JPH0547943B2

JPH0547943B2 -

Info

Publication number: JPH0547943B2
Application number: JP58176412A
Authority: JP
Inventors: Fumyoshi Kirino; Yukio Ito; Keiichi Kanebori; Katsumi Myauchi; Tetsuichi Kudo
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1983-09-26
Filing date: 1983-09-26
Publication date: 1993-07-20
Also published as: JPS6068558A

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明はリチウム電池にかかわり、特に、超薄
型化に好適な全固体薄膜リチウム電池に関するも
のである。

〔発明の背景〕

近年のエレクトロニクス機器の小型化、低消費
電力化には著しいものがある。このような情況下
で、小型で安定かつ高信頼性を有する電池に対す
るニーズが強まつてきている。この中で特にリチ
ウム電池は、高エネルギ密度、高起電力を有す
る。新しい電池として注目されている。リチウム
電池の構成は、金属リチウム負極、リチウムイオ
ン導電性電解質、そして正極活物質とからなる。
リチウム電池は、正極活物質に二酸化マンガンや
弗化黒鉛等を用いた一次電池として既に実用化さ
れている。そして現在では、次の研究課題とし
て、リチウム電池の二次電池化が検討されてい
る。リチウム電池の二次電池化に成功すると、電
池を半永久的に使用することが可能となる。さら
に、一次電池と比べて充電できるためあまり大き
な放電容量を必要とせず、電池の小型化が可能に
なる等の特長がある。

リチウム二次電池の特性は、（）電池の電
圧・電流特性、（）正極中でのリチウムイオン
の化学拡散係数、（）電池の放電容量、（）充
放電の繰り返し特性、等で表わされる。これらの
特性は、正極の特性に依存するところが大きく、
その選択は非常に重要である。現在までに、リチ
ウム二次電池の正極材料に関する報告は数多くあ
るが、電池としての特性には一長一短があり、正
極材料の探索がなお続けられている。今日までに
報告されている材料の中で、拡散係数が大きく充
放電の可逆性に優れたものに、二硫化チタン
（TiS₂）がある。しかしながら、この二硫化チタ
ンは、二次元層状構造を有し、リチウムイオンの
拡散に対して異方性が存在する。そこで、このよ
うな化合物を薄膜化する場合には、リチウムイオ
ンの拡散の大きな方向に結晶を配向させる必要が
ある。しかし、一般に配向膜を作成することは技
術的に困難であり、さらに、電池の放電容量増加
のために正極膜厚を増する場合、一層困難になる
ことが予想される。そこで、リチウムイオンの拡
散に対して異方性が存在せず、大きな拡散係数を
有し、しかも充放電の繰り返し特性に優れた材料
を見いだすことは、リチウム二次電池の実用化に
向けて、非常に重要な課題である。本発明では、
前述の課題を解決するため、三次元網目構造を有
する正極材料に着目し、タングステン酸化物を取
り上げた。

現在までに、タングステン酸化物の中で三酸化
タングステンは、リチウム電池用正極材料あるい
はエレクトロクロミツク表示素子用材料として、
数多く検討されてきた。この中で特に、リチウム
二次電池用正極材料としての三酸化タングステン
は、一般に放電容量が大きく、充放電の繰り返し
特性に優れた有望な材料であることが知られてい
る。さらに、最近では、三酸化タングステンを薄
膜化し、その電気化学的特性についても検討され
ている。三酸化タングステンを薄膜化するについ
ては、次のような問題点がある。まず、第１に、
リチウム電池を超薄型化する場合、電池構成材料
を圧粉法や焼結法で作成するには限界があり、別
の手法による薄膜化の検討が必要である。現在用
いられている薄膜化の手法は、真空蒸着法あるい
はスパツタ法である。しかしながら、真空蒸着法
は、タングステンと酸素の組成比を精密にかつ再
現性よく変えることが困難である。また、スパツ
タ法による三酸化タングステン薄膜の作成は、主
に金属タングステンをターゲツト材として用い、
酸素含有雰囲気中で行われているが、この手法
も、タングステンと酸素の組成比を精密にコント
ロールすることが困難である。第２に、三酸化タ
ングステンは、この物質自身電子導電率が小さ
く、正極材料としては用いるにはグラフアイト等
の導電性材料を添加しなければならない。しか
し、導電性材料の添加は、電池の放電容量の低下
をきたす欠点があり、特に正極薄膜材料として用
いるには、このような材料の添加は非常に不利に
なる。第３に、正極材料に要求される重要な特性
として、リチウムイオンの化学拡散係数が大きい
こと、および充放電の繰り返し特性に優れている
ことである。現在までに報告されている三酸化タ
ングステン薄膜におけるリチウムイオンの拡散係
数として最も大きな値は、４×10^-7m²／ｓ
（MINO GREEN and K.S.KANG，Thin Solid
Film 50，145（1978）である。しかし、三酸化
タングステンを薄膜リチウム電池用正極材料とし
て用いるには、拡散係数の値をさらに１〜２桁程
度向上させることが必要となる。さらに、この材
料を二次電池用正極材料として用いるには、充放
電に伴うリチウムイオンの出入りの可逆性の改善
が要求される。

以上述べたように、従来の薄膜製造法で作成し
た三酸化タングステン薄膜には欠点があるととも
に、これをリチウム電池の正極薄膜材料として用
いるには解決しなければならない問題があつた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、薄膜リチウム電池、特に薄膜
リチウム二次電池のための、リチウムイオンの拡
散に対して異方性が存在せずかつ拡散係数が大き
く、充放電に伴うリチウムイオンの出入りの可逆
性に優れ、放電容量の大きなリチウム電池用正極
を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、正極を、WO_3-〓（０＜δ１）なる
組成の酸化タングステン、または遷移金属酸化物
（例えば三酸化モリブデン、五酸化バナジウムな
ど）を含むWO_3-〓（０＜δ１）なる組成の酸化
タングステンを主体とする物質からなる酸化タン
グステン薄膜とすることが、その要点である。

現在報告されている正極材料のうち、一次元鎖
状あるいは二次元層状構造を有する材料は、リチ
ウムイオンの拡散に対して異方性を有する。これ
らの材料をリチウム電池の正極材料として用いる
と、その異方性のため薄膜形成時に結晶の傾向を
考慮する必要があり、これは薄膜作成を著しく困
難にする。そこで、正極材料として、リチウムイ
オンの拡散に対して異方性が存在しない三次元網
目構造を有する化合物に着目し、その中で三酸化
タングステンを採り上げた。この材料は、三次元
構造を有する化合物の中で、放電容量が大きく、
充放電の繰り返しに伴う可逆性も良好で、しかも
リチウムイオンの化学拡散係数は４×10^-17m²／
ｓと比較的大きく、リチウム電池用正極材料とし
て有望であると考えられる。しかしながら、この
材料を正極材料に用いるためには、さらに次の問
題を解決しなければならない。すなわち、（）
放電容量の増加、（）リチウムイオンの拡散係
数の向上、（）充放電に伴うリチウムイオンの
出入りの可逆性の向上、（）導電性添加剤を加
えずに電子導電率を上げること、等である。これ
らの問題の解決のため本発明で採り上げた対策に
ついて、以下詳述する。

まず、リチウムイオンの拡散係数を向上させる
ため、正極作成時に薄膜を非晶質化することでリ
チウムイオンの移動できるチヤネルの大きさおよ
び数を増すことを試みた。また、電子導電率を上
げるために、正極薄膜中に酸素欠陥を生成させる
ことをもくろんだ。ここで、できる酸素欠損型化
合物は、放電容量の増加および充放電に伴うリチ
ウムイオンの出入りの可逆性の向上を期待できる
ものである。そこで、薄膜の作成は、ターゲツト
に三酸化タングステンWO₃（遷移金属酸化物を含
む場合については後記する）を用い、水素含有の
還元雰囲気中で、スパツタ法により行つた。ここ
で、薄膜作成を還元雰囲気中で行つたのは、薄膜
中に酸素欠陥を作成することが容易だからであ
る。すなわち、通常、酸素欠損型の化合物の
WO_3-〓で表わされる不定比化合物を合成するに
は、金属タングステンＷ、タングステン酸アンモ
ニウムNH₄WO₄、タングステン酸H₂WO₄、およ
び三酸化タングステンWO₃の混合物を石英管中
に真空封入したものを900℃で24〜48時間反応さ
せて作るが、こうして合成した原料を蒸発源に用
いて真空蒸着法あるいはスパツタ法により薄膜化
しても、元のタングステンと酸素の組成比を保つ
ことは困難であり、さらに、原料の合成から電池
による評価まで多大の時間と労力を要するという
欠点がある。そこで、薄膜中の酸素欠損量を容易
にかつ再現性よくコントロールできる手法とし
て、WO₃をターゲツトに用い、還元雰囲気中で
スパツタする方法を用いたものである。なお、正
極の作成方法として、スパツタ法以外に、イオン
プレーテイング法、真空蒸着法、あるいはCVD
法によつて作成してもよい。

上記の薄膜作成において、酸素欠損量のコント
ロールは、ターゲツトに印加する高周波の出力、
および放電ガス中の含有水素量を変化させること
により行つた。また、作成した正極の評価は、リ
チウム電池を作成して行つた。すなわち、まずガ
ラス製基板上にスパツタ法により正極薄膜を形成
した。次に、作成した正極薄膜について、Ｘ線回
折法による結晶性の評価、および電子導電率の測
定を行つた。その結果、放電ガス中の含有水素量
一定の場合、高周波出力の上昇とともに結晶化が
進み、電子導電率も上昇した。また、高周波出力
一定の場合、水素ガス量を増加させてゆくと、電
子導電率は上昇するが、結晶性の変化はＸ線的に
は見られず、すべて非晶質であつた。この薄膜評
価の後に、上記正極薄膜上にスパツタ法により固
体電解質薄膜を形成し、最後にリチウム負極を真
空蒸着法により形成し、リチウム電池を作成し
た。電池の評価は、まず、（）電池の電圧・電
流特性、（）正極中におけるリチウムイオンの
化学拡散係数、について行つた。その結果、本発
明により作成した正極薄膜は、いずれも既知の材
料の中で最も良い電池特性を有する二硫化チタン
と同等あるいはそれに近い電圧・電流特性および
拡散係数（10^-16〜10^-15m²／ｓ）を有していた。
また、傾向として、非晶質薄膜の方が結晶質薄膜
よりわずかに大きかつた。また、より強い還元性
雰囲気中で作成したタングステン酸化物薄膜、
WO_3-〓においてδ＞１のものでは、電池の起電
力、放電容量とも小さく、電池には不向きであつ
た。次に、電池の評価として、充放電の繰り返し
によるリチウムイオンの出入りの可逆性について
検討した。すなわち、電池を一定電流により、あ
る一定電位間で充電・放電を繰り返し、そのとき
の充電または放電に要する時間を測定した。その
結果、放電容量0.15mA／cm²を有し、充放電の繰
り返しに伴う劣化の小さい薄膜リチウム二次電池
が得られることがわかつた。

以上の検討から、三酸化タングステンをターゲ
ツトに用い、還元性雰囲気中でスパツタして得ら
れた薄膜を正極活物質を用いることにより、電池
の電圧・電流特性、正極中でのリチウムイオンの
拡散係数、放電容量、および充放電の繰り返しに
伴うリチウムイオンの出入りの可逆性を大きく改
善することができることが確認された。上記の正
極薄膜はWO_3-〓なる組成を有し、このδの値は、
Ｘ線回折方による結晶性の評価の結果（非晶質の
場合は、類似の条件で作成した結晶質の薄膜につ
いての値から求めた推定値）から、０＜δ１の
範囲であつた。

酸化タングステンに遷移金属酸化物を加えたも
のを原料として、石英管に減圧封入し、それを熱
処理することにより、その結晶構造を変化させ、
リチウムイオンが拡散しやすい形のチヤネルを作
り、それによつて拡散係数を改善できることが知
られている。本発明においても、正極作成時に、
三酸化タングステン中に遷移金属酸化物、例えば
三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、五酸化ニ
オブを含むターゲツトを用いスパツタ法にて作成
した正極を使つた電池も、電圧・電流特性、正極
中でリチウムイオンの拡散係数、放電容量、充放
電の繰り返しに伴うリチウムイオンの出入りの可
逆性等、三酸化タングステンの場合とほぼ同じ特
性が得られた。

〔発明の実施例〕

本発明による薄膜リチウム電池の実施例を、薄
膜正極が酸化タングステンのみのものを実施例１
〜14、遷移金属酸化物を含むものを実施例15〜20
として、以下詳説にする。

実施例１〜８：第１図に薄膜リチウム電池全体の構成を示す。
すなわち、ガラス製の基板１上に、それぞれが固
体の正極薄膜２、リチウムイオン導電性の固体電
解質薄膜３、リチウム負極薄膜４の順序に順次積
層した構造を有し、リード線５を設けたものであ
る。

本実施例では、電池の作成は次のようにして行
つた。すなわち、まず、両面を鏡面研摩した石英
製の基板１上に、スパツタ法により正極薄膜２を
作成した。スパツタの条件は、ターゲツト材とし
て純度99.9％の三酸化タングステンを用い、放電
ガスには後記する比率で配合したArとH₂を使用
し、放電ガス圧は３×10^-2Torrである。この条
件で、市販のRFスパツタ装置を用いてスパツタ
した。スパツタ中は、基板を水冷した。ここで、
タングステンと酸素の比のコントロールは、放電
ガス中の水素含有量を変化させることにより、あ
るいは高周波出力を変えることにより行つた。ま
ず、放電ガスに90％Ar−10％H₂を用い、高周波
出力2.5，3.8，5.0，6.4，7.6W／cm²でスパツタを
行い、正極薄膜を作成した（実施例１〜５）。次
に、高周波出力を2.5W／cm²一定とし、放電ガス
中の水素含有率を変化させてスパツタを行つた。
すなわち、放電ガスに95％Ar−５％H₂、90％Ar
−10％H₂、70％Ar−30％H₂の３種を用いた
（H₂５％、H₂30％の場合をそれぞれ実施例６、
７。H₂10％は前記実施例１）。作成した正極薄膜
については、Ｘ線回折法を用いて、結晶性の検討
を行つた。その後に、上記正極薄膜上に、0.6Li₄
SiO₄−0.4Li₃PO₄固体電解質薄膜３（厚さ3.5μｍ）
をスパツタ法により形成し、最後に、金属リチウ
ム負極薄膜４（厚さ4μｍ）を真空蒸着法により
形成して、薄膜リチウム電池を作成した。

作成した薄膜電池の評価は、次のようにして行
つた。まず、初期特性として、電池の電圧・電流
特性および正極中でのリチウムイオンの化学拡散
係数について測定を行つた。電圧・電流特性は短
絡電流（電池を短絡したときに流れる電流）によ
り表わした。そして最後に、充放電の繰り返し特
性について、次のようにして検討した。すなわ
ち、一定電流で電池を充放電し、そのときの充電
あるいは放電に要する時間を測定することにより
評価した。

電池の評価の結果とＸ線回折法による検討結果
をまとめて、第２図の図表に実施例１〜７として
示したが、以下詳細に説明する。まず、Ｘ線回折
法による正極薄膜の結晶性評価の結果、実施例１
〜３の低いスパツタ出力で作成した薄膜は非晶質
であるのに対して、高いスパツタ出力で作成した
もの（実施例４，５）は配向した結晶質の薄膜で
あつた。すなわち、実施例４のものは（110）に
配向したW₂₀O₅₈であり、実施例５のものは
（010）に配向したW₁₈O₄₉であつた。以上の結果
から、高周波出力を増加させると、薄膜中の酸素
欠損量が増加してゆくことがわかつた。また、放
電ガス中の水素含有量を変えてスパツタした結果
は、Ｘ線による検討から非晶質であることがわか
つた。

次に、これらの正極薄膜を用いて電池を作成
し、その特性を検討したが、以下これについて説
明する。まず、スパツタ出力と電池特性との関係
について検討した。すなわち、三酸化タングステ
ンを出発物質とし、放電ガス中の水素含有量を一
定として、高周波出力を上げてスパツタして正極
薄膜を作成し（実施例１〜４）、前述の手法で電
池化し、その特性の判定を行つた。その結果、電
池の電圧・電流特性および正極中でのリチウムイ
オンの化学拡散係数は、いずれも大きな変化は見
られなかつた。リチウムイオンの化学拡散係数は
10^-15〜10^-16m²／ｓを示し、既知の正極材料中最
も優れている二硫化チタン（拡散係数５×10^-15
m²／ｓ）とほぼ同じ値であつた。次に、高周波出
力として、先の検討のうちから最も大きな短絡電
流および拡散係数が得られた場合の値2.5W／cm²
を選択し、放電ガス中の水素含有量を変え（それ
ぞれ５％、10％、30％）て、正極薄膜を作成した
（実施例６，１，７）。つまり、放電ガス中の水素
含有量と電池特性との関係について検討した。そ
の結果、先の高周波出力を変えた場合と同様、電
池の電圧・電流特性および正極中のリチウムイオ
ンの化学拡散係数は、いずれも大きな変化は見ら
れず、これらの値は前述の二硫化チタンの値とほ
ぼ同等であつた。続いて、薄膜の結晶性が電池特
性に与える影響について検討してみた。まず、基
板加熱（300℃）した状態で高周波出力3.8W／cm²
でスパツタすることにより結晶化させた試料（実
施例８）と、基板を水冷した状態で同じ高周波出
力でスパツタして作成した非晶質の試料（実施例
２）とを比べてみた。両者には、電池の電圧・電
流特性および正極中のリチウムイオンの拡散係数
に大きな違いは見られず、どちらも二硫化チタン
の値とほぼ同じ値であつた。さらに、高周波出力
を変化させることにより三酸化タングステンの還
元状態、すなわち薄膜中の酸素欠損量を変えて結
晶質薄膜を作成（実施例１、４、５、８）し、電
池特性に与える影響について検討した。その結
果、結晶質薄膜においても、還元状態の違いによ
る電池特性の違いはほとんど見られなかつた。こ
こで、結晶質薄膜と非晶質薄膜との電池特性の違
いは、結晶質薄膜の方が短絡電流、拡散係数共に
小さいことであるが、他の材料より遥かに良好で
あつた。以上の検討から、三酸化タングステン
WO₃を出発物質として、放電ガス中の水素含有
量一定の還元雰囲気中で高周波出力を変化させる
か、あるいは高周波出力一定で放電ガス中の水素
含有量を増加させてスパツタすることにより、タ
ングステン酸化物WO_3-〓におけるδの値を、零か
ら徐々に上げて還元することができた。そして、
その薄膜特性について検討した結果、この組成範
囲では、短絡電流および正極中のリチウムイオン
の化学拡散係数は、還元が進むにつれて若干小さ
くなる傾向が見られるが、10^-15〜10^-16m²／ｓと
大きな値を示した。

次に、これらの正極薄膜を用いた薄膜リチウム
電池の、充放電に伴うリチウムイオンの出入りの
可逆性について検討した。その結果、充放電の繰
り返しに伴う劣化は、実施例のいずれの電池にお
いても小さく、約10回の繰り返しで10％であつ
た。その後も、充放電の繰り返しにより徐々に放
電容量の減少は見られるが、約100回以上では容
量の減少はまつたく見られず、良好な充放電が行
えることを確認した。さらに、この中で、実施例
１、２の電池は、放電容量も大きく、薄膜の膜厚
2.5μｍ、直径２mmで、2.5V1.5Vの繰り返しで、
約0.15mAh／cm²であつた。

以上の検討から、スパツタ法により三酸化タン
グステンをターゲツトに用い、水素含有の還元雰
囲気中で作成した本発明による正極薄膜は、グラ
フアイトのような導電性添加物を加えることな
く、電圧・電流特性およびリチウムイオンの化学
拡散係数を大きく改善することが確認された。さ
らに、充放電の繰り返しに伴うリチウムイオンの
出入りの可逆性について検討した結果、これらは
良好な可逆性を有し、かつ0.15mAh／cm²という
大きな放電容量を有する薄膜リチウム二次電池を
得ることができた。

以上の各実施例において、δの値は、正極薄膜
が結晶質の場合は、Ｘ線回折法による結晶性の評
価の結果から求めた。また、非晶質の場合は、類
似の条件で作成した結晶質の薄膜のδの値を基に
した推定値で示した。いずれも、０＜δ１の範
囲の値である。

実施例９〜14：放電ガスとして、前述の実施例の場合よりも水
素含有率の高い50％Ar−50％H₂を用い、高周波
出力を5.0，6.4，7.6W／cm²と変化させ、それぞれ
の高周波出力に対し基板水冷、基板300℃加の２
通りのスパツタ条件で正極薄膜を作成した。その
結果を、第２図の実施例９〜14として示す。その
結果、前述の実施例１〜８の場合と同様な傾向で
あり、拡散係数、短絡電流とも前の実施例と同等
の値であつた。

実施例 15〜20：遷移金属酸化物を含む三酸化タングステン系の
正極薄膜を用いた実施例を説明する。すなわち、
三酸化タングステンに、三酸化モリブデン、五酸
化パナジウム、五酸化ニオブをペレツトとして添
加したものをターゲツト材として用い、高周波出
力2.5W／cm²、放電ガス圧３×10^-2Torr、放電ガ
ス90％Ar−10％H₂で、２時間スパツタして正極
薄膜を作成した。電池の作成方法および電池の評
価は、前述の三酸化タングステンの場合と同じ手
法により行つた。その結果を第３図の図表にまと
めて示す。その結果、特性的には遷移金属酸化物
の添加により電圧・電流特性、リチウムイオンの
拡散系数には大きな差は見られなかつた。一方、
放電容量は添加によつて0.08mAh／cm²とわずか
に小さくなるが、充放電の繰り返しに伴うリチウ
ムイオンの出入りの可逆性はわずかに改善され
た。

以上の各実施例で説明したように、本発明によ
ると、薄膜リチウム電池用正極材料として、三次
元網目構造を有し、リチウムイオンの拡散に対し
て異方性が存在しない三酸化タングステンを出発
物質として選び、水素含有の還元雰囲気中でスパ
ツタ法により正極薄膜を作成した。そして、この
薄膜を用いることにより、正極中に電子導電性材
料を添加することなしに、電池の電圧・電流特性
およびリチウムイオンの拡散係数を大幅に改善す
ることができた。また、充放電の繰り返し特性
を、改善することができ、可逆性に優れたリチウ
ム二次電池を得た。さらに、放電容量は、２mm径
正極膜厚2.5μｍ放電深度70％で、0.15mAh／cm²と
大きな値を得ることができた。そして、これらの
効果が顕著に現れる正極薄膜のタングステンを酸
表の組成範囲は、タングステン酸化物WO_3-〓にお
けるδの値として０＜δ１の範囲が有効である
ことがわかつた。

また、本発明によるタングステン酸化物を用い
た正極薄膜は、リチウムイオンの拡散に対して異
法性が存在せず、二次元層状化合物の場合に見ら
れるようなリチウムイオンの拡散の大きな方向へ
結晶を配向させるという技術課題を解決すること
ができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、リチウ
ムイオンの拡散に対して異方性が存在せずかつ拡
散係数が大きく、充放電に伴うリチウムイオンの
出入りの可逆性に優れ、放電容量の大きな薄膜リ
チウム二次電池用の正極が得られるので、薄膜リ
チウム二次電池の分野における効果は顕著であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜リチウム電池全体の構成を示す断
面図、第２図は正極に酸化タングステンを用いた
本発明の実施例のデータをまとめた図表、第３図
は正極に遷移金属酸化物を含む酸化タングステン
を主体とする物質を用いた本発明の実施例のデー
タをまとめた図表である。符号の説明、１……基板、２……正極薄膜、３
……固体電解質薄膜、４……リチウム負極薄膜、
５……リード線。

Claims

【特許請求の範囲】１固体のリチウムを活物質とする負極薄膜と、
リチウムイオン導電性の固体電解質薄膜と、固体
の酸化タングステンを活物質とする正極薄膜より
なる薄膜リチウム電池において、前記正極薄膜
が、WO_3-〓（０＜δ１）なる組成の酸化タング
ステン、または遷移金属酸化物を含むWO_3-〓（０
＜δ１）なる組成の酸化タングステンを主体と
する物質からなることを特徴とする全固体薄膜リ
チウム電池。２上記正極薄膜が非晶質化していることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の全固体薄膜リ
チウム電池。３上記遷移金属酸化物が三酸化モリブデン、五
酸化バナジウムまたは五酸化ニオブからなる群か
ら選ばれる少なくとも１の化合物であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の全固体薄膜
リチウム電池。