JPH054666A - 通気孔を設けた半導体ウエーハ用真空カセツト - Google Patents
通気孔を設けた半導体ウエーハ用真空カセツトInfo
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- JPH054666A JPH054666A JP3100625A JP10062591A JPH054666A JP H054666 A JPH054666 A JP H054666A JP 3100625 A JP3100625 A JP 3100625A JP 10062591 A JP10062591 A JP 10062591A JP H054666 A JPH054666 A JP H054666A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/10—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP]
- H10P72/19—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP] closed carriers
- H10P72/1924—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP] closed carriers characterised by atmosphere control
- H10P72/1926—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof using carriers specially adapted therefor, e.g. front opening unified pods [FOUP] closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrier
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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- Packaging Of Annular Or Rod-Shaped Articles, Wearing Apparel, Cassettes, Or The Like (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】製造中に半導体ウェーハを保管するのに使用す
る真空カセットに関し、さらに詳しくは、真空ロード・
ロック・チャンバを必用とせずに開くことと再シールす
ることのできる真空カセットを供する。 【構成】カセット10はベース12の付いたチャンバ1
1を有し、開口部13と14を貫通して延びるピンを使
用してワク・ステーションに載置される。カセット・チ
ャンバ15は、チャンネル20、バルブ18およびポー
ト17を介して排気にまたはガスの充填を行う。バルブ
18は、バルブ・レバー19に接続されたバルブ・アク
チュエータ(図示せず)によって開閉される。チャンバ
15は、チャンネル20のチャンバの端部に位置する2
枚の整流板21と22を有し、このチャンバに導入され
るガスを均等に拡散させる。半導体ウェーハ16は、真
空チャンバ内で間隔を設けて位置する。
る真空カセットに関し、さらに詳しくは、真空ロード・
ロック・チャンバを必用とせずに開くことと再シールす
ることのできる真空カセットを供する。 【構成】カセット10はベース12の付いたチャンバ1
1を有し、開口部13と14を貫通して延びるピンを使
用してワク・ステーションに載置される。カセット・チ
ャンバ15は、チャンネル20、バルブ18およびポー
ト17を介して排気にまたはガスの充填を行う。バルブ
18は、バルブ・レバー19に接続されたバルブ・アク
チュエータ(図示せず)によって開閉される。チャンバ
15は、チャンネル20のチャンバの端部に位置する2
枚の整流板21と22を有し、このチャンバに導入され
るガスを均等に拡散させる。半導体ウェーハ16は、真
空チャンバ内で間隔を設けて位置する。
Description
【産業上の利用分野】本発明は、製造中に半導体ウェー
ハを保管するのに使用する真空カセットに関し、さらに
詳しくは、真空ロード・ロック・チャンバ(vacuu
m load−lock chamber)を必要とす
ることなく、開くことと再シールすることのできる真空
カセットに関する。
ハを保管するのに使用する真空カセットに関し、さらに
詳しくは、真空ロード・ロック・チャンバ(vacuu
m load−lock chamber)を必要とす
ることなく、開くことと再シールすることのできる真空
カセットに関する。
【従来の技術】現在使用されている真空カセットは、半
導体ウェーハとアクセスするための扉を有する密封容器
である。このカセットが内部を真空にした通常の動作モ
ードにある場合、ウェーハを取り出したり装填するため
に扉を開けることはできない。この真空容器を真空半導
体処理システム(真空処理システム)とインタフェース
する場合、このカセットは処理装置と一体の真空ロード
・ロック・インタフェース中に装填される。このロード
・ロックは、密封されカセットの内部とほぼ同じ真空ま
で低下され、そこでカセットの扉を開ける。次にロード
・ロック内のゲート・バルブが開けられ、必要に応じ
て、ウェーハは真空カセットから真空処理装置の内部お
よび真空処理装置の内部から真空カセット移動される。
これらのウェーハは処理ステップの期間中真空中におか
れる。ウェーハの移動が終了すると、ゲート・バルブと
カセットの扉が閉じられ、ロード・ロックには清浄なガ
ス、通常は空気で大気圧まで逆に充填される。ここでロ
ード・ロックの扉を開けることができ、真空カセットは
取り外される。真空処理装置の内部は、この処理の期間
中真空に保たれる。上記の処理は真空カセットをロード
・ロック・チャンバ内に導入した後、自動的に行われ
る。真空計が適当な場所に取り付けられ、処理シーケン
サ/制御装置によって、必要に応じて、ロード・ロック
と処理チャンバの状態を監視する。もしこの真空カセッ
トを真空中で行わない工程とインターフェースしたいな
らば、すなわちもし半導体ウェーハをチャンバ内の大気
圧中におかなければならない事情があれば、このカセッ
トを真空ロード・ロック・チャンバ内に置き、次にこの
ロード・ロック・チャンバをカセット内部の圧力と同じ
圧力まで排気しなければならない。ここでこのカセット
の扉を開けることができ、ロード・ロック・チャンバと
カセットには適当な雰囲気、通常は清浄な空気が大気圧
まで逆に充填される。ここでロード・ロック・チャンバ
は、ゲート・バルブまたは装填扉のいずれかによって開
けることができ、ウェーハを開けたカセットから取り出
したり、これにウェーハを装填したりする。
導体ウェーハとアクセスするための扉を有する密封容器
である。このカセットが内部を真空にした通常の動作モ
ードにある場合、ウェーハを取り出したり装填するため
に扉を開けることはできない。この真空容器を真空半導
体処理システム(真空処理システム)とインタフェース
する場合、このカセットは処理装置と一体の真空ロード
・ロック・インタフェース中に装填される。このロード
・ロックは、密封されカセットの内部とほぼ同じ真空ま
で低下され、そこでカセットの扉を開ける。次にロード
・ロック内のゲート・バルブが開けられ、必要に応じ
て、ウェーハは真空カセットから真空処理装置の内部お
よび真空処理装置の内部から真空カセット移動される。
これらのウェーハは処理ステップの期間中真空中におか
れる。ウェーハの移動が終了すると、ゲート・バルブと
カセットの扉が閉じられ、ロード・ロックには清浄なガ
ス、通常は空気で大気圧まで逆に充填される。ここでロ
ード・ロックの扉を開けることができ、真空カセットは
取り外される。真空処理装置の内部は、この処理の期間
中真空に保たれる。上記の処理は真空カセットをロード
・ロック・チャンバ内に導入した後、自動的に行われ
る。真空計が適当な場所に取り付けられ、処理シーケン
サ/制御装置によって、必要に応じて、ロード・ロック
と処理チャンバの状態を監視する。もしこの真空カセッ
トを真空中で行わない工程とインターフェースしたいな
らば、すなわちもし半導体ウェーハをチャンバ内の大気
圧中におかなければならない事情があれば、このカセッ
トを真空ロード・ロック・チャンバ内に置き、次にこの
ロード・ロック・チャンバをカセット内部の圧力と同じ
圧力まで排気しなければならない。ここでこのカセット
の扉を開けることができ、ロード・ロック・チャンバと
カセットには適当な雰囲気、通常は清浄な空気が大気圧
まで逆に充填される。ここでロード・ロック・チャンバ
は、ゲート・バルブまたは装填扉のいずれかによって開
けることができ、ウェーハを開けたカセットから取り出
したり、これにウェーハを装填したりする。
【課題を解決する手段】本発明は、真空ロード・ロック
・チャンバを必要とすることなく、カセットを排気し、
カセットにガスを充填し、カセットを周囲の大気に開放
することを可能にする1つ以上のバルブとポートを有す
る真空チャンバに関する。使用する場合、この真空カセ
ットは固定装置または架台に固定され、これによって、
カセットの1つのポートまたは複数のポートとの密封接
続、およびカセットの機械的または電気的な1つのバル
ブまたは複数のバルブを動作させるための機械的または
電気的接続が自動的に行なわれる。これらのバルブを開
け、所定の速度でカセット・ポートの接続部を介して真
空に適当な雰囲気を逆に充填する。カセットの内部圧
が、1つ以上の真空/圧力計で示すように、大気圧と等
しくなる場合、カセットの扉を開け、真空ロード・ロッ
ク・チャンバを使用することなく半導体ウェーハを取り
出したり装填することができる。ウェーハの処理が終了
すると、真空カセットの扉を閉め、カセットは、システ
ムの真空/圧力計が示すように、これらのポートとバル
ブを介して所定の速度で所望の真空レベルまで排気され
る。本発明の示す技術的な進歩と本発明の目的は、添付
の図面と上記の特許請求の範囲の新規な特徴と共に以下
の本発明の好適な実施例の説明を検討することによって
明らかになる。
・チャンバを必要とすることなく、カセットを排気し、
カセットにガスを充填し、カセットを周囲の大気に開放
することを可能にする1つ以上のバルブとポートを有す
る真空チャンバに関する。使用する場合、この真空カセ
ットは固定装置または架台に固定され、これによって、
カセットの1つのポートまたは複数のポートとの密封接
続、およびカセットの機械的または電気的な1つのバル
ブまたは複数のバルブを動作させるための機械的または
電気的接続が自動的に行なわれる。これらのバルブを開
け、所定の速度でカセット・ポートの接続部を介して真
空に適当な雰囲気を逆に充填する。カセットの内部圧
が、1つ以上の真空/圧力計で示すように、大気圧と等
しくなる場合、カセットの扉を開け、真空ロード・ロッ
ク・チャンバを使用することなく半導体ウェーハを取り
出したり装填することができる。ウェーハの処理が終了
すると、真空カセットの扉を閉め、カセットは、システ
ムの真空/圧力計が示すように、これらのポートとバル
ブを介して所定の速度で所望の真空レベルまで排気され
る。本発明の示す技術的な進歩と本発明の目的は、添付
の図面と上記の特許請求の範囲の新規な特徴と共に以下
の本発明の好適な実施例の説明を検討することによって
明らかになる。
【実施例】図1は、本発明の1実施例である。カセット
10はベース12の付いたチャンバ11を有する。カセ
ット10は、開口部13と14を貫通して延びるピンを
使用してワク・ステーションに載置される。カセット・
チャンバ15は、チャンネル20、バルブ18およびポ
ート17を介して排気にまたはガスの充填を行われる。
バルブ18は、バルブ・レバー19に接続されたバルブ
・アクチュエータ(図示せず)によって開閉される。チ
ャンバ15は、チャンネル20のチャンバの端部に位置
する2枚の整流板(baffle)21と22を有し、
このチャンバに導入されるガスを均等に拡散させる。半
導体ウェーハ16は、真空チャンバ内で間隔を設けて位
置するものとして図示されている。図2は、ワーク・ス
テーションに取り付け、固定された図1の真空カセット
を示す。図示のように、真空カセットとバルブの位置
は、逆充填のモードである。カセットは作業面27上に
取り付けられ、この作業面に下方保持クランプ23と2
4によって固定される。下方保持クランプ23と24は
ピン23a(クランプ23)とピン24a(クランプ2
4)を支点にして回転し、真空カセットのベースを作業
面27に向かって下方に保持する。カセットのポート1
7がガス/真空管路のポート17aと一致するように、
このカセットはピン13aと14aによって位置決めさ
れる。開口部17と17aとの間のインタフェースは、
Oリング30によって密封され、その結果、真空に引い
たりまたはガスが真空カセット内に導入されると、17
と17aとの境界でカセットの外部からの漏れが発生し
ない。バルブ18は、バルブ・アクチュエータ26によ
って作動される。アクチュエータ26は、アクチュエー
タ・レバー25とバルブ・レバー19によってバルブ1
8に結合される。バルブ18は開放位置で示す。真空カ
セット11を32で真空ポンプに接続し、またはこれを
31で逆充填ガスの供給源に接続する管路17aは、ロ
ータリ・バルブまたはその他の種類のバルブ29を使用
して開閉される。図2に示すように、ロータリ・バルブ
はガスを逆に充填する位置で図示される。図2に示す真
空カセットの動作は以下の通りである。カセット11
は、クランプ23と24によって作業面27に固定され
る。ポートは、作業面27に対してOリング30によっ
て17で密封される。次に、カセットは管路31、ロー
タリ・バルブ29、ポート17およびカセットバルブ1
8を介してガスを逆に充填される。カセットにガスを逆
に充填し、このカセット内部の圧力がほぼカセット外部
の大気圧になると、このカセットを開けることができ
(このカセットの扉は図示せず)、半導体ウェーハを取
り出して処理する。処理の後、この半導体ウェーハはカ
セットに戻され、このカセットはバルブ18、ポート1
7、およびロータリ・バルブ29を介して管路32を通
って真空ポンプで排気される。図3は、2つのポートと
2つのバルブを有する真空カセットを示す。2つのバル
ブと2つのポートを使用することによって、逆充填の機
能とポンプによる排気の機能を分離し、半導体ウェーハ
の交差による汚染(cross contaminat
ion)を防止することができる。また万一微粒子で汚
染された場合、真空カセットのベースを介してこの真空
カセットの内部を直接パージすることもできる。真空カ
セット40は、位置合わせ用の開口部50と51の付い
たベース42を有する。真空チャンバ41に対するアク
セスは、2通りの経路、すなわちポート48、バルブ4
5、およびチャンネル47の経路、およびポート49、
バルブ43およびチャンネル55の経路を介して行われ
る。2枚の整流板52と53はチャンバ41内に位置す
る。これらの整流板によって、ガスが半導体ウェーハを
横切って直接流れることが防止される。バルブ45はレ
バー46によって作動され、バルブ43はレバー44に
よって作動される。図4は、作業面60に取り付けら
れ、クランプ61と62によってこれに固定された図3
の真空カセットを示す。真空カセット40は、アライメ
ント・ピン50aと51aによって作業面60に位置合
わせされる。真空カセットのポート48は作業面のポー
ト63と位置合わせされ、Oリング75によってこれと
密封される。真空カセットのポート49は作業面60の
ポート49aと位置合わせされ、2つのポート49と4
9aはOリング74によって密封される。整流板52と
53は、ガス流を内におよびチャンバ41を介して整流
し拡散するよう構成される。この整流板は、逆充填また
は排気のいずれかによる微粒子の乱れを最小にし、製造
の観点から逆充填および(または)排気の速度を最大に
するために使用される。臨界レベルを超えガスの速度に
よって、沈澱した微粒子は内部環境に戻り、ウェーハが
汚染される可能性がある。図4のバルブは、パージ・モ
ードで図示されている。パージ用のガスはバルブ68、
管路67、およびフィルタ66を介して管路69に導入
され、さらにポート48、バルブ45およびチャンネル
47を介してカセット内に導入される。このパージ・ガ
スは、カセットチャンバ41に流入し、次にバルブ4
3、ポート49を介して流出し、バルブ64を介して真
空ポンプに行く。真空チャンバ41を排気するには、バ
ルブ45を閉じ、真空ポンプによってバルブ43、ポー
ト49およびバルブ64を介して真空引きを行う。チャ
ンバ41が所望のレベルの真空になると、バルブ43を
閉じる。チャンバ41内が真空状態であり、半導体ウェ
ーハを取り出すために真空を排除することが望ましけれ
ば、バルブ45と68を開放して適当なガス、通常は清
浄な空気またはその他のガスをチャンバ内に導入する。
このチャンバを清浄な空気で逆充填すると、このチャン
バはカセットの外部の圧力とほぼ等しい圧力になる。真
空カセットが半導体製造でより一般的になるにしたがっ
て、非真空装置とのインタフェースのコストを最小にす
ることが重要である。上で説明した真空カセットとイン
タフェース・システムはロード・ロック・システムより
もかなり安価である。以上の記載に関連して、以下の各
項を開示する。 1.半導体ウェーハを保管するために、または処理期間
中に上記の半導体ウェーハを保持するための半導体ウェ
ーハの真空保管用カセットにおいて、上記の保管用カセ
ットは:真空チャンバ;上記の真空チャンバ内の少なく
とも1つの整流板;上記の真空チャンバを上記のカセッ
トの外部と接続する開口部;および上記の真空チャンバ
と上記の開口部との間のバルブ;によって構成されるこ
とを特徴とするカセット。 2.作業面上に取り付けるため、作業面上のカセットと
位置合わせを行うようにカセット内に位置合わせピン・
ホールを有することを特徴とする前記項1記載の保管用
カセット。 3.上記バルブを使用して上記のカセット・チャンバを
排気するすることを特徴とする前記項1記載のカセッ
ト。 4.上記バルブを使用して上記の真空チャンバをガスで
逆充填することを特徴とする前記項1記載の保管用カセ
ット。 5.上記の真空チャンバと上記のカセットの外部との間
に第2開口部を有することを特徴とする前記項1記載の
保管用カセット。 6.第2開口部内にバルブを有し、上記の開口部の閉鎖
を可能にすることを特徴とする前記項5記載の保管用カ
セット。 7.半導体ウェーハを保管するために、または処理期間
中に上記の半導体ウェーハを保持するための半導体ウェ
ーハの真空保管用カセットにおいて、上記の保管用カセ
ットは;真空チャンバ;上記の真空チャンバ内の少なく
とも1つの整流板;上記の真空チャンバを上記のカセッ
トの外部と接続する上記のカセット内の第1開口部;上
記の真空チャンバを上記のカセットの外部と接続する第
2開口部;および上記の真空チャンバと上記の第1と第
2開口部との間のバルブ;によって構成されることを特
徴とする保管用カセット。 8.作業面上に取り付けるため、作業面上のカセットと
位置合わせを行うようにカセット内に位置合わせピン・
ホールを有することを特徴とする前記項7記載の保管用
カセット。 9.上記のバルブの1つを使用して上記のカセット・チ
ャンバを排気することを特徴とする前記項7記載の保管
用カセット。 10.上記のバルブの1つを使用して上記の真空チャン
バをガスで逆充填することを特徴とする前記項7記載の
保管用カセット。 11.ワーク・ステーションと組み合わせて半導体ウェ
ーハを保管するために、または処理期間中に上記の半導
体ウェーハを保持するための半導体ウェーハの真空保管
用カセットにおいて、上記の保管用カセットは:真空チ
ャンバ;上記の真空チャンバ内の少なくとも1つの整流
板;上記の真空チャンバを上記のカセットの外部と接続
する第1開口部;上記の真空チャンバと上記第1開口部
との間のバルブ;ワーク・ステーションの取り付け面;
上記カセット内の上記第1開口部とインタフェースする
上記の取り付け面内の第1開口部;上記のカセットとこ
れの中にある第1開口部を上記の取り付け面の第1開口
部と位置合わせする上記の取り付け面上のアライメント
・ピン;によって構成されることを特徴とするカセッ
ト。 12.バルブを使用してカセット・チャンバを排気する
ことを特徴とする前記項11記載の保管用カセット。 13.バルブを使用して真空チャンバをガスで逆充填す
ることを特徴とする前記項11記載の保管用カセット。 14.上記の真空チャンバと上記のカセットの外部との
間に第2開口部を有することを特徴とする前記項11記
載の保管用カセット。 15.第2開口部内にバルブを有し、上記の開口部の閉
鎖を可能にすることを特徴とする前記項14記載の保管
用カセット。
10はベース12の付いたチャンバ11を有する。カセ
ット10は、開口部13と14を貫通して延びるピンを
使用してワク・ステーションに載置される。カセット・
チャンバ15は、チャンネル20、バルブ18およびポ
ート17を介して排気にまたはガスの充填を行われる。
バルブ18は、バルブ・レバー19に接続されたバルブ
・アクチュエータ(図示せず)によって開閉される。チ
ャンバ15は、チャンネル20のチャンバの端部に位置
する2枚の整流板(baffle)21と22を有し、
このチャンバに導入されるガスを均等に拡散させる。半
導体ウェーハ16は、真空チャンバ内で間隔を設けて位
置するものとして図示されている。図2は、ワーク・ス
テーションに取り付け、固定された図1の真空カセット
を示す。図示のように、真空カセットとバルブの位置
は、逆充填のモードである。カセットは作業面27上に
取り付けられ、この作業面に下方保持クランプ23と2
4によって固定される。下方保持クランプ23と24は
ピン23a(クランプ23)とピン24a(クランプ2
4)を支点にして回転し、真空カセットのベースを作業
面27に向かって下方に保持する。カセットのポート1
7がガス/真空管路のポート17aと一致するように、
このカセットはピン13aと14aによって位置決めさ
れる。開口部17と17aとの間のインタフェースは、
Oリング30によって密封され、その結果、真空に引い
たりまたはガスが真空カセット内に導入されると、17
と17aとの境界でカセットの外部からの漏れが発生し
ない。バルブ18は、バルブ・アクチュエータ26によ
って作動される。アクチュエータ26は、アクチュエー
タ・レバー25とバルブ・レバー19によってバルブ1
8に結合される。バルブ18は開放位置で示す。真空カ
セット11を32で真空ポンプに接続し、またはこれを
31で逆充填ガスの供給源に接続する管路17aは、ロ
ータリ・バルブまたはその他の種類のバルブ29を使用
して開閉される。図2に示すように、ロータリ・バルブ
はガスを逆に充填する位置で図示される。図2に示す真
空カセットの動作は以下の通りである。カセット11
は、クランプ23と24によって作業面27に固定され
る。ポートは、作業面27に対してOリング30によっ
て17で密封される。次に、カセットは管路31、ロー
タリ・バルブ29、ポート17およびカセットバルブ1
8を介してガスを逆に充填される。カセットにガスを逆
に充填し、このカセット内部の圧力がほぼカセット外部
の大気圧になると、このカセットを開けることができ
(このカセットの扉は図示せず)、半導体ウェーハを取
り出して処理する。処理の後、この半導体ウェーハはカ
セットに戻され、このカセットはバルブ18、ポート1
7、およびロータリ・バルブ29を介して管路32を通
って真空ポンプで排気される。図3は、2つのポートと
2つのバルブを有する真空カセットを示す。2つのバル
ブと2つのポートを使用することによって、逆充填の機
能とポンプによる排気の機能を分離し、半導体ウェーハ
の交差による汚染(cross contaminat
ion)を防止することができる。また万一微粒子で汚
染された場合、真空カセットのベースを介してこの真空
カセットの内部を直接パージすることもできる。真空カ
セット40は、位置合わせ用の開口部50と51の付い
たベース42を有する。真空チャンバ41に対するアク
セスは、2通りの経路、すなわちポート48、バルブ4
5、およびチャンネル47の経路、およびポート49、
バルブ43およびチャンネル55の経路を介して行われ
る。2枚の整流板52と53はチャンバ41内に位置す
る。これらの整流板によって、ガスが半導体ウェーハを
横切って直接流れることが防止される。バルブ45はレ
バー46によって作動され、バルブ43はレバー44に
よって作動される。図4は、作業面60に取り付けら
れ、クランプ61と62によってこれに固定された図3
の真空カセットを示す。真空カセット40は、アライメ
ント・ピン50aと51aによって作業面60に位置合
わせされる。真空カセットのポート48は作業面のポー
ト63と位置合わせされ、Oリング75によってこれと
密封される。真空カセットのポート49は作業面60の
ポート49aと位置合わせされ、2つのポート49と4
9aはOリング74によって密封される。整流板52と
53は、ガス流を内におよびチャンバ41を介して整流
し拡散するよう構成される。この整流板は、逆充填また
は排気のいずれかによる微粒子の乱れを最小にし、製造
の観点から逆充填および(または)排気の速度を最大に
するために使用される。臨界レベルを超えガスの速度に
よって、沈澱した微粒子は内部環境に戻り、ウェーハが
汚染される可能性がある。図4のバルブは、パージ・モ
ードで図示されている。パージ用のガスはバルブ68、
管路67、およびフィルタ66を介して管路69に導入
され、さらにポート48、バルブ45およびチャンネル
47を介してカセット内に導入される。このパージ・ガ
スは、カセットチャンバ41に流入し、次にバルブ4
3、ポート49を介して流出し、バルブ64を介して真
空ポンプに行く。真空チャンバ41を排気するには、バ
ルブ45を閉じ、真空ポンプによってバルブ43、ポー
ト49およびバルブ64を介して真空引きを行う。チャ
ンバ41が所望のレベルの真空になると、バルブ43を
閉じる。チャンバ41内が真空状態であり、半導体ウェ
ーハを取り出すために真空を排除することが望ましけれ
ば、バルブ45と68を開放して適当なガス、通常は清
浄な空気またはその他のガスをチャンバ内に導入する。
このチャンバを清浄な空気で逆充填すると、このチャン
バはカセットの外部の圧力とほぼ等しい圧力になる。真
空カセットが半導体製造でより一般的になるにしたがっ
て、非真空装置とのインタフェースのコストを最小にす
ることが重要である。上で説明した真空カセットとイン
タフェース・システムはロード・ロック・システムより
もかなり安価である。以上の記載に関連して、以下の各
項を開示する。 1.半導体ウェーハを保管するために、または処理期間
中に上記の半導体ウェーハを保持するための半導体ウェ
ーハの真空保管用カセットにおいて、上記の保管用カセ
ットは:真空チャンバ;上記の真空チャンバ内の少なく
とも1つの整流板;上記の真空チャンバを上記のカセッ
トの外部と接続する開口部;および上記の真空チャンバ
と上記の開口部との間のバルブ;によって構成されるこ
とを特徴とするカセット。 2.作業面上に取り付けるため、作業面上のカセットと
位置合わせを行うようにカセット内に位置合わせピン・
ホールを有することを特徴とする前記項1記載の保管用
カセット。 3.上記バルブを使用して上記のカセット・チャンバを
排気するすることを特徴とする前記項1記載のカセッ
ト。 4.上記バルブを使用して上記の真空チャンバをガスで
逆充填することを特徴とする前記項1記載の保管用カセ
ット。 5.上記の真空チャンバと上記のカセットの外部との間
に第2開口部を有することを特徴とする前記項1記載の
保管用カセット。 6.第2開口部内にバルブを有し、上記の開口部の閉鎖
を可能にすることを特徴とする前記項5記載の保管用カ
セット。 7.半導体ウェーハを保管するために、または処理期間
中に上記の半導体ウェーハを保持するための半導体ウェ
ーハの真空保管用カセットにおいて、上記の保管用カセ
ットは;真空チャンバ;上記の真空チャンバ内の少なく
とも1つの整流板;上記の真空チャンバを上記のカセッ
トの外部と接続する上記のカセット内の第1開口部;上
記の真空チャンバを上記のカセットの外部と接続する第
2開口部;および上記の真空チャンバと上記の第1と第
2開口部との間のバルブ;によって構成されることを特
徴とする保管用カセット。 8.作業面上に取り付けるため、作業面上のカセットと
位置合わせを行うようにカセット内に位置合わせピン・
ホールを有することを特徴とする前記項7記載の保管用
カセット。 9.上記のバルブの1つを使用して上記のカセット・チ
ャンバを排気することを特徴とする前記項7記載の保管
用カセット。 10.上記のバルブの1つを使用して上記の真空チャン
バをガスで逆充填することを特徴とする前記項7記載の
保管用カセット。 11.ワーク・ステーションと組み合わせて半導体ウェ
ーハを保管するために、または処理期間中に上記の半導
体ウェーハを保持するための半導体ウェーハの真空保管
用カセットにおいて、上記の保管用カセットは:真空チ
ャンバ;上記の真空チャンバ内の少なくとも1つの整流
板;上記の真空チャンバを上記のカセットの外部と接続
する第1開口部;上記の真空チャンバと上記第1開口部
との間のバルブ;ワーク・ステーションの取り付け面;
上記カセット内の上記第1開口部とインタフェースする
上記の取り付け面内の第1開口部;上記のカセットとこ
れの中にある第1開口部を上記の取り付け面の第1開口
部と位置合わせする上記の取り付け面上のアライメント
・ピン;によって構成されることを特徴とするカセッ
ト。 12.バルブを使用してカセット・チャンバを排気する
ことを特徴とする前記項11記載の保管用カセット。 13.バルブを使用して真空チャンバをガスで逆充填す
ることを特徴とする前記項11記載の保管用カセット。 14.上記の真空チャンバと上記のカセットの外部との
間に第2開口部を有することを特徴とする前記項11記
載の保管用カセット。 15.第2開口部内にバルブを有し、上記の開口部の閉
鎖を可能にすることを特徴とする前記項14記載の保管
用カセット。
【図1】1つのポートを有する真空カセットの断面図を
示す。
示す。
【図2】ワーク・ステーションに載置した図1の真空カ
セットを示す。
セットを示す。
【図3】2つのポートを有する真空カセットの断面図を
示す。
示す。
【図4】ワーク・ステーションに載置した図3の真空カ
セットを示す。
セットを示す。
10、40 カセット 11、41 チャンバ 12、42 ベース 13、14、50、51 開口部 13a、14a、23a、24a、50a、51a
ピン 15 カセット・チャンバ 16、54 半導体ウェーハ 17、17a、48、49、49a、63 ポート 18、43、45、64、68 カセット・バルブ 19、44、46・・・レバー 20、47、55 チャンネル 21、22、52、53 整流板 23、24、61、62 下方保持クランプ 25 アクチュエータ・レバー 26 バルブアクチュエータ 27、60 作業面 29・・・ロータリ・バルブ 30、74、75 Oリング 31ガス供給源の管路 32 真空ポンプとの管路 66フィルタ 67、69 管路
ピン 15 カセット・チャンバ 16、54 半導体ウェーハ 17、17a、48、49、49a、63 ポート 18、43、45、64、68 カセット・バルブ 19、44、46・・・レバー 20、47、55 チャンネル 21、22、52、53 整流板 23、24、61、62 下方保持クランプ 25 アクチュエータ・レバー 26 バルブアクチュエータ 27、60 作業面 29・・・ロータリ・バルブ 30、74、75 Oリング 31ガス供給源の管路 32 真空ポンプとの管路 66フィルタ 67、69 管路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 半導体ウェーハを保管するために、また
は処理期間中に保持する半導体ウェーハの真空保管用カ
セットにおいて、上記のカセットは:真空チャンバ;上
記の真空チャンバ内の少なくとも1つの整流板;真空チ
ャンバをカセットの外部と接続する開口部;および真空
チャンバと上記の開口部との間のバルブ;によって構成
されることを特徴とするカセット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US475556 | 1990-02-05 | ||
| US07/475,556 US5137063A (en) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | Vented vacuum semiconductor wafer cassette |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH054666A true JPH054666A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=23888096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3100625A Pending JPH054666A (ja) | 1990-02-05 | 1991-02-05 | 通気孔を設けた半導体ウエーハ用真空カセツト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5137063A (ja) |
| JP (1) | JPH054666A (ja) |
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-
1991
- 1991-02-05 JP JP3100625A patent/JPH054666A/ja active Pending
Also Published As
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