JPH0548376A - 圧電部品 - Google Patents
圧電部品Info
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- JPH0548376A JPH0548376A JP23417891A JP23417891A JPH0548376A JP H0548376 A JPH0548376 A JP H0548376A JP 23417891 A JP23417891 A JP 23417891A JP 23417891 A JP23417891 A JP 23417891A JP H0548376 A JPH0548376 A JP H0548376A
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- 238000013016 damping Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 13
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、圧電体基板の不要振動等に起因
する圧電体基板と封止基板との共振を防止して、電気特
性の改善を図ることができる圧電部品を提供することに
ある。 【構成】 圧電体基板２を封止基板３，３により封止し
た電子部品、あるいは圧電体基板２を回路基板２０の凹
所２１に実装した電子部品であり、上記圧電体基板２ま
たは封止基板３，３の少なくともいずれか一方が制振材
１１を介して拘束板１２で保持されているので、圧電体
基板２または封止基板３，３そのものに制振効果を持た
せることができ、不要振動等を効率良くダンピングでき
る。従って、例えばディスクリミネータにおいて復調歪
率波形に不要振動によるリップルが現れず、復調歪率特
性の向上を図ることができる。さらにはフィルタの高域
スプリアスの低減や、トラップにおける映像帯域内Ｇ．
Ｄ．Ｔの乱れの改善を図ることができる等、種々の効果
を奏する。
する圧電体基板と封止基板との共振を防止して、電気特
性の改善を図ることができる圧電部品を提供することに
ある。 【構成】 圧電体基板２を封止基板３，３により封止し
た電子部品、あるいは圧電体基板２を回路基板２０の凹
所２１に実装した電子部品であり、上記圧電体基板２ま
たは封止基板３，３の少なくともいずれか一方が制振材
１１を介して拘束板１２で保持されているので、圧電体
基板２または封止基板３，３そのものに制振効果を持た
せることができ、不要振動等を効率良くダンピングでき
る。従って、例えばディスクリミネータにおいて復調歪
率波形に不要振動によるリップルが現れず、復調歪率特
性の向上を図ることができる。さらにはフィルタの高域
スプリアスの低減や、トラップにおける映像帯域内Ｇ．
Ｄ．Ｔの乱れの改善を図ることができる等、種々の効果
を奏する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、各種電子回路に組み
込んで使用される圧電部品に関し、詳しくは例えば厚み
すべりエネルギー閉じ込め形の圧電共振子における制振
構造に関するものである。
込んで使用される圧電部品に関し、詳しくは例えば厚み
すべりエネルギー閉じ込め形の圧電共振子における制振
構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のエネルギー閉じ込め形圧電共振子
の構造を図７および図８に示す。図７は、両面に対向電
極１ａ，１ｂが形成されたセラミック製の圧電体基板２
がセラミック封止基板３，３により封止されると共に、
上記対向電極１ａ，１ｂを封止基板３，３の端面電極
４，４に導通させた構造であり、また、図８は、セラミ
ック封止基板３，３により封止された圧電体基板２の対
向電極１ａ，１ｂを、導電ペースト８，８を介して外部
電極９，９に導通させた構成である。上記セラミック封
止基板３，３を用いることにより、圧電チップ部品の耐
熱性の向上が図られるようになっている。
の構造を図７および図８に示す。図７は、両面に対向電
極１ａ，１ｂが形成されたセラミック製の圧電体基板２
がセラミック封止基板３，３により封止されると共に、
上記対向電極１ａ，１ｂを封止基板３，３の端面電極
４，４に導通させた構造であり、また、図８は、セラミ
ック封止基板３，３により封止された圧電体基板２の対
向電極１ａ，１ｂを、導電ペースト８，８を介して外部
電極９，９に導通させた構成である。上記セラミック封
止基板３，３を用いることにより、圧電チップ部品の耐
熱性の向上が図られるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
セラミック封止基板３，３にはそれぞれ制振効果がな
く、以下の欠点を生じる。 圧電体基板２の不要振動
による弊害、即ち、チップの長短辺のサイズで決定され
る長さ方向の高周波や輪郭振動等により、封止基板３，
３と圧電体基板２とが共振し、電気特性が劣化する。
圧電体基板２のメインの漏れ振動による弊害、即ち、
チップの振動部分の両端において減衰されるべき振動が
減衰されずに、該振動部分に反射することにより、メイ
ンの振動に悪影響を与える。 圧電部品の外部から衝
撃力等が加わることによる弊害、即ち、圧電チップ部品
は外力には極めて敏感であり、外力が圧電体基板２に直
接付加されて不必要な一次圧電効果を生じることによ
り、電気特性が劣化する。
セラミック封止基板３，３にはそれぞれ制振効果がな
く、以下の欠点を生じる。 圧電体基板２の不要振動
による弊害、即ち、チップの長短辺のサイズで決定され
る長さ方向の高周波や輪郭振動等により、封止基板３，
３と圧電体基板２とが共振し、電気特性が劣化する。
圧電体基板２のメインの漏れ振動による弊害、即ち、
チップの振動部分の両端において減衰されるべき振動が
減衰されずに、該振動部分に反射することにより、メイ
ンの振動に悪影響を与える。 圧電部品の外部から衝
撃力等が加わることによる弊害、即ち、圧電チップ部品
は外力には極めて敏感であり、外力が圧電体基板２に直
接付加されて不必要な一次圧電効果を生じることによ
り、電気特性が劣化する。
【０００４】このように、圧電体基板２の不要振動等が
封止基板３に伝播することにより、例えばディスクリミ
ネータにおいては、復調歪率波形に不要振動によるリッ
プルが現れ、復調歪率特性が低下するなどの欠点が生じ
る。
封止基板３に伝播することにより、例えばディスクリミ
ネータにおいては、復調歪率波形に不要振動によるリッ
プルが現れ、復調歪率特性が低下するなどの欠点が生じ
る。
【０００５】そこで、上記不要振動を抑える方法とし
て、圧電体基板２と封止基板３とを接着する接着剤部分
を肉厚にして、この接着剤部分で振動伝播を防ぐことが
考えられるが、耐湿性の観点から接着剤部分をあまり厚
くできないのが現状である。
て、圧電体基板２と封止基板３とを接着する接着剤部分
を肉厚にして、この接着剤部分で振動伝播を防ぐことが
考えられるが、耐湿性の観点から接着剤部分をあまり厚
くできないのが現状である。
【０００６】この発明は、上記従来の課題を解消するた
めになされたもので、圧電体基板の不要振動等に起因す
る圧電体基板と封止基板との共振を防止して、電気特性
の改善を図り得る圧電部品を提供することを目的とす
る。
めになされたもので、圧電体基板の不要振動等に起因す
る圧電体基板と封止基板との共振を防止して、電気特性
の改善を図り得る圧電部品を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、圧電体基板の両面に対向電極が形成さ
れた圧電共振子を封止基板で封止され、上記圧電体基板
または封止基板の少なくともいずれか一方が、圧電体基
板の不要振動やメインの漏れ振動等をダンピングするた
めの制振材を介して、拘束板で保持されている圧電部品
である。
に、この発明は、圧電体基板の両面に対向電極が形成さ
れた圧電共振子を封止基板で封止され、上記圧電体基板
または封止基板の少なくともいずれか一方が、圧電体基
板の不要振動やメインの漏れ振動等をダンピングするた
めの制振材を介して、拘束板で保持されている圧電部品
である。
【０００８】また、上記圧電共振子を回路基板に設けた
凹所に実装してなる圧電部品においては、圧電体基板を
拘束板により基板凹所に保持すると共に、該圧電体基板
と拘束板との間に上記制振材を介挿するようにしてもよ
い。
凹所に実装してなる圧電部品においては、圧電体基板を
拘束板により基板凹所に保持すると共に、該圧電体基板
と拘束板との間に上記制振材を介挿するようにしてもよ
い。
【０００９】
【作用】この発明によれば、圧電体基板または封止基板
の少なくともいずれか一方が、制振材を介して拘束板で
保持されているので、圧電体基板または封止基板そのも
のに制振効果を持たせることができ、圧電体基板の不要
振動やメインの漏れ振動等が圧電体基板または封止基板
において効率良くダンピングされる。従って、不要振動
等により圧電体基板と封止基板との間の共振を防止でき
る。
の少なくともいずれか一方が、制振材を介して拘束板で
保持されているので、圧電体基板または封止基板そのも
のに制振効果を持たせることができ、圧電体基板の不要
振動やメインの漏れ振動等が圧電体基板または封止基板
において効率良くダンピングされる。従って、不要振動
等により圧電体基板と封止基板との間の共振を防止でき
る。
【００１０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を添付図面に従っ
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１及び図２において、１０はエネルギー
閉じ込め形圧電共振子で、セラミック製圧電体基板２の
両面がセラミック封止基板３，３により封止されると共
に、このセラミック封止基板３，３が制振材１１，１１
を介してそれぞれ拘束板１２，１２により保持されてい
る。上記圧電体基板２、セラミック封止基板３，３及び
端面電極４，４の構造は従来と同一構造であり、対応す
る部分にはそれぞれ同一符号を付す。
閉じ込め形圧電共振子で、セラミック製圧電体基板２の
両面がセラミック封止基板３，３により封止されると共
に、このセラミック封止基板３，３が制振材１１，１１
を介してそれぞれ拘束板１２，１２により保持されてい
る。上記圧電体基板２、セラミック封止基板３，３及び
端面電極４，４の構造は従来と同一構造であり、対応す
る部分にはそれぞれ同一符号を付す。
【００１２】上記セラミック封止基板３と拘束板１２と
の間に、所定の厚みで介挿される制振材１１は、ゴムの
ような弾性と粘土のような粘性抵抗を兼ね備えた材料で
あって、且つゴム的な弾性体に比べて、歪などの形状変
化に対する回復時間が極めて遅い材質、例えばエポキシ
樹脂のようなものが好適に用いられる。この制振材１１
により、セラミック封止基板３そのものが制振効果を持
つこととなり、圧電基板２の不要振動等がこの制振材１
１の部分で振動エネルギーから熱エネルギーに変換さ
れ、効率の良いダンピング効果が得られるようになって
いる。
の間に、所定の厚みで介挿される制振材１１は、ゴムの
ような弾性と粘土のような粘性抵抗を兼ね備えた材料で
あって、且つゴム的な弾性体に比べて、歪などの形状変
化に対する回復時間が極めて遅い材質、例えばエポキシ
樹脂のようなものが好適に用いられる。この制振材１１
により、セラミック封止基板３そのものが制振効果を持
つこととなり、圧電基板２の不要振動等がこの制振材１
１の部分で振動エネルギーから熱エネルギーに変換さ
れ、効率の良いダンピング効果が得られるようになって
いる。
【００１３】上記構成によれば、封止基板３と拘束板１
２との間に制振材１１を介挿して、封止基板３そのもの
に制振効果を持たせるようにしたから、圧電体基板２の
不要振動やメインの漏れ振動等が制振材１１の部分でダ
ンピングされる。従って、不要振動による圧電体基板２
と封止基板３との間の共振を防止できると共に、メイン
振動へ悪影響を及ぼすおそれがない。また、圧電部品に
外力が作用した場合であっても、その外力もまた制振材
１１の部分でダンピングされるので、圧電体基板２に不
必要な一次圧電効果を生じるおそれもない。
２との間に制振材１１を介挿して、封止基板３そのもの
に制振効果を持たせるようにしたから、圧電体基板２の
不要振動やメインの漏れ振動等が制振材１１の部分でダ
ンピングされる。従って、不要振動による圧電体基板２
と封止基板３との間の共振を防止できると共に、メイン
振動へ悪影響を及ぼすおそれがない。また、圧電部品に
外力が作用した場合であっても、その外力もまた制振材
１１の部分でダンピングされるので、圧電体基板２に不
必要な一次圧電効果を生じるおそれもない。
【００１４】その結果、圧電体基板２の電気特性は劣化
せず、良品率が向上する結果、例えばディスクリミネー
タにおいて復調歪率波形に不要振動によるリップルが現
れず、復調歪率特性の向上を図ることができる。さらに
はフィルタの高域スプリアスの低減や、トラップにおけ
る映像帯域内Ｇ．Ｄ．Ｔの乱れの改善を図ることができ
る等のメリットが得られる。
せず、良品率が向上する結果、例えばディスクリミネー
タにおいて復調歪率波形に不要振動によるリップルが現
れず、復調歪率特性の向上を図ることができる。さらに
はフィルタの高域スプリアスの低減や、トラップにおけ
る映像帯域内Ｇ．Ｄ．Ｔの乱れの改善を図ることができ
る等のメリットが得られる。
【００１５】また、この実施例において、圧電体基板２
と封止基板３とを接着する接着剤部分にも制振効果のあ
る材質、例えばエポキシ樹脂を用いるようにすれば、不
要振動等のダンピング効果をより一層向上させることが
できる。
と封止基板３とを接着する接着剤部分にも制振効果のあ
る材質、例えばエポキシ樹脂を用いるようにすれば、不
要振動等のダンピング効果をより一層向上させることが
できる。
【００１６】さらに、図３及び図４に示すように、セラ
ミック封止基板３，３により封止された圧電体基板２の
対向電極１ａ，１ｂを、導電ペースト８，８を介して外
部電極９，９に導通させた構成において、該封止基板
３，３を制振材１１，１１を介してそれぞれ拘束板１
２，１２により保持するようにしてもよい。この場合、
上記実施例と同様、セラミック封止基板３，３そのもの
に制振効果をもたせることができるので、不要振動等の
効率の良いダンピングが得られる。
ミック封止基板３，３により封止された圧電体基板２の
対向電極１ａ，１ｂを、導電ペースト８，８を介して外
部電極９，９に導通させた構成において、該封止基板
３，３を制振材１１，１１を介してそれぞれ拘束板１
２，１２により保持するようにしてもよい。この場合、
上記実施例と同様、セラミック封止基板３，３そのもの
に制振効果をもたせることができるので、不要振動等の
効率の良いダンピングが得られる。
【００１７】尚、上記図３及び図４の変形例として、図
５に示すように、制振材１１を下側の封止基板４と拘束
板１２との間の１層のみとしてもよい。
５に示すように、制振材１１を下側の封止基板４と拘束
板１２との間の１層のみとしてもよい。
【００１８】この発明のさらに他の実施例として、図６
に示すように、回路基板２０に形成した凹所２１に圧電
体基板２を導電ペースト８，８にて直付けした構造にお
いて、圧電体基板２の下面両端を制振材１１を介して拘
束板１２の上面両端により保持するようにしてもよい。
３０は封止基板である。尚、上記拘束板１２は、例えば
圧電体であってもよく、また誘電体基板であってもよ
い。
に示すように、回路基板２０に形成した凹所２１に圧電
体基板２を導電ペースト８，８にて直付けした構造にお
いて、圧電体基板２の下面両端を制振材１１を介して拘
束板１２の上面両端により保持するようにしてもよい。
３０は封止基板である。尚、上記拘束板１２は、例えば
圧電体であってもよく、また誘電体基板であってもよ
い。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、圧電体基板または封止基板の少なくともいずれか一
方が、制振材を介して拘束板で保持されているので、圧
電体基板の不要振動やメインの漏れ振動等が制振材の部
分において効率良くダンピングされ、不要振動等による
圧電体基板と封止基板との共振を防止したり、メイン振
動への悪影響を防止できる結果、エネルギー閉じ込め形
圧電共振子の電気特性が劣化せず、良品率が向上すると
いう格別の効果が得られる。
ば、圧電体基板または封止基板の少なくともいずれか一
方が、制振材を介して拘束板で保持されているので、圧
電体基板の不要振動やメインの漏れ振動等が制振材の部
分において効率良くダンピングされ、不要振動等による
圧電体基板と封止基板との共振を防止したり、メイン振
動への悪影響を防止できる結果、エネルギー閉じ込め形
圧電共振子の電気特性が劣化せず、良品率が向上すると
いう格別の効果が得られる。
【図１】この発明の一実施例に係るエネルギー閉じ込め
形圧電共振子を示す斜視図。
形圧電共振子を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線縦断面図。
【図３】この発明の他の実施例を示す斜視図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線縦断面図。
【図５】図４の変形例を示す縦断面図。
【図６】この発明のさらに他の実施例を示す縦断面図。
【図７】従来のエネルギー閉じ込め形圧電共振子を示す
縦断面図。
縦断面図。
【図８】従来の他のエネルギー閉じ込め形圧電共振子を
示す縦断面図。
示す縦断面図。
２ 圧電体基板 ３ 封止基板 ８ 導電ペースト １０ エネルギー閉じ込め形圧電共振子 １１ 制振材 １２ 拘束板 ２０ 回路基板 ２１ 凹所
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電体基板の両面に対向電極が形成され
た圧電共振子を封止基板により封止してなる圧電部品に
おいて、上記圧電体基板または封止基板の少なくともい
ずれか一方が、圧電体基板の不要振動やメインの漏れ振
動等をダンピングするための制振材を介して、拘束板で
保持されていることを特徴とする圧電部品。 - 【請求項２】 圧電体基板の両面に対向電極が形成され
た圧電共振子を回路基板に設けた凹所に実装してなる圧
電部品において、上記圧電体基板を拘束板により基板凹
所に保持すると共に、該圧電体基板と拘束板との間に、
圧電体基板の不要振動やメインの漏れ振動等をダンピン
グするための制振材を介挿したことを特徴とする圧電部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23417891A JPH0548376A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 圧電部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23417891A JPH0548376A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 圧電部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548376A true JPH0548376A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16966898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23417891A Pending JPH0548376A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 圧電部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6915942B2 (en) | 2001-06-01 | 2005-07-12 | Nec Corporation | Method of manufacturing mount structure without introducing degraded bonding strength of electronic parts due to segregation of low-strength/low-melting point alloy |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP23417891A patent/JPH0548376A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6915942B2 (en) | 2001-06-01 | 2005-07-12 | Nec Corporation | Method of manufacturing mount structure without introducing degraded bonding strength of electronic parts due to segregation of low-strength/low-melting point alloy |
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