JPH054832B2 - - Google Patents
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- JPH054832B2 JPH054832B2 JP24580686A JP24580686A JPH054832B2 JP H054832 B2 JPH054832 B2 JP H054832B2 JP 24580686 A JP24580686 A JP 24580686A JP 24580686 A JP24580686 A JP 24580686A JP H054832 B2 JPH054832 B2 JP H054832B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置およびその製造
方法に関し、さらに詳しくは、放出されるレーザ
光の放射角が狭く、かつ高出力を得らるように改
良した半導体レーザ装置およびその製造方法に係
るものである。
方法に関し、さらに詳しくは、放出されるレーザ
光の放射角が狭く、かつ高出力を得らるように改
良した半導体レーザ装置およびその製造方法に係
るものである。
従来例によるこの種のレーザ光の放射角を狭く
した半導体レーザ装置の一例として、例えば特開
昭54−6790号公報に開示された半導体レーザ装置
の概要構成を第６図に示す。
した半導体レーザ装置の一例として、例えば特開
昭54−6790号公報に開示された半導体レーザ装置
の概要構成を第６図に示す。
すなわち、この第６図に示す従来例の構成おい
て、符号１はＰ型GaAs結晶基板を示し、２はＰ
型Ga1-xAlxAsクラツド層、３はGa1-yAlyAs活性
層、４はＮ型Ga1-xAlxAsクラツド層、５はＮ型
Ga1-zAlzAs光ガイド層、６はＮ型GaAsコンタク
ト層であつて、基板１上に順次に形成されてお
り、また７および８は電極、９は放射されるレー
ザ光、１０および１１は光強度分布、１２は共振
器端面である。
て、符号１はＰ型GaAs結晶基板を示し、２はＰ
型Ga1-xAlxAsクラツド層、３はGa1-yAlyAs活性
層、４はＮ型Ga1-xAlxAsクラツド層、５はＮ型
Ga1-zAlzAs光ガイド層、６はＮ型GaAsコンタク
ト層であつて、基板１上に順次に形成されてお
り、また７および８は電極、９は放射されるレー
ザ光、１０および１１は光強度分布、１２は共振
器端面である。
なお、この場合、０≦ｙ≦ｚ＜ｘであり、かつ
説明の都合上、こゝではＰ型とＮ型とを入れ換え
てある。
説明の都合上、こゝではＰ型とＮ型とを入れ換え
てある。
しかして、前記した従来例による構成にあつて
は、Ga1-yAlyAs活性層３について、通常の場合、
Ｐ型Ga1-xAlxAsグラツド層２およびＮ型Ga1-x
AlxAsクラツド層４よりも、その禁制帯幅が小さ
い材料で形成されるために、電極７および８から
注入されるキヤリアは、Ga1-yAlyAs活性層３内
に閉じ込められて、効率よくレーザ光９を発生
し、同時にGa1-yAlyAs活性層３の屈折率は、Ｐ
型Ga1-xAlxAsグラツド層２およびＮ型Ga1-xAlx
Asクラツド層４よりも高くなるために、Ga1-y
AlyAs活性層３内で強いピークをもつ光強度分布
１０を示すことになる。
は、Ga1-yAlyAs活性層３について、通常の場合、
Ｐ型Ga1-xAlxAsグラツド層２およびＮ型Ga1-x
AlxAsクラツド層４よりも、その禁制帯幅が小さ
い材料で形成されるために、電極７および８から
注入されるキヤリアは、Ga1-yAlyAs活性層３内
に閉じ込められて、効率よくレーザ光９を発生
し、同時にGa1-yAlyAs活性層３の屈折率は、Ｐ
型Ga1-xAlxAsグラツド層２およびＮ型Ga1-xAlx
Asクラツド層４よりも高くなるために、Ga1-y
AlyAs活性層３内で強いピークをもつ光強度分布
１０を示すことになる。
また一方で、前記した共振器端面１２に隣接す
る部分においては、Ga1-yAlyAs活性層３に接し
て、Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツド層４よりも、その
禁制帯幅が小さくて、かつ屈折率が低くされたＮ
型Ga1-zAlzAs光ガイド層（０≦ｙ≦ｚ＜ｘ）５
が形成されており、こゝではGa1-yAlyAs活性層
３がＮ型Ga1-xAlxAsクラツド層４に接している
部分に比較するとき、その光の閉じ込めが弱くな
つて、裾の拡がつた光強度分布１１を示すことに
なる。
る部分においては、Ga1-yAlyAs活性層３に接し
て、Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツド層４よりも、その
禁制帯幅が小さくて、かつ屈折率が低くされたＮ
型Ga1-zAlzAs光ガイド層（０≦ｙ≦ｚ＜ｘ）５
が形成されており、こゝではGa1-yAlyAs活性層
３がＮ型Ga1-xAlxAsクラツド層４に接している
部分に比較するとき、その光の閉じ込めが弱くな
つて、裾の拡がつた光強度分布１１を示すことに
なる。
そしてこのために、共振器端面１２における活
性層厚さ方向のレーザビームスポツト径が大きく
なり、この共振器端面１２から放射されるレーザ
光９は、あまり回折現象をおこさなくなつて、そ
の放射角を狭くし得るのである。
性層厚さ方向のレーザビームスポツト径が大きく
なり、この共振器端面１２から放射されるレーザ
光９は、あまり回折現象をおこさなくなつて、そ
の放射角を狭くし得るのである。
前記したように、従来例によるレーザ光の放射
角を狭くした半導体レーザ装置においては、共振
器端面１２に隣接する部分で、Ga1-yAlyAs活性
層３と、同層に接するＮ型Ga1-zAlzAs光ガイド
層５との禁制帯幅の差（ｙ−ｚ）が小さいため
に、Ga1-yAlyAs活性層３内へのキヤリア閉じ込
めが不充分になつて、しきい値電流が増加するな
どの問題点があり、また、その製造に際しては、
Ga1-yAlyAs活性層３を残して、同層と接するＮ
型Ga1-xAlxAsクラツド層４を少くとも一部分は
エツチング除去する必要があるが、このエツチン
グ除去が非常に困難であつて、除去し得たとして
も、この除去によりGa1-yAlyAs活性層３の上面
が大気に曝されて酸化し、素子特性に悪影響をも
たらす惧れがある。
角を狭くした半導体レーザ装置においては、共振
器端面１２に隣接する部分で、Ga1-yAlyAs活性
層３と、同層に接するＮ型Ga1-zAlzAs光ガイド
層５との禁制帯幅の差（ｙ−ｚ）が小さいため
に、Ga1-yAlyAs活性層３内へのキヤリア閉じ込
めが不充分になつて、しきい値電流が増加するな
どの問題点があり、また、その製造に際しては、
Ga1-yAlyAs活性層３を残して、同層と接するＮ
型Ga1-xAlxAsクラツド層４を少くとも一部分は
エツチング除去する必要があるが、このエツチン
グ除去が非常に困難であつて、除去し得たとして
も、この除去によりGa1-yAlyAs活性層３の上面
が大気に曝されて酸化し、素子特性に悪影響をも
たらす惧れがある。
この発明は、従来のこのような問題点を解消す
るためになされたものであつて、その目的とする
ところは、しきい値電流を増加させずにレーザ光
の放射角を狭くし得るようにし、併せて、高出力
でも端面破壊を生じ難くした、この種の半導体レ
ーザ装置およびその製造方法を提供することであ
る。
るためになされたものであつて、その目的とする
ところは、しきい値電流を増加させずにレーザ光
の放射角を狭くし得るようにし、併せて、高出力
でも端面破壊を生じ難くした、この種の半導体レ
ーザ装置およびその製造方法を提供することであ
る。
前記目的を達成するために、この発明に係る半
導体レーザ装置は、第１導電型のクラツド層、活
性層、および第２導電型のクラツド層を有する半
導体レーザ装置において、該クラツド層の外側面
で、かつ少なくとも一方の共振器端面に隣接する
部分に、当該部分よりも屈折率が高い半導体層を
有することを特徴としている。
導体レーザ装置は、第１導電型のクラツド層、活
性層、および第２導電型のクラツド層を有する半
導体レーザ装置において、該クラツド層の外側面
で、かつ少なくとも一方の共振器端面に隣接する
部分に、当該部分よりも屈折率が高い半導体層を
有することを特徴としている。
すなわち、この発明においては、ダブルヘテロ
構造によつて活性層内にキヤリアおよび光を十分
に閉じ込めると共に、一方で共振器端面に隣接す
る部分に、ダブルヘテロ構造の外側面に屈折率の
高い光ガイド層を有することから、同端面部での
光の閉じ込めが弱くなつて、活性層と垂直な方向
でのレーザ光のビームスポツト径が大きくなり、
その結果として光密度が小さくされて、光学的な
端面破壊を阻止でき、かつこの端面から放射され
るレーザ光の回折現象が抑制されて、その放射角
を狭くし得るのである。
構造によつて活性層内にキヤリアおよび光を十分
に閉じ込めると共に、一方で共振器端面に隣接す
る部分に、ダブルヘテロ構造の外側面に屈折率の
高い光ガイド層を有することから、同端面部での
光の閉じ込めが弱くなつて、活性層と垂直な方向
でのレーザ光のビームスポツト径が大きくなり、
その結果として光密度が小さくされて、光学的な
端面破壊を阻止でき、かつこの端面から放射され
るレーザ光の回折現象が抑制されて、その放射角
を狭くし得るのである。
以下、この発明に係る半導体レーザ装置および
その製造方法の各別の実施例につき、第１図ない
し第５図を参照して詳細に説明する。
その製造方法の各別の実施例につき、第１図ない
し第５図を参照して詳細に説明する。
これらの第１図ないし第５図に示す各実施例に
おいて、前記第６図従来例と同一符号は同一また
は相当部分を表わしている。
おいて、前記第６図従来例と同一符号は同一また
は相当部分を表わしている。
第１図はこの発明の第１実施例による半導体レ
ーザ装置の概要構成を示す断面図である。
ーザ装置の概要構成を示す断面図である。
この第１実施例装置では、前記した従来例構成
において、Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツド層４とＮ型
GaAsコンタクト層６間に、Ｎ型Ga1-xAlxAs半導
体層１３を形成させると共に、この半導体層１３
内の共振器端面１２に隣接する部分に対して、Ｎ
型Ga1-zAlzAs光ガイド層５を形成させたもので
ある。そして、このＮ型Ga1-xAlxAs半導体層１
３におけるAl組成比ｘについては、従来例構成
でのＰ型Ga1-xAlxAsクラツド層２およびＮ型
Ga1-xAlxAsクラツド層４のそれと同一にされる。
において、Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツド層４とＮ型
GaAsコンタクト層６間に、Ｎ型Ga1-xAlxAs半導
体層１３を形成させると共に、この半導体層１３
内の共振器端面１２に隣接する部分に対して、Ｎ
型Ga1-zAlzAs光ガイド層５を形成させたもので
ある。そして、このＮ型Ga1-xAlxAs半導体層１
３におけるAl組成比ｘについては、従来例構成
でのＰ型Ga1-xAlxAsクラツド層２およびＮ型
Ga1-xAlxAsクラツド層４のそれと同一にされる。
しかして、この第１実施例による装置構成の場
合、Ｐ型Ga1-xAlxAsクラツド層２およびＮ型
Ga1-xAlxAsクラツド層４は、そのAl組成比が０
≦ｙ＜ｘの関係、例えばｘ＝0.3〜0.6、ｙ＝０〜
0.2の関係にあつて、ダブルヘテロ構造を形成し
ており、従つて、電極７および８からキヤリアを
注入すれば、Ga1-yAlyAs活性層３内にキヤリア
が閉じ込められ、このキヤリアの再結合によつて
目的とするレーザ光の誘導放出がなされるのであ
る。
合、Ｐ型Ga1-xAlxAsクラツド層２およびＮ型
Ga1-xAlxAsクラツド層４は、そのAl組成比が０
≦ｙ＜ｘの関係、例えばｘ＝0.3〜0.6、ｙ＝０〜
0.2の関係にあつて、ダブルヘテロ構造を形成し
ており、従つて、電極７および８からキヤリアを
注入すれば、Ga1-yAlyAs活性層３内にキヤリア
が閉じ込められ、このキヤリアの再結合によつて
目的とするレーザ光の誘導放出がなされるのであ
る。
そして、この際、前記Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツ
ド層４を、例えば0.01〜1.0μｍ程度に薄く形成し
てあるとき、このＮ型Ga1-xAlxAsクラツド層４
がＮ型Ga1-xAlxAs半導体層１３と接している部
ぶ分においては、Ga1-yAlyAs活性層３が両面か
ら充分に厚いクラツド層で挟まれることになるた
めに、レーザ光がGa1-yAlyAs活性層３内に効果
的に閉じ込められた光強度分布１０の形態をと
り、かつまた、このＮ型Ga1-xAlxAsクラツド層
４が、例えばｚ＝０〜0.6（但しｙ≦ｚ＜ｘ）のＮ
型Ga1-zAlzAs光ガイド層５と接している部分に
おいては、Ga1-yAlyAs活性層３内のレーザ光が、
Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５に洩れ出して光強
度分布１１の形態をとる。
ド層４を、例えば0.01〜1.0μｍ程度に薄く形成し
てあるとき、このＮ型Ga1-xAlxAsクラツド層４
がＮ型Ga1-xAlxAs半導体層１３と接している部
ぶ分においては、Ga1-yAlyAs活性層３が両面か
ら充分に厚いクラツド層で挟まれることになるた
めに、レーザ光がGa1-yAlyAs活性層３内に効果
的に閉じ込められた光強度分布１０の形態をと
り、かつまた、このＮ型Ga1-xAlxAsクラツド層
４が、例えばｚ＝０〜0.6（但しｙ≦ｚ＜ｘ）のＮ
型Ga1-zAlzAs光ガイド層５と接している部分に
おいては、Ga1-yAlyAs活性層３内のレーザ光が、
Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５に洩れ出して光強
度分布１１の形態をとる。
すなわち、このようにして、共振器端面１２に
おける活性層３に垂直な方向のレーザビームスポ
ツト径が等価的に大きくなると、同端面部での光
密度が減少し、たとえ高出力動作時にあつても、
光学的な端面破壊を起し難く、また、回折現象も
受け難くなつて、共振器端面１２から放射される
レーザ光９の放射角を狭くし得られ、併せて、光
ガイド層５が、共振器端面１２に隣接する部分に
のみ形成されているため、装置全体として垂直横
モードが、光ガイド層５により高次モード化して
しまうのを容易に防止し得るのである。
おける活性層３に垂直な方向のレーザビームスポ
ツト径が等価的に大きくなると、同端面部での光
密度が減少し、たとえ高出力動作時にあつても、
光学的な端面破壊を起し難く、また、回折現象も
受け難くなつて、共振器端面１２から放射される
レーザ光９の放射角を狭くし得られ、併せて、光
ガイド層５が、共振器端面１２に隣接する部分に
のみ形成されているため、装置全体として垂直横
モードが、光ガイド層５により高次モード化して
しまうのを容易に防止し得るのである。
また、前記第１実施例による装置構成において
は、Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５を、共振器端
面１２に隣接する部分にのみ形成させるようにし
ているが、第２図に示す第２実施例のように、こ
のＮ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５をして、Ｎ型
Ga1-xAlxAsクラツド層４、Ｎ型Ga1-xAlxAs半導
体層１３間の全面に亘つて厚さを薄く、かつ共振
器端面１２に隣接する部分で厚さを厚くした状態
に形成させても、同様な作用、効果を得ることが
できる。
は、Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５を、共振器端
面１２に隣接する部分にのみ形成させるようにし
ているが、第２図に示す第２実施例のように、こ
のＮ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５をして、Ｎ型
Ga1-xAlxAsクラツド層４、Ｎ型Ga1-xAlxAs半導
体層１３間の全面に亘つて厚さを薄く、かつ共振
器端面１２に隣接する部分で厚さを厚くした状態
に形成させても、同様な作用、効果を得ることが
できる。
さらに、第３図は第３実施例による装置構成で
あつて、同図中、符号１ａはＮ型GaAs結晶基
板、６ａはＰ型GaAsコンタクト層、１４は端面
部エツチング溝をそれぞれに示しており、この第
３実施例での構成のように、Ga1-yAlyAs活性層
３側から見て、Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５を
Ｎ型GaAs結晶基板１ａ側に形成させるようにし
ても、同様な作用、効果を得ることができる。
あつて、同図中、符号１ａはＮ型GaAs結晶基
板、６ａはＰ型GaAsコンタクト層、１４は端面
部エツチング溝をそれぞれに示しており、この第
３実施例での構成のように、Ga1-yAlyAs活性層
３側から見て、Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５を
Ｎ型GaAs結晶基板１ａ側に形成させるようにし
ても、同様な作用、効果を得ることができる。
次に、第４図ａないしｆは前記第１実施例によ
る半導体レーザ装置の製造工程を順次に示すそれ
ぞれ斜視図である。
る半導体レーザ装置の製造工程を順次に示すそれ
ぞれ斜視図である。
すなわち、まず、Ｐ型GaAs結晶基板１上にあ
つて、Ｎ型GaAs電流ブロツク層１５を形成した
後（同図ａ）、このＮ型GaAs電流ブロツク層１
５の選択された一部を、ストライプ状にエツチン
グ除去してストライプ溝１６を形成する（同図
ｂ）。
つて、Ｎ型GaAs電流ブロツク層１５を形成した
後（同図ａ）、このＮ型GaAs電流ブロツク層１
５の選択された一部を、ストライプ状にエツチン
グ除去してストライプ溝１６を形成する（同図
ｂ）。
ついで、その上にＰ型Ga1-xAlxAsグラツド層
２、Ga1-yAlyAs活性層３、Ｎ型Ga1-xAlxAsクラ
ツド層４、およびＮ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５
を順次に形成する（同図ｃ）。但し、この場合、
０≦ｙ≦ｚ＜ｘである。
２、Ga1-yAlyAs活性層３、Ｎ型Ga1-xAlxAsクラ
ツド層４、およびＮ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５
を順次に形成する（同図ｃ）。但し、この場合、
０≦ｙ≦ｚ＜ｘである。
そして、前記Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５に
ついては、前記ストライプ溝１６に直交する方向
に、これを選択的かつ部分的に残した状態で、残
余の部分を、前記Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツド層４
が露出するまでエツチング除去して、光ガイド層
除去溝１７を形成する（同図ｄ）のであるが、こ
の際、Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５は、Al組成
比において、Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツド層４とｚ
＜ｘの関係にあるため、例えばアンモニア過酸化
水素系のエツチング液などを用いて、所要の光ガ
イド層部分のみを制御性よく選択的にエツチング
除去できる。
ついては、前記ストライプ溝１６に直交する方向
に、これを選択的かつ部分的に残した状態で、残
余の部分を、前記Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツド層４
が露出するまでエツチング除去して、光ガイド層
除去溝１７を形成する（同図ｄ）のであるが、こ
の際、Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイド層５は、Al組成
比において、Ｎ型Ga1-xAlxAsクラツド層４とｚ
＜ｘの関係にあるため、例えばアンモニア過酸化
水素系のエツチング液などを用いて、所要の光ガ
イド層部分のみを制御性よく選択的にエツチング
除去できる。
続いて、これらの上にＮ型Ga1-xAlxAs半導体
層１３、およびＮ型GaAsコンタクト層６を順次
に形成した上で、さらに電極７および８をそれぞ
れに形成し（同図ｅ）、最後に、へき開線１８に
沿いへき開し、かつチツプ分離線１９に沿いチツ
プ分離して、所期の、こゝでは第１実施例に対応
する半導体レーザ装置を得るのである（同図ｆ）。
層１３、およびＮ型GaAsコンタクト層６を順次
に形成した上で、さらに電極７および８をそれぞ
れに形成し（同図ｅ）、最後に、へき開線１８に
沿いへき開し、かつチツプ分離線１９に沿いチツ
プ分離して、所期の、こゝでは第１実施例に対応
する半導体レーザ装置を得るのである（同図ｆ）。
また次に、第５図ａないしｅは前記第３実施例
による半導体レーザ装置の製造工程を順次に示す
それぞれ斜視図である。
による半導体レーザ装置の製造工程を順次に示す
それぞれ斜視図である。
すなわち、まず、Ｎ型GaAs結晶基板１ａ上に
あつて、ストライプ状の基板端面部エツチング溝
１４を形成した後（同図ａ）、Ｎ型Ga1-xAlxAs半
導体層１３を、同溝１４対応部が平坦にならない
程度で形成し、ついで、Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイ
ド層５を、前記溝１４対応部が平坦になるように
形成した上で、その上にＮ型Ga1-xAlxAsクツド
層４、Ga1-yAlyAs活性層２、Ｐ型Ga1-xAlxAsク
ラツド層２、およびＮ型GaAs電流ブロツク層１
５を順次に形成する（同図ｂ）。
あつて、ストライプ状の基板端面部エツチング溝
１４を形成した後（同図ａ）、Ｎ型Ga1-xAlxAs半
導体層１３を、同溝１４対応部が平坦にならない
程度で形成し、ついで、Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガイ
ド層５を、前記溝１４対応部が平坦になるように
形成した上で、その上にＮ型Ga1-xAlxAsクツド
層４、Ga1-yAlyAs活性層２、Ｐ型Ga1-xAlxAsク
ラツド層２、およびＮ型GaAs電流ブロツク層１
５を順次に形成する（同図ｂ）。
続いて、前記Ｎ型GaAs電流ブロツク層１５上
にあつて、前記基板端面部エツチング溝１４と直
交する方向に、ストライプ状のエツチングを施す
ことにより、前記Ｐ型Ga1-xAlxAsクラツド層２
の一部を露出させて、活性ストライプ溝１６を形
成する（同図ｃ）。
にあつて、前記基板端面部エツチング溝１４と直
交する方向に、ストライプ状のエツチングを施す
ことにより、前記Ｐ型Ga1-xAlxAsクラツド層２
の一部を露出させて、活性ストライプ溝１６を形
成する（同図ｃ）。
ついで、その上にＰ型Ga1-xAlxAs半導体層２
０、Ｐ型コンタクト層６ａ、それに電極７および
８をそれぞれに形成し（同図ｄ）、最後に、へき
開線１８に沿いへき開し、かつチツプ分離線１９
に沿いチツプ分離して、所期の、こゝでは第３実
施例に対応する半導体レーザ装置を得るのである
（同図ｅ）。
０、Ｐ型コンタクト層６ａ、それに電極７および
８をそれぞれに形成し（同図ｄ）、最後に、へき
開線１８に沿いへき開し、かつチツプ分離線１９
に沿いチツプ分離して、所期の、こゝでは第３実
施例に対応する半導体レーザ装置を得るのである
（同図ｅ）。
しかして、これらの各実施例方法によつて得た
半導体レーザ装置では、光ガイド層を片側あるい
は両側の共振器端面に隣接する部分に形成させて
いるが、どちらの場合でも同様な作用、効果が得
られる。また、こゝでは、光ガイド層を共振器端
面に隣接する部分で、PN接合と平行な方向の全
域に亘つて形成させているが、活性ストライプ溝
の近傍にのみ形成させてもよく、さらには、これ
らの各実施例構成以外にも、ストライプ構造をも
つ、あるいはもたない半導体レーザ装置すべてに
対して適用できることは勿論である。
半導体レーザ装置では、光ガイド層を片側あるい
は両側の共振器端面に隣接する部分に形成させて
いるが、どちらの場合でも同様な作用、効果が得
られる。また、こゝでは、光ガイド層を共振器端
面に隣接する部分で、PN接合と平行な方向の全
域に亘つて形成させているが、活性ストライプ溝
の近傍にのみ形成させてもよく、さらには、これ
らの各実施例構成以外にも、ストライプ構造をも
つ、あるいはもたない半導体レーザ装置すべてに
対して適用できることは勿論である。
また、実施例１については、光ガイド層の導電
形は特に問うものではない。また、前述の実施例
中では簡単のためにＰ型クラツド層２、Ｎ型クラ
ツド層４およびＰ型半導体層１３のAl組成比を
すべて同一としたが、同一でなくても同様な効果
が得られる。
形は特に問うものではない。また、前述の実施例
中では簡単のためにＰ型クラツド層２、Ｎ型クラ
ツド層４およびＰ型半導体層１３のAl組成比を
すべて同一としたが、同一でなくても同様な効果
が得られる。
以上詳述したように、この発明によれば、第１
導電型のクラツド層、活性層、および第２導電型
のクラツド層を有する半導体レーザ装置におい
て、該クラツド層の外側面で、かつ少なくとも一
方の共振器端面に隣接する部分に、当該部分より
も屈折率が高い半導体層を設けたので、しきい値
電流を増加させずに、かつ垂直横モードを高次モ
ード化させずに、光放射角が狭くて、しかも高出
力動作時にも端面破壊を生じ難い半導体レーザ装
置を、極めて容易に得ることができるものであ
る。
導電型のクラツド層、活性層、および第２導電型
のクラツド層を有する半導体レーザ装置におい
て、該クラツド層の外側面で、かつ少なくとも一
方の共振器端面に隣接する部分に、当該部分より
も屈折率が高い半導体層を設けたので、しきい値
電流を増加させずに、かつ垂直横モードを高次モ
ード化させずに、光放射角が狭くて、しかも高出
力動作時にも端面破壊を生じ難い半導体レーザ装
置を、極めて容易に得ることができるものであ
る。
第１図、第２図、および第３図はこの発明に係
る半導体レーザ装置の第１、第２、および第３の
各実施例による概要構成をそれぞれに示す縦断側
面図、第４図ａないしｆ、および第５図ａないし
ｅは第１、および第３の各実施例構成での製造方
法を工程順に示すそれぞれ斜視図であり、また第
６図は従来例による同上装置の概要構成を示す縦
断側面図である。 １……Ｐ型GaAs結晶基板、１ａ……Ｎ型
GaAs結晶基板。２……Ｐ型Ga1-xAlxAsクラツド
層、３……Ga1-yAlyAs活性層、４……Ｎ型Ga1-x
AlxAsクラツド層、５……Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガ
イド層、１３……Ｐ型Ga1-xAlxAs半導体層、２
０……Ｎ型Ga1-xAlxAs半導体層。１２……共振
器端面、１４……基板端面部エツチング溝、１６
……活性ストライプ溝、１７……光ガイド層除去
溝。
る半導体レーザ装置の第１、第２、および第３の
各実施例による概要構成をそれぞれに示す縦断側
面図、第４図ａないしｆ、および第５図ａないし
ｅは第１、および第３の各実施例構成での製造方
法を工程順に示すそれぞれ斜視図であり、また第
６図は従来例による同上装置の概要構成を示す縦
断側面図である。 １……Ｐ型GaAs結晶基板、１ａ……Ｎ型
GaAs結晶基板。２……Ｐ型Ga1-xAlxAsクラツド
層、３……Ga1-yAlyAs活性層、４……Ｎ型Ga1-x
AlxAsクラツド層、５……Ｎ型Ga1-zAlzAs光ガ
イド層、１３……Ｐ型Ga1-xAlxAs半導体層、２
０……Ｎ型Ga1-xAlxAs半導体層。１２……共振
器端面、１４……基板端面部エツチング溝、１６
……活性ストライプ溝、１７……光ガイド層除去
溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１導電型のクラツド層、活性層、および第
２導電型のクラツド層を有する半導体レーザ装置
において、該クラツド層の外側面で、かつ少なく
とも一方の共振器端面に隣接する部分に、当該部
分よりも屈折率が高い半導体層を有することを特
徴とする半導体レーザ装置。 ２ 結晶基板上にあつて、第１導電型のグラツド
層、活性層、第２導電型のクラツド層、および光
ガイド層を順次に形成する工程と、前記光ガイド
層の少なくとも一方の共振器端面に隣接する部分
以外を、選択エツチングにより除去した上で、こ
の除去部分に光ガイド層よりも屈折率の低い第２
導電型の半導体層を形成する工程を含むことを特
徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 ３ 結晶基板上にあつて、少なくとも一方の共振
器端面に隣接する部分にエツチング溝を掘り込む
工程と、同基板上にエツチング溝形状を失わずに
第１導電型の半導体層を形成する工程と、この第
１導電型の半導体層上に、エツチング溝を埋めて
同層よりも屈折率の高い光ガイド層を形成する工
程と、この光ガイド層上に、第１導電型のクラツ
ド層、活性層、第２導電型のクラツド層を順次に
形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24580686A JPS6399588A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24580686A JPS6399588A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399588A JPS6399588A (ja) | 1988-04-30 |
| JPH054832B2 true JPH054832B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=17139117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24580686A Granted JPS6399588A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6399588A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2222307B (en) * | 1988-07-22 | 1992-04-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser |
| JP6603507B2 (ja) * | 2015-07-29 | 2019-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24580686A patent/JPS6399588A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6399588A (ja) | 1988-04-30 |
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