JPH0414939Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0414939Y2 JPH0414939Y2 JP1983006789U JP678983U JPH0414939Y2 JP H0414939 Y2 JPH0414939 Y2 JP H0414939Y2 JP 1983006789 U JP1983006789 U JP 1983006789U JP 678983 U JP678983 U JP 678983U JP H0414939 Y2 JPH0414939 Y2 JP H0414939Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external
- lead
- external leads
- insulator
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、高耐圧半導体装置に適した外部リー
ド構造を有する絶縁物封止半導体装置に関するも
のである。
ド構造を有する絶縁物封止半導体装置に関するも
のである。
第１図〜第４図は従来の樹脂モールド形パワー
トランジスタの１例を示すもので、第１図と第２
図はモールドされた樹脂体のない状態、第３図と
第４図はモールドされた樹脂体のある状態であ
る。第１図と第３図は平面図、第２図と第４図は
これらのＡ−Ａ線断面図である。
トランジスタの１例を示すもので、第１図と第２
図はモールドされた樹脂体のない状態、第３図と
第４図はモールドされた樹脂体のある状態であ
る。第１図と第３図は平面図、第２図と第４図は
これらのＡ−Ａ線断面図である。
裏面をコレクタ電極とするトランジスタチツプ
１が放熱板２の上に固着されており、放熱板２か
らコレクタリードとなる外部リード３が延びてい
る。外部リード３と並列配置された外部リード
４，５は、それぞれベースリードとエミツタリー
ドであり、トランジスタチツプ１の表面のベース
電極あるいはエミツタ電極との間はそれぞれ内部
リード線６，７で接続されている。トランジスタ
チツプ１は樹脂体８でモールド（封止）されてお
り、外部リード３，４，５は樹脂体８から１平面
上に並列して導出されている。第１図と第２図の
破線は樹脂体８の外形を示している。外部リード
３，４，５は、樹脂体８からの導出側が幅広部３
ａ，４ａ，５ａとなつており、そこから先端側が
幅狭部３ｂ，４ｂ，５ｂとなつている。幅広部３
ａ，４ａ，５ａは、外部リードに外力が加わつて
もあるいは加えても樹脂体８からの導出部近傍で
外部リードが変形し難いように補強するためのも
のである。幅広部３ａ，４ａ，５ａは、それぞれ
の幅狭部３ｂ，４ｂ，５ｂを樹脂体８まで延長し
た部分の両側に張出した形状である。幅狭部３
ｂ，４ｂ，５ｂは、実質的に外部への接続端子と
して使われる部分であり、かなり幅を狭くしてリ
ード線として必要な柔軟性を持たせている。外部
リード４，５の放熱板２に隣接する部分は、内部
リード線６，７を接続するための端子部４ｃ，５
ｃとなつている。
１が放熱板２の上に固着されており、放熱板２か
らコレクタリードとなる外部リード３が延びてい
る。外部リード３と並列配置された外部リード
４，５は、それぞれベースリードとエミツタリー
ドであり、トランジスタチツプ１の表面のベース
電極あるいはエミツタ電極との間はそれぞれ内部
リード線６，７で接続されている。トランジスタ
チツプ１は樹脂体８でモールド（封止）されてお
り、外部リード３，４，５は樹脂体８から１平面
上に並列して導出されている。第１図と第２図の
破線は樹脂体８の外形を示している。外部リード
３，４，５は、樹脂体８からの導出側が幅広部３
ａ，４ａ，５ａとなつており、そこから先端側が
幅狭部３ｂ，４ｂ，５ｂとなつている。幅広部３
ａ，４ａ，５ａは、外部リードに外力が加わつて
もあるいは加えても樹脂体８からの導出部近傍で
外部リードが変形し難いように補強するためのも
のである。幅広部３ａ，４ａ，５ａは、それぞれ
の幅狭部３ｂ，４ｂ，５ｂを樹脂体８まで延長し
た部分の両側に張出した形状である。幅狭部３
ｂ，４ｂ，５ｂは、実質的に外部への接続端子と
して使われる部分であり、かなり幅を狭くしてリ
ード線として必要な柔軟性を持たせている。外部
リード４，５の放熱板２に隣接する部分は、内部
リード線６，７を接続するための端子部４ｃ，５
ｃとなつている。
ところで、パワートランジスタチツプ１に高耐
圧のものを使用したとき、外部リード３と４の間
および外部リード３と５の間の樹脂体８の表面に
沿つての最短距離、いわゆる外部リード間の沿面
距離ｌが問題となる。すなわち、高圧が印加され
ると外部リード間の樹脂体表面を電流通路とする
耐圧不良が起きやすいので、例えば耐圧400V以
上の製品では外部リード間の沿面距離ｌを２mm以
上は取りたいところである。
圧のものを使用したとき、外部リード３と４の間
および外部リード３と５の間の樹脂体８の表面に
沿つての最短距離、いわゆる外部リード間の沿面
距離ｌが問題となる。すなわち、高圧が印加され
ると外部リード間の樹脂体表面を電流通路とする
耐圧不良が起きやすいので、例えば耐圧400V以
上の製品では外部リード間の沿面距離ｌを２mm以
上は取りたいところである。
しかし、外部リードの幅広部の幅ｗは、補強部
としての効果を持たせるために小さくするにも限
度がある。また、外部リードの間隔ｐは、半導体
装置の小形化の要求を応えるために樹脂体８の幅
をできるだけ小さく設計する必要のあることか
ら、大きくするにも限度がある。しかも、外部リ
ードの間隔ｐは、業界としての標準的な値があつ
て設計の自由度がない場合も多い。このため、特
に小形の樹脂モールド形パワートランジスタで
は、その耐圧からすると外部リード間の沿面距離
ｌが不足している場合があり、悪条件下の使用で
は樹脂体８の表面において耐圧不良を引き起こす
恐れがあつた。
としての効果を持たせるために小さくするにも限
度がある。また、外部リードの間隔ｐは、半導体
装置の小形化の要求を応えるために樹脂体８の幅
をできるだけ小さく設計する必要のあることか
ら、大きくするにも限度がある。しかも、外部リ
ードの間隔ｐは、業界としての標準的な値があつ
て設計の自由度がない場合も多い。このため、特
に小形の樹脂モールド形パワートランジスタで
は、その耐圧からすると外部リード間の沿面距離
ｌが不足している場合があり、悪条件下の使用で
は樹脂体８の表面において耐圧不良を引き起こす
恐れがあつた。
本考案は上記従来の欠点を解決するためのもの
で、外部リード間の沿面距離を大きく取れる絶縁
物封止半導体装置を提供することを目的とする。
で、外部リード間の沿面距離を大きく取れる絶縁
物封止半導体装置を提供することを目的とする。
本考案は、以下で実施例について説明するよう
に、外部リードの幅広部の形状に特徴を有する絶
縁物封止半導体装置である。
に、外部リードの幅広部の形状に特徴を有する絶
縁物封止半導体装置である。
第５図〜第８図は、本考案の１実施例に係る樹
脂モールド形パワートランジスタを示すもので、
第１図〜第４図の従来構造にそれぞれ対応してい
る。したがつて、同一箇所には同一符号を付し、
その説明を省略する。なお、断面は実質的に同一
箇所であるので、第１図〜第８図に共通する形で
Ａ−Ａ線断面と表示した。
脂モールド形パワートランジスタを示すもので、
第１図〜第４図の従来構造にそれぞれ対応してい
る。したがつて、同一箇所には同一符号を付し、
その説明を省略する。なお、断面は実質的に同一
箇所であるので、第１図〜第８図に共通する形で
Ａ−Ａ線断面と表示した。
中央に位置する外部リード３については、幅広
部３ａが幅狭部３ｂを樹脂体８まで延長した部分
の両側に張出している。上側に位置する外部リー
ド４については、幅広部４ａは幅狭部４ｂを樹脂
体８まで延長した部分の上側（外部リード３に対
面する側とは反対側）にのみ張出しており、外部
リード４の下側面は樹脂体８から先端まで直線的
に延びている。下側に位置する外部リード５につ
いては、上下の違いがあるだけで、外部リード４
と同じである。
部３ａが幅狭部３ｂを樹脂体８まで延長した部分
の両側に張出している。上側に位置する外部リー
ド４については、幅広部４ａは幅狭部４ｂを樹脂
体８まで延長した部分の上側（外部リード３に対
面する側とは反対側）にのみ張出しており、外部
リード４の下側面は樹脂体８から先端まで直線的
に延びている。下側に位置する外部リード５につ
いては、上下の違いがあるだけで、外部リード４
と同じである。
なお、外部リードの幅広部３ａ，４ａ，５ａに
は、第７図に対応する第９図の平面図で示すよう
に、製造段階で外部リード同志を連結している部
材を切断した結果として残る連結部材残存部９が
見られる場合が多い。しかし、連結部材残存部９
は、樹脂体８から少し離れているので、外部リー
ド間の沿面距離ｌに関しては何らの影響を与えな
い。
は、第７図に対応する第９図の平面図で示すよう
に、製造段階で外部リード同志を連結している部
材を切断した結果として残る連結部材残存部９が
見られる場合が多い。しかし、連結部材残存部９
は、樹脂体８から少し離れているので、外部リー
ド間の沿面距離ｌに関しては何らの影響を与えな
い。
また、外部リード３と４の間および外部リード
３と５の間に、樹脂体８の形状変更による段差部
１０，１１を設けている。段差部１０，１１は、
樹脂体８に凹部１２を設けることにより形成され
ており、外部リード３を凹部１２の底面から導出
し、外部リード４，５は相対的に凸部となる凹部
１２の両側からそれぞれ導出している。段差部１
０，１１の設け方としては、凹部１２を逆に凸部
とするなどの種々の方法が考えられるが、樹脂体
８の外形寸法に影響を与えることのない凹部１２
とする方法が最も実用的である。
３と５の間に、樹脂体８の形状変更による段差部
１０，１１を設けている。段差部１０，１１は、
樹脂体８に凹部１２を設けることにより形成され
ており、外部リード３を凹部１２の底面から導出
し、外部リード４，５は相対的に凸部となる凹部
１２の両側からそれぞれ導出している。段差部１
０，１１の設け方としては、凹部１２を逆に凸部
とするなどの種々の方法が考えられるが、樹脂体
８の外形寸法に影響を与えることのない凹部１２
とする方法が最も実用的である。
この実施例によれば、外部リード４，５の幅広
部４ａ，５ａの形状を直線状の外部リードと見な
せる範囲で変更したことにより、直線状の外部リ
ードのもつ取扱いの容易さを損なうことなく外部
リード間の沿面距離ｌを大きく取れる。また、樹
脂体８に凹部１２を形成したことによる段差部１
０，１１によつても外部リード間の沿面距離ｌが
大きく取られている。１例として、外部リードの
間隔ｐが2.54mmで外部リードの幅広部の幅ｗが
1.4mm、外部リードの幅狭部の幅が0.7mm、段差部
１０，１１の長さ（凹部１２の深さ）を0.6mmと
すると、外部リード間の沿面距離ｌは2.09mm（段
差部１０，１１がないときは1.49mm）となる。同
じ条件で従来構造であれば、ｌは1.14mmである。
部４ａ，５ａの形状を直線状の外部リードと見な
せる範囲で変更したことにより、直線状の外部リ
ードのもつ取扱いの容易さを損なうことなく外部
リード間の沿面距離ｌを大きく取れる。また、樹
脂体８に凹部１２を形成したことによる段差部１
０，１１によつても外部リード間の沿面距離ｌが
大きく取られている。１例として、外部リードの
間隔ｐが2.54mmで外部リードの幅広部の幅ｗが
1.4mm、外部リードの幅狭部の幅が0.7mm、段差部
１０，１１の長さ（凹部１２の深さ）を0.6mmと
すると、外部リード間の沿面距離ｌは2.09mm（段
差部１０，１１がないときは1.49mm）となる。同
じ条件で従来構造であれば、ｌは1.14mmである。
以上、実施例について説明したように、本考案
によれば外部リードの間隔を増大することなく沿
面距離を大きくとれ、かつ外部リードが直線状と
みなせる形状となつている。このため、取扱性の
よい、かつ小型化した高耐圧化の可能な絶縁物封
止半導体装置を提供することができる。
によれば外部リードの間隔を増大することなく沿
面距離を大きくとれ、かつ外部リードが直線状と
みなせる形状となつている。このため、取扱性の
よい、かつ小型化した高耐圧化の可能な絶縁物封
止半導体装置を提供することができる。
なお、本考案は上記実施例に限定されることな
く、その趣旨に基づいて種々の変形・応用が可能
である。
く、その趣旨に基づいて種々の変形・応用が可能
である。
第１図〜第４図は従来の絶縁物封止半導体装置
を示す。第５図〜第９図は本考案に係る絶縁物封
止半導体装置を示す。第１図、第３図、第５図お
よび第７図は平面図で、第２図、第４図、第６図
および第８図はそれぞれのＡ−Ａ線断面図であ
る。第９図も平面図である。 １はパワートランジスタチツプ（半導体素子）、
２は放熱板、３，４，５は外部リード、３ａ，４
ａ，５ａは外部リードの幅広部、３ｂ，４ｂ，５
ｂは外部リードの幅狭部、４ｃ，５ｃは外部リー
ドの内部リード線用端子部、６，７は内部リード
線、８は樹脂体（絶縁物）、９は連結部材残存部、
１０，１１は樹脂体の段差部、１２は樹脂体の凹
部。
を示す。第５図〜第９図は本考案に係る絶縁物封
止半導体装置を示す。第１図、第３図、第５図お
よび第７図は平面図で、第２図、第４図、第６図
および第８図はそれぞれのＡ−Ａ線断面図であ
る。第９図も平面図である。 １はパワートランジスタチツプ（半導体素子）、
２は放熱板、３，４，５は外部リード、３ａ，４
ａ，５ａは外部リードの幅広部、３ｂ，４ｂ，５
ｂは外部リードの幅狭部、４ｃ，５ｃは外部リー
ドの内部リード線用端子部、６，７は内部リード
線、８は樹脂体（絶縁物）、９は連結部材残存部、
１０，１１は樹脂体の段差部、１２は樹脂体の凹
部。
Claims (1)
- 半導体素子が絶縁物によつて封止され、少なく
とも第１、第２および第３の外部リードが第１の
外部リードを中央に配して前記絶縁物から並列に
導出され、前記第１、第２および第３の外部リー
ドはそれぞれ前記絶縁物からの導出側が幅広部で
先端側が幅狭部である構造において、前記第１の
外部リードの前記幅広部は前記第１の外部リード
の前記幅狭部を前記絶縁物まで延長した部分の両
側に張出した形状で幅広になつており、前記第
２、第３の外部リードの前記幅広部はそれぞれ前
記第２、第３の外部リードの前記幅狭部を前記絶
縁物まで延長した部分の前記第１の外部リードに
対面する側とは反対側にのみ張出した形状で幅広
になつており、前記第２、第３の外部リードの前
記第１の外部リードに対面する側は前記導出側か
ら前記先端側まで実質的に直線的に延びているこ
とを特徴とする絶縁物封止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983006789U JPS59112954U (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 絶縁物封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983006789U JPS59112954U (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 絶縁物封止半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112954U JPS59112954U (ja) | 1984-07-30 |
| JPH0414939Y2 true JPH0414939Y2 (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=30138329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983006789U Granted JPS59112954U (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 絶縁物封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112954U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0528777Y2 (ja) * | 1987-10-05 | 1993-07-23 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53112275U (ja) * | 1977-02-10 | 1978-09-07 | ||
| JPS5584957U (ja) * | 1978-12-04 | 1980-06-11 |
-
1983
- 1983-01-21 JP JP1983006789U patent/JPS59112954U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59112954U (ja) | 1984-07-30 |
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