JPH0547021B2 - - Google Patents
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- JPH0547021B2 JPH0547021B2 JP60267521A JP26752185A JPH0547021B2 JP H0547021 B2 JPH0547021 B2 JP H0547021B2 JP 60267521 A JP60267521 A JP 60267521A JP 26752185 A JP26752185 A JP 26752185A JP H0547021 B2 JPH0547021 B2 JP H0547021B2
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マトリクス状に配置された光電変換
素子、これら光電変換素子に付属した垂直スイツ
チ、垂直信号線に接続された水平スイツチ、垂直
走査回路および水平走査回路から成るMOS型固
体撮像素子に関する。 〔従来技術〕 このような固体撮像素子では、本来発生しては
いけない画像上の場所に場合によつては誤つて信
号が発生してしまうことがある。このような妨害
信号を光にせ信号と称する。光にせ信号の代表的
な例は、スミアとブルーミングである。どちらも
画面上に強い光点があつた場合に、その周囲に光
点がにじむ現象である。このにじみは一般に縦の
帯となつて画面上に表われる。 ブルーミングは、強い光が光電変換部に当たつ
た時、それにより生じた多量の電荷が光電変換部
の容量からあふれ出ることによつて生じる。その
ため光電変換部の構造的な処置によつて、あふれ
た電荷が信号路を通らずに排出してしまうことに
よつて、ブルーミング現象はかなりの程度まで減
少することができる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 一方スミアは、生じた電荷が、拡散により信号
転送路に流れ込む現象である。MOS型固体撮像
素子では１列の光電変換素子が垂直信号線に隣接
しており、１列あたり例えばほぼ400個の光電変
換素子が設けられているので、ブルーミング対策
により個々の素子のあふれ電荷が少なくなつたと
しても、多数の素子から信号転送路に流入する総
電荷量は大きなものとなる。従つてスミア減少の
排除は本質的に困難である。 本発明の目的は、このスミア現象を大幅に現象
したMOS型固体撮像素子を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段及び作用〕 本発明によればこの目的は次のようにして達成
される。 マトリスク状に配列された光電変換素子群と、
一端が前記各光電変換素子に接続されるとともに
他端が各垂直信号線に直接若しくは間接接続され
た垂直スイツチ群と、前記各垂直スイツチに接続
され、前記各垂直スイツチをエネーブル状態にす
る垂直エネーブルスイツチ群と、一端が前記各垂
直信号線に接続されるとともに他端が出力線に接
続される水平スイツチ群と、一端が前記各垂直信
号線に接続されるとともに他端がビデオバイアス
に接続されるリセツトスイツチ群と、前記各垂直
スイツチに直接若しくは間接接続され前記各垂直
スイツチを順次駆動する垂直走査回路と、前記垂
直走査回路により選択された光電変換素子の電荷
を前記出力線に出力する為の前記リセツトスイツ
チ、垂直エネーブルスイツチ、及び水平スイツチ
が、該順序で制御可能である如く接続され、各ス
イツチを順次駆動する水平走査回路とを有し、前
記垂直走査回路により選択された行の各垂直スイ
ツチに接続された前記各光電変換素子の電荷が前
記出力線に順次転送されるようにした。 そもそもブルーミング対策により個々の素子の
あふれ電荷は少なくなつているので、１水平走査
期間中の流入電荷が加算されないようにすれば、
スミアは最大で１行の素子数分の１に減少できる
ことは明らかである。従つて本発明では、１つの
画素の読出しを３つのステツプに分け、第１に垂
直信号線に蓄積した電荷をリセツトし、第２に光
電変換素子の電荷を垂直信号線に転送し、第３に
垂直信号線の電荷を出力線に転送する。 しかしこの３つのステツプを各画素に対して直
列に行つたのでは、制御パルスとして従来のパル
スの３倍の周波数のものが必要になつてしまう。
そこで本発明では、前記３つのステツプを隣接す
る画素間で１つづつずらして行うことにより、従
来の水平転送リクロツクと同じ周波数で制御でき
るような構成を提供している。 この構成によれば、第１の画素の水平スイツチ
と第２の画素の垂直エネーブルスイツチと第３の
画素のリセツトスイツチは同時に制御され、以下
同様に隣接する３つの画素のそれぞれのスイツチ
が１周期づつずらせて制御される。 本発明によるMOS型固体撮像素子によれば、
スミアは極めて大幅に低減できる。しかもそのた
めの処置は、若干の素子数の増加だけでよく、特
に高速の制御もいらない。LSIチツプ上の素子数
のこの程度の増加により、製造コストが大幅に上
昇することもないので、本発明によれば、わずか
なコストの上昇で大幅な画質の向上が得られる。 本発明の実施例を以下図面によつて説明する。 第１図と第２図は、本発明による固体撮像素子
の構造と動作の説明に供されるものであり、第１
図の各位置に生じる信号波形が、第２図に、当該
の位置と同じ信号で示されている。 従来のMOS型固体撮像素子では、垂直走査回
路Ｖのそれぞれの出力端子V1，V2…は、垂直ス
イツチTr3のゲートに直接接続されているが、本
発明によればこれら出力端子は、垂直エネーブル
スイツチTr1を介して垂直スイツチTr3のゲート
に接続されている。従つて垂直スイツチTr3は、
垂直走査回路Ｖと水平走査回路Ｈの両方から信号
が供給された場合にしか導通しない。 またここではそれぞれの垂直信号線は、水平走
査回路Ｈから制御される水平スイツチTr4を介し
て出力線に接続されていると共に、同じく水平走
査回路Ｈから制御されるリセツトスイツチTr2を
介してバイアス線に接続されている。 水平走査回路Ｈのそれぞれの出力端子H1，H2
…は、リセツトスイツチTr2のゲート、垂直エネ
ーブルスイツチTr1のドレイン、および水平スイ
ツチTr4のゲートに接続されている。個別的に述
べれば、出力端子H1は第１の画素リセツトスイ
ツチTr2に、出力端子H2は、第１の垂直エネーブ
ルスイツチTr1と第２の画素のリセツトスイツチ
Tr2に、また出力端子H3は、第１の画素の水平ス
イツチTr4と第２の画素の垂直エネーブルスイツ
チTr1と第３の画素のリセツトスイツチTr2に接
続されており、以下同様である。 従つて例えば出力端子H3から出力が供給され
ている場合、第１の画素では、すでにリセツトと
光電変換素子から垂直信号線への電荷の転送が終
了しており、垂直信号線から出力線へ電荷が転送
される。この時同時に第２の画素では、光電変換
素子から出力線へ電荷が転送され、一方第３の画
素では、リセツトが行われる。このように隣接す
る３つの画素で、３種類の動作が同時に行われる
ので、１走査線の画素を読出すために水平走査回
路Ｈが発生すべきパルスの数は、従来のものより
２つ多いにすぎない。 第２図から明らかなように、垂直走査回路Ｖの
それぞれの出力V1，V2……は、各出力が高レベ
ルにある時に、垂直スイツチTr3が導通するので
はなく、この時垂直スイツチTr3はエネーブルさ
れるだけである。この時水平走査回路Ｈから垂直
エネーブルスイツチTr1のドレインに出力H1，
H2…が供給されると、垂直スイツチTr3が導通す
る。 第１図の構成の垂直スイツチTr3と垂直エネー
ブルスイツチTr1は、第３図に抜き出して示して
ある。しかしこの２つのスイツチTr3とTr1の配
列はこれだけに限らない。第４図にこれらスイツ
チTr3とTr1の別の配列の実施例が示してある。
この場合２つのスイツチTr3とTr1は直列に接続
されている。従つて垂直走査回路Ｖの出力V1と
水平走査回路Ｈの出力H1が同時に供給された時
に、光電変換素子の電荷が垂直信号線に供給され
るという動作に関しては、第４図の回路は、第３
図の回路と同じである。 本発明によると固体撮像素子の動作を要約すれ
ば次の通りである。 () 垂直エネーブルスイツチTr1に垂直走査回
路Ｖからパルスが供給され、読出し可能状態と
なる。 () リセツトスイツチTr2に水平走査回路Ｈか
らパルスが供給され、垂直信号線が一定電位に
リセツトされる。 () 垂直スイツチTr3に垂直エネーブルスイツ
チTr1を介して水平走査回路Ｈからパルスが供
給され、光電変換素子の画像信号が垂直信号線
に転送される。 () 水平スイツチTr4に水平走査回路Ｈからパ
ルスが供給され、垂直信号線の画像信号が出力
線に転送される。 なお動作（）は、行の選択であるから、１行
につき１度だけ行われる。動作（）〜（）
は、それぞれの画素について順に行われるが、１
つの画素について動作（）〜（）が終了した
後、次の画素について同じ動作を行つたのでは、
動作時間が従来のものの３倍になつてしまう。従
つて本実施例では、それぞれ隣接する画素で、１
つづつずれた動作（）、（）、（）を同時に行
うことによつて、動作時間を延長することなく、
すべての画素の信号を読出すことができる。各画
素における動作と時間経過の関係を次の表に示
す。
素子、これら光電変換素子に付属した垂直スイツ
チ、垂直信号線に接続された水平スイツチ、垂直
走査回路および水平走査回路から成るMOS型固
体撮像素子に関する。 〔従来技術〕 このような固体撮像素子では、本来発生しては
いけない画像上の場所に場合によつては誤つて信
号が発生してしまうことがある。このような妨害
信号を光にせ信号と称する。光にせ信号の代表的
な例は、スミアとブルーミングである。どちらも
画面上に強い光点があつた場合に、その周囲に光
点がにじむ現象である。このにじみは一般に縦の
帯となつて画面上に表われる。 ブルーミングは、強い光が光電変換部に当たつ
た時、それにより生じた多量の電荷が光電変換部
の容量からあふれ出ることによつて生じる。その
ため光電変換部の構造的な処置によつて、あふれ
た電荷が信号路を通らずに排出してしまうことに
よつて、ブルーミング現象はかなりの程度まで減
少することができる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 一方スミアは、生じた電荷が、拡散により信号
転送路に流れ込む現象である。MOS型固体撮像
素子では１列の光電変換素子が垂直信号線に隣接
しており、１列あたり例えばほぼ400個の光電変
換素子が設けられているので、ブルーミング対策
により個々の素子のあふれ電荷が少なくなつたと
しても、多数の素子から信号転送路に流入する総
電荷量は大きなものとなる。従つてスミア減少の
排除は本質的に困難である。 本発明の目的は、このスミア現象を大幅に現象
したMOS型固体撮像素子を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段及び作用〕 本発明によればこの目的は次のようにして達成
される。 マトリスク状に配列された光電変換素子群と、
一端が前記各光電変換素子に接続されるとともに
他端が各垂直信号線に直接若しくは間接接続され
た垂直スイツチ群と、前記各垂直スイツチに接続
され、前記各垂直スイツチをエネーブル状態にす
る垂直エネーブルスイツチ群と、一端が前記各垂
直信号線に接続されるとともに他端が出力線に接
続される水平スイツチ群と、一端が前記各垂直信
号線に接続されるとともに他端がビデオバイアス
に接続されるリセツトスイツチ群と、前記各垂直
スイツチに直接若しくは間接接続され前記各垂直
スイツチを順次駆動する垂直走査回路と、前記垂
直走査回路により選択された光電変換素子の電荷
を前記出力線に出力する為の前記リセツトスイツ
チ、垂直エネーブルスイツチ、及び水平スイツチ
が、該順序で制御可能である如く接続され、各ス
イツチを順次駆動する水平走査回路とを有し、前
記垂直走査回路により選択された行の各垂直スイ
ツチに接続された前記各光電変換素子の電荷が前
記出力線に順次転送されるようにした。 そもそもブルーミング対策により個々の素子の
あふれ電荷は少なくなつているので、１水平走査
期間中の流入電荷が加算されないようにすれば、
スミアは最大で１行の素子数分の１に減少できる
ことは明らかである。従つて本発明では、１つの
画素の読出しを３つのステツプに分け、第１に垂
直信号線に蓄積した電荷をリセツトし、第２に光
電変換素子の電荷を垂直信号線に転送し、第３に
垂直信号線の電荷を出力線に転送する。 しかしこの３つのステツプを各画素に対して直
列に行つたのでは、制御パルスとして従来のパル
スの３倍の周波数のものが必要になつてしまう。
そこで本発明では、前記３つのステツプを隣接す
る画素間で１つづつずらして行うことにより、従
来の水平転送リクロツクと同じ周波数で制御でき
るような構成を提供している。 この構成によれば、第１の画素の水平スイツチ
と第２の画素の垂直エネーブルスイツチと第３の
画素のリセツトスイツチは同時に制御され、以下
同様に隣接する３つの画素のそれぞれのスイツチ
が１周期づつずらせて制御される。 本発明によるMOS型固体撮像素子によれば、
スミアは極めて大幅に低減できる。しかもそのた
めの処置は、若干の素子数の増加だけでよく、特
に高速の制御もいらない。LSIチツプ上の素子数
のこの程度の増加により、製造コストが大幅に上
昇することもないので、本発明によれば、わずか
なコストの上昇で大幅な画質の向上が得られる。 本発明の実施例を以下図面によつて説明する。 第１図と第２図は、本発明による固体撮像素子
の構造と動作の説明に供されるものであり、第１
図の各位置に生じる信号波形が、第２図に、当該
の位置と同じ信号で示されている。 従来のMOS型固体撮像素子では、垂直走査回
路Ｖのそれぞれの出力端子V1，V2…は、垂直ス
イツチTr3のゲートに直接接続されているが、本
発明によればこれら出力端子は、垂直エネーブル
スイツチTr1を介して垂直スイツチTr3のゲート
に接続されている。従つて垂直スイツチTr3は、
垂直走査回路Ｖと水平走査回路Ｈの両方から信号
が供給された場合にしか導通しない。 またここではそれぞれの垂直信号線は、水平走
査回路Ｈから制御される水平スイツチTr4を介し
て出力線に接続されていると共に、同じく水平走
査回路Ｈから制御されるリセツトスイツチTr2を
介してバイアス線に接続されている。 水平走査回路Ｈのそれぞれの出力端子H1，H2
…は、リセツトスイツチTr2のゲート、垂直エネ
ーブルスイツチTr1のドレイン、および水平スイ
ツチTr4のゲートに接続されている。個別的に述
べれば、出力端子H1は第１の画素リセツトスイ
ツチTr2に、出力端子H2は、第１の垂直エネーブ
ルスイツチTr1と第２の画素のリセツトスイツチ
Tr2に、また出力端子H3は、第１の画素の水平ス
イツチTr4と第２の画素の垂直エネーブルスイツ
チTr1と第３の画素のリセツトスイツチTr2に接
続されており、以下同様である。 従つて例えば出力端子H3から出力が供給され
ている場合、第１の画素では、すでにリセツトと
光電変換素子から垂直信号線への電荷の転送が終
了しており、垂直信号線から出力線へ電荷が転送
される。この時同時に第２の画素では、光電変換
素子から出力線へ電荷が転送され、一方第３の画
素では、リセツトが行われる。このように隣接す
る３つの画素で、３種類の動作が同時に行われる
ので、１走査線の画素を読出すために水平走査回
路Ｈが発生すべきパルスの数は、従来のものより
２つ多いにすぎない。 第２図から明らかなように、垂直走査回路Ｖの
それぞれの出力V1，V2……は、各出力が高レベ
ルにある時に、垂直スイツチTr3が導通するので
はなく、この時垂直スイツチTr3はエネーブルさ
れるだけである。この時水平走査回路Ｈから垂直
エネーブルスイツチTr1のドレインに出力H1，
H2…が供給されると、垂直スイツチTr3が導通す
る。 第１図の構成の垂直スイツチTr3と垂直エネー
ブルスイツチTr1は、第３図に抜き出して示して
ある。しかしこの２つのスイツチTr3とTr1の配
列はこれだけに限らない。第４図にこれらスイツ
チTr3とTr1の別の配列の実施例が示してある。
この場合２つのスイツチTr3とTr1は直列に接続
されている。従つて垂直走査回路Ｖの出力V1と
水平走査回路Ｈの出力H1が同時に供給された時
に、光電変換素子の電荷が垂直信号線に供給され
るという動作に関しては、第４図の回路は、第３
図の回路と同じである。 本発明によると固体撮像素子の動作を要約すれ
ば次の通りである。 () 垂直エネーブルスイツチTr1に垂直走査回
路Ｖからパルスが供給され、読出し可能状態と
なる。 () リセツトスイツチTr2に水平走査回路Ｈか
らパルスが供給され、垂直信号線が一定電位に
リセツトされる。 () 垂直スイツチTr3に垂直エネーブルスイツ
チTr1を介して水平走査回路Ｈからパルスが供
給され、光電変換素子の画像信号が垂直信号線
に転送される。 () 水平スイツチTr4に水平走査回路Ｈからパ
ルスが供給され、垂直信号線の画像信号が出力
線に転送される。 なお動作（）は、行の選択であるから、１行
につき１度だけ行われる。動作（）〜（）
は、それぞれの画素について順に行われるが、１
つの画素について動作（）〜（）が終了した
後、次の画素について同じ動作を行つたのでは、
動作時間が従来のものの３倍になつてしまう。従
つて本実施例では、それぞれ隣接する画素で、１
つづつずれた動作（）、（）、（）を同時に行
うことによつて、動作時間を延長することなく、
すべての画素の信号を読出すことができる。各画
素における動作と時間経過の関係を次の表に示
す。
【表】
… …
… …
〔発明の効果〕 以上記載したとおり、本発明のMOS型固体撮
像素子によれば、１つの画素の読出しを３つのス
テツプに分け、第１に垂直信号線に蓄積した電荷
をリセツトし、第２に光電変換素子の電荷を垂直
信号線に転送し、第３に垂直信号線の電荷を出力
線に転送し、この３つのステツプを隣接する画素
間で１つづつずらして行うことにより、垂直信号
線に蓄積されるスミア等の光にせ信号が大幅に減
少できて好適な画像が得られる。
… …
〔発明の効果〕 以上記載したとおり、本発明のMOS型固体撮
像素子によれば、１つの画素の読出しを３つのス
テツプに分け、第１に垂直信号線に蓄積した電荷
をリセツトし、第２に光電変換素子の電荷を垂直
信号線に転送し、第３に垂直信号線の電荷を出力
線に転送し、この３つのステツプを隣接する画素
間で１つづつずらして行うことにより、垂直信号
線に蓄積されるスミア等の光にせ信号が大幅に減
少できて好適な画像が得られる。
第１図は、本発明による固体撮像素子の実施例
を示す回路図、第２図は、第１図の素子の動作を
説明する時間線図、第３図と第４図は、垂直スイ
ツチと垂直エネーブルの配列を示す２つの実施例
の図である。 Tr1……垂直エネーブルスイツチ、Tr2……リ
セツトスイツチ、Tr3……垂直スイツチ、Tr4…
…水平スイツチ、Ｈ……水平走査回路、Ｖ……垂
直走査回路。
を示す回路図、第２図は、第１図の素子の動作を
説明する時間線図、第３図と第４図は、垂直スイ
ツチと垂直エネーブルの配列を示す２つの実施例
の図である。 Tr1……垂直エネーブルスイツチ、Tr2……リ
セツトスイツチ、Tr3……垂直スイツチ、Tr4…
…水平スイツチ、Ｈ……水平走査回路、Ｖ……垂
直走査回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マトリクス状に配列された光電変換素子群
と、 一端が前記各光電変換素子に接続されるととも
に他端が各垂直信号線に直接若しくは間接接続さ
れた垂直スイツチ群と、 前記各垂直スイツチに接続され、前記各垂直ス
イツチをエネーブル状態にする垂直エネーブルス
イツチ群と、 一端が前記各垂直信号線に接続されるとともに
他端が出力線に接続される水平スイツチ群と、 一端が前記各垂直信号線に接続されるとともに
他端がビデオバイアスに接続されるリセツトスイ
ツチ群と、 前記各垂直スイツチに直接若しくは間接接続さ
れ前記各垂直スイツチを順次駆動する垂直走査回
路と、 前記垂直走査回路により選択された光電変換素
子の電荷を前記出力線に出力する為の前記リセツ
トスイツチ、垂直エネーブルスイツチ、及び水平
スイツチが、該順序で制御可能である如く接続さ
れ、各スイツチを順次駆動する水平走査回路とを
有し、 前記垂直走査回路により選択された行の各垂直
スイツチに接続された前記各光電変換素子の電荷
が前記出力線に順次転送されることを特徴とする
MOS型固体撮像素子。 ２ 第１の画素の水平スイツチと第２の画素の垂
直エネーブルスイツチと第３の画素のリセツトス
イツチは同時に制御され、以下同様に隣接する３
つの画素のそれぞれのスイツチが１周期づつずら
せて制御される、特許請求の範囲第１項記載の固
体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267521A JPS62128677A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Ｍｏｓ型固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267521A JPS62128677A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Ｍｏｓ型固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128677A JPS62128677A (ja) | 1987-06-10 |
| JPH0547021B2 true JPH0547021B2 (ja) | 1993-07-15 |
Family
ID=17445990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267521A Granted JPS62128677A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Ｍｏｓ型固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128677A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4553612B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2010-09-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像素子およびそれを備えた撮像装置 |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60267521A patent/JPS62128677A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62128677A (ja) | 1987-06-10 |
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