルエリアを確保する必要が
なく、ＳＲＡＭカードライクに使用できるように改良を
施した極めて良好なメモリカード装置を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例と
して電子スチルカメラ用の場合の構成を示すブロック構
成図。

【図２】同実施例に用いるＥＥＰＲＯＭのヘッダデータ
記憶領域の構成を示す構成図。

【図３】同実施例のエラー発生時の動作を説明するため
のフローチャート。

【図４】ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとの長短を比較して示
す図。

【図５】従来のＥＥＰＲＯＭカードに採用されているヘ
ッダデータ記憶領域の構成を示す構成図。

【符号の説明】

１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バッ
ファメモリ、１４…アドレス発生回路、１５…セレク
タ、１６…データ処理制御回路、１７…ＥＥＰＲＯＭ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｇ１１Ｃ 29/00 ３０２ 9288−5Ｌ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】バイト単位の書き込み、読出しが可能
で、数バイトで構成される単位で複数ページに区分けさ
れるＥＥＰＲＯＭと、前記ページ毎にエラーの有無を検
出するエラー検出手段と、前記複数ページのうち、特定
のページをエラーフラグエリアとして、各ページのエラ
ー発生の有無を示すエラーフラグを記録するエラーフラ
グ書き込み手段と、前記エラーの発生したページの書き
込みデータを空きページに置換して書き込むデータ書き
込み置換手段と、前記エラーの発生したページに前記デ
ータ置換手段で置換される置換先アドレスを書き込むア
ドレス書き込み手段と、前記エラーフラグエリアを参照
してエラー発生ページを判別し、そのページのバイトデ
ータを読出して置換先アドレスを判別し、判別したアド
レスに基づいて置換ページからデータを読み出すデータ
読出し手段とを具備してなることを特徴とするメモリカ
ード装置。
【請求項２】前記アドレス書き込み手段は、前記エラ
ー発生ページの複数バイトに置換先アドレスを書き込
み、前記データ読出し手段は、エラー発生ページの複数
バイトからデータを読出して、多数決により置換先アド
レスを判別するようにしたことを特徴とする請求項１記
載のメモリカード装置。