JPH0547339A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0547339A JPH0547339A JP3209037A JP20903791A JPH0547339A JP H0547339 A JPH0547339 A JP H0547339A JP 3209037 A JP3209037 A JP 3209037A JP 20903791 A JP20903791 A JP 20903791A JP H0547339 A JPH0547339 A JP H0547339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- scan
- ion
- scan width
- ion implanter
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 8
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 abstract 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】イオン注入装置において、グランドマスクを用
いることなくウェハーサイズに合わせたＸ，Ｙスキャン
幅を決定することによって、イオンビーム電流の無駄を
なくす。 【構成】ターゲットプラテン９上にＸ，Ｙ方向各々のイ
オンビーム検出器１０，１１を備え、その検出器からの
信号によりＸ，Ｙ偏向板４，２の電圧を制御しスキャン
幅を決定するスキャン幅制御器１２を備えている。
いることなくウェハーサイズに合わせたＸ，Ｙスキャン
幅を決定することによって、イオンビーム電流の無駄を
なくす。 【構成】ターゲットプラテン９上にＸ，Ｙ方向各々のイ
オンビーム検出器１０，１１を備え、その検出器からの
信号によりＸ，Ｙ偏向板４，２の電圧を制御しスキャン
幅を決定するスキャン幅制御器１２を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造に使用
する静電走査型イオン注入装置に関し、特にイオンビー
ムスキャン制御手段に関する。
する静電走査型イオン注入装置に関し、特にイオンビー
ムスキャン制御手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、静電走査型イオン注入装置は、中
電流領域でのイオン注入に用いられ、イオンビームをＸ
方向、Ｙ方向各々の周波数で振り、ウェハーに均一に当
たるようになっている。これを図２の見取図で説明す
る。質量分析された所望のイオンビーム１は、まず、２
枚のＹ偏向板２により、ある周波数で垂直方向のスキャ
ンを垂直スキャン角度３（±θy ）で行なう。次に、Ｘ
偏向板４により、Ｙ方向と違うある周波数で水平方向の
スキャンを水平スキャン角度５（±θX ）で行う。Ｘ偏
向板４の２枚の中、１板がくの字形になっていないの
は、イオン注入中、中性ビーム８によりドーズ量の誤カ
ウントをなくす為で、スキャンオフセット角度７（φ）
により防いでいる。そして、Ｘ，Ｙ各々の方向にスキャ
ンされたイオンビームは、グランドマスク６を通る。こ
のマスクは、ターゲットプラテン９にセットされるウェ
ハーサイズと同サイズ、もしくはそれ以上の大きさのも
のが装着されている。
電流領域でのイオン注入に用いられ、イオンビームをＸ
方向、Ｙ方向各々の周波数で振り、ウェハーに均一に当
たるようになっている。これを図２の見取図で説明す
る。質量分析された所望のイオンビーム１は、まず、２
枚のＹ偏向板２により、ある周波数で垂直方向のスキャ
ンを垂直スキャン角度３（±θy ）で行なう。次に、Ｘ
偏向板４により、Ｙ方向と違うある周波数で水平方向の
スキャンを水平スキャン角度５（±θX ）で行う。Ｘ偏
向板４の２枚の中、１板がくの字形になっていないの
は、イオン注入中、中性ビーム８によりドーズ量の誤カ
ウントをなくす為で、スキャンオフセット角度７（φ）
により防いでいる。そして、Ｘ，Ｙ各々の方向にスキャ
ンされたイオンビームは、グランドマスク６を通る。こ
のマスクは、ターゲットプラテン９にセットされるウェ
ハーサイズと同サイズ、もしくはそれ以上の大きさのも
のが装着されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の技術では、
ウェハーサイズが５，６，８インチのウェハーにイオン
注入したい場合には、それに合ったサイズのグランドマ
スクに交換しなければならないという困難さがあった。
また、一番大きいウェハーサイズには、例えば８インチ
サイズ用のグランドマスクを付けて置けば良いが、８イ
ンチサイズのグランドマスクを付けて５インチ径のウェ
ハーにイオン注入する場合、３インチ以上ものオーバー
スキャンをする事になり、イオンビーム電流を多くと
り、かなり無駄な電流を必要とし、注入時間もかかって
しまうという問題点があった。
ウェハーサイズが５，６，８インチのウェハーにイオン
注入したい場合には、それに合ったサイズのグランドマ
スクに交換しなければならないという困難さがあった。
また、一番大きいウェハーサイズには、例えば８インチ
サイズ用のグランドマスクを付けて置けば良いが、８イ
ンチサイズのグランドマスクを付けて５インチ径のウェ
ハーにイオン注入する場合、３インチ以上ものオーバー
スキャンをする事になり、イオンビーム電流を多くと
り、かなり無駄な電流を必要とし、注入時間もかかって
しまうという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の静電型イオン注
入装置は、グランドマスクを必要とせず、ターゲットプ
ラテン上にＸ，Ｙ各々のイオンビーム検出器を設け、こ
の検出器の信号からＸ，Ｙ偏向板の電圧を制御し決定す
るスキャン幅制御器を備えている。
入装置は、グランドマスクを必要とせず、ターゲットプ
ラテン上にＸ，Ｙ各々のイオンビーム検出器を設け、こ
の検出器の信号からＸ，Ｙ偏向板の電圧を制御し決定す
るスキャン幅制御器を備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の静電型イオン注入装置の
偏向電極からターゲットプラテンに至る見取図である。
従来技術同様、Ｘ，Ｙ偏向板により水平スキャン角度５
（±θX ），垂直スキャン角度３（±θY ）でスキャン
されたイオンビーム１は、ターゲットプラテン９に設け
られたＸ，Ｙ各々のイオンビーム検出器１０，１１にイ
オンビーム１が入ってくるまでスキャンし、この検出器
の電気信号によりスキャン幅制御器１２でＸ，Ｙ各々の
偏向板４，２にかける電圧を制御し、スキャン幅を自動
的に決定する。本実施例によれば、グランドマスクを使
用することなくスキャン幅を変更することができる。
る。図１は本発明の一実施例の静電型イオン注入装置の
偏向電極からターゲットプラテンに至る見取図である。
従来技術同様、Ｘ，Ｙ偏向板により水平スキャン角度５
（±θX ），垂直スキャン角度３（±θY ）でスキャン
されたイオンビーム１は、ターゲットプラテン９に設け
られたＸ，Ｙ各々のイオンビーム検出器１０，１１にイ
オンビーム１が入ってくるまでスキャンし、この検出器
の電気信号によりスキャン幅制御器１２でＸ，Ｙ各々の
偏向板４，２にかける電圧を制御し、スキャン幅を自動
的に決定する。本実施例によれば、グランドマスクを使
用することなくスキャン幅を変更することができる。
【０００６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、グランド
マスクをなくし、ターゲットプラテンにイオンビーム検
出器を設け、ここからの信号でスキャン幅を自動的に決
定するスキャン幅制御器を備えたので、注入するウェハ
ーサイズに合わせたスキャン幅が自動的に決定される
為、無駄なイオンビーム電流を取らなくてすむという効
果を有する。
マスクをなくし、ターゲットプラテンにイオンビーム検
出器を設け、ここからの信号でスキャン幅を自動的に決
定するスキャン幅制御器を備えたので、注入するウェハ
ーサイズに合わせたスキャン幅が自動的に決定される
為、無駄なイオンビーム電流を取らなくてすむという効
果を有する。
【図１】本発明の一実施例の見取図である。
【図２】従来のイオン注入装置を示す見取図である。
１ イオンビーム ２ Ｙ偏向板 ３ 垂直スキャン角度 ４ Ｘ偏向板 ５ 水平スキャン角度 ６ グランドマスク ７ スキャンオフセット角度 ８ 中性ビーム ９ ターゲットプラテン １０ Ｘ方向イオンビーム検出器 １１ Ｙ方向イオンビーム検出器 １２ スキャン幅制御器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (1)
- 【請求項１】 イオン注入ターゲットプラテン上に設け
たイオンビーム検出器と、この検出器の信号からＸ，Ｙ
偏向板の電圧を制御しスキャン幅を決定するスキャン幅
制御器とを備えることを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209037A JPH0547339A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209037A JPH0547339A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547339A true JPH0547339A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16566211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3209037A Pending JPH0547339A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547339A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007517358A (ja) * | 2003-06-13 | 2007-06-28 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入システムのための磁気／静電式ハイブリッド偏向器 |
| US8201584B2 (en) | 2007-11-28 | 2012-06-19 | Ibiden Co., Ltd. | Exhaust pipe |
| JP2016528675A (ja) * | 2013-06-26 | 2016-09-15 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオンの角発散を制御する装置及び方法 |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP3209037A patent/JPH0547339A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007517358A (ja) * | 2003-06-13 | 2007-06-28 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入システムのための磁気／静電式ハイブリッド偏向器 |
| US8201584B2 (en) | 2007-11-28 | 2012-06-19 | Ibiden Co., Ltd. | Exhaust pipe |
| JP2016528675A (ja) * | 2013-06-26 | 2016-09-15 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオンの角発散を制御する装置及び方法 |
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