JPH0548171A - マトリクストランスデユーサ - Google Patents
マトリクストランスデユーサInfo
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- JPH0548171A JPH0548171A JP20935491A JP20935491A JPH0548171A JP H0548171 A JPH0548171 A JP H0548171A JP 20935491 A JP20935491 A JP 20935491A JP 20935491 A JP20935491 A JP 20935491A JP H0548171 A JPH0548171 A JP H0548171A
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Landscapes
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 隣接部位への不要変位を抑え、高解像度のマ
トリクストランスデューサの提供。 【構成】 非分極化した圧電基板１に表面電極１０と裏
面電極１１を形成し、直流電圧を印加することにより電
極に挟まれた領域のみを分極する。この分極された圧電
基板１にセグメント電極２ａ，２ｂ，２ｃを形成すると
ともに、対向面にコモン電極を形成する。
トリクストランスデューサの提供。 【構成】 非分極化した圧電基板１に表面電極１０と裏
面電極１１を形成し、直流電圧を印加することにより電
極に挟まれた領域のみを分極する。この分極された圧電
基板１にセグメント電極２ａ，２ｂ，２ｃを形成すると
ともに、対向面にコモン電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧電性基板の一部を任意
に振動又は変位させるマトリクストランスデューサに関
する。
に振動又は変位させるマトリクストランスデューサに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマトリクストランスデューサの構
造を図６（ａ）（ｂ）に示す。１は板状の圧電基板、２
ａ、２ｂ、２ｃは圧電基板の表面に配された複数のセグ
メント電極、３は表面に配されたコモン電極、５ａ、５
ｂ、５ｃはセグメント電極に選択的に圧電を印加するた
めのドライバ、４は電圧・信号源である。コモン電極３
を接地し、任意のセグメント電極２ｂに選択的に電圧を
印加することにより、任意の微小部位６ｂを変位又は振
動させることができる。
造を図６（ａ）（ｂ）に示す。１は板状の圧電基板、２
ａ、２ｂ、２ｃは圧電基板の表面に配された複数のセグ
メント電極、３は表面に配されたコモン電極、５ａ、５
ｂ、５ｃはセグメント電極に選択的に圧電を印加するた
めのドライバ、４は電圧・信号源である。コモン電極３
を接地し、任意のセグメント電極２ｂに選択的に電圧を
印加することにより、任意の微小部位６ｂを変位又は振
動させることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図６の（ｃ）（ｄ）
（ｅ）にそれぞれ圧電基板内部の電界分布、分極分布、
応力分布を示す。上記従来例では、図６（ｂ）の７に示
すように電気力線が理隣接セグメント電極近傍まで回り
込んでしまう。基板内の応力は電界強度と分極率との積
に比例するので、選択した電極直下以外にも応力が発生
し、不要な部位まで変位してしまうと言う問題を有して
いる。この不要変位を減じるためには、圧電基板厚ｄを
薄くし、電極間ギャップｇを広くとればよいが、ギャッ
プｇを増やすと電極ピッチｐか、電極幅を狭くしなけれ
ばならない。しかし圧電基板厚ｄを減じると、共振振動
を目的とする場合には、その共振周波数が圧電基板厚ｄ
に逆比例して高くなり、駆動回路の設計がより難しくな
る。また電極ピッチｐの増加は解像度の低下につなが
り、電極幅を狭くすると、電気・機械の変換効率が落ち
てしまう。
（ｅ）にそれぞれ圧電基板内部の電界分布、分極分布、
応力分布を示す。上記従来例では、図６（ｂ）の７に示
すように電気力線が理隣接セグメント電極近傍まで回り
込んでしまう。基板内の応力は電界強度と分極率との積
に比例するので、選択した電極直下以外にも応力が発生
し、不要な部位まで変位してしまうと言う問題を有して
いる。この不要変位を減じるためには、圧電基板厚ｄを
薄くし、電極間ギャップｇを広くとればよいが、ギャッ
プｇを増やすと電極ピッチｐか、電極幅を狭くしなけれ
ばならない。しかし圧電基板厚ｄを減じると、共振振動
を目的とする場合には、その共振周波数が圧電基板厚ｄ
に逆比例して高くなり、駆動回路の設計がより難しくな
る。また電極ピッチｐの増加は解像度の低下につなが
り、電極幅を狭くすると、電気・機械の変換効率が落ち
てしまう。
【０００４】本発明は、かかる問題を解決すべくなされ
たもので、その目的とするところは、隣接部位への不要
変位を抑え、高解像度のマトリクストランスデューサを
提案することにある。
たもので、その目的とするところは、隣接部位への不要
変位を抑え、高解像度のマトリクストランスデューサを
提案することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明によりマト
リクストランスデューサはかかる課題を解決するため
に、分極に偏りを有する圧電性基板と、この圧電性基板
の表面と裏面に配された少なくとも２対の電極と、この
電極間に電圧を選択的に印加する駆動手段で構成しても
のである。
リクストランスデューサはかかる課題を解決するため
に、分極に偏りを有する圧電性基板と、この圧電性基板
の表面と裏面に配された少なくとも２対の電極と、この
電極間に電圧を選択的に印加する駆動手段で構成しても
のである。
【０００６】
【作用】圧電性基板のセグメント電極とコモン電極に挟
まれていない部分の分極を、挟まれた部分の分極に対し
てその分極率を減じるか、或は分極方向を逆向きにする
ことにより、不要部位の変位を抑えることができる。
まれていない部分の分極を、挟まれた部分の分極に対し
てその分極率を減じるか、或は分極方向を逆向きにする
ことにより、不要部位の変位を抑えることができる。
【０００７】
【実施例】はじめに、実施例を説明する前に、図２
（ａ）から（ｆ）を参照しつつ本発明に基づくマトリク
ストランスデューサについて説明する。図２（ａ）はマ
トリクストランスデューサの断面図、図２（ｂ）はセグ
メント電極２ｂに電圧を印加した時の圧電基板１内の電
界強度分布である。８は選択したセグメント電極２ｂに
より、変位を望む部位、９ａ，９ｂは隣接素子への干渉
を鑑み変位を望まない部位を示す。
（ａ）から（ｆ）を参照しつつ本発明に基づくマトリク
ストランスデューサについて説明する。図２（ａ）はマ
トリクストランスデューサの断面図、図２（ｂ）はセグ
メント電極２ｂに電圧を印加した時の圧電基板１内の電
界強度分布である。８は選択したセグメント電極２ｂに
より、変位を望む部位、９ａ，９ｂは隣接素子への干渉
を鑑み変位を望まない部位を示す。
【０００８】図２（ｃ）に示すようにセグメント電極２
ｂの直下以外の部位９の圧電基板内の分極率を減じる
と、基板内部の応力は図２（ｄ）に示すように、電極直
下以外の部位９は部位８に比してダイナミックに減じる
ことができ、不要な振動、変位を抑えることができる。
ｂの直下以外の部位９の圧電基板内の分極率を減じる
と、基板内部の応力は図２（ｄ）に示すように、電極直
下以外の部位９は部位８に比してダイナミックに減じる
ことができ、不要な振動、変位を抑えることができる。
【０００９】また図２（ｅ）に示すように、部位８に対
して部位９の分極方向を反転させると、図２（ｆ）に示
すように部位９では部位８に対して逆方向に応力が生じ
る。従って、部位８の変位から生じる、部位９への弾性
的な変位の伝達を上記逆方向の応力で相殺することがで
きる。
して部位９の分極方向を反転させると、図２（ｆ）に示
すように部位９では部位８に対して逆方向に応力が生じ
る。従って、部位８の変位から生じる、部位９への弾性
的な変位の伝達を上記逆方向の応力で相殺することがで
きる。
【００１０】（実施例１）図１（ａ）（ｂ）はこのよう
な原理をもとに構成したマトリクストランスデューサの
実施例を示したものである。図１（ａ）（ｂ）は各々圧
電基板１の断面図であり、図１（ａ）はその分極工程
を、図１（ｂ）は分極後のセグメント電極２とコモン電
極３を形成した状態を示す。
な原理をもとに構成したマトリクストランスデューサの
実施例を示したものである。図１（ａ）（ｂ）は各々圧
電基板１の断面図であり、図１（ａ）はその分極工程
を、図１（ｂ）は分極後のセグメント電極２とコモン電
極３を形成した状態を示す。
【００１１】圧電基板１は厚さ６００μｍのチタン酸ジ
ルコン酸塩（ＰＺＴ）系圧電セラミクスで形成した。
ルコン酸塩（ＰＺＴ）系圧電セラミクスで形成した。
【００１２】なお本例で用いた材質のほかにＺｎＯ等の
圧電性セラミクスや、ＬｉＮｂＯ、3、水晶、ＬｉＴａ
Ｏ3、Ｂｉ12ＧｅＯ20等の圧電性単結晶や、ポリ弗化ビ
ニリデン（ＰＶＤＦ）等の高分子圧電材料、さらに上記
圧電材料を混合したもの、また上記圧電材料を膜状に積
層したものを使用することも可能である。
圧電性セラミクスや、ＬｉＮｂＯ、3、水晶、ＬｉＴａ
Ｏ3、Ｂｉ12ＧｅＯ20等の圧電性単結晶や、ポリ弗化ビ
ニリデン（ＰＶＤＦ）等の高分子圧電材料、さらに上記
圧電材料を混合したもの、また上記圧電材料を膜状に積
層したものを使用することも可能である。
【００１３】図１（ａ）において１３は５００Ｖの直流
電圧源、１０，１１は選択的な分極を施すための分極用
表面電極と裏面電極である。
電圧源、１０，１１は選択的な分極を施すための分極用
表面電極と裏面電極である。
【００１４】あらかじめ非分極化した圧電基板１に表面
電極１０と裏面電極１１を形成し直流電圧を印加するこ
とにより上記電極に挟まれた領域のみが分極される。１
４は分極を示す矢印である。
電極１０と裏面電極１１を形成し直流電圧を印加するこ
とにより上記電極に挟まれた領域のみが分極される。１
４は分極を示す矢印である。
【００１５】非分極化は基板をキュリー点以上の温度に
加熱保持することにより行った。本例に使用した圧電基
板はキュリー点が３２０℃であったので、４００℃に加
熱して、非分極化した。
加熱保持することにより行った。本例に使用した圧電基
板はキュリー点が３２０℃であったので、４００℃に加
熱して、非分極化した。
【００１６】また表面電極と裏面電極はスパッタリング
によりクロム−金を合計０．５μｍ膜形成した後、フォ
トリソグラフィーによりパターニングした。電極幅Ｗ１
は５０μｍ、電極ピッチは１７０μｍとした。
によりクロム−金を合計０．５μｍ膜形成した後、フォ
トリソグラフィーによりパターニングした。電極幅Ｗ１
は５０μｍ、電極ピッチは１７０μｍとした。
【００１７】分極時には基板を２００℃まで加熱し１０
分保持した。
分保持した。
【００１８】この後、上記分極用電極を除去した後、図
１（ｂ）に示すように、ともに圧電基板の両面をラップ
研磨した後、クロム薄膜を１０ｎｍ形成しその上に金薄
膜を１μｍ形成し、フォトリソグラフィーによりセグメ
ント電極２ａ，２ｂ，２ｃとコモン電極３を形成した。
セグメント電極のピッチは１７０μｍ、電極幅Ｗ２は１
２０μｍとした。分極用電極の幅Ｗ１に比してセグメン
ト電極の幅Ｗ２はＷ１＜Ｗ２とした。
１（ｂ）に示すように、ともに圧電基板の両面をラップ
研磨した後、クロム薄膜を１０ｎｍ形成しその上に金薄
膜を１μｍ形成し、フォトリソグラフィーによりセグメ
ント電極２ａ，２ｂ，２ｃとコモン電極３を形成した。
セグメント電極のピッチは１７０μｍ、電極幅Ｗ２は１
２０μｍとした。分極用電極の幅Ｗ１に比してセグメン
ト電極の幅Ｗ２はＷ１＜Ｗ２とした。
【００１９】上記構成でセグメント電極２ｂとコモン電
極３間に交流電圧を印加した際の、セグメント電極２ｂ
の中央１２ｂの振幅と、セグメント電極２ｃの中央１２
ｃの振幅の比を測定したところ、従来４０％であったも
のが、２０％に減らすことができた。
極３間に交流電圧を印加した際の、セグメント電極２ｂ
の中央１２ｂの振幅と、セグメント電極２ｃの中央１２
ｃの振幅の比を測定したところ、従来４０％であったも
のが、２０％に減らすことができた。
【００２０】（実施例２）図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に第
２の実施例を示す。
２の実施例を示す。
【００２１】図３（ａ）（ｂ）にその分極工程を、図３
（ｃ）は分極後のセグメント電極２ａ，２ｂ，２ｃとコ
モン電極３を形成した状態を示す。
（ｃ）は分極後のセグメント電極２ａ，２ｂ，２ｃとコ
モン電極３を形成した状態を示す。
【００２２】圧電基板１は厚さ６００μｍのチタン酸ジ
ルコン酸塩（ＰＺＴ）系圧電セラミクスで形成した。１
３は直流電圧源、１０，１１は分極を施すための分極用
表面電極と裏面電極である。１７はレーザー光を示し、
１６は後にセグメント電極を形成し振動させる部位、１
５は非振動部位を表す。
ルコン酸塩（ＰＺＴ）系圧電セラミクスで形成した。１
３は直流電圧源、１０，１１は分極を施すための分極用
表面電極と裏面電極である。１７はレーザー光を示し、
１６は後にセグメント電極を形成し振動させる部位、１
５は非振動部位を表す。
【００２３】図３（ａ）においてあらかじめ圧電基板１
に表面電極１０と裏面電極１１を形成し直流電圧を印加
し基板全体を分極した。１４は分極を示す矢印である。
分極時には基板を２００℃まで加熱し１０分保持した。
に表面電極１０と裏面電極１１を形成し直流電圧を印加
し基板全体を分極した。１４は分極を示す矢印である。
分極時には基板を２００℃まで加熱し１０分保持した。
【００２４】この後、図３（ｂ）に示すように、Ｈｅ−
Ｎｅレーザーを用い、部位１５を選択的にキュリー点以
上に加熱し、露光部のみを非分極化した。
Ｎｅレーザーを用い、部位１５を選択的にキュリー点以
上に加熱し、露光部のみを非分極化した。
【００２５】その後図３（ｃ）にごとく、前記分極用電
極１０，１１をエッチングし、所望のセグメント電極２
ａ，２ｂ，２ｃ、コモン電極３を形成した。セグメント
電極２ａ，２ｂ，２ｃ、コモン電極３を分極用電極から
形成するので、成膜、膜除去の工程を減らすことができ
た。
極１０，１１をエッチングし、所望のセグメント電極２
ａ，２ｂ，２ｃ、コモン電極３を形成した。セグメント
電極２ａ，２ｂ，２ｃ、コモン電極３を分極用電極から
形成するので、成膜、膜除去の工程を減らすことができ
た。
【００２６】尚選択加熱方法は、レーザーの他に、一様
な発散光源と、この光源の光波長に対して、反射率の高
い膜によるマスクを基板上に形成することによっても可
能である。
な発散光源と、この光源の光波長に対して、反射率の高
い膜によるマスクを基板上に形成することによっても可
能である。
【００２７】上記構成でセグメント電極２ｂとコモン電
極３間に交流電圧を印加した際の、セグメント電極２ｂ
の中央１２ｂの振幅と、セグメント電極２ｃの中央１２
ｃの振幅の比を測定したところ、従来４０％であったも
のが、２０％に減らすことができた。
極３間に交流電圧を印加した際の、セグメント電極２ｂ
の中央１２ｂの振幅と、セグメント電極２ｃの中央１２
ｃの振幅の比を測定したところ、従来４０％であったも
のが、２０％に減らすことができた。
【００２８】（実施例３）図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に第
３の実施例を示す。
３の実施例を示す。
【００２９】図４（ａ）（ｂ）にその分極工程を、図４
（ｃ）は分極後のセグメント電極２ａ，２ｂ，２ｃとコ
モン電極３を形成した状態を示す。
（ｃ）は分極後のセグメント電極２ａ，２ｂ，２ｃとコ
モン電極３を形成した状態を示す。
【００３０】１３は直流電圧源、１０，１１は分極を施
すための分極用表面電極と裏面電極である。１８，１９
は第２の部分的な分極を施すための分極用表面電極と裏
面電極を示し、１６は後にセグメント電極を形成し振動
させる部位、１５は非振動部位を表す。
すための分極用表面電極と裏面電極である。１８，１９
は第２の部分的な分極を施すための分極用表面電極と裏
面電極を示し、１６は後にセグメント電極を形成し振動
させる部位、１５は非振動部位を表す。
【００３１】図４（ａ）においてあらかじめ圧電基板１
に表面電極１０と裏面電極１１を形成し直流圧電を印加
し基板全体を分極した。１４は分極を示す矢印である。
分極時には基板を２００℃まで加熱し１０分保持した。
に表面電極１０と裏面電極１１を形成し直流圧電を印加
し基板全体を分極した。１４は分極を示す矢印である。
分極時には基板を２００℃まで加熱し１０分保持した。
【００３２】この後、図４（ｂ）に示すように、分極用
電極１０，１１をエッチングし第２の分極用電極１８，
１９を形成し、図４（ａ）とは逆極性の電圧を印加し、
部位１６のみを逆方向に分極した。
電極１０，１１をエッチングし第２の分極用電極１８，
１９を形成し、図４（ａ）とは逆極性の電圧を印加し、
部位１６のみを逆方向に分極した。
【００３３】その後図４（ｃ）にごとく、所望のセグメ
ント電極２ａ，２ｂ，２ｃ、コモン電極３を形成した。
ント電極２ａ，２ｂ，２ｃ、コモン電極３を形成した。
【００３４】部位１６に対して部位１５の分極方向を反
転させると、部位１５には逆方向に応力が生じる。従っ
て、部位１６の変位から生じる、部位１５への弾性的な
変位の伝達を上記逆方向の応力で相殺することができ
た。
転させると、部位１５には逆方向に応力が生じる。従っ
て、部位１６の変位から生じる、部位１５への弾性的な
変位の伝達を上記逆方向の応力で相殺することができ
た。
【００３５】上記構成でセグメント電極２ｂとコモン電
極３間に交流電圧を印加した際の、セグメント電極２ｂ
の中央１２ｂの振幅と、セグメント電極２ｃの中央１２
ｃの振幅の比を測定したところ、従来４０％であったも
のが、１０％に減らすことができた。
極３間に交流電圧を印加した際の、セグメント電極２ｂ
の中央１２ｂの振幅と、セグメント電極２ｃの中央１２
ｃの振幅の比を測定したところ、従来４０％であったも
のが、１０％に減らすことができた。
【００３６】（実施例４）図５（ａ）（ｂ）に第４の実
施例を示す。
施例を示す。
【００３７】あらかじめ上記実施例１から３で述べた方
法により選択的な分極をし、電極を形成した圧電基板２
０，２１，２２を図５（ｂ）のごとく、接着し積層し
た。電極２３，２５，２７には金を、電極２４，２６，
２８には錫を用いた。圧電基板厚は全て０．２ｍｍとし
た。
法により選択的な分極をし、電極を形成した圧電基板２
０，２１，２２を図５（ｂ）のごとく、接着し積層し
た。電極２３，２５，２７には金を、電極２４，２６，
２８には錫を用いた。圧電基板厚は全て０．２ｍｍとし
た。
【００３８】基板間の接着は、３枚を重ね、加重後３０
０℃に加熱し、金電極と錫電極を相互拡散させておこな
った。
０℃に加熱し、金電極と錫電極を相互拡散させておこな
った。
【００３９】このような製法を用いることにより、分極
形成時には薄い基板で、より少ない電界の回り込みでで
きるので、より高解像度に分極書き込みができた。
形成時には薄い基板で、より少ない電界の回り込みでで
きるので、より高解像度に分極書き込みができた。
【００４０】上記構成でセグメント電極２ｂとコモン電
極３間に交流電圧を印加した際の、セグメント電極２ｂ
の中央１２ｂの振幅と、セグメント電極２ｃの中央１２
ｃの振幅の比を測定したところ、従来４０％であったも
のが、１５％に減らすことができた。
極３間に交流電圧を印加した際の、セグメント電極２ｂ
の中央１２ｂの振幅と、セグメント電極２ｃの中央１２
ｃの振幅の比を測定したところ、従来４０％であったも
のが、１５％に減らすことができた。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、圧電性基板のセグメン
ト電極とコモン電極に挟まれていない部分の分極を、挟
まれた部分の分極に対してその分極率を減じるか、ある
いは分極方向を逆向きにすることにより、不要部位の変
位を抑えることができ、より高解像度なマトリクストラ
ンスデューサを実現できると言う効果を有する。
ト電極とコモン電極に挟まれていない部分の分極を、挟
まれた部分の分極に対してその分極率を減じるか、ある
いは分極方向を逆向きにすることにより、不要部位の変
位を抑えることができ、より高解像度なマトリクストラ
ンスデューサを実現できると言う効果を有する。
【図１】本発明によるマトリクストランスデューサの製
法と構造を示す図。
法と構造を示す図。
【図２】本発明によるマトリクストランスデューサの原
理を示す図。
理を示す図。
【図３】本発明によるマトリクストランスデューサの製
法と構造の第２の実施例を示す図。
法と構造の第２の実施例を示す図。
【図４】本発明によるマトリクストランスデューサの製
法と構造の第３の実施例を示す図。
法と構造の第３の実施例を示す図。
【図５】本発明によるマトリクストランスデューサの製
法と構造の第４の実施例を示す図。
法と構造の第４の実施例を示す図。
【図６】従来のマトリクストランスデューサの構造と問
題を示す図。
題を示す図。
１ 圧電基板 ２ セグメント電極 ３ コモン電極
Claims (4)
- 【請求項１】 分極に偏りを有する圧電性基板と、この
圧電性基板の表面と裏面に配された少なくとも２対の電
極と、この電極間に電圧を選択的に印加する駆動手段と
を備えたことを特徴とするマトリクストランスデュー
サ。 - 【請求項２】 前記圧電性基板の前記電極対に挟持され
た部分のみが分極されていることを特徴とする請求項１
記載のマトリクストランスデューサ。 - 【請求項３】 前記圧電性基板の前記電極対に挟持され
た部分と前記電極対に挟持されていない部分の分極方向
が異なることを特徴とする請求項１記載のマトリクスト
ランスデューサ。 - 【請求項４】 前記圧電性基板が複数枚の圧電性基板を
積層してなることを特徴とする請求項１記載のマトリク
ストランスデューサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20935491A JPH0548171A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | マトリクストランスデユーサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20935491A JPH0548171A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | マトリクストランスデユーサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548171A true JPH0548171A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16571560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20935491A Pending JPH0548171A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | マトリクストランスデユーサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548171A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123554A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-05-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型圧電素子とその製造方法 |
| JP2009241393A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Brother Ind Ltd | 圧電アクチュエータ及び液体移送装置、並びに、圧電アクチュエータの製造方法 |
| JP2011515833A (ja) * | 2008-02-29 | 2011-05-19 | ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク | 薄膜のためのフラッシュ光アニーリング |
| JPWO2022176689A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP20935491A patent/JPH0548171A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8186812B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-05-29 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Piezoelectric actuator, liquid transporting apparatus, and method for manufacturing piezoelectric actuator |
| JPWO2022176689A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | ||
| WO2022176689A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 複合ウェーハおよびその製造方法 |
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