JPS6068558A - 全固体薄膜リチウム電池 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はリチウム電池にかかわり、特に、超薄型化に好
適な全固体薄膜リチウム電池に関するものである。

〔発明の背景〕

近年のエレクトロニクス（代器の小型化、低消費電力化
には著しいものがある。このような情況下で、小型で安
定かつ高信頼性を有する電池に対するニーズが強まって
きている。この中で特にリチウム電池は、高エネルギ密
度、高起電力を有する新しい電池として注１」されてい
る。リチウム電池の構成は、金属リチウム負極、リチウ
ムイオン導電性電解質、そして正極活物質とからなる。

リチウム電池は、正極活物質に二酸化マンカンや弗化黒
鉛等を用いた一次電池として既に実用化されている。そ
して現在では、次の研究課題として、リチウム電池の二
次電池化が検討されている。リチウム電池の二次電池化
に成功すると、電池を半永久的に使用することが可能と
なる。さらに、−次電池と比べて充電できるためあまり
大きな放電容量を必要とぜず、電池の小型化が可能にな
る等の特長かある。

リチウム二次電池の特性は、（１）電池の電圧−電流特
性、（１１）正極中でのリチウムイオンの化学拡散係数
、（ｉｉｉ）電池の放電容量、（ｉｖｌ充放電の繰り返
し特性、等で表わされる。これらの特性は、正極の特性
に依存するところが大きく、その選択は非常に重要であ
る。現在までに、リチウム二次電池の正極材料に関する
報告は数多くあるが、電池としての特性には一長一短が
あり、正極材料の探索かなお続けられている。今日まで
に報告されている材料の中で、拡散係数が大きく充放電
の可逆性に優れたものに、二硫化チタン（ＴＩ３２）が
ある。

しかしながら、この二硫化チタンは、二次元層状ｊＲ造
を有し、リチウムイオンの拡散に対して異方性が存在す
る。そこで、このような化合物を薄膜化する場合には、
リチウムイオンの拡散の大きな方向に結晶を配向させる
必要がある。しかし、一般に配向膜を作成することは技
術的に困難であり、さらに、電池の放電容量増加のため
に正極膜厚を増する場合、一層困難になることが予想さ
れる。

そこで、リチウムイオンの拡散に対して異方性が存在せ
す、大きな拡散係数を有し、しかも充放電の繰り返し特
性に優れた材料を見いだすことは、リチウム二次電池の
実用化に向けて、非常に重要な課題である。本発明では
、前述の課題を解決するため、三次元網目構造を有する
正極材料に着目し、タングステン酸化物を取り上げた。

現在までに、タングステン酸化物の中て三酸化タングス
テンは、リチウム電池用正極利料あるいはエレクトｏ（
クロミック表示素子用１１料として、数多（検討されて
きた。この中で特に、リヂ・タム二次電池用正極材料と
しての三酸化タングステンは、一般に放電容量が太き（
、充放電の繰り返し特性に優れた有望な材料であること
が知られている。さらに、最近では、三酸化タングステ
ンを声］膜化し、その電気化学的特性についても検討さ
れている。三酸化タングステンを薄膜化するについては
、次のような問題点がある。まず、第１に、リチウム電
池を超薄型化する場合、電池構成材料を圧粉法や焼結法
で作成するには限界があり、別の手法による薄膜化の検
討が必要である。現在用いられている薄膜化の手法は、
真空蒸着法あるいはスパッタ法である。しかしながら、
真空蒸着法は、タングステンと酸素の組成比を精密にか
つ再現性よく変えることが困難である。また、スパッタ
法による二酸化タングステン薄膜の作成は、主に金属タ
ングステンをターゲツト材として用い、酸素含有雰囲気
中で行われているが、この手法も、り７　クステンと酸
素の組成比を精密にコントロールすることが困難である
。第２に、三酸化タングステンは、この物質自身電子導
電率が小さく、正極材料として用いるにはグラファイト
等の導電性材料を添加しなければならない。しかし、導
電性材料の添加は、電池の放電容量の低下をきたす欠点
かあり、特に正極薄膜材料として用いるには、このよう
な材料の添加は非常に不利になる。第３に、正極材料に
要求される重要な特性として、リチウムイオンの化学拡
散係数が大きいこと、および充放電の繰り返し特性に優
れていることである。現在までに報告さ乏１でいる三酸
化タングステン薄膜におけるリチウムイオンの拡散係数
として最も大きな値は、４　Ｘ　１０　”　７７１’／
Ｓ　（ＭＩＮＯＧＲＥＥＮ　ａｎｄ　Ｋ。

Ｓ、　ＫＡＮＧ、　Ｔｈ１ｎ　５ｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍ　
５０．１４５　（１９７８）　）である。しかし、三酸
化タングステンを薄膜リチウム電池用正極材料として用
いるには、拡散係数の値をさらに１〜２桁程度向上させ
ることが必要となる。さらに、この材料を二次電池用正
極材料として用いるには、充放電に伴うリチウムイオン
の出入りの可逆性の改善が要求される。

以上述べたように、従来の薄膜製造法で作成した三酸化
タングステン薄膜には欠点があるとともに、これをリチ
ウム電池の正極薄膜材料として用いるには解決しなけれ
ばならない問題があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、薄膜リチウム電池、特に薄膜リチウム
二次電池のための、リチウムイオンの拡散に対して異方
性が存在せずかつ拡散係数が大きく、充放電に伴うリチ
ウムイオンの出入りの可逆性に優れ、放電容量の大きな
リチウム電池用正極を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、正極を、ＷＯ３−δ（０〈δ≦１）なる組成
の酸化タングステン、または遷移金属酸化物（例えば三
酸化モリブデン、五酸化バナジウムなど）を含むＷＯ３
−δ（０くδ≦１）なる組成の酸化タングステンを主体
とする物質からなる酸化タンクステン薄膜とすることが
、その要点である。

現在報告されている正極材料のうち、−次元鎖状あるい
は二次元層状構造を有する材料は、リチウムイオンの拡
散に対して異方性を有する。これらの材料をリチウム電
池の正極材料として用いると８、その異方性のため薄膜
形成時に結晶の配向を考慮する必要があり、これは薄膜
作成を著しく困難にする。そこで、正極材料として、リ
チウムイオンの拡散に対して異方性が存在しない三次元
網］］構造を有する化合物に着目し、その中で三酸化タ
ングステンを採り上げた。この材料は、三次元構造を有
する化合物の中で、放電容量が大きく、充放電の繰り返
しに伴う可逆性も良好で、しかもリチウムイオンの化学
拡散係数は４　ｘ　１Ｏ−１７ｄ４と比較的大きく、リ
チウム電池用正極材料として有望であると考えられる。

しかしながら、この材料を正極ＩＪ料に用いるためには
、さらに次の問題を解決しなければならない。すなわち
、（１）放電容量の増加、（ｉ：）　！Ｊチウムイオン
の拡散係数の向上、（ｉｉｉ）充放電に伴うリチウムイ
オンの出入りの可逆性の向上、（１ｖ）導電性添加剤を
加えずに電子導電率を上げること、等である。これらの
問題の解決のため本発明で採り上げた対策について、以
下訂述する。

まず、リチウムイオンの拡散係数を向上させるため、正
極作成時に薄膜を非晶質化することでリチウムイオンの
移動できるチャネルの大きさおよび数を増すことを試み
た。また、電子導電率を」二げるために、正極薄膜中に
酸素欠陥を生成させることをもくろんだ。ここで、でき
る酸素欠損型化合物は、放電容量の増加および充放電に
伴うリチウムイオンの出入りの可逆性の向上を期待てき
るものである。そこで、薄膜の作成は、ターゲットに三
曽化タングステンＷＯ３（遷移金属濃化物を含む場合に
ついては後記する）を用い、水素含有の還元雰囲気中で
、スパッタ法により行った。ここで、薄膜作成を還元雰
囲気中で行ったのは、薄膜中に酸素欠陥を作成すること
が容易だからである。

すなわち、通常、酸素欠損型の化合物のＷＯ２−δで表
わされる不定比化合物を合成するには、金属タングステ
ンＷ、タングステン酸アンモニウムＮＨ，ＷＯ４、タン
グステン酸Ｈ２ＷＯ４、および三酸化タングステンＷＯ
３の混合物を石英管中に真空封入したものを９００″Ｃ
で２４〜４８時間反応させて作るが、こうして合成した
原料を蒸発源に用いて真空蒸着法あるいはスパッタ法に
より薄膜化しても、元のタングステンと酸素の組成比を
保つことは困難であり、さらに、原料の合成から電池に
よる評価まで多大の時間と労力を要するという欠点があ
る。そこで、薄膜中の鍍素欠ｔＭｉＡを容易にかつ再現
性よくコントロールできる手法として、ＷＯ２をターゲ
ットに用い、還元雰囲気中でスパッタする方法を用いた
ものである。なお、正極の作成方法トシて、スパッタ法
以外に、イオンブレーティング法、真空蒸着法、あるい
はＣＶＤ法によって作成してもよい。

」−２の薄膜作成において、酸素欠損量のコントロール
は、ターゲットに印加する高周波の出力、および放電ガ
ス中の含有水素量を変化させることにより行った。また
、作成した正極の評価は、リチウム電池を作成して行っ
た。すなわち、まずカラス製基板上にスパッタ法により
正極薄膜を形成した。次に、作成した正極薄膜について
、Ｘ線１１！１折法による結晶性の評価、および電子導
電率の測定を行った。その結果、放電ガス中の含有水素
計一定の場合、高周波出力の上昇とともに結晶化か進み
、電子導電率も上昇した。また、高周波出カ一定の場合
、水素ガス量を増加させてゆくと、電子導電率は上昇す
るが、結晶性の変化はＸ線的には見られず、すべて非晶
質であった。この薄膜評価の後に、上記正極薄膜上にス
パッタ法により固体電解質薄膜を形成し、最後にリチウ
ム負極を真空蒸着法により形成し、リチウム電池を作成
した。

電池の評価は、まず、（１）電池の電圧−電流特性、（
１１）正極中におけるリチウムイオンの化学拡散係数、
について行った。その結果、本発明により作成した正極
薄膜は、いずれも既知の材料の中で最も良い電池特性を
有する二硫化チタンと同等あるいはそれに近い電圧−電
流特性および拡散係数（１０−１６〜１０−１５イ／８
）を有していた。また、傾向として、非晶質薄膜の方が
結晶質薄膜よりわずかに大きかった。また、より強い還
元性雰囲気中で作成したタングステン酸化物薄膜、ＷＯ
３−δにおいてδ〉］のものでは、電池の起電力、放電
容量とも小さく、電池には不向きであった。次に、電池
の評価として、充放電の繰り返しによるリチウムイオン
の出入りの可逆性について検討した。すなわち、電池を
一定電流により、ある一定電位間で充電・放電を繰り返
し、そのときの充電または放電に要する時間を測定した
。その結果、放電容量０、］５ｍＡ／ｃＩＮを有し、充
放電の繰り返しに伴う劣化の小さい薄膜リチウム二次電
池が得られることかわかった。

以上の倹削から、三酸化タングステンをターゲットに用
い、還元性雰囲気中でスパッタして得られた薄膜を正極
活物質に用いることにより、電池の電圧−電流稲−性、
正極中でのリチウムイオンの拡散係数、放電容量、およ
び充放電の繰り返しに伴うリチウムイオンの出入りの可
逆性を大きく改善することができることが確認された。

」二記の正極薄膜はＷＯ３−δなる組成を有し、このδ
の値は、Ｘ線回折法による結晶性の評価の結果（非晶質
の場合は、類似の条件で作成した結晶質の薄膜について
の値からめた推定値）から、０くδく］の範囲であった
。

、酸化タングステンに遷移金属酸化物を加えたものを原
料として、石英管に減圧封入し、それを熱処理すること
により、その結晶構造を変化させ、リチウムイオンが拡
散しやすい形のチャネルを作り、それによって拡散係数
を改善できることが知られている。本発明においても、
正極作成＋１ｆｉに、三酸化タングステン中に遷移金属
酸化物、例えば三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、
五酸化二オフを含むターゲットを用いスパック法にて作
成した正極を使った電池も、電圧−電流特性、正極中で
のリチウムイオンの拡散係数、放電容量、充放電の繰り
返しに伴うリチウムイオンの出入りの可逆性等、三酸化
タングステンの場合とほぼ同し特性が得られた。

〔発明の実施例〕

本発明による薄膜リチウム電池の実施例を、薄膜圧４＋
が酸化タングステンのみのものを実施例１〜１４、遷移
金属酸化物を含むものを実施例ｊ５〜２゜として、以下
詳説する。

実施例１〜８： 第１図に薄膜リチウム電池全体の構成を示す。

すなわち、ガラス製の基板ｌ上に、それぞれが固体の正
極薄膜２、リチウノ、イオン導電性の固体電解質薄膜３
、リチウム負極薄膜４の順序に順次積層した（１１シ造
を有し、リード線５を設けたものである。

本実施例では、電池の作成は次のようにして行った。す
なわち、まず、両面を鏡面研摩した石英製の基板１上に
、スパッタ法により正極薄膜２を作成した。スパッタの
条件は、ターゲツト材として純度９９９φの三酸化タン
グステンを用い、放電ｈスには後記する比率で配合した
ＡｒとＨ２を使用し、放電ガス圧は３　Ｘ　１０　”　
Ｔｏｒｒである。この条件で、市販のＲＦスパッタ装首
を用いてスパッタした。スパッタＬｌ−＋ｉ１、基板を
水冷した。ここで、タングステンと酸素の比のコントロ
ールは、放電ガス中の水素含有量を変化させることによ
り、あるいは高周波出力を変えることにより行った。ま
ず、放電カスに９０％Ａｒ　−１ｏ　％　Ｈ２を用い、
高周波出力２．５．３．８．５．０．６．４．７．６Ｗ
／ａｎでスパッタを行い、正極薄膜を作成した（実施例
１〜５）。次に、高周波出力を２．５　Ｗ／ｃｌ一定と
し、放電カス中の水素含有率を変化させてスパッタを行
った。すなわち、放電カスに９５４Ａｒ　５　％　Ｈ２
，９０％Ａｒ−］０％Ｈ２，７０％Ａｒ−３Ｑ％Ｈ２の
３種を用いた（　８２５　％、０２３０％の場合をそれ
ぞれ実施例６．７ｏＨ２１０％は前記実施例１）。作成
した正極薄膜については、Ｘ線回折法を用いて、結晶性
の検討を行った。その後に、」二記正極薄膜−ヒに、０
．６　Ｔ−１４３１０４Ｑ、４　Ｌ、＋３Ｐ○４固体電
解質薄膜３（厚さ３，５μｍ）をスパッタ法により形成
し、最後に、金属リチウム負極薄膜４（厚さ４μｍ）を
真空蒸着法により形成して、薄膜リチウム電池を作成し
た。

作成した薄膜電池の評価は、次のようにして行った。ま
ず、初期特性として、電池の電圧−電流特性および正極
中でのリチウムイオンの化学拡散係数について測定を行
った。電圧−電流特性は短絡電流（電池を短絡したとき
に流れる電流）により表わした。そして最後に、充放電
の繰り返し特性について、次のようにして検討した。す
なわち、一定電流で電池を充放電し、そのときの充電あ
るいは放電に要する時間を測定することにより評価した
。

電池の評価の結果とＸ線回折法による検討結果をまとめ
て、第２図の図表に実施例］〜７として示したが１、以
下訂純に説明する。まず、Ｘ線回折法による正極薄膜の
結晶性評価の結果、実施例１〜３の低いスパッタ出力で
作成した薄膜は非晶質であるのに対して、高いスパッタ
出力で作成したもの（実施例４，５）は配向した結晶質
の薄膜であった。すなわち、実施例４のものは（１１０
）に配向したＷ２ｏ　Ｏｓｓであり、実施例５のものは
（０１０）に配向したＷ１８０４９であった。以上の結
果から、高周波出力を増加させると、薄膜中の酸素欠損
量が増加してゆくことがわかった。また、放電ガス中の
水素含有量を変えてスパッタした結果は、Ｘ線による検
討から非晶質であることかわかった。

次に、これらの正極薄膜を用いて電池を作成し、その特
性を検討したが、以下これについて説明する。まず、ス
パッタ出力と電池特性との関係について検討した。すな
わち、三酸化タングステンを出発物質とし、放電ガス中
の水素含有量を一定として、高周波出力を上げてスパッ
タして正極薄膜を作成しく実施例１〜４）、前述の手法
で電池化し、その特性の判定を行った。その結果、電池
の電圧−電流特性および正極中てのリチウムイオンの化
学拡散係数は、いずれも大きな変化は見られなかった。

リチウムイオンの化学拡散係数は１．０７１５〜１Ｏ−
１６ｄ乙を示し、既知の正極材料中量も優れている二硫
化チタン（拡散係数５　Ｘ　１０　”　ｉ１５　）とほ
ぼ同じ値であった。次に、高周波出力として、先の倹削
のうちから最も大きな短絡電流値および拡散係数が得ら
れた場合の値２．５Ｗ／ｃＪを選択し、放電ガス中の水
素含有量を変え（それぞれ５％、１０％。

３０係）で、正極薄膜を作成した（実施例６．１．７）
。

一つまり、放電ガス中の水素含有量と電池特性との関係
について検討した。その結果、先の高周波出力を変えた
場合と同様、電池の電圧−電流特性および正極中のリチ
ウムイオンの化学拡散係数は、いずれも大きな変化は見
られず、これらの値は前述の二硫化チタンの値とほぼ同
等であった。続いて、薄膜の結晶性か電池特性に与える
影響について倹削してみた。まず、基板加熱（３００°
Ｃ）シた状態で高周波出力３．８Ｗ／ｃｉでスパッタす
ることにより結晶化させた試料（実施例８）と、基板を
水冷した状態で同じ高周波出力でスパッタして作成した
非晶質の試料（実施例２）とを比べてみた。両者には、
電池の電圧−電流特性および正極中のリチウムイオンの
拡散係数に大きな違いは見られず、どちらも二イσＩＣ
化チタンの値とほぼ同じ値であった。

さらに、高周波出力を変化させることにより三酸化タン
グステンの還元状態、すなわち薄膜中の酸素欠損量を変
えて結晶質薄膜を作成（実施例１．４．５．８）シ、電
池特性に与える影響について換向した。その結果、結晶
質薄膜においても、還元状態の違いによる電池特性の違
いはほとんど見られなかった。ここで、結晶質薄膜と非
晶質薄膜との電池特性の違いは、結晶質薄膜の方が短絡
電流、拡散係数共に小さいことであるが、他の材料より
遥かに良好であった。以上の倹ｄＪから、三酸化タング
ステンＷＯ３を出発物質として、放電カス中の水素含有
量一定の還元雰囲気中で高周波出力を変化させるか、あ
るいは高周波出カ一定で放′屯カス中の水素含有量を増
加させてスパッタすることにより、タングステン酸化物
ＷＯ３−δにおけるδの値を、零から徐々に上げて還元
することができた。

そして、その薄膜特性にりいて倹削した結果、この組成
範囲では、短絡電流および正極中のリチウムイオンの化
学拡散係数は、還元か進むにつれて若干小さくなる傾向
が見られるが、１０″′１５〜＋ｏ−１ｆｉイ４と大き
な値を示した。

次に、これらの正極薄膜を用いた薄膜リチウム電池の、
充放電に伴うリチウムイオンの出入りの可逆性について
検討した。その結果、充放電の繰り返しに伴う劣化は、
実施例のいずれの電池においても小さく、約１０回の繰
り返しで１０係であった。

その後も、充放電の繰り返しにより徐々に放電容量の減
少は見られるが、約１００回以上では容量の減少はまっ
た（見られず、良好な充放電が行えることを確認した。

さらに、この中で、実施例１．２の電池は、放電容量も
大きく、薄膜の膜厚２５μｍ、直径２喘で、２．５Ｖ二
１．５Ｖの繰り返しで、約０．１５　ｍＡｈ／７であっ
た。

以」二の検討から、スパッタ法により三酸化タングステ
ンをターゲットに用い、水素含有の還元雰囲気中で作成
した本発明による正極薄膜は、グラファイトのような導
電性添加物を加えることなく、電圧−電流特性およびリ
チウムイオンの化学拡散係数を大きく改善することが確
認された。さらに、充放電の繰り返しに伴うリチウムイ
オンの出入りの可逆性について検討した結果、これらは
良好な可逆性を有し、かつ０．１５　ｍ　ＡｈＡｒｌと
いう大きな放電容量を有する薄膜リチウム二次電池を得
ることができた。

以上の各実施例において、δの値は、正極薄膜が結晶質
の場合は、Ｘ線回折法による結晶性の評価の結果からめ
た。また、非晶質の場合は、類似の条件で作成した結晶
質の薄膜のδの値を基にした推定値で示した。いずれも
、０〈δ〈］の範囲の値である。

実施例９〜１４： 放電カスとして、前述の実施例の場合よりも水素含有率
の高い５０φＡｒ−５０％Ｈ２を用い、高周波出力を５
．０．６．４．７．６　Ｗ肩と変化させ、それぞれの高
周波出力に対し基板水冷、基板３００　”Ｃ加の２通り
のスパッタ条件で正極薄膜を作成した。その結果を、第
２図の実施例９〜１４として示す。その結果、前述の実
施例１〜８の場合と同様な傾向であり、拡散係数、短絡
電流とも前の実施例と同等の値であった。

実施例１５〜２０： 遷移金属酸化物を含む三酸化タングステン系の正極薄膜
を用いた実施例を説明する。すなわち、三酸化タングス
テンに、三酸化モリブデン、五酸化バナジウム、五酸化
ニオブをペレットとして添−加したものをターゲツト材
として用い、高周波出力２．５Ｗ／ａ＆、放電ガス圧３
　Ｘ　１０　”　Ｔｏｒｒ、放電ガス９０　％　Ａｒ−
１ｏφＨ２で、２時間スパッタして正極薄膜を作成した
。電池の作成方法および電池の評価は、前述の三酸化タ
ングステンの場合と同じ手法により行った。その結果を
第３図の図表にまとめて示す。その結果、特性的には遷
移金属酸化物の添加により電圧−電流特性、リチウムイ
オンの拡散係数には大きな差は見られなかった。一方、
放電容量は添加によって０．０８　ｍＡｈ／ａｌとわず
かに小さくなるか、充放電の繰り返しに伴うリチウムイ
オンの出入りの可逆性はわずかに改善された。

以上の各実施例で説明したように、本発明によると、薄
膜リチウム電池用正極材料として、三次元網１」構造を
有し、リチウムイオンの拡散に対して異方性が存在しな
い三酸化タングステンを出発物質として選び、水素含有
の還元雰囲気中でスパック法により正極薄膜を作成した
。そして、この薄膜を用いることにより、正極中に電子
導電性材料を添加することなしに、電池の電圧−電流特
性およびリチウムイオンの拡散係数を大幅に改善するこ
とができた。また、充放電の繰り返し特性を改善するこ
とができ、可逆性に優れたリチウム二次電池を得た。さ
らに、放電容量は、２喘径正極膜厚２５μｍ放電深度７
０係で、０．１５　ｍＡｈ／ｃｒ！と大きな値を得るこ
とができた。そして、これらの効果が顕著に現われる正
極薄膜のタングステンと酸表の組成範囲は、タングステ
ン酸化物ＷＯ３−δにおけるδの値としてＯくδ〈ｌの
範囲が有効であることがわかった。

また、本発明によるタングステン酸化物を用いた正極薄
膜は、リチウムイオンの拡散に対して異方性が存在せず
、二次元層状化合物の場合に見られるようなリチウムイ
オンの拡散の大きな方向へ結晶を配向させるという技術
課題を解決することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、リチウムイオン
の拡散に対して異方性が存在せずかつ拡散係数が大きく
、充放電に伴うリチウムイオンの出入りの可逆性に優れ
、放電容量の大きな薄膜リチウム二次電池用の正極が得
られるので、薄膜リチウム負極薄膜の分野における効果
は顕著である。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜リチウム電池全体の構成を示す断面図、第
２図は正極に酸化タングステンを用いた本発明の実施例
のデータをまとめた図表、第３図は正極に遷移金属酸化
物を含む酸化タングステンを主体とする物質を用いた本
発明の実施例のデータをまとめた図表である。 符号の説明 １・・・基板　２・・・正極薄膜 ３・・・固体電解質薄膜　４・・・リチウム負極薄膜５
・・・リード線 代理人弁理士　中村純之助 オ　１　ｋ ら 第１頁の続き ■発明者　工藤　徹− 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地　株式会社日立製作所
中央研究所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. リチウムを活物質とする負極と、リチウムイオン導電性
   電解質層と、酸化タングステンを活物質とする正極とを
   積層してなる薄膜リチウム電池であって、前記正極が、
   ＷＯ３−δ＜０＜δ＜１）なる組成の酸化タングステン
   、または遷移金属酸化物をぼむＷＯ３−δ＜０＜δ〈１
   ）なる組成の酸化タングステンを主体とする物質からな
   る酸化タングステン薄膜であることを特徴とする薄膜リ
   チウム電池。