JPH0727870B2 - 減圧気相成長方法 - Google Patents
減圧気相成長方法Info
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- JPH0727870B2 JPH0727870B2 JP62325517A JP32551787A JPH0727870B2 JP H0727870 B2 JPH0727870 B2 JP H0727870B2 JP 62325517 A JP62325517 A JP 62325517A JP 32551787 A JP32551787 A JP 32551787A JP H0727870 B2 JPH0727870 B2 JP H0727870B2
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、半導体製造過程に於いて基板ウェハー上に窒
化膜（Si3N4）、低温酸化膜（LTO）、高温酸化膜（HT
O）、リンガラス（PSG）、ボロンリンガラス（BPSG）、
高融点金属（リフラクトリメタル）、メタルシリサイ
ド、Si−−Geエピタキシャル成長、III−Ｖ族、II−IV
族化合物エピタキシャル成長、等を均一に成長させ半導
体デバイスに使用できるようにした減圧気相成長方法に
関するものである。
化膜（Si3N4）、低温酸化膜（LTO）、高温酸化膜（HT
O）、リンガラス（PSG）、ボロンリンガラス（BPSG）、
高融点金属（リフラクトリメタル）、メタルシリサイ
ド、Si−−Geエピタキシャル成長、III−Ｖ族、II−IV
族化合物エピタキシャル成長、等を均一に成長させ半導
体デバイスに使用できるようにした減圧気相成長方法に
関するものである。
「従来技術及びその問題点」 一般に、半導体製造過程に於いて基板ウェハー上に前記
酸化膜や窒化膜を成長させるのに減圧気相成長装置が使
用されている。このような減圧気相成長装置としては、
第３図に示すように、水平方向に配置した細長い反応管
１の外側にヒータ２を配設し、反応管１内に、多数の基
板ウェハー３をウェハーボート４に多数立設し、反応管
接続フランジのガス導入口５からガスを矢印で示すよう
に流動させて、排出口６からガスを排出させる横型減圧
気相成長装置と、第４図に示すように、垂直方向に配置
した反応管１′の外側にヒータ２′を配設し、反応管
１′内に多数の基板ウェハー３′をウェハーボート４′
に多数水平装着し、反応管上部若しくは下部の導入口
５′からガスを矢印で示すように流動させて排出口６′
からガスを排出させる縦型減圧気相成長装置が知られて
いる。これら従来の気相成長装置で特にシラン（SiH4）
ガスを使用し酸化膜や窒化膜の薄膜を成長させた場合、
ウェハーのエッジ部分が厚くなり、膜厚を均一にするこ
とが困難であった。このような欠点を解消するため、ボ
ートを多数の孔を穿設した円筒状に形成することが行な
われている。しかして、この円筒状のボート（商品名で
ケージボートと呼ばれている。）は、二つ割に形成され
ており、ウェハーを出し入れするのにこのボートを二つ
に開き、ウェハーを１枚々ピンセットで挟んで行ってい
るが、この方法だと作業能率が悪く、自動化も不可であ
り、しかもボートを開く際にゴミが発生して、ウェハー
に付着する等の問題があった。
酸化膜や窒化膜を成長させるのに減圧気相成長装置が使
用されている。このような減圧気相成長装置としては、
第３図に示すように、水平方向に配置した細長い反応管
１の外側にヒータ２を配設し、反応管１内に、多数の基
板ウェハー３をウェハーボート４に多数立設し、反応管
接続フランジのガス導入口５からガスを矢印で示すよう
に流動させて、排出口６からガスを排出させる横型減圧
気相成長装置と、第４図に示すように、垂直方向に配置
した反応管１′の外側にヒータ２′を配設し、反応管
１′内に多数の基板ウェハー３′をウェハーボート４′
に多数水平装着し、反応管上部若しくは下部の導入口
５′からガスを矢印で示すように流動させて排出口６′
からガスを排出させる縦型減圧気相成長装置が知られて
いる。これら従来の気相成長装置で特にシラン（SiH4）
ガスを使用し酸化膜や窒化膜の薄膜を成長させた場合、
ウェハーのエッジ部分が厚くなり、膜厚を均一にするこ
とが困難であった。このような欠点を解消するため、ボ
ートを多数の孔を穿設した円筒状に形成することが行な
われている。しかして、この円筒状のボート（商品名で
ケージボートと呼ばれている。）は、二つ割に形成され
ており、ウェハーを出し入れするのにこのボートを二つ
に開き、ウェハーを１枚々ピンセットで挟んで行ってい
るが、この方法だと作業能率が悪く、自動化も不可であ
り、しかもボートを開く際にゴミが発生して、ウェハー
に付着する等の問題があった。
この発明はこのような問題点を一挙に解消しようとする
ものであり、ウェハー上に均一な膜厚を形成し得るよう
にし、しかも自動化をも可能とした減圧気相成長方法を
提供することを目的とする。
ものであり、ウェハー上に均一な膜厚を形成し得るよう
にし、しかも自動化をも可能とした減圧気相成長方法を
提供することを目的とする。
「問題点を解決するための手段」 上記目的に沿う本発明の構成は、反応管の内部に複数の
支柱を有する治具を内装し、該支柱に、上面に間隔づけ
て複数のウェハー支持用突起を形成し且つウェハーのオ
リエンテーションフラット部に合わせた直線部が形成さ
れた耐熱性リング状治具を多数固定し、オリエンテーシ
ョンフラット部を有する基板ウェハーを前記リング状治
具のウェハー支持用突起で支持し、その際基板ウェハー
裏面が前記ウェハー支持用突起に当接し、基板ウェハー
表面の成長面が隣接する前記リング状治具に間隔づけて
面するようにし、前記反応管外側を加熱しながら、反応
管内に反応ガスを導入し、反応管内でウェハー上に均一
に気相成長させることを要旨とする。
支柱を有する治具を内装し、該支柱に、上面に間隔づけ
て複数のウェハー支持用突起を形成し且つウェハーのオ
リエンテーションフラット部に合わせた直線部が形成さ
れた耐熱性リング状治具を多数固定し、オリエンテーシ
ョンフラット部を有する基板ウェハーを前記リング状治
具のウェハー支持用突起で支持し、その際基板ウェハー
裏面が前記ウェハー支持用突起に当接し、基板ウェハー
表面の成長面が隣接する前記リング状治具に間隔づけて
面するようにし、前記反応管外側を加熱しながら、反応
管内に反応ガスを導入し、反応管内でウェハー上に均一
に気相成長させることを要旨とする。
本発明の効果の原因は、理論的に十分解明されているわ
けではないが、いずれにしろ従来の方法ではガスがウェ
ハー上中央に均一に拡散せず、そのためウェハーのエッ
ジ部分が厚くなったウェハーが得られていたのに対し、
基板ウェハーをリング状治具に間隔づけて面するように
することによって、エッジ部分の膜の成長が抑制され、
そのためウェハー上に均一な薄膜が形成される。
けではないが、いずれにしろ従来の方法ではガスがウェ
ハー上中央に均一に拡散せず、そのためウェハーのエッ
ジ部分が厚くなったウェハーが得られていたのに対し、
基板ウェハーをリング状治具に間隔づけて面するように
することによって、エッジ部分の膜の成長が抑制され、
そのためウェハー上に均一な薄膜が形成される。
「実施例」 以下に、この発明の望ましい実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第１図は、縦型減圧気相成長装置に適用する場合の側面
図であり、支柱11に固定されたリング状治具13のウェハ
ー支持用突起16上に、ウェハー14が載置されている。こ
の場合ウェハーボートは回転可能となっている。
図であり、支柱11に固定されたリング状治具13のウェハ
ー支持用突起16上に、ウェハー14が載置されている。こ
の場合ウェハーボートは回転可能となっている。
本発明に使用するリング状治具の材質は、耐熱性であれ
ば特に限定されないが、例えば炭化ケイソ（SiC）、ア
ルミナ(Al2O3)、セラミック、石英等の耐熱性材料が好
適に使用される。
ば特に限定されないが、例えば炭化ケイソ（SiC）、ア
ルミナ(Al2O3)、セラミック、石英等の耐熱性材料が好
適に使用される。
第２図は本発明のリング状治具の斜視図を示すものであ
り、リング状治具13は、中央が開口した略円形に形成さ
れ、上面には、ウェハー支持用突起16が形成された例を
示す。
り、リング状治具13は、中央が開口した略円形に形成さ
れ、上面には、ウェハー支持用突起16が形成された例を
示す。
このようにウェハー支持用突起16を形成させると、ウェ
ハー成長部中央は、ウェハー支持用突起によって隣接す
るウェハーと外周部のリング状治具との間隔より、広い
間隔で対向しているので、ウェハー外周部に比べて膜の
成長の抑制度合が少なくなるので、極端に周辺部が厚く
なる膜形成のときに使用しても、ウェハー上に均一な薄
膜を形成することができる。そればかりかウェハーとリ
ング状治具との間に隙間が形成されるので、その隙間に
薄い板状物を挿入し、ウェハーを真空吸着させて出し入
れすることができる。従って、ウェハーの出し入れを自
動化によって行うことができる。尚、上記リング状治具
の一端17は平坦に形成されているが、これは、ウェハー
の結晶軸を示すオリエンテーションフラットの部分に合
わせるためであり、このようにすることによりオリエン
テーションフラットの部分も均一な成長膜が形成され
る。尚、ウェハーを載せる真空吸着のための薄板は、リ
ング状治具の一端17の平坦部若しくはその逆側から出し
入れし、ウェハーを出し入れする。
ハー成長部中央は、ウェハー支持用突起によって隣接す
るウェハーと外周部のリング状治具との間隔より、広い
間隔で対向しているので、ウェハー外周部に比べて膜の
成長の抑制度合が少なくなるので、極端に周辺部が厚く
なる膜形成のときに使用しても、ウェハー上に均一な薄
膜を形成することができる。そればかりかウェハーとリ
ング状治具との間に隙間が形成されるので、その隙間に
薄い板状物を挿入し、ウェハーを真空吸着させて出し入
れすることができる。従って、ウェハーの出し入れを自
動化によって行うことができる。尚、上記リング状治具
の一端17は平坦に形成されているが、これは、ウェハー
の結晶軸を示すオリエンテーションフラットの部分に合
わせるためであり、このようにすることによりオリエン
テーションフラットの部分も均一な成長膜が形成され
る。尚、ウェハーを載せる真空吸着のための薄板は、リ
ング状治具の一端17の平坦部若しくはその逆側から出し
入れし、ウェハーを出し入れする。
「発明の効果」 以上述べた如く本発明によるときは、ウェハー表面外周
部はリング状治具に間隔づけて面して気相成長させるよ
うになっているので、ウェハーのエッジ部分の成長が抑
制されると共に、ウェハー成長部中央は、ウェハー支持
用突起によって隣接するウェハーと外周部のリング状治
具とよりは、広い間隔で対向しているので、ウェハー外
周部に比べて成長の抑制度合が少なくなるから、極端に
周辺部が厚くなる膜形成のときに使用してもウェハー上
に均一な薄膜を形成されることができる。また、リング
状治具の上面にウェハー支持用突起を形成しているの
で、ウェハーの出し入れを自動化によって行うことがで
き、生産性が向上する。更に、リング状治具の一端は、
平坦に形成されているので、ウェハーのオリエンテーシ
ョンフラット部分も均一な膜が形成される。
部はリング状治具に間隔づけて面して気相成長させるよ
うになっているので、ウェハーのエッジ部分の成長が抑
制されると共に、ウェハー成長部中央は、ウェハー支持
用突起によって隣接するウェハーと外周部のリング状治
具とよりは、広い間隔で対向しているので、ウェハー外
周部に比べて成長の抑制度合が少なくなるから、極端に
周辺部が厚くなる膜形成のときに使用してもウェハー上
に均一な薄膜を形成されることができる。また、リング
状治具の上面にウェハー支持用突起を形成しているの
で、ウェハーの出し入れを自動化によって行うことがで
き、生産性が向上する。更に、リング状治具の一端は、
平坦に形成されているので、ウェハーのオリエンテーシ
ョンフラット部分も均一な膜が形成される。
第１図は、縦型減圧気相成長装置に適用する場合の本発
明の実施例を示す側面図、 第２図は、本発明に使用するリング状治具の実施例を示
す斜視図、 」を加入する。 第３図は、従来の縦型減圧気相成長装置を示す断面図、 第４図は、従来の横型減圧気相成長装置を示す断面図で
ある。 図中、 11……支柱、13……リング状治具、14……ウェハー。
明の実施例を示す側面図、 第２図は、本発明に使用するリング状治具の実施例を示
す斜視図、 」を加入する。 第３図は、従来の縦型減圧気相成長装置を示す断面図、 第４図は、従来の横型減圧気相成長装置を示す断面図で
ある。 図中、 11……支柱、13……リング状治具、14……ウェハー。
Claims (1)
- 【請求項１】反応管の内部に複数の支柱を有する治具を
内装し、該支柱に、上面に間隔づけて複数のウェハー支
持用突起を形成し且つウェハーのオリエンテーションフ
ラット部に合わせた直線部が形成された耐熱性リング状
治具を多数固定し、オリエンテーションフラット部を有
する基板ウェハーを前記リング状治具のウェハー支持用
突起で支持し、その際基板ウェハー裏面が前記ウェハー
支持用突起に当接し、基板ウェハー表面の成長面が隣接
する前記リング状治具に間隔づけて面するようにし、前
記反応管外側を加熱しながら、反応管内に反応ガスを導
入し、反応管内でウェハー上に均一に気相成長させるこ
とを特徴とする減圧気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325517A JPH0727870B2 (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 減圧気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325517A JPH0727870B2 (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 減圧気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01168030A JPH01168030A (ja) | 1989-07-03 |
| JPH0727870B2 true JPH0727870B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=18177760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62325517A Expired - Lifetime JPH0727870B2 (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 減圧気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727870B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622980Y2 (ja) * | 1988-09-28 | 1994-06-15 | 日本エー・エス・エム株式会社 | Ｃｖｄ装置における基板支持装置 |
| US5169453A (en) * | 1989-03-20 | 1992-12-08 | Toyoko Kagaku Co., Ltd. | Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig |
| JPH06818Y2 (ja) * | 1989-09-21 | 1994-01-05 | 日本エー・エス・エム株式会社 | Ｃｖｄ装置のための基板支持装置 |
| US5192371A (en) * | 1991-05-21 | 1993-03-09 | Asm Japan K.K. | Substrate supporting apparatus for a CVD apparatus |
| JP6469046B2 (ja) * | 2016-07-15 | 2019-02-13 | クアーズテック株式会社 | 縦型ウエハボート |
| JP7236947B2 (ja) * | 2019-07-11 | 2023-03-10 | 三菱電機株式会社 | ＳｉＣ半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742174Y2 (ja) * | 1978-07-28 | 1982-09-17 | ||
| JPS58169906A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-10-06 | Nec Corp | 気相成長装置 |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP62325517A patent/JPH0727870B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01168030A (ja) | 1989-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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