JPH0548069A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0548069A JPH0548069A JP3197580A JP19758091A JPH0548069A JP H0548069 A JPH0548069 A JP H0548069A JP 3197580 A JP3197580 A JP 3197580A JP 19758091 A JP19758091 A JP 19758091A JP H0548069 A JPH0548069 A JP H0548069A
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- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】水平レジスタの転送チャネルの電位に影響を与
えずに高速化と高密度化を実現する。 【構成】ポリシリコン転送電極５，６とタングステンの
中間層１２ａ，１２ｂとを転送チャネル上に設けた第１
のコンタクト部８，９によって接続し、さらにこの中間
層とアルミニウム配線層１４ａ，１４ｂとを転送チャネ
ル上に設けた第２のコンタクト部１０，１１によって接
続する。これにより実効的な電極抵抗を低減でき高速動
作が実現できる。また、タングステンはポリシリコンお
よびアルミニウムとは合金化しないため、転送チャネル
の電位に変動を与えることはない。さらに、第１のコン
タクト部と第２のコンタクト部とを同一の位置に設ける
ことが可能となるため電極ピッチを小さくして高密度化
を実現できる。
えずに高速化と高密度化を実現する。 【構成】ポリシリコン転送電極５，６とタングステンの
中間層１２ａ，１２ｂとを転送チャネル上に設けた第１
のコンタクト部８，９によって接続し、さらにこの中間
層とアルミニウム配線層１４ａ，１４ｂとを転送チャネ
ル上に設けた第２のコンタクト部１０，１１によって接
続する。これにより実効的な電極抵抗を低減でき高速動
作が実現できる。また、タングステンはポリシリコンお
よびアルミニウムとは合金化しないため、転送チャネル
の電位に変動を与えることはない。さらに、第１のコン
タクト部と第２のコンタクト部とを同一の位置に設ける
ことが可能となるため電極ピッチを小さくして高密度化
を実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置に関し、特
にインターライン転送型あるいはフレームインターライ
ン転送型ＣＣＤ撮像装置に関する。
にインターライン転送型あるいはフレームインターライ
ン転送型ＣＣＤ撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置は多画素化およびチ
ップサイズの縮小化が進み、それに伴ってパターンが微
細化される傾向にある。通常ポリシリコン膜で形成され
る転送電極にはその両端あるいは一端に接続されたアル
ミニウム配線層から駆動パルスが印加されるが、前述の
ようにパターンが微細化されると転送電極の抵抗が増大
しアルミニウム配線層との接続部から離れた位置では駆
動パルス波形が劣化する。これにより転送効率が低下し
たり転送電荷量が減少するといった問題が生じ、高速動
作を制限している。このような不具合を改善するため
に、転送チャネル上にコンタクト部を設けてポリシリコ
ンの転送電極とアルミニウム配線層とを接続することに
よって、転送電極の実効的な抵抗を低減する方策が知ら
れている。
ップサイズの縮小化が進み、それに伴ってパターンが微
細化される傾向にある。通常ポリシリコン膜で形成され
る転送電極にはその両端あるいは一端に接続されたアル
ミニウム配線層から駆動パルスが印加されるが、前述の
ようにパターンが微細化されると転送電極の抵抗が増大
しアルミニウム配線層との接続部から離れた位置では駆
動パルス波形が劣化する。これにより転送効率が低下し
たり転送電荷量が減少するといった問題が生じ、高速動
作を制限している。このような不具合を改善するため
に、転送チャネル上にコンタクト部を設けてポリシリコ
ンの転送電極とアルミニウム配線層とを接続することに
よって、転送電極の実効的な抵抗を低減する方策が知ら
れている。
【０００３】図３（ａ）はこうした従来技術による水平
レジスタの構成を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）
のＸ−Ｘ線断面図である。この例ではＰ型シリコン基板
１５の表面部に基板とは逆導電型のｎ型埋込層１６を設
けた埋込チャネル型で、バリア領域７を有する２層駆動
の水平レジスタを仮定している。ポリシリコンで形成さ
れた転送電極（蓄積電極５，バリア電極６）は水平転送
チャネル２のｎ型埋込層１６上に設けられた第１のコン
タクト部８，９によってポリシリコンの中間層１３ａま
たは１３ｂと接続されている。さらにポリシリコンの中
間層１３ａ，１３ｂは第１のコンタクト部とは別の位置
に設けられた第２のコンタクト部１０によって異なる駆
動パルスが印加される並列に配置された２本のアルミニ
ウム配線層１４ａ，１４ｂとそれぞれ接続されている。
すなわちポリシリコンで形成された転送電極はポリシリ
コンの中間層を介して転送チャネル上でアルミニウム配
線層と接続されている。
レジスタの構成を示す平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）
のＸ−Ｘ線断面図である。この例ではＰ型シリコン基板
１５の表面部に基板とは逆導電型のｎ型埋込層１６を設
けた埋込チャネル型で、バリア領域７を有する２層駆動
の水平レジスタを仮定している。ポリシリコンで形成さ
れた転送電極（蓄積電極５，バリア電極６）は水平転送
チャネル２のｎ型埋込層１６上に設けられた第１のコン
タクト部８，９によってポリシリコンの中間層１３ａま
たは１３ｂと接続されている。さらにポリシリコンの中
間層１３ａ，１３ｂは第１のコンタクト部とは別の位置
に設けられた第２のコンタクト部１０によって異なる駆
動パルスが印加される並列に配置された２本のアルミニ
ウム配線層１４ａ，１４ｂとそれぞれ接続されている。
すなわちポリシリコンで形成された転送電極はポリシリ
コンの中間層を介して転送チャネル上でアルミニウム配
線層と接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般にアルミニウムは
アロイ処理によってポリシリコンと合金化するため、固
体撮像装置においてレジスタのポリシリコンの転送電極
と転送チャネル上でコンタクトを設けて直接アルミニウ
ム配線と接続するとコンタクト部直下の転送チャネルの
電位が変動を受け、転送効率や転送電荷量に悪影響を与
えるという不具合を生じる。そのため前述のようにポリ
シリコンの中間層を介してポリシリコンの転送電極とア
ルミニウム配線層とを接続している。しかしながらこの
方法では、第１のコンタクト部と第２のコンタクト部と
を異なる位置に設ける必要があるために電極ピッチを小
さくして高密度化することが困難となってくる。また、
アルミニウム配線層を２本並列に配置することからその
間隙部を遮光することが不可能である。
アロイ処理によってポリシリコンと合金化するため、固
体撮像装置においてレジスタのポリシリコンの転送電極
と転送チャネル上でコンタクトを設けて直接アルミニウ
ム配線と接続するとコンタクト部直下の転送チャネルの
電位が変動を受け、転送効率や転送電荷量に悪影響を与
えるという不具合を生じる。そのため前述のようにポリ
シリコンの中間層を介してポリシリコンの転送電極とア
ルミニウム配線層とを接続している。しかしながらこの
方法では、第１のコンタクト部と第２のコンタクト部と
を異なる位置に設ける必要があるために電極ピッチを小
さくして高密度化することが困難となってくる。また、
アルミニウム配線層を２本並列に配置することからその
間隙部を遮光することが不可能である。
【０００５】本発明の目的は、上述のような従来の欠点
を除去した新しい固体撮像装置を提供することにある。
を除去した新しい固体撮像装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ポリシ
リコン膜で形成された水平レジスタの転送電極が前記水
平レジスタの転送チャネル上に設けられたアルミニウム
配線層と高融点金属による中間層を介して接続されてい
ることを特徴とする固体撮像装置が得られる。
リコン膜で形成された水平レジスタの転送電極が前記水
平レジスタの転送チャネル上に設けられたアルミニウム
配線層と高融点金属による中間層を介して接続されてい
ることを特徴とする固体撮像装置が得られる。
【０００７】
【実施例】図１（ａ）は本発明の第１の実施例における
水平レジスタの構成を示す平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
水平レジスタの構成を示す平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【０００８】この実施例はｐ型シリコン基板１５の表面
部に形成されたｎ型埋込層１６上にゲート酸化膜１５を
介して蓄積電極５およびバリア電極６（転送電極対）を
複数個列状に配置し、前述の転送電極対を一つおきにタ
ングステン膜からなる中間層１２ａまたは１２ｂを介し
て同じアルミニウム配線層１４ａまたは１４ｂに接続し
たものである。
部に形成されたｎ型埋込層１６上にゲート酸化膜１５を
介して蓄積電極５およびバリア電極６（転送電極対）を
複数個列状に配置し、前述の転送電極対を一つおきにタ
ングステン膜からなる中間層１２ａまたは１２ｂを介し
て同じアルミニウム配線層１４ａまたは１４ｂに接続し
たものである。
【０００９】すなわち、図３の従来例と同様に、ｐ型シ
リコン基板１５の表面部に基板とは逆導電型のｎ型埋込
層１６を設けた埋込チャネル型で、バリア領域７を有す
る２相駆動の水平レジスタを仮定している。ポリシリコ
ンで形成された転送電極（蓄積電極５，バリア電極６）
は水平転送チャネル２上に設けられた第１のコンタクト
部８，９によって高融点金属例えばタングステンの中間
層１２ａまたは１２ｂと接続されている。さらにタング
ステンの中間層１２ａまたは１２ｂは第１のコンタクト
部と同じ位置に設けられた第２のコンタクト部１０およ
び１１によって異なる駆動パルスが印加される並列に配
置された２本のアルミニウム配線層１４ａまたは１４ｂ
とそれぞれ接続されている。タングステンは一般的に用
いられているアルミニウムのアロイ処理温度４００〜４
５０℃程度ではポリシリコンやアルミニウムと合金化は
しないため、図１に示すように第１のコンタクト部と第
２のコンタクト部とを同じ位置に設けても、転送チャネ
ルの電位に変動を与えることはない。したがってこの場
合には、電極ピッチを小さくして高密度化することが可
能となる。本例ではタングステンの中間層を第１および
第２のコンタクト部周辺にのみ個別に配置した例を示し
たが、図３の従来例のポリシリコンの中間層と同様に連
続する形状とすることもできる。
リコン基板１５の表面部に基板とは逆導電型のｎ型埋込
層１６を設けた埋込チャネル型で、バリア領域７を有す
る２相駆動の水平レジスタを仮定している。ポリシリコ
ンで形成された転送電極（蓄積電極５，バリア電極６）
は水平転送チャネル２上に設けられた第１のコンタクト
部８，９によって高融点金属例えばタングステンの中間
層１２ａまたは１２ｂと接続されている。さらにタング
ステンの中間層１２ａまたは１２ｂは第１のコンタクト
部と同じ位置に設けられた第２のコンタクト部１０およ
び１１によって異なる駆動パルスが印加される並列に配
置された２本のアルミニウム配線層１４ａまたは１４ｂ
とそれぞれ接続されている。タングステンは一般的に用
いられているアルミニウムのアロイ処理温度４００〜４
５０℃程度ではポリシリコンやアルミニウムと合金化は
しないため、図１に示すように第１のコンタクト部と第
２のコンタクト部とを同じ位置に設けても、転送チャネ
ルの電位に変動を与えることはない。したがってこの場
合には、電極ピッチを小さくして高密度化することが可
能となる。本例ではタングステンの中間層を第１および
第２のコンタクト部周辺にのみ個別に配置した例を示し
たが、図３の従来例のポリシリコンの中間層と同様に連
続する形状とすることもできる。
【００１０】図２（ａ）は本発明の第２の実施例におけ
る水平レジスタの構成を示す平面図、図２（ｂ）は図２
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。本例でもやはり埋込チ
ャネル型で２相駆動の水平レジスタを仮定している。さ
らに本実施例では画素領域の遮光膜４をスミアの低減に
有効であることが報告されているタンクステンによって
形成している。ポリシリコンで形成された転送電極５お
よび６は転送チャネル２上に設けられた第１のコンタク
ト部８および９によってタングステンの中間層１２ｃお
よび１２ｄと接続されている。さらに、タングステンの
中間層１２ｃおよび１２ｄのコンタクト部１０によって
並列に配置された２本のアルミニウム配線層１４ａおよ
び１４ｂとそれぞれ接続されている。本実施例では遮光
膜および中間層にいずれもタングステンを用いることに
よってこれらを同一工程で形成できるため、中間層を形
成する独立した工程を必要としない。また、図に示した
ようにタングステンの遮光膜および中間層をアルミニウ
ム配線層が配置されていない転送チャネル上を覆うよう
に形成することによって、転送チャネルを完全に遮光す
ることが可能である。図では、第１のコンタクト部と第
２のコンタクト部とを異る位置に設けているが、図１と
同様に同じ位置に設けることもできる。
る水平レジスタの構成を示す平面図、図２（ｂ）は図２
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。本例でもやはり埋込チ
ャネル型で２相駆動の水平レジスタを仮定している。さ
らに本実施例では画素領域の遮光膜４をスミアの低減に
有効であることが報告されているタンクステンによって
形成している。ポリシリコンで形成された転送電極５お
よび６は転送チャネル２上に設けられた第１のコンタク
ト部８および９によってタングステンの中間層１２ｃお
よび１２ｄと接続されている。さらに、タングステンの
中間層１２ｃおよび１２ｄのコンタクト部１０によって
並列に配置された２本のアルミニウム配線層１４ａおよ
び１４ｂとそれぞれ接続されている。本実施例では遮光
膜および中間層にいずれもタングステンを用いることに
よってこれらを同一工程で形成できるため、中間層を形
成する独立した工程を必要としない。また、図に示した
ようにタングステンの遮光膜および中間層をアルミニウ
ム配線層が配置されていない転送チャネル上を覆うよう
に形成することによって、転送チャネルを完全に遮光す
ることが可能である。図では、第１のコンタクト部と第
２のコンタクト部とを異る位置に設けているが、図１と
同様に同じ位置に設けることもできる。
【００１１】図１および図２の実施例では、２相駆動の
水平レジスタの例を示したが、それ以外の場合でも本発
明を適用することができる。また、中間層にタングステ
ン以外のチタン、モリブデン、クロムなどの高融点金属
材料を用いることも可能である。
水平レジスタの例を示したが、それ以外の場合でも本発
明を適用することができる。また、中間層にタングステ
ン以外のチタン、モリブデン、クロムなどの高融点金属
材料を用いることも可能である。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明ではポリシリ
コンの転送電極とアルミニウム配線層とを高融点金属の
中間層を介して接続することによって、第１のコンタク
ト部と第２のコンタクト部を同一位置に設けることがで
きるため電極ピッチを小さくした高密度化が実現でき
る。
コンの転送電極とアルミニウム配線層とを高融点金属の
中間層を介して接続することによって、第１のコンタク
ト部と第２のコンタクト部を同一位置に設けることがで
きるため電極ピッチを小さくした高密度化が実現でき
る。
【００１３】さらにアルミニウム配線層の間隙部を中間
層で覆うことによって転送チャネルを完全に遮光するこ
とが可能であり、偽信号の発生を防ぐことができる。
層で覆うことによって転送チャネルを完全に遮光するこ
とが可能であり、偽信号の発生を防ぐことができる。
【図１】本発明の第１の実施例における水平レジスタの
構成を示す平面図（図１（ａ））および断面図（図１
（ｂ））である。
構成を示す平面図（図１（ａ））および断面図（図１
（ｂ））である。
【図２】本発明の第２の実施例における水平レジスタの
構成を示す平面図（図２（ａ））および断面図（図２
（ｂ））である。
構成を示す平面図（図２（ａ））および断面図（図２
（ｂ））である。
【図３】従来技術における水平レジスタの構成を示す平
面図（図３（ａ））および断面図（図３（ｂ））であ
る。
面図（図３（ａ））および断面図（図３（ｂ））であ
る。
１ 垂直レジスタの転送チャネル ２ 水平レジスタの転送チャネル ３ 垂直レジスタの最終転送電極 ４ タングステン遮光膜 ５ 水平レジスタの蓄積電極 ６ 水平レジスタのバリア電極 ７ バリア領域 ８，９ 第１のコンタクト部 １０，１１ 第２のコンタクト部 １２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ タングステンの中
間層 １３ａ，１３ｂ ポリシリコンの中間層 １４ａ，１４ｂ アルミニウム配線層 １５ ｐ型シリコン基板 １６ ｎ型埋込層
間層 １３ａ，１３ｂ ポリシリコンの中間層 １４ａ，１４ｂ アルミニウム配線層 １５ ｐ型シリコン基板 １６ ｎ型埋込層
Claims (1)
- 【請求項１】 ポリシリコン膜で形成された水平レジス
タの転送電極が前記水平レジスタの転送チャネル上に設
けられたアルミニウム配線層と高融点金属による中間層
を介して接続されていることを特徴とする固体撮像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3197580A JP3022637B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3197580A JP3022637B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548069A true JPH0548069A (ja) | 1993-02-26 |
| JP3022637B2 JP3022637B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=16376860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3197580A Expired - Fee Related JP3022637B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022637B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010263156A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Sony Corp | 固体撮像素子、撮像装置 |
| US8154056B2 (en) | 2004-05-07 | 2012-04-10 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device and method of driving solid-state imaging device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687379A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid image pickup device |
| JPS6242522A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6261358A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP3197580A patent/JP3022637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5687379A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid image pickup device |
| JPS6242522A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-24 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6261358A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US8154056B2 (en) | 2004-05-07 | 2012-04-10 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device and method of driving solid-state imaging device |
| US8198121B2 (en) | 2004-05-07 | 2012-06-12 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid-state imaging device |
| JP2010263156A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Sony Corp | 固体撮像素子、撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3022637B2 (ja) | 2000-03-21 |
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