JPH0547720A - 自然酸化膜の除去方法 - Google Patents
自然酸化膜の除去方法Info
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- JPH0547720A JPH0547720A JP22857991A JP22857991A JPH0547720A JP H0547720 A JPH0547720 A JP H0547720A JP 22857991 A JP22857991 A JP 22857991A JP 22857991 A JP22857991 A JP 22857991A JP H0547720 A JPH0547720 A JP H0547720A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層絶縁膜に開口された接続孔の底面の自然
酸化膜を除去する際に、接続孔の異方性形状の劣化を防
止する。 【構成】 シリコン基板１上の４層構造の層間絶縁膜７
にコンタクト・ホール８を開口し、その側壁面にＳ2 Ｆ
2 ／Ｈ2 ／Ｎ2 混合ガスを用いるプラズマＣＶＤにより
ポリマー状の（ＳＮ）x を主体とする窒化イオウ系側壁
保護膜１０を形成した後、ＨＦ雰囲気下でＳｉＯx 自然
酸化膜９を除去する。窒化イオウ系側壁保護膜１０は、
反応性の高いＰＳＧ層４やＢＰＳＧ層６をＦ* の攻撃か
ら保護してアンダカット等の発生を防止するが、ウェハ
を１５０℃付近に加熱すれば容易に分解または昇華除去
される。したがって、パーティクル汚染が発生したりコ
ンタクト・ホール８の開口径が縮小する虞れがない。
酸化膜を除去する際に、接続孔の異方性形状の劣化を防
止する。 【構成】 シリコン基板１上の４層構造の層間絶縁膜７
にコンタクト・ホール８を開口し、その側壁面にＳ2 Ｆ
2 ／Ｈ2 ／Ｎ2 混合ガスを用いるプラズマＣＶＤにより
ポリマー状の（ＳＮ）x を主体とする窒化イオウ系側壁
保護膜１０を形成した後、ＨＦ雰囲気下でＳｉＯx 自然
酸化膜９を除去する。窒化イオウ系側壁保護膜１０は、
反応性の高いＰＳＧ層４やＢＰＳＧ層６をＦ* の攻撃か
ら保護してアンダカット等の発生を防止するが、ウェハ
を１５０℃付近に加熱すれば容易に分解または昇華除去
される。したがって、パーティクル汚染が発生したりコ
ンタクト・ホール８の開口径が縮小する虞れがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野等
において適用される自然酸化膜の除去方法に関し、特に
多層構造を有する絶縁膜に開口された接続孔の底部に露
出する下地材料層の表面に形成された自然酸化膜を、該
接続孔の異方性形状や寸法を変化させることなく選択的
に除去する方法に関する。
において適用される自然酸化膜の除去方法に関し、特に
多層構造を有する絶縁膜に開口された接続孔の底部に露
出する下地材料層の表面に形成された自然酸化膜を、該
接続孔の異方性形状や寸法を変化させることなく選択的
に除去する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置のデザイン・ルールが高度に
微細化し、デバイスが複雑化かつ高集積化されるにつれ
て近年ではウェハ上の表面段差が著しく増大しており、
これに伴って平坦化技術の重要性が従来にも増して高ま
っている。層間絶縁膜による平坦化はその代表例であ
る。この層間絶縁膜は、単層膜で構成されることはむし
ろ少なくなってきており、膜質や段差被覆性等に関する
諸要求を満足するために異なる種類の材料層を２層以上
積層した多層絶縁膜とされることが一般化しつつある。
たとえば、図３（ａ）に示される層間絶縁膜２７は４層
構造を有するものであり、シリコン基板２１上に第１の
酸化シリコン層２３、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラ
ス）層２４、第２の酸化シリコン層２５、ＢＰＳＧ（ホ
ウ素リン・シリケート・ガラス）層２６がＣＶＤ法等に
より順次積層されてなるものである。
微細化し、デバイスが複雑化かつ高集積化されるにつれ
て近年ではウェハ上の表面段差が著しく増大しており、
これに伴って平坦化技術の重要性が従来にも増して高ま
っている。層間絶縁膜による平坦化はその代表例であ
る。この層間絶縁膜は、単層膜で構成されることはむし
ろ少なくなってきており、膜質や段差被覆性等に関する
諸要求を満足するために異なる種類の材料層を２層以上
積層した多層絶縁膜とされることが一般化しつつある。
たとえば、図３（ａ）に示される層間絶縁膜２７は４層
構造を有するものであり、シリコン基板２１上に第１の
酸化シリコン層２３、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラ
ス）層２４、第２の酸化シリコン層２５、ＢＰＳＧ（ホ
ウ素リン・シリケート・ガラス）層２６がＣＶＤ法等に
より順次積層されてなるものである。
【０００３】ところで、シリコン基板２１中に形成され
た不純物拡散領域２２へコンタクトをとるために上述の
ような層間絶縁膜２７をパターニングしてコンタクト・
ホール２８を開口すると、該コンタクト・ホール２８の
底面に露出する不純物拡散領域２２の表面にはＳｉＯx
自然酸化膜２９が速やかに形成される。低抵抗コンタク
トを実現するためには、上記ＳｉＯx 自然酸化膜２９を
除去する必要がある。かかる除去を行う技術として早い
時期から実用化されてきた方法は、緩衝化フッ酸溶液に
ウェハを浸漬してエッチングを行う、いわゆるライトエ
ッチである。しかし、このような湿式（ウェット）処理
には、選択的なエッチングが不可能であること、処理液
中の無機物による再汚染やパーティクル付着が生ずるこ
と等の問題があった。そこで近年では、従来のライトエ
ッチに代わり、フッ化水素（ＨＦ）にウェハを接触させ
てエッチングを行う、ブレイクスルーと通称される乾式
（ドライ）処理が提案されている。
た不純物拡散領域２２へコンタクトをとるために上述の
ような層間絶縁膜２７をパターニングしてコンタクト・
ホール２８を開口すると、該コンタクト・ホール２８の
底面に露出する不純物拡散領域２２の表面にはＳｉＯx
自然酸化膜２９が速やかに形成される。低抵抗コンタク
トを実現するためには、上記ＳｉＯx 自然酸化膜２９を
除去する必要がある。かかる除去を行う技術として早い
時期から実用化されてきた方法は、緩衝化フッ酸溶液に
ウェハを浸漬してエッチングを行う、いわゆるライトエ
ッチである。しかし、このような湿式（ウェット）処理
には、選択的なエッチングが不可能であること、処理液
中の無機物による再汚染やパーティクル付着が生ずるこ
と等の問題があった。そこで近年では、従来のライトエ
ッチに代わり、フッ化水素（ＨＦ）にウェハを接触させ
てエッチングを行う、ブレイクスルーと通称される乾式
（ドライ）処理が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
図３（ａ）に示されるような層間絶縁膜２７の多層化
は、ドライ処理をもってしても解決し得ない問題を生み
出している。すなわち、ＰＳＧ層２４やＢＰＳＧ層２６
のように不純物を含有する酸化シリコン系材料層は、不
純物を含まない酸化シリコン系材料層に比べてＨＦに対
する反応性が高いため、ＳｉＯx 自然酸化膜２９よりも
速くエッチングされる。したがって、ＳｉＯx 自然酸化
膜２９が除去される頃には、図３（ｂ）に示されるよう
に、ＰＳＧ層２４には極端なアンダカット３０が入り、
ＢＰＳＧ層２７のエッジ部は大きく後退してオフセット
部３１が形成され、結果としてコンタクト・ホール２８
の異方性形状が損なわれてしまう。このような形状劣化
は、上層配線材料による均一なコンタクト・ホール２８
の埋め込みを不可能とし、配線の信頼性を低下させる原
因となる。このような問題は、たとえばアルミニウム
（Ａｌ）系材料層からなる下層配線上において多層構造
を有する層間絶縁膜にビア・ホールを開口し、その底面
の酸化アルミニウム（Ａｌx Ｏy ）からなる自然酸化膜
を除去する場合にも同様に生ずる。
図３（ａ）に示されるような層間絶縁膜２７の多層化
は、ドライ処理をもってしても解決し得ない問題を生み
出している。すなわち、ＰＳＧ層２４やＢＰＳＧ層２６
のように不純物を含有する酸化シリコン系材料層は、不
純物を含まない酸化シリコン系材料層に比べてＨＦに対
する反応性が高いため、ＳｉＯx 自然酸化膜２９よりも
速くエッチングされる。したがって、ＳｉＯx 自然酸化
膜２９が除去される頃には、図３（ｂ）に示されるよう
に、ＰＳＧ層２４には極端なアンダカット３０が入り、
ＢＰＳＧ層２７のエッジ部は大きく後退してオフセット
部３１が形成され、結果としてコンタクト・ホール２８
の異方性形状が損なわれてしまう。このような形状劣化
は、上層配線材料による均一なコンタクト・ホール２８
の埋め込みを不可能とし、配線の信頼性を低下させる原
因となる。このような問題は、たとえばアルミニウム
（Ａｌ）系材料層からなる下層配線上において多層構造
を有する層間絶縁膜にビア・ホールを開口し、その底面
の酸化アルミニウム（Ａｌx Ｏy ）からなる自然酸化膜
を除去する場合にも同様に生ずる。
【０００５】この問題に対処するため、たとえば特開平
２−２７１６４６号公報には、多層絶縁膜に開口された
接続孔の側壁部を選択的に窒化シリコン（Ｓｉx Ｎy ）
側壁保護層で被覆することも技術が開示されている。こ
のＳｉx Ｎy 側壁保護層は、ウェハの全面にプラズマＣ
ＶＤ法等により薄いＳｉx Ｎy 層を堆積させた後、エッ
チバックを行うことにより形成することができる。しか
し、このプロセスは工程数の増加を招く他、Ｓｉx Ｎy
側壁保護層が接続孔の開口径を狭めるという問題があ
る。それは、自然酸化膜の除去が終了した後でもＳｉx
Ｎy 側壁保護層を選択的に除去する手段がなく、これを
絶縁膜の一部として使用せざるを得ないからである。ま
た、エッチバック時にＳｉx Ｎy パーティクルによる汚
染が発生する虞れも大きい。そこで本発明は、多層絶縁
膜に開口された接続孔の異方性形状を劣化させたり開口
径を狭めたりすることなく、またパーティクル汚染を発
生させることなく、該接続孔の底面の自然酸化膜を除去
する方法を提供することを目的とする。
２−２７１６４６号公報には、多層絶縁膜に開口された
接続孔の側壁部を選択的に窒化シリコン（Ｓｉx Ｎy ）
側壁保護層で被覆することも技術が開示されている。こ
のＳｉx Ｎy 側壁保護層は、ウェハの全面にプラズマＣ
ＶＤ法等により薄いＳｉx Ｎy 層を堆積させた後、エッ
チバックを行うことにより形成することができる。しか
し、このプロセスは工程数の増加を招く他、Ｓｉx Ｎy
側壁保護層が接続孔の開口径を狭めるという問題があ
る。それは、自然酸化膜の除去が終了した後でもＳｉx
Ｎy 側壁保護層を選択的に除去する手段がなく、これを
絶縁膜の一部として使用せざるを得ないからである。ま
た、エッチバック時にＳｉx Ｎy パーティクルによる汚
染が発生する虞れも大きい。そこで本発明は、多層絶縁
膜に開口された接続孔の異方性形状を劣化させたり開口
径を狭めたりすることなく、またパーティクル汚染を発
生させることなく、該接続孔の底面の自然酸化膜を除去
する方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の自然酸化膜の除
去方法は上述の目的を達成するために提案されるもので
ある。すなわち、本願の第１の発明にかかる自然酸化膜
の除去方法は、下地材料層上に積層されたエッチング特
性の異なる複数種類の材料層からなる多層絶縁膜に開口
された接続孔の側壁面を、被処理基板の温度を室温以下
に制御した状態で窒化イオウ系化合物層で選択的に被覆
する工程と、前記接続孔の底部に露出する前記下地材料
層の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程と、前
記窒化イオウ系化合物層を除去する工程とを有すること
を特徴とする。
去方法は上述の目的を達成するために提案されるもので
ある。すなわち、本願の第１の発明にかかる自然酸化膜
の除去方法は、下地材料層上に積層されたエッチング特
性の異なる複数種類の材料層からなる多層絶縁膜に開口
された接続孔の側壁面を、被処理基板の温度を室温以下
に制御した状態で窒化イオウ系化合物層で選択的に被覆
する工程と、前記接続孔の底部に露出する前記下地材料
層の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程と、前
記窒化イオウ系化合物層を除去する工程とを有すること
を特徴とする。
【０００７】本願の第２の発明にかかる自然酸化膜の除
去方法は、イオウ系化合物と窒素系化合物とを含む混合
ガスから放電解離条件下でプラズマ中に生成する窒化イ
オウ系化合物を堆積させることにより前記窒化イオウ系
化合物層を形成することを特徴とする。
去方法は、イオウ系化合物と窒素系化合物とを含む混合
ガスから放電解離条件下でプラズマ中に生成する窒化イ
オウ系化合物を堆積させることにより前記窒化イオウ系
化合物層を形成することを特徴とする。
【０００８】本願の第３の発明にかかる自然酸化膜の除
去方法は、下地材料層上に積層されたエッチング特性の
異なる複数種類の材料層からなる多層絶縁膜に開口され
た接続孔の側壁面を、被処理基板の温度を室温以下に制
御した状態で窒化イオウ系化合物層で選択的に被覆しな
がら、該接続孔の底部に露出する前記下地材料層の表面
に形成された自然酸化膜を除去する工程と、前記窒化イ
オウ系化合物層を除去する工程とを有することを特徴と
する。
去方法は、下地材料層上に積層されたエッチング特性の
異なる複数種類の材料層からなる多層絶縁膜に開口され
た接続孔の側壁面を、被処理基板の温度を室温以下に制
御した状態で窒化イオウ系化合物層で選択的に被覆しな
がら、該接続孔の底部に露出する前記下地材料層の表面
に形成された自然酸化膜を除去する工程と、前記窒化イ
オウ系化合物層を除去する工程とを有することを特徴と
する。
【０００９】さらに、本願の第４の発明にかかる自然酸
化膜の除去方法は、イオウ系化合物と窒素系化合物とを
含むエッチング・ガスが放電解離条件下でプラズマ中に
生成する窒化イオウ系化合物を堆積させることにより前
記窒化イオウ系化合物層を形成し、該エッチング・ガス
から同時に生成するエッチング種により前記自然酸化膜
を除去することを特徴とする。
化膜の除去方法は、イオウ系化合物と窒素系化合物とを
含むエッチング・ガスが放電解離条件下でプラズマ中に
生成する窒化イオウ系化合物を堆積させることにより前
記窒化イオウ系化合物層を形成し、該エッチング・ガス
から同時に生成するエッチング種により前記自然酸化膜
を除去することを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明者は、多層絶縁膜に開口された接続孔の
側壁面を被覆する側壁保護層として、自然酸化膜を除去
するためのＨＦとは反応せず、しかも自然酸化膜の除去
後には容易に除去できる材料を検討し、窒化イオウ系化
合物に着目した。上記窒化イオウ系化合物としては、後
述するごとく種々の化合物が知られているが、本発明に
おいて特に側壁保護効果を期待される代表的な化合物は
ポリチアジル（ＳＮ）x である。（ＳＮ）x の性質，構
造等については、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏ
ｌ．２９，ｐ．６３５８〜６３６３（１９７５）に詳述
されている。常圧下では２０８℃、減圧下では１４０〜
１５０℃付近まで安定に存在するポリマー状物質であ
り、結晶状態ではＳ−Ｎ−Ｓ−Ｎ−…の繰り返し共有結
合からなる主鎖が並行に配向している。したがって、こ
の（ＳＮ）x を主体とする窒化イオウ系化合物層は、Ｆ
* 等の侵入を有効に阻止することができる。また、条件
により加速されたイオンが入射したとしても、結合角や
立体配座の変化等に由来していわゆるスポンジ効果が発
揮され、イオン衝撃を吸収もしくは緩和することができ
る。しかも、（ＳＮ）x は減圧下で１４０〜１５０℃付
近まで加熱すれば容易に分解または昇華し、完全に除去
することができる。
側壁面を被覆する側壁保護層として、自然酸化膜を除去
するためのＨＦとは反応せず、しかも自然酸化膜の除去
後には容易に除去できる材料を検討し、窒化イオウ系化
合物に着目した。上記窒化イオウ系化合物としては、後
述するごとく種々の化合物が知られているが、本発明に
おいて特に側壁保護効果を期待される代表的な化合物は
ポリチアジル（ＳＮ）x である。（ＳＮ）x の性質，構
造等については、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏ
ｌ．２９，ｐ．６３５８〜６３６３（１９７５）に詳述
されている。常圧下では２０８℃、減圧下では１４０〜
１５０℃付近まで安定に存在するポリマー状物質であ
り、結晶状態ではＳ−Ｎ−Ｓ−Ｎ−…の繰り返し共有結
合からなる主鎖が並行に配向している。したがって、こ
の（ＳＮ）x を主体とする窒化イオウ系化合物層は、Ｆ
* 等の侵入を有効に阻止することができる。また、条件
により加速されたイオンが入射したとしても、結合角や
立体配座の変化等に由来していわゆるスポンジ効果が発
揮され、イオン衝撃を吸収もしくは緩和することができ
る。しかも、（ＳＮ）x は減圧下で１４０〜１５０℃付
近まで加熱すれば容易に分解または昇華し、完全に除去
することができる。
【００１１】本願の第１の発明では、被処理基板（ウェ
ハ）の温度を室温以下に制御した状態で、上述のような
窒化イオウ系化合物層を多層絶縁膜に開口された接続孔
の側壁保護膜として使用する。これにより、自然酸化膜
の除去工程でＨＦが使用されたとしても、接続孔の側壁
面はＦ* の攻撃から保護され、異方性形状を維持するこ
とができる。しかも、自然酸化膜の除去が終了した時点
でウェハを加熱すれば、上記窒化イオウ系化合物層は容
易に除去できる。したがって、たとえばＳｉx Ｎy を側
壁保護膜とする場合と異なり、接続孔の開口径が狭めら
れる虞れもなく、またパーティクル汚染も発生しない。
ハ）の温度を室温以下に制御した状態で、上述のような
窒化イオウ系化合物層を多層絶縁膜に開口された接続孔
の側壁保護膜として使用する。これにより、自然酸化膜
の除去工程でＨＦが使用されたとしても、接続孔の側壁
面はＦ* の攻撃から保護され、異方性形状を維持するこ
とができる。しかも、自然酸化膜の除去が終了した時点
でウェハを加熱すれば、上記窒化イオウ系化合物層は容
易に除去できる。したがって、たとえばＳｉx Ｎy を側
壁保護膜とする場合と異なり、接続孔の開口径が狭めら
れる虞れもなく、またパーティクル汚染も発生しない。
【００１２】本願の第２の発明では、前記第１の発明の
実用的な実施態様として、上記窒化イオウ系化合物層を
プラズマＣＶＤにより形成する方法を提案する。つま
り、イオウ系化合物と窒素系化合物とを含む混合ガスを
放電解離させ、プラズマ中に生成した窒化イオウ系化合
物を室温以下に温度制御されたウェハ上に堆積させる。
このとき、イオンの垂直入射面において堆積過程とスパ
ッタ除去過程とがバランスするような条件を設定してお
けば、上記窒化イオウ系化合物をイオンの垂直入射が原
理的に生じない接続孔の側壁面にのみ選択的に堆積させ
ることができる。このプラズマＣＶＤの過程では、最も
単純に考えれば、窒素系化合物の放電解離によりプラズ
マ中に生成したＮと、イオウ系化合物の放電解離により
プラズマ中に生成したＳとが結合して、まずチアジル
（Ｎ≡Ｓ）が形成される。このチアジルは、酸素類似体
である一酸化窒素（ＮＯ）の構造から類推して不対電子
を持っており、容易に重合して（ＳＮ）2 ，（Ｓ
Ｎ）4 ，さらには（ＳＮ）x を生成する。（ＳＮ）2 は
２０℃付近で容易に重合して（ＳＮ）4 および（ＳＮ）
x を生成し、自身は３０℃付近で分解する。（ＳＮ）4
は融点１７８℃，分解温度２０６℃の環状物質である。
実用的な実施態様として、上記窒化イオウ系化合物層を
プラズマＣＶＤにより形成する方法を提案する。つま
り、イオウ系化合物と窒素系化合物とを含む混合ガスを
放電解離させ、プラズマ中に生成した窒化イオウ系化合
物を室温以下に温度制御されたウェハ上に堆積させる。
このとき、イオンの垂直入射面において堆積過程とスパ
ッタ除去過程とがバランスするような条件を設定してお
けば、上記窒化イオウ系化合物をイオンの垂直入射が原
理的に生じない接続孔の側壁面にのみ選択的に堆積させ
ることができる。このプラズマＣＶＤの過程では、最も
単純に考えれば、窒素系化合物の放電解離によりプラズ
マ中に生成したＮと、イオウ系化合物の放電解離により
プラズマ中に生成したＳとが結合して、まずチアジル
（Ｎ≡Ｓ）が形成される。このチアジルは、酸素類似体
である一酸化窒素（ＮＯ）の構造から類推して不対電子
を持っており、容易に重合して（ＳＮ）2 ，（Ｓ
Ｎ）4 ，さらには（ＳＮ）x を生成する。（ＳＮ）2 は
２０℃付近で容易に重合して（ＳＮ）4 および（ＳＮ）
x を生成し、自身は３０℃付近で分解する。（ＳＮ）4
は融点１７８℃，分解温度２０６℃の環状物質である。
【００１３】この他、プラズマ中にＦ* 等のハロゲン・
ラジカルが存在している場合には、上記（ＳＮ）x のＳ
原子上にハロゲン原子が結合したハロゲン化チアジルも
生成し得る。また、Ｆ* の生成量を制御するために水素
系ガスが添加されている場合には、チアジル水素も生成
し得る。さらに、条件によってはＳ4 Ｎ2 （融点２３
℃），Ｓ11Ｎ2 （融点１５０〜１５５℃），Ｓ15Ｎ
2 （融点１３７℃），Ｓ16Ｎ2 （融点１２２℃）等のよ
うに分子内のＳ原子数とＮ原子数が不均衡な環状窒化イ
オウ化合物、あるいはこれら環状窒化イオウ化合物のＮ
原子上にＨ原子が結合したＳ7 ＮＨ（融点１１３．５
℃），１，３−Ｓ6 （ＮＨ）2 （融点１３０℃），１，
４−Ｓ6 （ＮＨ）2 （融点１３３℃），１，５−Ｓ
6 （ＮＨ）2 （融点１５５℃），１，３，５−Ｓ5 （Ｎ
Ｈ）3 （融点１２４℃），１，３，６−Ｓ5 （ＮＨ）3
（融点１３１℃），Ｓ4 （ＮＨ）4 （融点１４５℃）等
のイミド型の化合物等も生成可能である。いずれにして
も、上述の窒化イオウ系化合物は室温以下に温度制御さ
れたウェハ上で存在可能である。しかも、自然酸化膜を
除去した後にウェハを加熱すれば、いずれも分解または
昇華により容易に除去することができる。
ラジカルが存在している場合には、上記（ＳＮ）x のＳ
原子上にハロゲン原子が結合したハロゲン化チアジルも
生成し得る。また、Ｆ* の生成量を制御するために水素
系ガスが添加されている場合には、チアジル水素も生成
し得る。さらに、条件によってはＳ4 Ｎ2 （融点２３
℃），Ｓ11Ｎ2 （融点１５０〜１５５℃），Ｓ15Ｎ
2 （融点１３７℃），Ｓ16Ｎ2 （融点１２２℃）等のよ
うに分子内のＳ原子数とＮ原子数が不均衡な環状窒化イ
オウ化合物、あるいはこれら環状窒化イオウ化合物のＮ
原子上にＨ原子が結合したＳ7 ＮＨ（融点１１３．５
℃），１，３−Ｓ6 （ＮＨ）2 （融点１３０℃），１，
４−Ｓ6 （ＮＨ）2 （融点１３３℃），１，５−Ｓ
6 （ＮＨ）2 （融点１５５℃），１，３，５−Ｓ5 （Ｎ
Ｈ）3 （融点１２４℃），１，３，６−Ｓ5 （ＮＨ）3
（融点１３１℃），Ｓ4 （ＮＨ）4 （融点１４５℃）等
のイミド型の化合物等も生成可能である。いずれにして
も、上述の窒化イオウ系化合物は室温以下に温度制御さ
れたウェハ上で存在可能である。しかも、自然酸化膜を
除去した後にウェハを加熱すれば、いずれも分解または
昇華により容易に除去することができる。
【００１４】本願の第３の発明は、上述の２発明とは異
なり、窒化イオウ系化合物の堆積による側壁保護膜の形
成と自然酸化膜の除去とを競合過程により行おうとする
ものである。この技術により、工程数を削減することが
できる。さらに本願の第４の発明では、上記第３の発明
の実用的な実施態様として、上述の競合過程を単一のエ
ッチング・ガスを使用して実現する方法を提案する。す
なわち、上記エッチング・ガスに含まれるイオウ系化合
物と窒素系化合物との反応によりプラズマ中に窒化イオ
ウ系化合物を生成させる一方で、同じエッチング・ガス
から解離生成するエッチング種により自然酸化膜を除去
するわけである。
なり、窒化イオウ系化合物の堆積による側壁保護膜の形
成と自然酸化膜の除去とを競合過程により行おうとする
ものである。この技術により、工程数を削減することが
できる。さらに本願の第４の発明では、上記第３の発明
の実用的な実施態様として、上述の競合過程を単一のエ
ッチング・ガスを使用して実現する方法を提案する。す
なわち、上記エッチング・ガスに含まれるイオウ系化合
物と窒素系化合物との反応によりプラズマ中に窒化イオ
ウ系化合物を生成させる一方で、同じエッチング・ガス
から解離生成するエッチング種により自然酸化膜を除去
するわけである。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。
する。
【００１６】実施例１ 本実施例は、本願の第２の発明を適用し、シリコン基板
上に形成された４層構造の層間絶縁膜に開口されたコン
タクト・ホールの底部において、酸化シリコン（ＳｉＯ
x ）からなる自然酸化膜を除去した例である。このプロ
セスを、図１を参照しながら説明する。本実施例で処理
サンプルとして使用したウェハを、図１（ａ）に示す。
すなわち、予め下層配線である不純物拡散領域２が形成
されたシリコン基板１上に４層構造の層間絶縁膜７が形
成され、レジスト・マスクを使用するパターニングによ
り上記層間絶縁膜７に上記不純物拡散領域２に臨むコン
タクト・ホール８が開口されている。上記層間絶縁膜７
は、シリコン基板１側から順に、第１の酸化シリコン層
３、ＰＳＧ層４、第２の酸化シリコン層５、ＢＰＳＧ層
６がＣＶＤ法等により積層されてなるものである。上記
コンタクト・ホール８の底部には、層間絶縁膜７のパタ
ーニングに伴って不純物拡散領域２が露出するが、その
表面にはウェハの大気開放時、およびレジスト・マスク
のアッシング時にＳｉＯx 自然酸化膜９が形成された。
上に形成された４層構造の層間絶縁膜に開口されたコン
タクト・ホールの底部において、酸化シリコン（ＳｉＯ
x ）からなる自然酸化膜を除去した例である。このプロ
セスを、図１を参照しながら説明する。本実施例で処理
サンプルとして使用したウェハを、図１（ａ）に示す。
すなわち、予め下層配線である不純物拡散領域２が形成
されたシリコン基板１上に４層構造の層間絶縁膜７が形
成され、レジスト・マスクを使用するパターニングによ
り上記層間絶縁膜７に上記不純物拡散領域２に臨むコン
タクト・ホール８が開口されている。上記層間絶縁膜７
は、シリコン基板１側から順に、第１の酸化シリコン層
３、ＰＳＧ層４、第２の酸化シリコン層５、ＢＰＳＧ層
６がＣＶＤ法等により積層されてなるものである。上記
コンタクト・ホール８の底部には、層間絶縁膜７のパタ
ーニングに伴って不純物拡散領域２が露出するが、その
表面にはウェハの大気開放時、およびレジスト・マスク
のアッシング時にＳｉＯx 自然酸化膜９が形成された。
【００１７】次に、上記ウェハをＲＦバイアス印加型の
有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載
置電極上にセットした。ここで、上記ウェハ載置電極に
は冷却配管が内蔵されており、装置外部に接続される冷
却設備から適当な冷媒を供給循環させることにより、ウ
ェハを室温以下の温度に維持できるようになされてい
る。ここでは、上記冷却配管にエタノールを循環させる
ことにより、ウェハ温度を２５℃に維持した。この状態
で、一例としてＳ2 Ｆ2 流量１０ＳＣＣＭ，Ｈ2 流量２
０ＳＣＣＭ，Ｎ2 流量２０ＳＣＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ
（１０ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦ
バイアス・パワー３０Ｗ（２ＭＨｚ）の条件でＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）放電を行った。上記Ｓ2 Ｆ
2 は、本願出願人が特願平２−１９８０４５号をはじめ
とする一連の出願により提案しているフッ化イオウのひ
とつであり、Ｓ／Ｆ比（分子内のＳ原子数とＦ原子数の
比）が比較的大きく、放電解離条件下で遊離のＳ（イオ
ウ）を放出することができる。Ｈ2 は、自身が放出する
Ｈ* によりＳ2 Ｆ2 から生成するＦ* を捕捉して反応系
の見掛け上のＳ／Ｆ比を増大させ、Ｓに富む雰囲気を創
り出すことに寄与している。上記ＥＣＲ放電の過程で
は、Ｓ2 Ｆ2 から生成するＳとＮ2 から生成するＮとの
反応により（ＳＮ）x を主体とする窒化イオウ系化合物
がプラズマ中に生成し、これが２５℃に維持されたウェ
ハの表面に堆積した。ただし、若干のＲＦバイアス・パ
ワーが印加されていることにより、上記窒化イオウ系化
合物はＢＰＳＧ層６の表面やＳｉＯx 自然酸化膜９の上
には堆積せず、図１（ｂ）に示されるようにコンタクト
・ホール８の側壁面にのみ選択的に堆積して窒化イオウ
系側壁保護膜１０を形成した。
有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置のウェハ載
置電極上にセットした。ここで、上記ウェハ載置電極に
は冷却配管が内蔵されており、装置外部に接続される冷
却設備から適当な冷媒を供給循環させることにより、ウ
ェハを室温以下の温度に維持できるようになされてい
る。ここでは、上記冷却配管にエタノールを循環させる
ことにより、ウェハ温度を２５℃に維持した。この状態
で、一例としてＳ2 Ｆ2 流量１０ＳＣＣＭ，Ｈ2 流量２
０ＳＣＣＭ，Ｎ2 流量２０ＳＣＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ
（１０ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦ
バイアス・パワー３０Ｗ（２ＭＨｚ）の条件でＥＣＲ
（電子サイクロトロン共鳴）放電を行った。上記Ｓ2 Ｆ
2 は、本願出願人が特願平２−１９８０４５号をはじめ
とする一連の出願により提案しているフッ化イオウのひ
とつであり、Ｓ／Ｆ比（分子内のＳ原子数とＦ原子数の
比）が比較的大きく、放電解離条件下で遊離のＳ（イオ
ウ）を放出することができる。Ｈ2 は、自身が放出する
Ｈ* によりＳ2 Ｆ2 から生成するＦ* を捕捉して反応系
の見掛け上のＳ／Ｆ比を増大させ、Ｓに富む雰囲気を創
り出すことに寄与している。上記ＥＣＲ放電の過程で
は、Ｓ2 Ｆ2 から生成するＳとＮ2 から生成するＮとの
反応により（ＳＮ）x を主体とする窒化イオウ系化合物
がプラズマ中に生成し、これが２５℃に維持されたウェ
ハの表面に堆積した。ただし、若干のＲＦバイアス・パ
ワーが印加されていることにより、上記窒化イオウ系化
合物はＢＰＳＧ層６の表面やＳｉＯx 自然酸化膜９の上
には堆積せず、図１（ｂ）に示されるようにコンタクト
・ホール８の側壁面にのみ選択的に堆積して窒化イオウ
系側壁保護膜１０を形成した。
【００１８】次に、上記ウェハをドライ前処理装置に移
設し、ＨＦ流量５００ＳＣＣＭ，ガス圧１００Ｔｏｒｒ
の雰囲気下に上記ウェハを保持した。この結果、図１
（ｃ）に示されるように、ＳｉＯx 自然酸化膜９はＳｉ
Ｆxの形で除去された。しかし、コンタクト・ホール８
の側壁面には窒化イオウ系側壁保護膜１０が形成されて
いるため、ＰＳＧ層４やＢＰＳＧ層６はＦ* の攻撃から
保護され、コンタクト・ホール８の異方性形状が維持さ
れた。その後、上記ウェハを約１５０℃に加熱したとこ
ろ、窒化イオウ系側壁保護膜１０は速やかに分解もしく
は昇華した。最終的には図１（ｄ）に示されるように、
層間絶縁膜７に開口されたコンタクト・ホール８の異方
性形状を何ら損なうことなく、またパーティクル汚染を
生ずることなく、ＳｉＯx 自然酸化膜９を除去すること
ができた。
設し、ＨＦ流量５００ＳＣＣＭ，ガス圧１００Ｔｏｒｒ
の雰囲気下に上記ウェハを保持した。この結果、図１
（ｃ）に示されるように、ＳｉＯx 自然酸化膜９はＳｉ
Ｆxの形で除去された。しかし、コンタクト・ホール８
の側壁面には窒化イオウ系側壁保護膜１０が形成されて
いるため、ＰＳＧ層４やＢＰＳＧ層６はＦ* の攻撃から
保護され、コンタクト・ホール８の異方性形状が維持さ
れた。その後、上記ウェハを約１５０℃に加熱したとこ
ろ、窒化イオウ系側壁保護膜１０は速やかに分解もしく
は昇華した。最終的には図１（ｄ）に示されるように、
層間絶縁膜７に開口されたコンタクト・ホール８の異方
性形状を何ら損なうことなく、またパーティクル汚染を
生ずることなく、ＳｉＯx 自然酸化膜９を除去すること
ができた。
【００１９】実施例２ 本実施例は、本願の第２の発明を適用し、Ａｌ系下層配
線層の上に形成された３層構造の層間絶縁膜に開口され
たビア・ホールの底部において、ＡｌＯx からなるＳｉ
Ｏx 自然酸化膜を除去した例である。このプロセスを、
図２を参照しながら説明する。本実施例で処理サンプル
として使用したウェハは、図２（ａ）に示されるよう
に、下層配線であるＡｌ−１％Ｓｉ層１１上に、第１の
酸化シリコン層１２、塗布法により形成されたＳＯＧ
（スピン・オン・グラス）層１３、第２の酸化シリコン
層１４が順次積層された層間絶縁膜１５が形成され、該
層間絶縁膜１５にビア・ホール１６が開口され、その底
面にＡｌＯx 自然酸化膜１７が形成されたものである。
線層の上に形成された３層構造の層間絶縁膜に開口され
たビア・ホールの底部において、ＡｌＯx からなるＳｉ
Ｏx 自然酸化膜を除去した例である。このプロセスを、
図２を参照しながら説明する。本実施例で処理サンプル
として使用したウェハは、図２（ａ）に示されるよう
に、下層配線であるＡｌ−１％Ｓｉ層１１上に、第１の
酸化シリコン層１２、塗布法により形成されたＳＯＧ
（スピン・オン・グラス）層１３、第２の酸化シリコン
層１４が順次積層された層間絶縁膜１５が形成され、該
層間絶縁膜１５にビア・ホール１６が開口され、その底
面にＡｌＯx 自然酸化膜１７が形成されたものである。
【００２０】上記ウェハをＲＦバイアス印加型の有磁場
マイクロ波プラズマ・エッチング装置にセットし、該ウ
ェハの温度を２５℃に維持した。この状態で、一例とし
てＳ2 Ｃｌ2 流量１０ＳＣＣＭ，Ｈ2 流量１０ＳＣＣ
Ｍ，Ｎ2 流量２０ＳＣＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍ
Ｔｏｒｒ）、マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス
・パワー３０Ｗ（２ＭＨｚ）の条件でＥＣＲ放電を行っ
た。この過程では、Ｓ2 Ｃｌ2 から生成するＳとＮ2 か
ら生成するＮとの反応により、図２（ｂ）に示されるよ
うに、ビア・ホール１６の側壁面に（ＳＮ）x を主体と
する窒化イオウ系側壁保護膜１８が形成された。
マイクロ波プラズマ・エッチング装置にセットし、該ウ
ェハの温度を２５℃に維持した。この状態で、一例とし
てＳ2 Ｃｌ2 流量１０ＳＣＣＭ，Ｈ2 流量１０ＳＣＣ
Ｍ，Ｎ2 流量２０ＳＣＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍ
Ｔｏｒｒ）、マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス
・パワー３０Ｗ（２ＭＨｚ）の条件でＥＣＲ放電を行っ
た。この過程では、Ｓ2 Ｃｌ2 から生成するＳとＮ2 か
ら生成するＮとの反応により、図２（ｂ）に示されるよ
うに、ビア・ホール１６の側壁面に（ＳＮ）x を主体と
する窒化イオウ系側壁保護膜１８が形成された。
【００２１】次に、上記ウェハをドライ前処理装置に移
設し、ＨＦ流量５００ＳＣＣＭ，ガス圧１００Ｔｏｒｒ
の雰囲気下に上記ウェハを保持した。この結果、図２
（ｃ）に示されるように、ＡｌＯx 自然酸化膜１７はＡ
ｌＦx の形で除去された。しかし、ビア・ホール１６の
側壁面には窒化イオウ系側壁保護膜１８が形成されてい
るため、ＳＯＧ層１３が浸食されることはなく、ビア・
ホール１６の異方性形状が維持された。その後、上記ウ
ェハを約１５０℃に加熱したところ、窒化イオウ系側壁
保護膜１８は速やかに分解もしくは昇華した。最終的に
は図２（ｄ）に示されるように、層間絶縁膜１５に開口
されたビア・ホール１６の異方性形状を何ら損なうこと
なく、またパーティクル汚染を生ずることなく、ＡｌＯ
x 自然酸化膜１７を除去することができた。
設し、ＨＦ流量５００ＳＣＣＭ，ガス圧１００Ｔｏｒｒ
の雰囲気下に上記ウェハを保持した。この結果、図２
（ｃ）に示されるように、ＡｌＯx 自然酸化膜１７はＡ
ｌＦx の形で除去された。しかし、ビア・ホール１６の
側壁面には窒化イオウ系側壁保護膜１８が形成されてい
るため、ＳＯＧ層１３が浸食されることはなく、ビア・
ホール１６の異方性形状が維持された。その後、上記ウ
ェハを約１５０℃に加熱したところ、窒化イオウ系側壁
保護膜１８は速やかに分解もしくは昇華した。最終的に
は図２（ｄ）に示されるように、層間絶縁膜１５に開口
されたビア・ホール１６の異方性形状を何ら損なうこと
なく、またパーティクル汚染を生ずることなく、ＡｌＯ
x 自然酸化膜１７を除去することができた。
【００２２】実施例３ 本実施例は、本願の第４の発明を適用し、シリコン基板
上に形成された４層構造の層間絶縁膜に開口されたコン
タクト・ホールの底部において、該コンタクト・ホール
の側壁面における窒化イオウ系側壁保護膜の形成と、Ｓ
ｉＯx 自然酸化膜の除去とを競合させながら行った例で
ある。本実施例で処理サンプルとして使用したウェハ
は、前述の図１（ａ）に示されるものと同じである。こ
のウェハを有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置
にセットし、一例としてＨＦ流量２０ＳＣＣＭ，Ｓ2 Ｆ
2 流量１０ＳＣＣＭ，Ｈ2 流量２０ＳＣＣＭ，Ｎ2 流量
２０ＳＣＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、
マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー３０
Ｗ（２ＭＨｚ），ウェハ温度２５℃の条件でエッチング
を行った。この過程では、Ｓ2 Ｆ2 とＮ2 に由来して
（ＳＮ）x を主体とする窒化イオウ系側壁保護膜１０が
形成される過程と、主としてＨＦから生成するＦ* によ
りＳｉＯx 自然酸化膜９が除去される過程とが競合的に
進行するので、図１（ａ）に示される状態から図１
（ｃ）に示される状態が直接得られる。その後、ウェハ
を加熱し、図１（ｄ）に示されるように窒化イオウ系側
壁保護膜１０を除去した。なお、上述のエッチング・ガ
ス組成では、ＨＦとＳ2 Ｆ2 の双方がＦ* 供給源となり
得るが、ここでは放電解離効率等を考慮してＳ2 Ｆ2 は
主としてＳ供給源として使用し、従来からブレイクスル
ー用ガスとして実績のあるＨＦをＦ* の主な供給源とし
ている。
上に形成された４層構造の層間絶縁膜に開口されたコン
タクト・ホールの底部において、該コンタクト・ホール
の側壁面における窒化イオウ系側壁保護膜の形成と、Ｓ
ｉＯx 自然酸化膜の除去とを競合させながら行った例で
ある。本実施例で処理サンプルとして使用したウェハ
は、前述の図１（ａ）に示されるものと同じである。こ
のウェハを有磁場マイクロ波プラズマ・エッチング装置
にセットし、一例としてＨＦ流量２０ＳＣＣＭ，Ｓ2 Ｆ
2 流量１０ＳＣＣＭ，Ｈ2 流量２０ＳＣＣＭ，Ｎ2 流量
２０ＳＣＣＭ，ガス圧１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、
マイクロ波パワー８５０Ｗ、ＲＦバイアス・パワー３０
Ｗ（２ＭＨｚ），ウェハ温度２５℃の条件でエッチング
を行った。この過程では、Ｓ2 Ｆ2 とＮ2 に由来して
（ＳＮ）x を主体とする窒化イオウ系側壁保護膜１０が
形成される過程と、主としてＨＦから生成するＦ* によ
りＳｉＯx 自然酸化膜９が除去される過程とが競合的に
進行するので、図１（ａ）に示される状態から図１
（ｃ）に示される状態が直接得られる。その後、ウェハ
を加熱し、図１（ｄ）に示されるように窒化イオウ系側
壁保護膜１０を除去した。なお、上述のエッチング・ガ
ス組成では、ＨＦとＳ2 Ｆ2 の双方がＦ* 供給源となり
得るが、ここでは放電解離効率等を考慮してＳ2 Ｆ2 は
主としてＳ供給源として使用し、従来からブレイクスル
ー用ガスとして実績のあるＨＦをＦ* の主な供給源とし
ている。
【００２３】以上、本発明を３つの実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではなく、処理条件，使用する装置，混合ガスやエ
ッチング・ガスの組成等は適宜変更可能である。
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではなく、処理条件，使用する装置，混合ガスやエ
ッチング・ガスの組成等は適宜変更可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明を適用すれば多層絶縁膜に開口された接続孔の異方性
形状を劣化させたり開口径を狭めることなく、かつパー
ティクル汚染等を生ずることなく自然酸化膜を除去する
ことができる。したがって、本発明は微細なデザイン・
ルールにもとづいて設計される高集積度，高性能，高信
頼性を有する半導体装置の製造に極めて有用である。
明を適用すれば多層絶縁膜に開口された接続孔の異方性
形状を劣化させたり開口径を狭めることなく、かつパー
ティクル汚染等を生ずることなく自然酸化膜を除去する
ことができる。したがって、本発明は微細なデザイン・
ルールにもとづいて設計される高集積度，高性能，高信
頼性を有する半導体装置の製造に極めて有用である。
【図１】本発明をシリコン基板上の４層構造の層間絶縁
膜に開口されたコンタクト・ホール底部におけるＳｉＯ
x 自然酸化膜の除去に適用した一例をその工程順にした
がって示す概略断面図であり、（ａ）はコンタクト・ホ
ール底部にＳｉＯx 自然酸化膜が形成された状態、
（ｂ）はコンタクト・ホールの側壁面に窒化イオウ系側
壁保護膜が形成された状態、（ｃ）はＳｉＯx 自然酸化
膜が除去された状態、（ｄ）は窒化イオウ系側壁保護膜
が除去された状態をそれぞれ示す。
膜に開口されたコンタクト・ホール底部におけるＳｉＯ
x 自然酸化膜の除去に適用した一例をその工程順にした
がって示す概略断面図であり、（ａ）はコンタクト・ホ
ール底部にＳｉＯx 自然酸化膜が形成された状態、
（ｂ）はコンタクト・ホールの側壁面に窒化イオウ系側
壁保護膜が形成された状態、（ｃ）はＳｉＯx 自然酸化
膜が除去された状態、（ｄ）は窒化イオウ系側壁保護膜
が除去された状態をそれぞれ示す。
【図２】本発明をＡｌ系下層配線層上の３層構造の層間
絶縁膜に開口されたビア・ホール底部におけるＡｌＯx
自然酸化膜の除去に適用した一例をその工程順にしたが
って示す概略断面図であり、（ａ）はビア・ホール底部
にＡｌＯx 自然酸化膜が形成された状態、（ｂ）はビア
・ホールの側壁面に窒化イオウ系側壁保護膜が形成され
た状態、（ｃ）はＡｌＯx 自然酸化膜が除去された状
態、（ｄ）は窒化イオウ系側壁保護膜が除去された状態
をそれぞれ示す。
絶縁膜に開口されたビア・ホール底部におけるＡｌＯx
自然酸化膜の除去に適用した一例をその工程順にしたが
って示す概略断面図であり、（ａ）はビア・ホール底部
にＡｌＯx 自然酸化膜が形成された状態、（ｂ）はビア
・ホールの側壁面に窒化イオウ系側壁保護膜が形成され
た状態、（ｃ）はＡｌＯx 自然酸化膜が除去された状
態、（ｄ）は窒化イオウ系側壁保護膜が除去された状態
をそれぞれ示す。
【図３】従来の自然酸化膜の除去方法における問題点を
説明するための概略断面図であり、（ａ）はシリコン基
板上の４層構造の層間絶縁膜に開口されたコンタクト・
ホールの底部においてＳｉＯx 自然酸化膜が形成された
状態、（ｂ）はＳｉＯx 自然酸化膜の除去に伴ってコン
タクト・ホールの異方性形状が劣化した状態をそれぞれ
示す。
説明するための概略断面図であり、（ａ）はシリコン基
板上の４層構造の層間絶縁膜に開口されたコンタクト・
ホールの底部においてＳｉＯx 自然酸化膜が形成された
状態、（ｂ）はＳｉＯx 自然酸化膜の除去に伴ってコン
タクト・ホールの異方性形状が劣化した状態をそれぞれ
示す。
１ ・・・シリコン基板 ２ ・・・不純物拡散領域 ３，１２ ・・・第１の酸化シリコン層 ４ ・・・ＰＳＧ層 ５，１４ ・・・第２の酸化シリコン層 ６ ・・・ＢＰＳＧ層 ７，１５ ・・・層間絶縁膜 ８ ・・・コンタクト・ホール ９ ・・・ＳｉＯx 自然酸化膜 １０，１８・・・窒化イオウ系側壁保護膜 １１ ・・・Ａｌ−１％Ｓｉ層 １３ ・・・ＳＯＧ層 １６ ・・・ビア・ホール １７ ・・・ＡｌＯx 自然酸化膜
Claims (4)
- 【請求項１】 下地材料層上に積層されたエッチング特
性の異なる複数種類の材料層からなる多層絶縁膜に開口
された接続孔の側壁面を、被処理基板の温度を室温以下
に制御した状態で窒化イオウ系化合物層で選択的に被覆
する工程と、 前記接続孔の底部に露出する前記下地材料層の表面に形
成された自然酸化膜を除去する工程と、 前記窒化イオウ系化合物層を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする自然酸化膜の除去方法。 - 【請求項２】 前記窒化イオウ系化合物層はイオウ系化
合物と窒素系化合物とを含む混合ガスから放電解離条件
下でプラズマ中に生成する窒化イオウ系化合物を堆積さ
せることにより形成されることを特徴とする請求項１記
載の自然酸化膜の除去方法。 - 【請求項３】 下地材料層上に積層されたエッチング特
性の異なる複数種類の材料層からなる多層絶縁膜に開口
された接続孔の側壁面を、被処理基板の温度を室温以下
に制御した状態で窒化イオウ系化合物層で選択的に被覆
しながら、該接続孔の底部に露出する前記下地材料層の
表面に形成された自然酸化膜を除去する工程と、 前記窒化イオウ系化合物層を除去する工程とを有するこ
とを特徴とする自然酸化膜の除去方法。 - 【請求項４】 前記窒化イオウ系化合物層はイオウ系化
合物と窒素系化合物とを含むエッチング・ガスから放電
解離条件下でプラズマ中に生成する窒化イオウ系化合物
を堆積させることにより形成され、前記自然酸化膜は該
エッチング・ガスから同時に生成するエッチング種によ
り除去されることを特徴とする請求項３記載の自然酸化
膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22857991A JPH0547720A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 自然酸化膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22857991A JPH0547720A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 自然酸化膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547720A true JPH0547720A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16878578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22857991A Withdrawn JPH0547720A (ja) | 1991-08-15 | 1991-08-15 | 自然酸化膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547720A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100416657B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2004-01-31 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 |
| US6849885B2 (en) | 2001-01-12 | 2005-02-01 | Renesas Technology Corp. | Method of producing a semiconductor integrated circuit device and the semiconductor integrated circuit device |
| WO2013074369A1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for selective nitridation process |
| KR20150019853A (ko) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 트렌치 형성 방법 |
| CN106531748A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-03-22 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法 |
-
1991
- 1991-08-15 JP JP22857991A patent/JPH0547720A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849885B2 (en) | 2001-01-12 | 2005-02-01 | Renesas Technology Corp. | Method of producing a semiconductor integrated circuit device and the semiconductor integrated circuit device |
| KR100416657B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2004-01-31 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 |
| WO2013074369A1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for selective nitridation process |
| US8808564B2 (en) | 2011-11-15 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for selective nitridation process |
| KR20150019853A (ko) * | 2013-08-16 | 2015-02-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 트렌치 형성 방법 |
| CN106531748A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-03-22 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法 |
| CN106531748B (zh) * | 2017-01-04 | 2023-05-30 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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