JPS6399588A - 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6399588A JPS6399588A JP24580686A JP24580686A JPS6399588A JP S6399588 A JPS6399588 A JP S6399588A JP 24580686 A JP24580686 A JP 24580686A JP 24580686 A JP24580686 A JP 24580686A JP S6399588 A JPS6399588 A JP S6399588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- face
- type
- active layer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザ装置およびその製造方法に関
し、さらに詳しくは、放出されるレーザ光の放射角が狭
く、かつ高出力を得られるように改良した半導体レーザ
装置およびその製造方法に係るものである。
し、さらに詳しくは、放出されるレーザ光の放射角が狭
く、かつ高出力を得られるように改良した半導体レーザ
装置およびその製造方法に係るものである。
従来例によるこの種のレーザ光の放射角を狭くした半導
体レーザ装置の一例として、例えば特開昭５４−６７’
ＩＯ号公報に開示された半導体レーザ装置の概要構成を
第６図に示す。
体レーザ装置の一例として、例えば特開昭５４−６７’
ＩＯ号公報に開示された半導体レーザ装置の概要構成を
第６図に示す。
すなわち、この第６図に示す従来例の構成おいて、符号
１はＰ型ＧａＡｓ結晶基板を示し、２はＰ型Ｇａ
ＡＭＡｓクラッド層、３はＧ ａ １１Ａ ｌ ｙ Ａ
５１−ｘ ！ 活性層、４はＮ型Ｇ ａ １− ｘＡ ｌ ｘＡ ｓク
ラッド層、５はＮ ｔ Ｇ’ｔ−ｚ Ａｌ ２Ａ ｓ光
ガイド層、６はＮ型ＧａＡｓコンタクト層であって、基
板１上に順次に形成されており、また７および８は電極
、９は放射されるレーザ光、１０および１１は光強度分
布、１２は共振器端面である。
１はＰ型ＧａＡｓ結晶基板を示し、２はＰ型Ｇａ
ＡＭＡｓクラッド層、３はＧ ａ １１Ａ ｌ ｙ Ａ
５１−ｘ ！ 活性層、４はＮ型Ｇ ａ １− ｘＡ ｌ ｘＡ ｓク
ラッド層、５はＮ ｔ Ｇ’ｔ−ｚ Ａｌ ２Ａ ｓ光
ガイド層、６はＮ型ＧａＡｓコンタクト層であって、基
板１上に順次に形成されており、また７および８は電極
、９は放射されるレーザ光、１０および１１は光強度分
布、１２は共振器端面である。
なお、この場合、Ｏ≦ｙ≦Ｚ＜Ｘであり、かつ説明の都
合上、こ＼ではＰ型とＮ型とを入れ換えである。
合上、こ＼ではＰ型とＮ型とを入れ換えである。
しかして、前記した従来例による構成にあっては、 Ｇ
ａ １− ｙＡ ｌ 、Ａ ｓ活性層３について、通
常の場合、Ｐ型Ｇａｔ、Ａ文、Ａｓクラッド層２および
Ｎ型Ｇａ１−、 Ａｎ！Ａｓクラッド層４よりも、その
禁制帯幅が小さい材料で形成されるために、電極７およ
び８から注入されるキャリアは、Ｇａｔ−、Ａ〜Ａｓ活
性層３内に閉じ込められて、効率よくレーザ光８を発生
し、同時にＧａｔ−、Ａ文、Ａｓ活性層３の屈折率は、
Ｐ型Ｇａ１−！Ａｎ ！Ａｓクラッド層２およびＮ型Ｇ
ａ １−ｘＡ ｌ ！ Ａ ｓクラッド層４よりも高
くなるために、Ｇａ １− ｙＡ ｌ 、Ａ ｓ活性層
３内で強いピークをもつ光強度分布１０を示すことにな
る。
ａ １− ｙＡ ｌ 、Ａ ｓ活性層３について、通
常の場合、Ｐ型Ｇａｔ、Ａ文、Ａｓクラッド層２および
Ｎ型Ｇａ１−、 Ａｎ！Ａｓクラッド層４よりも、その
禁制帯幅が小さい材料で形成されるために、電極７およ
び８から注入されるキャリアは、Ｇａｔ−、Ａ〜Ａｓ活
性層３内に閉じ込められて、効率よくレーザ光８を発生
し、同時にＧａｔ−、Ａ文、Ａｓ活性層３の屈折率は、
Ｐ型Ｇａ１−！Ａｎ ！Ａｓクラッド層２およびＮ型Ｇ
ａ １−ｘＡ ｌ ！ Ａ ｓクラッド層４よりも高
くなるために、Ｇａ １− ｙＡ ｌ 、Ａ ｓ活性層
３内で強いピークをもつ光強度分布１０を示すことにな
る。
また一方で、前記した共振器端面１２に隣接する部分に
おいては、Ｇ、１□ＡｎｙＡｓ活性層３に接して、 Ｎ
型Ｇａ １− ｘＡ ｌ 、Ａ ｓクラッド層４よりも
、その禁制帯幅が小さくて、かつ屈折率が低くされたＮ
型ＧＧａ１−２Ａ ２Ａｓ光ガイド層（０≦ｙ≦２＜
り５が形成されており、こ〜ではＧａ１−、Ａ〜Ａｓ活
性層３がＮ型Ｇａ １゜Ａ４ＸＡｓクラッド層４に接し
ている部分に比較するとき、その光の閉じ込めか弱くな
って、裾の拡がった光強度分布１１を示すことになる。
おいては、Ｇ、１□ＡｎｙＡｓ活性層３に接して、 Ｎ
型Ｇａ １− ｘＡ ｌ 、Ａ ｓクラッド層４よりも
、その禁制帯幅が小さくて、かつ屈折率が低くされたＮ
型ＧＧａ１−２Ａ ２Ａｓ光ガイド層（０≦ｙ≦２＜
り５が形成されており、こ〜ではＧａ１−、Ａ〜Ａｓ活
性層３がＮ型Ｇａ １゜Ａ４ＸＡｓクラッド層４に接し
ている部分に比較するとき、その光の閉じ込めか弱くな
って、裾の拡がった光強度分布１１を示すことになる。
そしてこのために、共振器端面１２における活性層厚さ
方向のレーザビームスポット径が大きくなり、この共振
器端面１２から放射されるレーザ光８は、あまり回折現
象をおこさなくなって、その放射角を狭くし得るのであ
る。
方向のレーザビームスポット径が大きくなり、この共振
器端面１２から放射されるレーザ光８は、あまり回折現
象をおこさなくなって、その放射角を狭くし得るのであ
る。
前記したように、従来例によるレーザ光の放射角を狭く
した半導体レーザ装置においては、共振器端面１２に隣
接する部分で、Ｇａ１−ｙＡ文、Ａｓ活性層３と、同層
に接するＮｙ！１Ｇａ１−２Ａｎ、Ａｓ光ガイド層５と
の禁制帯幅の差（ｙ−ｚ）が小さいために、Ｇａ１−ｙ
Ａ〜Ａｓ活性層３内へのキャリアの閉じ込めが不充分に
なって、しきい値電波が増加するなどの問題点があり、
また、その製造に際しては、Ｇａ１−ｙＡ〜Ａｓ活性層
３を残して、同層と接するＮ型Ｇ ａ １− ｘＡ ｌ
、Ａ ｓクラッド層４を少くとも一部分はエツチング
除去する必要があるが、このエツチング除去が非常に困
難であって、除去し得たとしても、この除去によりＧａ
１□Ａ〜Ａｓ活性層３の上面が大気に曝されて酸化し
、素子特性に悪影響をもたらす惧れがある。
した半導体レーザ装置においては、共振器端面１２に隣
接する部分で、Ｇａ１−ｙＡ文、Ａｓ活性層３と、同層
に接するＮｙ！１Ｇａ１−２Ａｎ、Ａｓ光ガイド層５と
の禁制帯幅の差（ｙ−ｚ）が小さいために、Ｇａ１−ｙ
Ａ〜Ａｓ活性層３内へのキャリアの閉じ込めが不充分に
なって、しきい値電波が増加するなどの問題点があり、
また、その製造に際しては、Ｇａ１−ｙＡ〜Ａｓ活性層
３を残して、同層と接するＮ型Ｇ ａ １− ｘＡ ｌ
、Ａ ｓクラッド層４を少くとも一部分はエツチング
除去する必要があるが、このエツチング除去が非常に困
難であって、除去し得たとしても、この除去によりＧａ
１□Ａ〜Ａｓ活性層３の上面が大気に曝されて酸化し
、素子特性に悪影響をもたらす惧れがある。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたものであって、その目的とするところは、しき
い値電流を増加させずにレーザ光の放射角を狭くし得る
ようにし、併せて、高出力でも端面破壊を生じ難くした
。この種の半導体レーザ装置およびその製造方法を提供
することである。
なされたものであって、その目的とするところは、しき
い値電流を増加させずにレーザ光の放射角を狭くし得る
ようにし、併せて、高出力でも端面破壊を生じ難くした
。この種の半導体レーザ装置およびその製造方法を提供
することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体レー
ザ装置は、少なくとも一方の共振器端面に隣接する部分
で、当該部分以外よりも屈折率が高くなるように形成さ
れた一組の半導体層を、結晶基板上でのダブルヘテロ構
造をなす別の一組の半導体層の外側面に設けて構成した
ことを特徴としている。
ザ装置は、少なくとも一方の共振器端面に隣接する部分
で、当該部分以外よりも屈折率が高くなるように形成さ
れた一組の半導体層を、結晶基板上でのダブルヘテロ構
造をなす別の一組の半導体層の外側面に設けて構成した
ことを特徴としている。
すなわち、この発明においては、ダブルヘテロ構造によ
って活性層内にキャリアおよび光を十分に閉じ込めると
共に、一方で共振器端面に隣接する部分に、ダブルヘテ
ロ構造の外側面に屈折率の高い光ガイド層を有すること
から、同端面部での光の閉じ込めが弱くなって、活性層
と垂直な方向でのレーザ光のビームスポット径が大きく
なり、その結果として光密度が小さくされて、光学的な
端面破壊を阻止でき、かつこの端面から放射されるレー
ザ光の回折現象が抑制されて、その放射角を狭くし得る
のである。
って活性層内にキャリアおよび光を十分に閉じ込めると
共に、一方で共振器端面に隣接する部分に、ダブルヘテ
ロ構造の外側面に屈折率の高い光ガイド層を有すること
から、同端面部での光の閉じ込めが弱くなって、活性層
と垂直な方向でのレーザ光のビームスポット径が大きく
なり、その結果として光密度が小さくされて、光学的な
端面破壊を阻止でき、かつこの端面から放射されるレー
ザ光の回折現象が抑制されて、その放射角を狭くし得る
のである。
以下、この発明に係る半導体レーザ装置およびその製造
方法の各別の実施例につき、第１図ないし第５図を参照
して詳細に説明する。
方法の各別の実施例につき、第１図ないし第５図を参照
して詳細に説明する。
これらの第１図ないし第５図に示す各実施例において、
前記第６図従来例と同一符号は同一または相当部分を表
わしている。
前記第６図従来例と同一符号は同一または相当部分を表
わしている。
第１図はこの発明の第１実施例による半導体レーザ装置
の概要構成を示す断面図である。
の概要構成を示す断面図である。
この第１実施例装置では、前記した従来例構成において
、Ｎ型Ｇａ１−、 ＡＭ、Ａｓクラッド層４とＮ型Ｇａ
ＡｓコｙタクトＲ６間に、 Ｎ型Ｇａｔ−、Ａｎ 、Ａ
ｓ半導体層１３を形成させると共に、この半導体層１３
内の共振器端面１２に隣接する部分に対して、 Ｎ型Ｇ
ａ１−２Ａ！：Ｌ２Ａｓ光ガイド層５を形成させたもの
である。そして、このＮ型Ｇａ １−！Ａ ｉｘＡ ｓ
半導体層１３におけるＡ文組成比Ｘについては、従来例
構成でのＰ型Ｇａ１−、 Ａ文−Ｓクラッド層２および
Ｎ型Ｇａ１−！ＡＭ！Ａｓクラッド層４のそれと同一に
される。
、Ｎ型Ｇａ１−、 ＡＭ、Ａｓクラッド層４とＮ型Ｇａ
ＡｓコｙタクトＲ６間に、 Ｎ型Ｇａｔ−、Ａｎ 、Ａ
ｓ半導体層１３を形成させると共に、この半導体層１３
内の共振器端面１２に隣接する部分に対して、 Ｎ型Ｇ
ａ１−２Ａ！：Ｌ２Ａｓ光ガイド層５を形成させたもの
である。そして、このＮ型Ｇａ １−！Ａ ｉｘＡ ｓ
半導体層１３におけるＡ文組成比Ｘについては、従来例
構成でのＰ型Ｇａ１−、 Ａ文−Ｓクラッド層２および
Ｎ型Ｇａ１−！ＡＭ！Ａｓクラッド層４のそれと同一に
される。
しかして、この第１実施例による装置構成の場合、Ｐ型
Ｇａ１−！Ａｎ ！Ａｓクラッド層２およびＮ型Ｇａ
１−ｘＡ Ｊｌｊ 、Ａｓクラッド層４は、そのＡ１組
成比がＯ≦ｙ＜ｘの関係９例えばｘ＝０．３〜ｏ、６．
ｙ＝ｏ 〜０．２の関係にあって、ダブルヘテロ構造
を形成しており、従って、電極７および８からキャリア
を注入すれば、Ｇ ａ １−、 Ａ ｌ ｙ Ａ ｓ活
性層３内にキャリアが閉じ込められ、このキャリアの再
結合によって目的とするレーザ光の誘導放出がなされる
のである。
Ｇａ１−！Ａｎ ！Ａｓクラッド層２およびＮ型Ｇａ
１−ｘＡ Ｊｌｊ 、Ａｓクラッド層４は、そのＡ１組
成比がＯ≦ｙ＜ｘの関係９例えばｘ＝０．３〜ｏ、６．
ｙ＝ｏ 〜０．２の関係にあって、ダブルヘテロ構造
を形成しており、従って、電極７および８からキャリア
を注入すれば、Ｇ ａ １−、 Ａ ｌ ｙ Ａ ｓ活
性層３内にキャリアが閉じ込められ、このキャリアの再
結合によって目的とするレーザ光の誘導放出がなされる
のである。
そして、この際、前記Ｎ型Ｇａ Ｌ−、Ａ 文、Ａ Ｓ
クラッド層４を、例えば０．０１〜１．Ｏｐ、ｍ程度に
薄く形成しであるとき、このＮ型Ｇａ１−！Ａ文−Ｓク
ラッド層４がＮ型Ｇａｐ−、Ａ文、Ａｓ半導体層１３と
接している部分においては、Ｇａ１□Ａｌｌ、Ａｓ活性
層３が両面から充分に厚いクラッド層で挟まれることに
なるために、レーザ光がＧａｔ−、Ａ〜Ａｓ活性層３内
に効果的に閉じ込められた光強度分布１０の形態をとり
、かつまた、このＮ型Ｇａ１−、 ＡＩＬ 、Ａｓクラ
ッド層４が、例えば２＝Ｑ〜０．６（但しｙ≦ｚ＜ｘ）
のＮ型Ｇａ１−２Ａ文２ＡＳ光ガイド層５と接している
部分においては、Ｇａ、、 ＡＭ ｙＡｓ活性層３内の
レーザ光が、Ｎ型Ｇ ａ ｔ−ｚ Ａ ｌ。Ａｓ光ガイ
ド層５に洩れ出して光強度分布１１の形態をとる。
クラッド層４を、例えば０．０１〜１．Ｏｐ、ｍ程度に
薄く形成しであるとき、このＮ型Ｇａ１−！Ａ文−Ｓク
ラッド層４がＮ型Ｇａｐ−、Ａ文、Ａｓ半導体層１３と
接している部分においては、Ｇａ１□Ａｌｌ、Ａｓ活性
層３が両面から充分に厚いクラッド層で挟まれることに
なるために、レーザ光がＧａｔ−、Ａ〜Ａｓ活性層３内
に効果的に閉じ込められた光強度分布１０の形態をとり
、かつまた、このＮ型Ｇａ１−、 ＡＩＬ 、Ａｓクラ
ッド層４が、例えば２＝Ｑ〜０．６（但しｙ≦ｚ＜ｘ）
のＮ型Ｇａ１−２Ａ文２ＡＳ光ガイド層５と接している
部分においては、Ｇａ、、 ＡＭ ｙＡｓ活性層３内の
レーザ光が、Ｎ型Ｇ ａ ｔ−ｚ Ａ ｌ。Ａｓ光ガイ
ド層５に洩れ出して光強度分布１１の形態をとる。
すなわち、このようにして、共振器端面１２における活
性層３に垂直な方向のレーザビームスポット径が等測的
に大きくなると、同端面部での光密度が減少し、たとえ
高出力動作時にあっても、光学的な端面破壊を起し難く
、また、回折現象も受は難くなって、共振器端面１２か
ら放射されるレーザ光８の放射角を狭くし得られ、併せ
て、光ガイドＮ５が、共振器端面１２に隣接する部分に
のみ形成されているため、装置全体としての垂直横モー
ドが、光ガイド層５により高次モード化してしまうのを
容易に防止し得るのである。
性層３に垂直な方向のレーザビームスポット径が等測的
に大きくなると、同端面部での光密度が減少し、たとえ
高出力動作時にあっても、光学的な端面破壊を起し難く
、また、回折現象も受は難くなって、共振器端面１２か
ら放射されるレーザ光８の放射角を狭くし得られ、併せ
て、光ガイドＮ５が、共振器端面１２に隣接する部分に
のみ形成されているため、装置全体としての垂直横モー
ドが、光ガイド層５により高次モード化してしまうのを
容易に防止し得るのである。
また、前記第１実施例による装置構成においては、Ｎ型
Ｇａ１−２Ａ文２Ａｓ光ガイド層５を、共振器端面１２
に隣接する部分にのみ形成させるようにしているが、第
２図に示す第２実施例のように、このＮ型Ｇ ａ １−
ｚ Ａｎ ｚ Ａ ｓ光ガイドＮ５をして、 Ｎ型Ｇａ
１−！ＡＭ！Ａｓクラッド層４． Ｎ型ＧＢ ｔ−、Ａ
ｌ 、Ａ ｓ半導体層１３間の全面に亘って厚さを薄
く、かつ共振器端面１２に隣接する部分で厚さを厚くし
た状態に形成させても、同様な作用、効果を得ることが
できる。
Ｇａ１−２Ａ文２Ａｓ光ガイド層５を、共振器端面１２
に隣接する部分にのみ形成させるようにしているが、第
２図に示す第２実施例のように、このＮ型Ｇ ａ １−
ｚ Ａｎ ｚ Ａ ｓ光ガイドＮ５をして、 Ｎ型Ｇａ
１−！ＡＭ！Ａｓクラッド層４． Ｎ型ＧＢ ｔ−、Ａ
ｌ 、Ａ ｓ半導体層１３間の全面に亘って厚さを薄
く、かつ共振器端面１２に隣接する部分で厚さを厚くし
た状態に形成させても、同様な作用、効果を得ることが
できる。
さらに、第３図は第３実施例による装置構成であって、
同図中、符号１ａはＮ型ＧａＡｓ結晶基板、８ａはＰ型
ＧａＡｓコンタクト層、１４は端面部エツチング溝をそ
れぞれに示しており、この第３実施例での構成のように
、Ｇａｘ−、Ａ〜Ａｓ活性層３側から見て、 Ｎ型Ｇａ
１−２Ａ文２Ａｓ光ガイド層５をＮ型ＧａＡｓ結晶基板
ｌａ側に形成させるようにしても、同様な作用、効果を
得ることができる。
同図中、符号１ａはＮ型ＧａＡｓ結晶基板、８ａはＰ型
ＧａＡｓコンタクト層、１４は端面部エツチング溝をそ
れぞれに示しており、この第３実施例での構成のように
、Ｇａｘ−、Ａ〜Ａｓ活性層３側から見て、 Ｎ型Ｇａ
１−２Ａ文２Ａｓ光ガイド層５をＮ型ＧａＡｓ結晶基板
ｌａ側に形成させるようにしても、同様な作用、効果を
得ることができる。
次に、第４図（ａ）ないしくｆ）は前記第１実施例によ
る半導体レーザ装置の製造工程を順次に示すそれぞれ斜
視図である。
る半導体レーザ装置の製造工程を順次に示すそれぞれ斜
視図である。
すなわち、まず、Ｐ型ＧａＡｓ結晶基板１上にあって、
Ｎ型（ｉａＡｓ電流ブロック層１５を形成した後（同
図（ａ）） 、このＮ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５の
選択された一部を、ストライプ状にエツチング除去して
ストライプ溝１６を形成する（同図（ｂ））。
Ｎ型（ｉａＡｓ電流ブロック層１５を形成した後（同
図（ａ）） 、このＮ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５の
選択された一部を、ストライプ状にエツチング除去して
ストライプ溝１６を形成する（同図（ｂ））。
ついで、その上にＰ型Ｇ ａ １−ｘ Ａ ｌ ！ Ａ
ｓクラッド層２． Ｇａ Ｌｉ Ａｓ活性層３．
Ｎ型Ｇａ１−、 Ａｌｌ 、Ａｓｔ−ｙ ｙ クラッド層４．およびＮ型Ｇ ａ ｔ−２Ａ ｌ ｚ
Ａ ｓ光ガイド層５を順次に形成する（同図（Ｃ））。
ｓクラッド層２． Ｇａ Ｌｉ Ａｓ活性層３．
Ｎ型Ｇａ１−、 Ａｌｌ 、Ａｓｔ−ｙ ｙ クラッド層４．およびＮ型Ｇ ａ ｔ−２Ａ ｌ ｚ
Ａ ｓ光ガイド層５を順次に形成する（同図（Ｃ））。
但し、この場合、０≦ｙ≦ｚ＜ｘである。
そして、前記Ｎ型Ｇａｔ−２Ａ立２Ａｓ光ガイド層５に
ついでは、前記ストライブ溝１６に直交する方向に、こ
れを選択的かつ部分的に残した状態で、残余の部分を、
前記Ｎ型Ｇａｔ□Ａ見ＸＡｓクラッド層４が露出するま
でエツチング除去して、光ガイド層除去溝１７を形成す
る（同図（ｄ））のであるが、この際、Ｎ型Ｇａ１−２
ＡＪＬ２Ａｓ光ガイド層５は、 Ａ１組成比において、
Ｎ型Ｇａ１−ｘＡ文！Ａｓクラッド層４とｚ ＜ ｘの
関係にあるため、例えばアンモニア過酸化水素系のエツ
チング液などを用いて、所要の光ガイド層部分のみを制
御性よく選択的にエツチング除去できる。
ついでは、前記ストライブ溝１６に直交する方向に、こ
れを選択的かつ部分的に残した状態で、残余の部分を、
前記Ｎ型Ｇａｔ□Ａ見ＸＡｓクラッド層４が露出するま
でエツチング除去して、光ガイド層除去溝１７を形成す
る（同図（ｄ））のであるが、この際、Ｎ型Ｇａ１−２
ＡＪＬ２Ａｓ光ガイド層５は、 Ａ１組成比において、
Ｎ型Ｇａ１−ｘＡ文！Ａｓクラッド層４とｚ ＜ ｘの
関係にあるため、例えばアンモニア過酸化水素系のエツ
チング液などを用いて、所要の光ガイド層部分のみを制
御性よく選択的にエツチング除去できる。
続いて、これらの上にＮ型Ｇａ１−ｘＡ文、Ａｓ半導体
層１３．およびＮ型ＧａＡｓコンタクト層６を順次に形
成した上で、さらに電極７および８をそれぞれに形成し
く同図（ｅ））、最後に、へき量線１８に沿いへき関し
、かつチップ分離線１８に沿いチップ分離して、所期の
、こ＼では第１実施例に対応する半導体レーザ装置を得
るのである（同図（ｆ））。
層１３．およびＮ型ＧａＡｓコンタクト層６を順次に形
成した上で、さらに電極７および８をそれぞれに形成し
く同図（ｅ））、最後に、へき量線１８に沿いへき関し
、かつチップ分離線１８に沿いチップ分離して、所期の
、こ＼では第１実施例に対応する半導体レーザ装置を得
るのである（同図（ｆ））。
また次に、第５図（ａ）ないしくｅ）は前記第３実施例
による半導体レーザ装置の製造工程を順次に示すそれぞ
れ斜視図である。
による半導体レーザ装置の製造工程を順次に示すそれぞ
れ斜視図である。
すなわち、まず、Ｎ型ＧａＡｓ結晶基板ｌａ上にあって
、ストライブ状の基板端面部エツチング溝１４を形成し
た後（同図（ａ））、Ｎ型Ｇａ ｔ −、Ａ ｌ ｘＡ
ｓ半導体層１３を、開溝１４対応部が平坦にならない
程度で形成し、ついで、Ｎ型Ｇａ１−２Ａｎ ２Ａｓ光
ガイド層５を、前記溝１４対応部が平坦になるように形
成した上で、その上にＮ型Ｇａ１−、 ＡｆＬ 、Ａｓ
クラッド層４ 、Ｇ ａ １−ｙ Ａ ｌ ｙ Ａ ｓ
活性層２．Ｐ型Ｇａ１−！Ａ文−Ｓクラッド層２．およ
びＮ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５を順次に形成する（
同図（ｂ））。
、ストライブ状の基板端面部エツチング溝１４を形成し
た後（同図（ａ））、Ｎ型Ｇａ ｔ −、Ａ ｌ ｘＡ
ｓ半導体層１３を、開溝１４対応部が平坦にならない
程度で形成し、ついで、Ｎ型Ｇａ１−２Ａｎ ２Ａｓ光
ガイド層５を、前記溝１４対応部が平坦になるように形
成した上で、その上にＮ型Ｇａ１−、 ＡｆＬ 、Ａｓ
クラッド層４ 、Ｇ ａ １−ｙ Ａ ｌ ｙ Ａ ｓ
活性層２．Ｐ型Ｇａ１−！Ａ文−Ｓクラッド層２．およ
びＮ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５を順次に形成する（
同図（ｂ））。
続いて、前記Ｈ型ＧａＡｓ電流ブロック層１５上にあつ
て、前記基板端面部エツチング溝１４と直交する方向に
、ストライブ状のエツチングを施すことにより、前記Ｐ
９ Ｇａｔ−、Ａ見、Ａｓクラッド層２の一部を露出さ
せて、活性ストライプ溝１６を形成する（同図（Ｃ））
。
て、前記基板端面部エツチング溝１４と直交する方向に
、ストライブ状のエツチングを施すことにより、前記Ｐ
９ Ｇａｔ−、Ａ見、Ａｓクラッド層２の一部を露出さ
せて、活性ストライプ溝１６を形成する（同図（Ｃ））
。
ついで、その上にＰ型Ｇａ１−！Ａ又−８半導体層２０
、Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８ａ、それに電極？および
８をそれぞれに形成しく同図（ｄ））、最後に、へき量
線１８に沿いへき関し、かつチップ分離線１８に沿いチ
ップ分離して、所期の、こへでは第３実施例に対応する
半導体レーザ装置を得るのである（同図（ｅ））。
、Ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８ａ、それに電極？および
８をそれぞれに形成しく同図（ｄ））、最後に、へき量
線１８に沿いへき関し、かつチップ分離線１８に沿いチ
ップ分離して、所期の、こへでは第３実施例に対応する
半導体レーザ装置を得るのである（同図（ｅ））。
しかして、これらの各実施例方法によって得た半導体レ
ーザ装置では、光ガイド層を両側共振器端面に隣接する
部分に形成させているが、これを片側にのみ形成させた
場合と同様な作用、効果が得られる。また、こｋでは、
光ガイド層を共振器端面に隣接する部分で、ＰＮ接合と
平行な方向の全域に亘って形成させているが、活性スト
ライブ溝の近傍にのみ形成させてもよく、さらには、こ
れらの各実施例構成以外にも、ストライプ構造をもつ、
あるいはもたない半導体レーザ装置に対して適用できる
ことは勿論である。
ーザ装置では、光ガイド層を両側共振器端面に隣接する
部分に形成させているが、これを片側にのみ形成させた
場合と同様な作用、効果が得られる。また、こｋでは、
光ガイド層を共振器端面に隣接する部分で、ＰＮ接合と
平行な方向の全域に亘って形成させているが、活性スト
ライブ溝の近傍にのみ形成させてもよく、さらには、こ
れらの各実施例構成以外にも、ストライプ構造をもつ、
あるいはもたない半導体レーザ装置に対して適用できる
ことは勿論である。
以上詳述したように、この発明によれば、少なくとも一
方の共振器端面に隣接する部分で、当該部分以外よりも
屈折率が高くなるように形成された一組の半導体層を、
結晶基板上でのダブルヘテロ構造をなす別の一組の半導
体層の外側面に設けて構成したので、しきい値電流を増
加させずに、かつ垂直横モードを高次モード化させずに
、光放射角が狭くて、しかも高出力動作時にも端面破壊
を生じ難い半導体レーザ装置を、極めて容易に得ること
ができるものである。
方の共振器端面に隣接する部分で、当該部分以外よりも
屈折率が高くなるように形成された一組の半導体層を、
結晶基板上でのダブルヘテロ構造をなす別の一組の半導
体層の外側面に設けて構成したので、しきい値電流を増
加させずに、かつ垂直横モードを高次モード化させずに
、光放射角が狭くて、しかも高出力動作時にも端面破壊
を生じ難い半導体レーザ装置を、極めて容易に得ること
ができるものである。
第１図、第２図、および第３図はこの発明に係る半導体
レーザ装置の第１．第２．および第３の各実施例による
概要構成をそれぞれに示す縦断側面図、第４図（ａ）な
いしくｆ）、および第５図（ａ）ないしくｅ）は第１．
および第３の各実施例構成での製造方法を工程順に示す
それぞれ斜視図であり、また第６図は従来例による同上
装置の概要構成を示す縦断側面図である。 １・・・・Ｐ型ＧａＡｓ結晶基板、１ａ・・・・Ｎ型Ｇ
ａＡｓ結晶基板。 ２−・−Ｐ型Ｇａ１−ｘＡ文！Ａｓクラッド層。 ３ ” 印ＧＢ ｔ □Ａ ｎ ｙ Ａ ｓ活性層。 ４−−−− Ｎ型Ｇａ ｔ −、Ａ ｌ ｘＡ ｓクラ
ッド層。 ５−−−− Ｎ型Ｇａｌ−２ＡＪＩＬ ２Ａｓ光ガイド
層。 １３・印Ｐ型Ｇ１１１− ｘＡ ｌ ｘＡ ｓ半導体層
。 ２０−−−− Ｎ型Ｇ ａ ｔ−ｘ Ａ ｌ ｘ Ａ
ｓ半導体層。 １２・・・・共振器端面、１４・・・・基板端面部エツ
チング溝、１Ｂ・・・・活性ストライブ溝、１７・・・
・光ガイド層除去溝。 代理人 大 岩 増 雄 −（へ）のく りへ 手続補正書（匍剃
レーザ装置の第１．第２．および第３の各実施例による
概要構成をそれぞれに示す縦断側面図、第４図（ａ）な
いしくｆ）、および第５図（ａ）ないしくｅ）は第１．
および第３の各実施例構成での製造方法を工程順に示す
それぞれ斜視図であり、また第６図は従来例による同上
装置の概要構成を示す縦断側面図である。 １・・・・Ｐ型ＧａＡｓ結晶基板、１ａ・・・・Ｎ型Ｇ
ａＡｓ結晶基板。 ２−・−Ｐ型Ｇａ１−ｘＡ文！Ａｓクラッド層。 ３ ” 印ＧＢ ｔ □Ａ ｎ ｙ Ａ ｓ活性層。 ４−−−− Ｎ型Ｇａ ｔ −、Ａ ｌ ｘＡ ｓクラ
ッド層。 ５−−−− Ｎ型Ｇａｌ−２ＡＪＩＬ ２Ａｓ光ガイド
層。 １３・印Ｐ型Ｇ１１１− ｘＡ ｌ ｘＡ ｓ半導体層
。 ２０−−−− Ｎ型Ｇ ａ ｔ−ｘ Ａ ｌ ｘ Ａ
ｓ半導体層。 １２・・・・共振器端面、１４・・・・基板端面部エツ
チング溝、１Ｂ・・・・活性ストライブ溝、１７・・・
・光ガイド層除去溝。 代理人 大 岩 増 雄 −（へ）のく りへ 手続補正書（匍剃
Claims (3)
- （１）少なくとも一方の共振器端面に隣接する部分で、
当該部分以外よりも屈折率が高くなるように形成された
一組の半導体層を、ダブルヘテロ構造をなす別の一組の
半導体層の外側面に設けて構成したことを特徴とする半
導体レーザ装置。 - （２）結晶基板上にあつて、第１導電形のクラッド層、
活性層、第２導電形のクラッド層、および光ガイド層を
順次に形成する工程と、前記光ガイド層の少なくとも一
方の共振器端面に隣接する部分以外を、選択エッチング
により除去した上で、この除去部分に光ガイド層よりも
屈折率の低い第２導電形の半導体層を形成する工程とを
含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - （３）結晶基板上にあつて、少なくとも一方の共振器端
面に隣接する部分にエッチング溝を掘り込む工程と、同
基板上にエッチング溝形状を失わずに第１導電形の半導
体層を形成する工程と、この第１導電形の半導体層上に
、エッチング溝を埋めて同層よりも屈折率の高い光ガイ
ド層を形成する工程と、この光ガイド層上に、第１導電
形のクラッド層、活性層、第２導電形のクラッド層を順
次に形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レー
ザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24580686A JPS6399588A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24580686A JPS6399588A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399588A true JPS6399588A (ja) | 1988-04-30 |
| JPH054832B2 JPH054832B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=17139117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24580686A Granted JPS6399588A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6399588A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3924197A1 (de) * | 1988-07-22 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaser |
| JP2017033990A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24580686A patent/JPS6399588A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3924197A1 (de) * | 1988-07-22 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaser |
| DE3924197C2 (de) * | 1988-07-22 | 1996-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaser |
| JP2017033990A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054832B2 (ja) | 1993-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20110013659A1 (en) | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
| EP0486128A2 (en) | A semiconductor optical device and a fabricating method therefor | |
| KR100773677B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR970024411A (ko) | 반도체 레이저의 제조방법 및 반도체 레이저(semiconductor laser and method of fabricating semiconductor laser) | |
| KR100421224B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 분리 방법 | |
| EP0178912B1 (en) | A semiconductor laser | |
| KR100682426B1 (ko) | 반도체 레이저장치 | |
| JPH054832B2 (ja) | ||
| JP3505913B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH0474876B2 (ja) | ||
| JPH06260715A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPS589592B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPS6119186A (ja) | 二波長モノリシツク半導体レ−ザアレイの製造方法 | |
| JPS61168983A (ja) | 高出力半導体レ−ザ | |
| JP2018195749A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3797735B2 (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| KR100718123B1 (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPS63120490A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6237838B2 (ja) | ||
| JP2550711B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0666512B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPWO2019138635A1 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH07122813A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH039592A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| KR950012892A (ko) | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |