JPH0547670A - 常圧cvd装置のための黒鉛製ウエハ保持治具 - Google Patents
常圧cvd装置のための黒鉛製ウエハ保持治具Info
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- JPH0547670A JPH0547670A JP3148614A JP14861491A JPH0547670A JP H0547670 A JPH0547670 A JP H0547670A JP 3148614 A JP3148614 A JP 3148614A JP 14861491 A JP14861491 A JP 14861491A JP H0547670 A JPH0547670 A JP H0547670A
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Abstract
粒子の脱落を十分防止してウエハに対する汚損の防止を
図ることのできる常圧CVD装置において使用される黒
鉛製ウエハ保持治具を提供すること。 【構成】 全体が等方性高密度高純度で、20℃〜40
0℃の平均熱膨張係数が1.3〜7.0×10-6/℃、
かつ水銀圧入法で測定される平均細孔半径が18000
オングストローム以下である黒鉛材11によって形成さ
れて、常圧CVD装置内において半導体素子用の原料ウ
エハを保持するためのウエハ保持治具であって、黒鉛材
11の表面に熱分解炭素からなる被膜14を形成したこ
と。
Description
て使用され、半導体素子用の原料ウエハを保持するため
のウエハ保持治具に関し、特にその大部分を黒鉛材によ
って形成したウエハ保持治具に関するものである。
ハ保持治具は、半導体素子を製造するプロセスにおい
て、その原料となるシリコン等によって形成したウエハ
に酸化膜を形成するために、図6に示すように、多数の
ウエハを保持したまま常圧CVD装置内に挿入されるも
のである。このウエハ上に酸化膜を形成する工程では、
同時に治具にも酸化膜が形成されるが、この治具を繰り
返し使用すると酸化膜がしだいに厚く堆積することとな
り、これが使用中に剥離し、ウエハに悪影響を及ぼすた
め、定期的にフッ酸による酸化膜の洗浄が必要となる。
として石英素材を使用して形成されているが、この石英
素材はフッ酸に弱いため、フッ酸洗浄を何回も繰り返す
とこの石英素材からなるウエハ保持治具は細ってしまっ
て使用できなくなることから、耐久性に劣るものであっ
た。
ラミックスによって、この種のウエハ保持治具を形成す
ることも考えられているのであるが、近年の技術の進歩
に伴ってウエハ自体の径が大きくなってきており、セラ
ミックスの焼成収縮を考慮しながら大型化したウエハ保
持治具を形成することは非常に困難となってきているの
である。特に、セラミックスは、その優れた硬度が災い
して加工性が非常に悪いものであり、寸法精度において
も大型化すればするほど劣るものであるのである。そし
て、何よりも、セラミックスは、焼成助剤を使用して焼
成されるものであるが、この焼成助剤が焼成後に不純物
として残留するものであり、この残留不純物はウエハ保
持治具として問題となるのである。
とができるようにすべく、図6に示したような常圧CV
D装置30が開発されてきているが、この常圧CVD装
置30においては、インコネル(ニッケル・クロム合
金)製のウエハ保持治具をヒーター上にて例えばチエン
駆動により移動するものである。この常圧CVD装置3
0においては、ガス分散ヘッドを3つのゾーンに分離す
ることによりウエハに対する酸化膜の形成を容易として
いるものであり、この成長層形成領域の両側にチッ素ガ
スのカーテンを設けてある。
要なことは、ヒーター上を移動する保持治具上の各ウエ
ハの温度分布が均等になっていることである。この温度
分布に着目してみると、図6に示した常圧CVD装置3
0にあっては、反応ガスやカーテンガスが流れているこ
と、ウエハ保持治具が移動するものであること、及びウ
エハ保持治具がインコネルのような熱伝導率のよい材料
によって形成されていること等の理由によって、各ウエ
ハの温度を均一なものとすることはなかなか困難であ
る。酸化膜形成時のウエハに温度ムラがあると、その酸
化膜は均質なものとすることができなくなって、非常に
不利である。さらにインコネルを用いると、加熱により
そりが生じ易く、そのためウエハーとの密着性が悪くな
り、生成する酸化膜は不均質なものになり易い。
易加工性、耐薬品等のウエハ保持治具を構成するものと
しての長所を多く有した黒鉛材を使用したものも提案さ
れてきている。このようなウエハ保持治具用の材料とし
て使用されている高密度黒鉛は、少なくとも優れた化学
的安定性耐熱性を備え、高密度化も容易であることか
ら、特性的に極めて好適な材料である。
ハ保持治具においては、その使用を繰り返すと、黒鉛材
の一部が微細な粒子となって脱落することがあり、これ
がウエハの汚損の原因となることがあったのである。ま
た、この高密度黒鉛は、コークスあるいはカーボンの微
粉をタールピッチなどのバインダー成分と共に高密度に
形成した後焼成することにより黒鉛化したものであり、
巨視的には黒鉛の粒体集合による組織構造を有している
ため、粒体脱落による消耗が発生するだけでなく、脱落
した黒鉛粒子がウエハ上面を汚染する等の欠点を招く不
都合がある。さらには、高密度黒鉛は、その組織構造に
おいて気孔(細孔)を有するため、黒鉛製治具をフッ酸
で洗浄するとその気孔にフッ酸が入り込み、一旦気孔内
に入り込んだフッ酸はぬけにくいという不都合もある。
おける開発・改良経過を詳細に検討した結果、本発明者
等は、この種のウエハ保持治具を構成するための材料と
しては全ての面を考慮するとやはり黒鉛材が優れている
との結論を得たのであるが、黒鉛材を使用するためには
上述した問題を解決しなければならないことになった。
そこで、本発明者等は、黒鉛材からの粒子の脱落をどの
ように防止するか、またフッ酸洗浄の際、フッ酸の入り
込みをどのように防止するかについて種々研究してきた
結果、所謂熱分解炭素を採用することが良い結果を生む
ことに気付き、本発明を完成したのである。
に基づいてなされたもので、その解決しようとする課題
は、ウエハ保持治具を黒鉛材によって形成した場合の黒
鉛粒子の脱落である。
鉛材から黒鉛粒子が脱落しないようにしてウエハへの汚
損の問題を解決しながら黒鉛材の長所を十分生かすこと
のできるウエハ保持治具を提供することにある。
めに、まず、請求項1に係る本発明の採った手段は、
「全体が等方性高密度高純度で、20℃〜400℃の平
均熱膨張係数が1.3〜7.0×10-6/℃、かつ水銀
圧入法で測定される平均細孔半径が18000オングス
トローム以下である黒鉛材11によって形成されて、常
圧CVD装置内において半導体素子用の原料ウエハ20
を保持するためのウエハ保持治具10であって、常圧C
VD装置30の表面に、熱分解炭素被膜14を形成した
ことを特徴とする常圧CVD装置のためのウエハ保持治
具10」である。
は、「全体が等方性高密度高純度で、20℃〜400℃
の平均熱膨張係数が1.3〜7.0×10-6/℃、かつ
水銀圧入法で測定される平均細孔半径が18000オン
グストローム以下である黒鉛材11によって形成され
て、常圧CVD装置内において半導体素子用の原料ウエ
ハ20を保持するためのウエハ保持治具10であって、
黒鉛材11の表面に、この黒鉛材11の表面を炭化硅素
に転化した内層被膜12と、この内層被膜12の上にこ
れより緻密質の炭化硅素または熱分解炭素を沈積被覆し
て形成した外層被膜13とによって被覆したことを特徴
とする常圧CVD装置のための黒鉛製ウエハ保持治具1
0」である。
においては、その基材である黒鉛材の、20℃〜400
℃における平均熱膨張係数が1.3〜7.0×10-6/
℃であることが必要である。その理由は、黒鉛材の表面
に熱分解炭素被膜14または外層被膜13等を形成した
場合に、この熱分解炭素被膜14または外層被膜13
が、ウエハ保持治具10全体を激しいヒートサイクル中
においても、その黒鉛材11の表面にて亀裂を生じたり
剥離したりすることがないようにするためである。つま
り、黒鉛材11と、これの上に形成されるべき熱分解炭
素被膜14または外層被膜13等との特に熱膨張係数の
間に差がないようにして、熱分解炭素被膜14または外
層被膜13自体を耐久性に優れたものとする必要がある
からである。その意味では、この黒鉛材11の上記温度
範囲における平均熱膨張係数が2.0〜5.0×10-6
であることがより好ましいものであり、また異方比につ
いても1.5以下であることがより好ましいものであ
る。
間の平均熱膨張係数を知るためには、表1に示した補正
値を利用すればよい。つまり、一般の黒鉛材における熱
膨張係数の温度による変化量は、その種類にかかわらず
殆ど一定であるので、20℃〜100℃で測定された値
に表1に示された補正値を加えることによって、室温と
任意の温度との間の平均熱膨張係数を求めることができ
るのである。
具10においては、その基材である黒鉛材11の、水銀
圧入法で測定される平均細孔半径が18000オングス
トローム以下のものであることが必要である。その理由
は、黒鉛材11表面に形成した熱分解炭素被膜14また
は外層被膜13のアンカー効果を十分なものとする必要
があるからである。また、もし、この黒鉛材11の水銀
圧入法で測定される平均細孔半径が18000よりも大
きいと、黒鉛材11の表面に形成された熱分解炭素被膜
14または外層被膜13の十分な平坦性を確保すること
ができなくて、当該ウエハ保持治具10を激しいヒート
サイクル中に置いたとき、外層被膜13や熱分解炭素被
膜14に集中応力が部分的にかかり易くなって折角形成
した外層被膜13や熱分解炭素被膜14に亀裂が早期に
入ってしまったり、場合によっては剥離してしまうから
である。
するために、熱分解炭素の被膜層14を黒鉛材11の表
面に形成させる方法としては、各種化学蒸着法により行
うことができる。通常は、黒鉛材11を加熱し、メタ
ン、プロパン等の炭化水素ガスを高温の黒鉛材11に接
触させることにより反応させ、黒鉛材11の表面に熱分
解炭素を生成させる方法による。この場合、炭化水素ガ
スの濃度調整、あるいはキャリアガスには水素ガスが適
している。また、反応は常圧もしくは減圧下で行われる
が、被膜14の均一性及び平滑性を得るため減圧下で行
うのが好ましく、300Torr以下で行うのが望まし
い。
m〜800μmの範囲の厚さが望ましく、厚すぎても被
膜14の剥離やクラックを生じやすくなるので、50μ
m〜300μm程度が最適である。
治具10を形成するために、黒鉛材11の表面層を炭化
硅素に転化して内層被膜12を形成する方法としては、
硅素蒸気又は各種硅素化合物と反応させるか、パックセ
メンテーションを応用した方法などがあるが、最も好ま
しい方法として一酸化硅素ガスと黒鉛材11とを次式の
ように反応させる方法があげられる。 SiO(g)+2C=SiC+CO(g)
持治具10のための黒鉛材11の形状、寸法を保持した
ままラムズデール記法による2H、3Cなどの結晶構造
(ポリタイプ)を持った内層被膜12を形成することが
できる。
温度範囲で加熱することにより進行する。ここで、一酸
化硅素ガスを発生させるには、硅素粉と二酸化硅素粉の
混合体、又は炭化硅素粉と二酸化硅素粉の混合体、ある
いは炭素粉と二酸化硅素粉の混合体、その他、各種硅素
化合物を1200℃〜2000℃に加熱することにより
行なうことができる。
鉛材11の表面を炭化硅素に転化させて内層被膜12を
形成するとき、処理温度を1200℃〜1650℃の範
囲で選択することによって、黒鉛材11の表面の硅化層
の中に未反応炭素を残留させ、結晶構造が2Hのポリタ
イプを主成分とする炭化硅素を生成させることができ、
炭化硅素分の重量割合である硅化率をいろいろ変えたも
のをつくることができる。又、処理温度のほかに処理時
間を調整することによっても黒鉛材11表面の硅化層の
厚さをコントロールすることができる。その他にも、一
酸化硅素の濃度を調整することによって硅化率、硅化層
の厚さをコントロールすることができる。
度を1650℃〜2000℃の範囲で選択することによ
って、黒鉛材11の表面の硅化層の中に未反応炭素を残
留させ、結晶構造が2Hと3Cのポリタイプの混合物、
あるいは3Cのポリタイプを主成分とする炭化硅素を生
成することができる。黒鉛材11の表面を炭化硅素に転
化した複合炭素全体の中の炭化硅素分率である硅化率は
98重量%以下にしておくことが望ましい。
に、これよりさらに緻密質の炭化硅素または熱分解炭素
を沈積被覆して外層被膜13を形成するのである。すな
わち、この請求項2に係る発明のウエハ保持治具10に
おける外層被膜13としては、炭化硅素被膜からなる場
合と、前述した熱分解炭素被膜14とからなる場合の2
種類の場合があるのである。
成するには、CVD法、PVD法等によって行なうこと
ができる。CVD法は、四塩化硅素とトルエンあるいは
Si−Cの骨格を有する有機ハロゲン化硅素化合物、具
体的にはトリクロルメチルシランかジクロクメチルシラ
ンなどを水素雰囲気注1000℃〜1800℃で熱分解
させて炭化硅素被膜、すなわち外層被膜13を形成す
る。
i又はSiCを用いて行なうスパッタリング蒸着があ
り、スパッターガスとしてアルゴンなどを用いて120
0℃以上の条件で行なえばよい。
化硅素の結晶構造は、転化反応で生成した炭化硅素の熱
膨張係数等との整合性を保つために、3Cのポリタイプ
あるいは2Hのポリタイプ、又はこれらの混合物成分を
主成分とすることが好ましいが、4H、6Hが主成分と
なってもよい。
よって構成する場合に、この熱分解炭素の被膜層を黒鉛
材11上の内層被膜12の表面に形成させる方法として
は、前述した熱分解炭素被膜14の場合と同様に、各種
化学蒸着法により行うことができる。通常は、内層被膜
12を形成した黒鉛材11を加熱し、メタン、プロパン
等の炭化水素ガスを高温の内層被膜12に接触させるこ
とにより反応させ、内層被膜12の表面に熱分解炭素を
生成させる方法による。この場合、炭化水素ガスの濃度
調整、あるいはキャリアガスには水素ガスが適してい
る。また、反応は常圧もしくは減圧下で行われるが、被
膜の均一性及び平滑性を得るため減圧下で行うのが好ま
しく、300Torr以下で行うのが望ましい。
13は、10μm〜800μmの範囲の厚さが望まし
く、厚すぎても外層被膜13の剥離やクラックを生じや
すくなるので、50μm〜300μm程度が最適であ
る。
係るウエハ保持治具10の作用について説明すると、次
の通りである。
は、その大部分を黒鉛材11によって形成してあるか
ら、その加工が容易なものとなっているだけでなく、寸
法精度にも優れており、これによって保持するウエハ2
0に酸化膜を形成する場合の温度に十分耐え得るものと
なっている。
は、黒鉛材11の表面に直接熱分解炭素被膜14を形成
したもの(請求項1のウエハ保持治具10)、あるいは
黒鉛材11の表面側に向けて内側から、内層被膜12と
外層被膜13とを形成したもの(請求項2のウエハ保持
治具10)であるから、その表面全体が熱分解炭素被膜
14、あるいは緻密な炭化硅素または熱分解炭素によっ
て覆われたものとなっている。この熱分解炭素被膜14
や炭化硅素被膜は、その内側に位置する黒鉛材11が粒
体の集合体としての組織構造を有しているのに対して、
粒体集合体とは異なる緻密組織となっている。つまり、
この熱分解炭素被膜14や炭化硅素被膜は気孔がほとん
ど存在せず、しかも密度が大きく、ガラスなみの非常に
低い気体透過率を有したものとなっているのである。
の各構成部材を形成している黒鉛材11として、水銀圧
入法で測定される平均細孔半径が18000オングスト
ローム以下であるものを使用したから、この黒鉛材11
の表面に形成されるべき熱分解炭素被膜14または外層
被膜13の黒鉛材11に対するアンカー効果が非常に優
れたものとなっており、前述したこととも併せて、この
外層被膜13または熱分解炭素被膜14の黒鉛材11に
対する接着強度は十分なものとなっているのである。
持治具10を構成している黒鉛材11を上記のものとし
たから、当該ウエハ保持治具10が図6に示した常圧C
VD装置30内に配置されてヒーターにより加熱された
場合の温度分布を均等にするのである。したがって、こ
のウエハ保持治具10上に載置される各ウエハ20の温
度分布を均等な状態とするのである。
黒鉛材11として、20℃〜400℃の平均熱膨張係数
が1.3〜7.0×10-6/℃であるものを使用したか
ら、上記熱分解炭素被膜14または外層被膜13を黒鉛
材11の表面に形成したとき、ウエハ保持治具10全体
を激しいヒートサイクル中においたとしても、黒鉛材1
1と外層被膜13または熱分解炭素被膜14との間には
熱膨張差が殆ど生じない。従って、外層被膜13または
熱分解炭素被膜14は、ウエハ保持治具10を繰り返し
ヒートサイクル中においたとしても、クラックを生じた
り、黒鉛材11から剥離したりすることがないのであ
り、全体として、単なる黒鉛材11によって構成したウ
エハ保持治具に比較すると、約3倍の寿命を有したもの
となったのである。
0の特に黒鉛材11に由来する作用であるが、各請求項
に係るウエハ保持治具10においては、黒鉛材11の表
面側に前述したような構成を有する被膜をそれぞれ形成
してあるので、次のような作用上の特性がある。これを
各請求項に係るウエハ保持治具10毎に項を分けて説明
する。
治具10を構成している黒鉛材11が前述したようなも
のであるため、その表面に形成された熱分解炭素被膜1
4は、十分な平坦性・平面性を有したものとなってお
り、当該ウエハ保持治具10を激しいヒートサイクル中
に置いたとしても、特に熱分解炭素被膜14に部分的な
集中応力がかかることはない。このことによっても、熱
分解炭素被膜14の黒鉛材11に対する接着性は良好な
ものとなっているのであり、熱分解炭素被膜14自体の
耐久性も向上しているのである。
が、以上のような性質を有する熱分解炭素被膜14によ
って、図3に示すように被覆されているから、このウエ
ハ保持治具10を図6に示したような常圧CVD装置3
0内に入れて加熱しその後に室温状態に置くというヒー
トサイクル中に何回も曝した場合に、ウエハ保持治具1
0表面の熱分解炭素被膜14は、上記ヒートサイクルに
よって影響されず、黒鉛材11のように粒子が脱落する
ことはないのである。また、気孔がほとんど存在しない
ため、炉外へ出し、大気にふれた場合でも、水分及びガ
ス等の吸着はなく、使用時に放出されるガス分は極めて
少ない。従って、このウエハ保持治具10を使用すれ
ば、ウエハ20の汚損は解避されるのである。なお、熱
分解炭素被膜14自体が含有する全灰分を、後述の実施
例にて示すように、20ppm以下に抑えることが可能
であるから、この熱分解炭素被膜14の灰分によるウエ
ハ20の汚損は全く無視し得るものである。
対する耐触性に非常に優れた性質を有しているので、こ
れによって被覆したウエハ保持治具10をフッ酸によっ
て何回洗浄したとしても、これによりウエハ保持治具1
0が消耗することはないのである。従って、このウエハ
保持治具10は、その耐久性に非常に優れたものとなっ
ているのである。さらに、熱分解炭素被膜14は、粒体
集合体としての組織構造を有する黒鉛材11とは異なる
緻密組織を有し、気孔をほとんど内在しないため、フッ
酸が入り込んでぬけにくいという不都合は生じない。
1における熱分解炭素被膜14または緻密質の炭化硅素
被膜からなる外層被膜13を、黒鉛材11の表面にこれ
を転化させて内層被膜12とした表面側に形成したもの
であるため、この内層被膜12による次のような作用が
重要となるものである。
具10は、まず、黒鉛材11の表面に、これを炭化硅素
に転化した内層被膜12を形成したのであるから、黒鉛
材11と内層被膜12との間は完全な連続組織となって
いるのである。すなわち、内層被膜12は、黒鉛材11
の表面を一酸化硅素などの硅素含有ガスと反応させて変
化させたものであるから、その黒鉛材11との境界は完
全な連続組織となっているのである。従って、この内層
被膜12がその表面側となる外層被膜13を守る援衝材
としての作用をするものであり、この内層被膜12の表
面側に形成した外層被膜13は、当該ウエハ保持治具1
0を激しいヒートサイクル中においた場合に亀裂を生じ
たり剥離したりすることはないのである。
の外表面側全体は、炭化硅素被膜または熱分解炭素被膜
14からなる外層被膜13よって被覆してあるから、こ
の外層被膜13によってウエハ保持治具10を主として
構成している黒鉛材11全体が保護されているのであ
る。
は、それ自体が硬度の高いものであるとともに、黒鉛材
11に内層被膜12を介して一体化されているから、そ
の内部に位置する黒鉛材11を完全に包み込んでこれを
保護しているのである。そして、この外層被膜13は、
これと略同質の内層被膜12の表面にCVD法等によっ
て形成したのであるから、内層被膜12に対する接着強
度が十分なものであるだけでなく、当該ウエハ保持治具
10がヒートサイクル中におかれた場合の熱衝撃にも十
分耐え得るものとなっているのである。
によって形成されている場合には、この熱分解炭素被膜
14による上記請求項1に係るウエハ保持治具10にお
ける作用と同様の作用をする他、緩衝材としてまたアン
カーとしての作用を有する内層被膜12によって、この
外層被膜13である熱分解炭素被膜14が黒鉛材11の
表面にしっかりと保持されているのである。これによ
り、外層被膜13である熱分解炭素被膜14は、ウエハ
保持治具10がヒートサイクル中におかれたとしても、
これに亀裂や剥離が生ずることはないのである。
図面に示した実施例に従って説明すると、このウエハ保
持治具10は、図1に示すように、黒鉛材11を主材と
する平板状の支持台から成るものであり、これらの支持
台は、等方性を有し、高密度(1.7〜2.0g/cm
3)でしかも高純度(全灰分20ppm以下)の黒鉛材
11によって形成したものである。また、このウエハ保
持治具10を形成している黒鉛材11は、水銀圧入法で
測定される平均細孔半径が18000オングストローム
以下のものである。さらに、このウエハ保持治具10を
構成している黒鉛材11は、20℃〜400℃の平均熱
膨張係数が1.3〜7.0×10-6/℃のものである。
そして、この黒鉛材11の表面には、図3に示したよう
に、熱分解炭素被膜14が形成してあり(請求項1のウ
エハ保持治具10)、また、図4または図5に示すよう
に、内側から順に、内層被膜12及び熱分解炭素または
炭化硅素からなる内層被膜12が形成(請求項2のウエ
ハ保持治具10)してある。
材11にあっては、その上記の範囲の平均細孔半径を有
する細孔の占める容積が、0.02cc/g〜0.20
cc/gとしてある。このような容積の細孔を形成した
のは、この黒鉛材11表面に形成される外層被膜13や
熱分解炭素被膜14のアンカー効果をより効果的にする
ためであり、外層被膜13や熱分解炭素被膜14の密着
性確保と、外層被膜13や熱分解炭素被膜14に対する
ヒートサイクル中での集中応力の発生がないようにする
ためである。
を前提としながら、各請求項の発明の実施例について詳
述すると、次の通りである。
いて このウエハ保持治具10においては、図3にも示したよ
うに、上記の特性を有する黒鉛材11の表面に、厚さ1
0〜500μm程度の熱分解炭素被膜14が、その支持
台の各ウエハ20が載置される少なくとも表面側に被覆
して形成してある。
に形成する方法としては、通常用いられる各種化学蒸着
法(CVD)により行うことができ、黒鉛材11上を8
00〜2600℃に加熱しておき、炭化水素あるいはハ
ロゲン化炭化水素を水素ガス共存下で基材と接触させ、
多数の気孔を有する黒鉛材11上に熱分解炭素の緻密な
層14を形成させる。これらの反応は常圧もしくは減圧
下で行われるが、熱分解炭素被膜14の均一性、平滑性
を考えると減圧下、特に300Torr以下で行うこと
が望ましい。また、熱分解炭素被膜14の厚みは、10
μm〜500μmが望ましい。その理由は、10μm以
下では十分な耐消耗性が得られないからであり、500
μm以上では黒鉛材11との熱膨張差により被膜にクラ
ックを生じる可能性が大きいからである。
れ自体は高純度であるが、これを積層させるために使用
した黒鉛材11中に種々な不純物、例えば、鉄、ニッケ
ル、コバルト、バナジウムが混入していることがあり、
これらが熱分解炭素側に残留することがある。熱分解炭
素中に不純物が混入する経路として考えられるのは、前
述した黒鉛材11中の不純物が、熱分解炭素形成中に拡
散すること、及び供給ガス中に不純物が混入しているこ
とがあげられる。これらの不純物は、高純度の黒鉛材1
1を用いること及び供給ガスの純度(ガス供給部品、供
給管及び反応容器等の構造、材質を選択する)により、
熱分解炭素中に混入しないようにすることができるもの
である。このような方法によって、当該熱分解炭素被膜
14中の全灰分(鉄などの不純物)の量を20ppm以
下とすることができるのである。
ガスとしては、不純物を十分除去したメタン、プロパン
あるいはベンゼン等の炭化水素ガスを用い、その濃度の
調整をも行なうキャリアガスとして水素ガス及びアルゴ
ンガスを使用した。これにより、原料ガスは、高温にな
っている黒鉛材11の表面で、分解、結合などにより、
熱分解炭素となって沈積した。
いて このウエハ保持治具10においては、まず黒鉛材11の
表面を炭化硅素に転化することにより、黒鉛材11に対
して連続的となった内層被膜12を形成しておき、この
内層被膜12の表面にこれより緻密な炭化硅素または熱
分解炭素の被膜からなる外層被膜13を形成したのであ
る。
にして形成される。すなわち、まず所定の雰囲気ガスを
循環または供給するようにした炉内を1200℃〜20
00℃になるようにする。又、一酸化硅素ガスは黒鉛ル
ツボ内一酸化硅素ガス発生源を1200℃〜2000℃
に加熱することによって発生させることができ、それを
一酸化硅素ガス供給口より導入して黒鉛材と反応させ
る。残留一酸化硅素ガスは炉内の排気ガス口より排出す
る。
スリットによって区切られた沈積被覆帯域へ移され、C
VD処理等がほどこされる。ハロゲン化硅素化合物など
とキャリヤーガスとしての水素ガス等の混合ガスは、原
料ガス供給口より導入して沈積被覆用ヒーターで100
0℃〜1800℃になった黒鉛材11の上に緻密質の炭
化硅素または熱分解炭素を沈積被覆して外層被膜13を
形成する。熱分解炭素被膜については前述した熱分解炭
素被膜14と同様な方法を採用すればよい。
及び外層被膜13それ自体は高純度であるが、これを積
層させるために使用した黒鉛基材中に種々な不純物、例
えば、鉄、ニッケル、コバルト、バナジウムが混入して
いることがあり、これらが内層被膜12に残留すること
がある。内層被膜12及び外層被膜13中に不純物が混
入する経路として考えられるのは、前述した黒鉛基材中
の不純物が、熱分解炭素形成中に拡散すること、及び供
給ガス中に不純物が混入していることがあげられる。こ
れらの不純物は、高純度の黒鉛基材を用いること及び供
給ガスの純度(ガス供給部品、供給管及び反応容器等の
構造、材質を選択する)により、内層被膜12または外
層被膜13に混入しないようにすることができるもので
ある。このような方法によって、当該内層被膜12及び
外層被膜13中の全灰分(鉄などの不純物)の量を20
ppm以下とすることができるのである。
は、上記実施例にて例示した如く、その基材となるべき
黒鉛材11として、全体が等方性高密度高純度で、20
℃〜400℃の平均熱膨張係数が1.3〜7.0×10
-6/℃、かつ水銀圧入法で測定される平均細孔半径が1
8000オングストローム以下であるものを採用したか
ら、全体として耐熱性及び化学的安定性に優れ、しかも
加工容易なウエハ保持治具10を提供することができる
のであり、特に各ウエハ20に対する温度分布を均一な
ものとして、各ウエハ20に酸化膜等を形成する場合の
優れた環境を提供することができるのである。
エハ保持治具10においては、上記のような黒鉛材11
の表面に熱分解炭素被膜14を形成したので、この熱分
解炭素被膜14によって各ウエハ20に対する不純物と
なり易い黒鉛粉の脱落を確実に防止することができ、し
かも耐フッ酸性に優れたものとすることができるのであ
る。
においては、上記の請求項1に係るウエハ保持治具10
における効果と同様な効果を得ることができ、さらに、
炭化硅素または熱分解炭素からなる外層被膜13を、黒
鉛材11の表面を炭化硅素に転化させることにより形成
した内層被膜12によって支持するようにしているか
ら、外層被膜13の黒鉛材11に対する密着強度をより
一層十分なものとすることができるものである。
させた状態を示す平面図である。
図である。
って、特に外層被膜として熱分解炭素被膜を採用した場
合の部分拡大断面図である。
って、特に外層被膜として炭化硅素被膜を採用した場合
の部分拡大断面図である。
D装置の側面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 全体が等方性高密度高純度で、20℃〜
400℃の平均熱膨張係数が1.3〜7.0×10-6/
℃、かつ水銀圧入法で測定される平均細孔半径が180
00オングストローム以下である黒鉛材によって形成さ
れて、常圧CVD装置内において半導体素子用の原料ウ
エハを保持するためのウエハ保持治具であって、 前記黒鉛材の表面に、熱分解炭素からなる被膜を形成し
たことを特徴とする常圧CVD装置のためのウエハ保持
治具。 - 【請求項2】 全体が等方性高密度高純度で、20℃〜
400℃の平均熱膨張係数が1.3〜7.0×10-6/
℃、かつ水銀圧入法で測定される平均細孔半径が180
00オングストローム以下である黒鉛材によって形成さ
れて、常圧CVD装置内において半導体素子用の原料ウ
エハを保持するためのウエハ保持治具であって、 前記黒鉛材の表面に、この黒鉛材の表面を炭化硅素に転
化した内層被膜と、この内層被膜の上にこれより緻密質
の炭化硅素または熱分解炭素を沈積被覆して形成した外
層被膜とによって被覆したことを特徴とする常圧CVD
装置のための黒鉛製ウエハ保持治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14861491A JP3220730B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 常圧cvd装置のための黒鉛製ウエハ保持治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14861491A JP3220730B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 常圧cvd装置のための黒鉛製ウエハ保持治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547670A true JPH0547670A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3220730B2 JP3220730B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=15456725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14861491A Expired - Lifetime JP3220730B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 常圧cvd装置のための黒鉛製ウエハ保持治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220730B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014017650A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法 |
| CN111599742A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-08-28 | 西南大学 | 一种基于石墨的临时键合和解键方法 |
| JP2021183553A (ja) * | 2020-05-22 | 2021-12-02 | イビデン株式会社 | 炭素複合部材 |
-
1991
- 1991-06-20 JP JP14861491A patent/JP3220730B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014017650A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2014-01-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法 |
| JPWO2014017650A1 (ja) * | 2012-07-26 | 2016-07-11 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | サセプタ、結晶成長装置および結晶成長方法 |
| JP2021183553A (ja) * | 2020-05-22 | 2021-12-02 | イビデン株式会社 | 炭素複合部材 |
| CN111599742A (zh) * | 2020-06-04 | 2020-08-28 | 西南大学 | 一种基于石墨的临时键合和解键方法 |
| CN111599742B (zh) * | 2020-06-04 | 2023-06-16 | 西南大学 | 一种基于石墨的临时键合和解键方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3220730B2 (ja) | 2001-10-22 |
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