JPH0548356U - 絶縁物封止半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 絶縁物封止半導体装置の外部リード間に大き
な沿面距離を確保する。 【構成】 第１と第２の外部リード３と４の間及び第１
と第３の外部リード３と５の間には、樹脂体８の形状変
更による凸部１２が設けられ、十分な大きさの沿面距離
を外部リード間に確保することができる。また、凸部１
２とこれに隣合う第１、第２及び第３の外部リード３，
４，５の幅広部との間隔は全てほぼ等しいので、樹脂体
８を容易に成形することができる。外部リード３は放熱
板から延びている。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、高耐圧半導体装置に適した絶縁物封止形状を有する絶縁物封止半導 体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

図３〜図６は従来の樹脂モールド形パワートランジスタの１例を示し、図３は モールドされた樹脂体のない状態の平面図、図４は図３のＡ−Ａ線に沿う断面図 、図５はモールドされた樹脂体のある状態の平面図、図６は図５のＡ−Ａ線断面 図である。

【０００３】 裏面をコレクタ電極とするトランジスタチップ（１）は、放熱板（２）の上に 固着され、コレクタリードとなる外部リード（３）は放熱板（２）から延びてい る。外部リード（３）と並列配置された外部リード（４)（５）はそれぞれベー スリードとエミッタリードであり、トランジスタチップ（１）の表面のベース電 極又はエミッタ電極との間はそれぞれ内部リード線（６）（７）で接続されてい る。トランジスタチップ（１）は絶縁物としての樹脂体（８）でモールド（封止 ）され、外部リード（３）（４）（５）は樹脂体（８）から一平面上に並列して 導出されている。図３と図４の破線は樹脂体（８）の外形を示す。外部リード（ ３）（４）（５）は樹脂体（８）からの導出側が幅広部（３a）（４a）（５a） となり、そこから先端側が幅狭部（３b）（４b）（５b）となっている。幅広部 （３a）（４a）（５a）は、外部リードに外力が加えられたとき樹脂体（８）か らの導出部近傍で外部リードが変形し難いように補強するためのものである。幅 広部（３a）（４a）（５a）は、各幅狭部（３b）（４b）（５b）を樹脂体（８） まで延長した部分の両側に張出した形状である。実質的に外部への接続端子とし て使用するため、幅狭部（３b）（４b）（５b）は、かなり幅を狭くして必要な 柔軟性が付与される。外部リード（４）（５）の放熱板（２）に隣接する部分は 、内部リード線（６）（７）を接続する端子部（４c）（５c）となる。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、高耐圧のトランジスタチップ（１）を使用したとき、外部リード（ ３）と（４）の間及び外部リード（３）と（５）の間の樹脂体（８）の表面に沿 っての最短距離、いわゆる外部リード間の沿面距離ｌが問題となる。即ち、高圧 が印加されると外部リード間の樹脂体表面を電流通路とする耐圧不良が起きやす いので、例えば耐圧４００Ｖ以上の製品では外部リード間の沿面距離ｌを２mm以 上は取りたいところである。 しかし、外部リードの幅広部の幅Ｗは、補強部と しての効果を持たせるために小さくするにも限度がある。また、半導体装置の小 形化の要求に対して樹脂体（８）の幅をできるだけ小さくする必要性があり、し かも、外部リードの間隔ｐは、規格上標準的な値であるから、外部リードの間隔 ｐを大きくするにも限度がある。このため、特に小形の樹脂モールド形パワート ランジスタでは、外部リード間の沿面距離ｌが不足して、悪条件下の使用では樹 脂体（８）の表面において耐圧不良を引き起こす恐れがあった。

【０００５】 本考案は上記従来の欠点を解消するため、外部リード間の沿面距離を大きく取 れる絶縁物封止半導体装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

本考案による絶縁物封止半導体装置では、半導体素子の裏面が放熱板の一方の 主面に固着され、第１、第２及び第３の外部リードが第１の外部リードを中心に して並列配置されている。第１の外部リードの一端は放熱板に連結され、第２と 第３の外部リードの一端はそれぞれリード線接続用端子部となって放熱板に隣接 している。第２と第３の外部リードのリード線接続用端子部と半導体素子の表面 はそれぞれ内部リード線で接続される。少なくとも半導体素子と第１、第２及び 第３の外部リードの一端と内部リード線とは絶縁物によって封止されている。

【０００７】 第１、第２及び第３の外部リードは絶縁物からの導出側が幅広部、幅広部から 先端側が幅狭部となっている。第１の外部リードの幅広部は第１の外部リードの 幅狭部を絶縁物まで延長した部分の両側に張出す。第２及び第３の外部リードの 幅広部は、それぞれ第２及び第３の外部リードの幅狭部を絶縁部まで延長した部 分の第１の外部リードに対面する側と反対側にのみ張出す。第２及び第３の外部 リードの第１の外部リードに対面する側は絶縁物から先端側まで直線的に延びて いる。第１、第２及び第３の外部リードは、放熱板の一方の主面よりも放熱板の 他方の主面から離間した位置において絶縁物から導出されている。第１の外部リ ードと第２の外部リードとの間及び第１の外部リードと第３の外部リードとの間 に、第１、第２及び第３の外部リードの導出方向に絶縁物から凸部が突出する。 凸部とこれに隣合う第１、第２及び第３の外部リードの幅広部との間隔は全てほ ぼ等しい。

【０００８】

【作用】

第１の外部リードと第２の外部リードとの間及び第１の外部リードと第３の外 部リードとの間に、絶縁物から凸部が突出するので、十分な大きさの沿面距離を 外部リード間に確保することができる。また、凸部とこれに隣合う第１、第２及 び第３の外部リードの幅広部との間隔は全てほぼ等しいので、絶縁物を容易に成 形することができる。

【０００９】

【実施例】

以下、樹脂モールド形パワートランジスタに適用した本考案による絶縁物封止 半導体装置の実施例を図１及び図２について説明する。図１及び図２では図３〜 図６に示す箇所と同一の部分には同一符号を付し、説明を省略する。

【００１０】 中央に位置する第１の外部リード（３）の幅広部（３a）は、幅狭部（３b）を 樹脂体（８）まで延長した部分の両側に張出している。上側に位置する第２の外 部リード（４）の幅広部（４a）は、幅狭部（４b）を樹脂体（８）まで延長した 部分の上側（第１の外部リード（３）に対面する側とは反対側）にのみ張出し、 外部リード（４）の下側面は樹脂体（８）から先端まで直線的に延びている。下 側に位置する第３の外部リード（５）は、第２の外部リード（４）と同一形状で ある。

【００１１】 第１と第２の外部リード（３）と（４）の間及び第１と第３の外部リード（３ ）と（５）の間には、樹脂体（８）の形状変更による凸部（１０）が設けられる 。凸部（１０）とこれに隣合う第１、第２及び第３の外部リード（３）（４）（ ５）の幅広部（３a）（４a）（５a）との間隔は全てほぼ等しい。

【００１２】 第１の外部リード（３）と第２の外部リード（４）との間及び第１の外部リー ド（３）と第３の外部リード（５）との間に、樹脂体（８）から凸部（１０）が 突出するので、十分な大きさの沿面距離ｌを外部リード間に確保することができ る。また、凸部（１０）とこれに隣合う第１、第２及び第３の外部リード（３） （４）（５）の幅広部（３a）（４a）（５a）との間隔は全てほぼ等しいので、 樹脂体（８）を形成する際の金型からの離型が容易となり、樹脂体（８）を容易 に成形することができる。

【００１３】 この実施例によれば、外部リード（４）（５）の幅広部（４a）（５a）の形状 を直線状の外部リードと見なせる範囲で変更したことによっても、直線状の外部 リードのもつ取扱いの容易さを損なうことなく外部リード間の沿面距離ｌが大き く取られている。１例として、外部リードの間隔ｐが２.４５mm、外部リードの 幅広部の幅Ｗが１.４mm、外部リードの幅狭部の幅が０.７mm、凸部（１０）の長 さを０.６mmとすると、外部リード間の沿面距離ｌは２.０９mm（外部リード（４ ）（５）の形状の変更がないときは１.７４mm）となる。同じ条件で従来構造で あれば、ｌは１.１４mmである。

【００１４】 以上、実施例について説明したように、本考案によれば外部リード間の沿面距 離を大きくして、絶縁物封止半導体装置の高耐圧化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る絶縁封止半導体装置の平面図

【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図

【図３】封止樹脂体のない従来の絶縁物封止半導体装置
の平面図

【図４】図３のＡ−Ａ線に沿う断面図

【図５】封止樹脂体を有する従来の絶縁物封止半導体装
置の平面図

【図６】図５のＡ−Ａ線に沿う断面図

【符号の説明】

１．．．パワートランジスタチップ（半導体素子）、
２．．．放熱板、 ３、４、５．．．外部リード、 ３
ａ、４ａ、５ａ．．．外部リードの幅広部、３ｂ、４
ｂ、５ｂ．．．外部リードの幅狭部、 ４ｃ、５
ｃ．．．外部リードの内側リード線用端子部、 ６、
７．．．内部リード線、８．．．樹脂体（絶縁物）、
９．．．連結部材残存部、 １０．．．樹脂体の凸部

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子の裏面が放熱板の一方の主面
   に固着され、第１、第２及び第３の外部リードが第１の
   外部リードを中心にして並列配置され、前記第１の外部
   リードの一端は前記放熱板に連結され、前記第２と第３
   の外部リードの一端はそれぞれリード線接続用端子部と
   なって前記放熱板に隣接し、前記第２と第３の外部リー
   ドの前記リード線接続用端子部と前記半導体素子の表面
   はそれぞれ内部リード線で接続され、少なくとも前記半
   導体素子と前記第１、第２及び第３の外部リードの前記
   一端と前記内部リード線とが絶縁物によって封止されて
   いる絶縁物封止半導体装置において、 前記第１、第２及び第３の外部リードは前記絶縁物から
   の導出側が幅広部、前記幅広部から先端側が幅狭部とな
   り、 前記第１の外部リードの幅広部は前記第１の外部リード
   の幅狭部を前記絶縁物まで延長した部分の両側に張出
   し、 前記第２及び第３の外部リードの幅広部は、それぞれ前
   記第２及び第３の外部リードの幅狭部を前記絶縁部まで
   延長した部分の前記第１の外部リードに対面する側と反
   対側にのみ張出し、 前記第２及び第３の外部リードの前記第１の外部リード
   に対面する側は前記絶縁物から前記先端側まで直線的に
   延びた形状とし、 前記第１、第２及び第３の外部リードは、前記放熱板の
   一方の主面よりも前記放熱板の他方の主面から離間した
   位置において前記絶縁物から導出され、 前記第１の外部リードと前記第２の外部リードとの間及
   び前記第１の外部リードと前記第３の外部リードとの間
   に、前記第１、第２及び第３の外部リードの導出方向に
   前記絶縁物から凸部が突出し、 前記凸部とこれに隣合う前記第１、第２及び第３の外部
   リードの幅広部との間隔は全てほぼ等しいことを特徴と
   する絶縁物封止半導体装置。