JPH0548344U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0548344U
JPH0548344U JP10650591U JP10650591U JPH0548344U JP H0548344 U JPH0548344 U JP H0548344U JP 10650591 U JP10650591 U JP 10650591U JP 10650591 U JP10650591 U JP 10650591U JP H0548344 U JPH0548344 U JP H0548344U
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JP
Japan
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electrode
wiring board
semiconductor pellet
frame
semiconductor
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Application number
JP10650591U
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English (en)
Inventor
浩太郎 林
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Nippon Chemi Con Corp
Original Assignee
Nippon Chemi Con Corp
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 封止材と配線基板との境面に外部から侵入し
てくる水分が半導体ペレットの電極に到達して半導体ペ
レットの電極を浸食するまでの侵入経路を拡張して、実
用上差支えない程度に寿命を長持ちさせた半導体装置を
提供する。 【構成】 配線基板１の表面に半導体ペレット４を配置
し該半導体ペレット４の電極７を前記配線基板１の表面
の電極８に接続し、前記配線基板１の表面の電極８と前
記配線基板１の裏面の電極10とをスルホール９で電気的
に接続し、前記配線基板１の表面の電極８の外側に前記
半導体ペレット４の周囲を囲む枠状の溝部21、22を設
け、前記半導体ペレット４を封止材５にて被覆して前記
枠状の溝部22の外縁に囲まれた封止材溜を形成した。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この考案は、樹脂、金属、セラミック等の配線基板上に半導体ペレットを直付 けする構造の半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、この種の半導体装置としては、例えば図２に示すように樹脂、金属、 セラミック等の配線基板11上に半導体ペレット４を直接接着して搭載し、半導体 ペレット４の電極17と配線基板11上の電極18とをワイヤーボンディングする。６ は樹脂、金属、セラミック等で形成した枠状のダムで配線基板11上に接着剤によ り固着され、ワイヤーボンディングによる接続部（半導体ペレット４の電極17と 配線基板11上の電極18）の周囲に略均一の高さで配置される。このダム６は接着 剤を硬化させて形成することもできる。そして、半導体ペレット４とワイヤーボ ンディングによる接続部（半導体ペレット４の電極17と配線基板11上の電極18） に熱可塑性（又は熱硬化性、紫外線硬化性等）の封止材15を塗布する。このとき ダム６は封止材15の流れを防止し、温度の低下（又は加熱、紫外線の照射等）に より硬化する封止材15が半導体ペレット４とワイヤーボンディングによる接続部 を被覆して枠状のダム６に囲まれた封止材溜を形成する。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、従来の半導体装置では、半導体ペレット４とワイヤーボンディング による接続部（半導体ペレット４の電極17と配線基板11上の電極18）を封止材15 にて被覆して半導体ペレット４が外部の影響を受けないように保護しているが、 封止材15と配線基板11との境面16では、非常にゆっくりではあるが外部から水分 が侵入して半導体ペレット４の電極17を浸食して電極17の周囲に絶縁層を形成し 、配線基板11上の電極18との電気的接続が断線してしまうことがある。
【０００４】 そこで、この考案は封止材と配線基板との境面に外部から侵入してくる水分が 半導体ペレットの電極に到達して半導体ペレットの電極を浸食するまでの侵入経 路を拡張して、実用上差支えない程度に寿命を長持ちさせた半導体装置を提供す ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本考案では、配線基板の表面に半導体ペレットを配置し該半導体ペレットの電 極を前記配線基板表面の電極に接続し、前記配線基板の表面の電極と前記配線基 板の裏面の電極とをスルホールで電気的に接続し、前記配線基板の表面の電極の 外側に前記半導体ペレットの周囲を囲む枠状の溝部を設け、前記半導体ペレット を封止材にて被覆して前記枠状の溝部の外縁に囲まれた封止材溜を形成して半導 体装置を構成した。
【０００６】
【作用】
本考案の半導体装置では、半導体ペレットの周囲を枠状の溝部で囲んだので、 封止材と配線基板との境面に外部から侵入してくる水分が半導体ペレットの電極 に到達するまでの水分の侵入経路が拡張される。また、半導体ペレットの電極と 接続される配線基板の電極は、スルホールで裏面の電極と電気的に接続している ので、配線基板に枠状の溝部を設けても溝部が電極の配線に影響することはない 。
【０００７】
【実施例】
以下本考案の実施例を図面に従って説明する。図１の（ａ）は本考案の半導体 装置の縦断面図、図１の（ｂ）は（ａ）に使用される配線基板の概略の構造を示 す上面図である。
【０００８】 図１（ｂ）に示すように配線基板１の表面には四角い半導体ペレット４の各辺 を略平行に囲む枠状の溝部21が設けられ、さらに、その外側にも枠状の溝部21よ り一回り大きい枠状の溝部22が付設されている。図１（ａ）に示すように樹脂、 金属、セラミック等の配線基板１の表面には、枠状の溝部21の囲みの内側に半導 体ペレット４を直接接着して搭載する。半導体ペレット４の電極７は、配線基板 １の表面に設けた電極８とワイヤーボンディングして接続する。９はスルホール で、配線基板１の表面に設けた枠状の溝部21、溝部22が電極８の配線位置に影響 しないように、配線基板１の表面の電極８と配線基板１の裏面に設けた電極10と を電気的に接続する。そして、半導体ペレット４とワイヤーボンディングによる 接続部（半導体ペレット４の電極17と配線基板11上の電極18）に温めて溶解させ た封止材15を塗布する。このとき枠状の溝部22は封止材５の流れを防止し、温度 の低下とともに硬化する封止材５が半導体ペレット４とワイヤーボンディングに よる接続部を被覆して枠状の溝部22の外縁に囲まれた封止材溜を形成する。図１ では、封止材５の流れを防止する枠状の溝部を大きさの異なる複数の溝部（実施 例では二重構造の溝部）として説明したが、封止材５の流れを防止する枠状の溝 部は１つでもよいことは明らかである。
【０００９】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案の半導体装置では、半導体ペレットの周囲を枠状 の溝部で囲んだので、封止材と配線基板との境面に外部から侵入してくる水分が 半導体ペレットの電極に到達するまでの水分の侵入経路が拡張されるから、封止 材と配線基板との境面に外部から侵入してくる水分が半導体ペレットの電極を浸 食するのに時間がかかり半導体装置の寿命が長持ちする。また、半導体ペレット の電極と接続される配線基板の表面の電極は、スルホールで配線基板の裏面の電 極と電気的に接続しているので、配線基板の表面に枠状の溝部を設けても溝部は 電極の配線に影響しない等優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例を示し、図１の（ａ）は本考
案の縦断面図、図１の（ｂ）は（ａ）に使用される配線
基板の概略の構造を示す上面図である。
【図２】従来例の縦断面図である。
【符号の説明】
１ 配線基板 ４ 半導体ペレット ５ 封止材 ６ 境面 ７ 半導体ペレットの電極 ８ 配線基板の表面の電極 ９ スルホール 10 配線基板の裏面の電極 21 溝部 22 溝部

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 配線基板の表面に半導体ペレットを配置
    し該半導体ペレットの電極を前記配線基板表面の電極に
    接続し、前記配線基板の表面の電極と前記配線基板の裏
    面の電極とをスルホールで電気的に接続し、前記配線基
    板の表面の電極の外側に前記半導体ペレットの周囲を囲
    む枠状の溝部を設け、前記半導体ペレットを封止材にて
    被覆して前記枠状の溝部の外縁に囲まれた封止材溜を形
    成したことを特徴とする半導体装置。
JP10650591U 1991-11-29 1991-11-29 半導体装置 Pending JPH0548344U (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004312570A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Seiko Precision Inc 固体撮像装置
JP2010103420A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Nec Tokin Corp 固体電解コンデンサ
JP2013225583A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池の製造方法
JP2014001969A (ja) * 2012-06-15 2014-01-09 Hitachi Automotive Systems Ltd 熱式流量計

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