JPH0548306B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0548306B2 JPH0548306B2 JP27381985A JP27381985A JPH0548306B2 JP H0548306 B2 JPH0548306 B2 JP H0548306B2 JP 27381985 A JP27381985 A JP 27381985A JP 27381985 A JP27381985 A JP 27381985A JP H0548306 B2 JPH0548306 B2 JP H0548306B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purge gas
- substrate
- vacuum container
- heating
- heating chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は被処理基板の加熱系を改良した減圧気
相成長装置に関するものである。
相成長装置に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来の装置の概略の断面図を第２図に示す。円
筒形の真空容器８内に置かれ、被処理基板４を載
置する円盤形状の基板保持部５の表面側には、反
応ガス導入系１、排気系２をそなえる反応室１３
があり、裏面側には熱線加熱系をそなえる加熱室
１２がある。基板保持部５の裏を照射して間接的
に被処理基板４の加熱を行うための熱放射線を透
過させるガラス板６を隔てて真空容器８の外には
ランプヒーターが設置され、反応ガスが回り込み
高温となつたガラス板６上にデポジシヨンが行わ
れることを防ぐためのパージガスの導入系１０が
設けられている。基板保持部５は回転駆動装置７
で回転駆動されるようになつている。
筒形の真空容器８内に置かれ、被処理基板４を載
置する円盤形状の基板保持部５の表面側には、反
応ガス導入系１、排気系２をそなえる反応室１３
があり、裏面側には熱線加熱系をそなえる加熱室
１２がある。基板保持部５の裏を照射して間接的
に被処理基板４の加熱を行うための熱放射線を透
過させるガラス板６を隔てて真空容器８の外には
ランプヒーターが設置され、反応ガスが回り込み
高温となつたガラス板６上にデポジシヨンが行わ
れることを防ぐためのパージガスの導入系１０が
設けられている。基板保持部５は回転駆動装置７
で回転駆動されるようになつている。
上記のようにした装置で、ガラス板６の面への
デポジシヨンを防止し、加熱効率の低下を防ぐた
めには、 (1) パージガス導入系１０のパージガス流量を増
加させる。
デポジシヨンを防止し、加熱効率の低下を防ぐた
めには、 (1) パージガス導入系１０のパージガス流量を増
加させる。
(2) 回転する基板保持部と真空容器壁間のギヤツ
プを小さくする。
プを小さくする。
の二つの対策が必要であつた。
しかしながら、上記の(2)の対策は、機構上ギヤ
ツプを２〜３mm以下にすることは不可能で限界が
あり、上記の(1)の対策は、パージガスの流量増加
に伴い、主排気ポンプの負荷が増加し、大排気量
の排気ポンプを必要とする、という難点があり、
現実的には、ガラス板６上に付着した膜による加
熱効率の低下を防ぐため、定期的なクリーニング
作業を行わざるを得ないという欠点があつた。
ツプを２〜３mm以下にすることは不可能で限界が
あり、上記の(1)の対策は、パージガスの流量増加
に伴い、主排気ポンプの負荷が増加し、大排気量
の排気ポンプを必要とする、という難点があり、
現実的には、ガラス板６上に付着した膜による加
熱効率の低下を防ぐため、定期的なクリーニング
作業を行わざるを得ないという欠点があつた。
（発明の目的）
本発明は、この問題を解決し、ガラス板への膜
付着を殆んどゼロにすることにより、加熱効率を
安定に維持することを目的とする。
付着を殆んどゼロにすることにより、加熱効率を
安定に維持することを目的とする。
（発明の構成）
本発明は、真空容器内に置かれ、被処理基板を
載置して回転運動する基板保持器の、表面側に
は、反応ガス導入系および排気系をそなえる反応
室を配置し、裏面側には、熱線加熱系をそなえる
加熱室を配置し、前記熱線加熱系では、該真空容
器外の熱線源からガラス板を通して加熱室に熱線
を取り入れ、該基板保持器の裏面を照射すること
によつて間接的に該被処理基板を加熱する如くし
た減圧気相成長装置において、前記基板保持器の
表、裏面の境界にガス溜め空間を設け、このガス
溜め空間内に真空容器外からパージガスを導入す
るパージガス導入系を設けると共に、前記加熱室
にパージガス排気系を設ける減圧気相成長装置に
よつて、前記目的を達成したものである。
載置して回転運動する基板保持器の、表面側に
は、反応ガス導入系および排気系をそなえる反応
室を配置し、裏面側には、熱線加熱系をそなえる
加熱室を配置し、前記熱線加熱系では、該真空容
器外の熱線源からガラス板を通して加熱室に熱線
を取り入れ、該基板保持器の裏面を照射すること
によつて間接的に該被処理基板を加熱する如くし
た減圧気相成長装置において、前記基板保持器の
表、裏面の境界にガス溜め空間を設け、このガス
溜め空間内に真空容器外からパージガスを導入す
るパージガス導入系を設けると共に、前記加熱室
にパージガス排気系を設ける減圧気相成長装置に
よつて、前記目的を達成したものである。
（実施例）
本発明の実施例の概略の断面図を第１図に示
す。この図では第２図と同じ部材には同じ符号を
付している。この実施例では新たに、反応室１３
と加熱室１２の境界にガス溜め１４が設けられ、
パージガスは、真空容器外からパージガス導入系
１０によつて、このガス溜め１４に導入され、ガ
ラス板６上への膜付着を防止するため、加熱室１
２のパージガスはこれも新しく設けられたパージ
ガス排気系１１により排気されるようにしてい
る。ガス溜め空間１４内のパージガスの一部は反
応室１３に入り、主排気系２により排気される。
す。この図では第２図と同じ部材には同じ符号を
付している。この実施例では新たに、反応室１３
と加熱室１２の境界にガス溜め１４が設けられ、
パージガスは、真空容器外からパージガス導入系
１０によつて、このガス溜め１４に導入され、ガ
ラス板６上への膜付着を防止するため、加熱室１
２のパージガスはこれも新しく設けられたパージ
ガス排気系１１により排気されるようにしてい
る。ガス溜め空間１４内のパージガスの一部は反
応室１３に入り、主排気系２により排気される。
このようにガス溜め空間１４を設けたので、パ
ージガスはいつたん充分にこのガス溜め空間を埋
め、その後に反応室１３と加熱室１２に分配され
る。そのため、少いパージガス導入量においても
反応ガスが加熱室へ拡散して入り込む量は従来に
較べて格段に低下し、ガラス板６上での膜形成量
は殆んどゼロとなる。新たに加設された排気系１
１の排気容量は、これもガス溜め空間１４がある
ため、極めて小容量で足りることになり、大きい
経済的負担とはならない。
ージガスはいつたん充分にこのガス溜め空間を埋
め、その後に反応室１３と加熱室１２に分配され
る。そのため、少いパージガス導入量においても
反応ガスが加熱室へ拡散して入り込む量は従来に
較べて格段に低下し、ガラス板６上での膜形成量
は殆んどゼロとなる。新たに加設された排気系１
１の排気容量は、これもガス溜め空間１４がある
ため、極めて小容量で足りることになり、大きい
経済的負担とはならない。
（発明の効果）
本発明は、熱線透過窓への膜付着を防止し、良
好な基板加熱特性を安定に接続する効果がある。
好な基板加熱特性を安定に接続する効果がある。
第１図は本発明の実施例の減圧気相成長装置の
概略の断面図。第２図は従来の装置の同様の図。 １……反応ガス導入系、２……排気系、３……
ランプヒーター（熱線源）、４……被処理基板、
５……基板保持器、６……ガラス板（熱線透過
窓）、７……回転駆動装置、８……真空容器、１
０……パージガス導入系、１１……排気系、１２
……加熱室、１３……反応室、１４……ガス溜め
空間。
概略の断面図。第２図は従来の装置の同様の図。 １……反応ガス導入系、２……排気系、３……
ランプヒーター（熱線源）、４……被処理基板、
５……基板保持器、６……ガラス板（熱線透過
窓）、７……回転駆動装置、８……真空容器、１
０……パージガス導入系、１１……排気系、１２
……加熱室、１３……反応室、１４……ガス溜め
空間。
Claims (1)
- １ 真空容器内に置かれ、被処理基板を載置して
回転運動する基板保持器の、表面側には、反応ガ
ス導入系および排気系をそなえる反応室を配置
し、裏面側には、熱線加熱系をそなえる加熱室を
配置し、前記熱線加熱系では、該真空容器外の熱
線源からガラス板を通して加熱室に熱線を取り入
れ、該基板保持器の裏面を照射することによつて
間接的に該被処理基板を加熱する如くした減圧気
相成長装置において、前記基板保持器の表、裏面
の境界にガス溜め空間を設け、このガス溜め空間
内に真空容器外からパージガスを導入するパージ
ガス導入系を設けると共に、前記加熱室にパージ
ガス排気系を設けたことを特徴とする減圧気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27381985A JPS62133073A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27381985A JPS62133073A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 減圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133073A JPS62133073A (ja) | 1987-06-16 |
| JPH0548306B2 true JPH0548306B2 (ja) | 1993-07-21 |
Family
ID=17533000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27381985A Granted JPS62133073A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133073A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6153260A (en) * | 1997-04-11 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Method for heating exhaust gas in a substrate reactor |
| JP2954143B2 (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-27 | 九州日本電気株式会社 | Ｃｖｄ装置とガスの制御方法 |
| JP2001050598A (ja) | 2001-02-21 | 2001-02-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 自立調整弁及びこれを有する圧縮式冷凍機 |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP27381985A patent/JPS62133073A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62133073A (ja) | 1987-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |