JPH0549187B2 - - Google Patents
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- JPH0549187B2 JPH0549187B2 JP62296012A JP29601287A JPH0549187B2 JP H0549187 B2 JPH0549187 B2 JP H0549187B2 JP 62296012 A JP62296012 A JP 62296012A JP 29601287 A JP29601287 A JP 29601287A JP H0549187 B2 JPH0549187 B2 JP H0549187B2
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体電界効果形イオンセンサの構造
に関する。
に関する。
［従来の技術］
従来、溶液中のイオン濃度を電界効果形トラン
ジスタの中を流れる電流値に変換して測定する半
導体装置に半導体電界効果形イオンセンサ（以後
ISFETと呼ぶ）がある。これはたとえばシリコ
ン（Si）を半導体としてバルク状のシリコンウエ
ーハを用いて形成された電界効果形トランジスタ
の一種で、そのシリコンの表面が酸化シリコン、
窒化シリコン、アルミナ、酸化タンタルなどの絶
縁膜あるいはそれらの組合せからなる膜で形成さ
れたイオン感応膜で覆われた構造を持ち、その
ISFETが溶液に浸された際、その溶液中のイオ
ンによつてそのISFET中を流れる電流の値が変
化するという現象を利用している。
ジスタの中を流れる電流値に変換して測定する半
導体装置に半導体電界効果形イオンセンサ（以後
ISFETと呼ぶ）がある。これはたとえばシリコ
ン（Si）を半導体としてバルク状のシリコンウエ
ーハを用いて形成された電界効果形トランジスタ
の一種で、そのシリコンの表面が酸化シリコン、
窒化シリコン、アルミナ、酸化タンタルなどの絶
縁膜あるいはそれらの組合せからなる膜で形成さ
れたイオン感応膜で覆われた構造を持ち、その
ISFETが溶液に浸された際、その溶液中のイオ
ンによつてそのISFET中を流れる電流の値が変
化するという現象を利用している。
このようなISFETは、イオン選択性電極を用
いたイオンセンサに比べ、(1)トランジスタの集積
化技術を用いて製作されているので、超微小電極
を容易に大量生産でき、(2)イオン感応膜が完全な
絶縁膜でも使用でき、(3)出力インピーダンスが低
く、高入力抵抗の増幅器が不要であるなどの利点
を有している。
いたイオンセンサに比べ、(1)トランジスタの集積
化技術を用いて製作されているので、超微小電極
を容易に大量生産でき、(2)イオン感応膜が完全な
絶縁膜でも使用でき、(3)出力インピーダンスが低
く、高入力抵抗の増幅器が不要であるなどの利点
を有している。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、生体内のイオン濃度を測定した
り、微量のサンプルを測定するために、超微小な
ISFETを製作する場合、従来のバルク状シリコ
ンウエーハを用いる方法では製造工程が複雑にな
つたり、トランジスタの信頼性が低いという欠点
があつた。すなわち、バルク状シリコンウエーハ
を用いてISFETを製作する場合、ウエーハを切
断してISFETを取出すと切断面のシリコンがむ
き出しになるため切断面を保護する必要があり、
樹脂による封止法などが用いられるが、微小な
ISFETの側面に樹脂を塗布するのは面倒で、ま
た信頼性も低かつた。一方、ウエーハを両面から
エツチングして針状のシリコンをウエーハ内に形
成した後、絶縁性物質を熱酸化や絶縁体の化学気
相蒸着により針状のシリコンの回りに形成し、
ISFETを絶縁保護する方法が報告されているが
（松尾正之他、応用物理、49巻、p.586（1950））、
製造工程が複雑で、また絶縁膜が薄いため
ISFETの取扱いに特別な注意が必要であつた。
さらに、これらの欠点を除くことができる
ISFETとして、シリコン・オン・サフアイア
（Silicon on Sapphire、以後SOSと略す）基板を
用いたISFETが報告されている（秋山竜雄、分
析化学、30巻、p.734（1981））。このSOS／ISFET
はサフアイアが絶縁体で機械的強度も高いため、
絶縁性に優れ、取扱いが容易な超微小なセンサで
ある。
り、微量のサンプルを測定するために、超微小な
ISFETを製作する場合、従来のバルク状シリコ
ンウエーハを用いる方法では製造工程が複雑にな
つたり、トランジスタの信頼性が低いという欠点
があつた。すなわち、バルク状シリコンウエーハ
を用いてISFETを製作する場合、ウエーハを切
断してISFETを取出すと切断面のシリコンがむ
き出しになるため切断面を保護する必要があり、
樹脂による封止法などが用いられるが、微小な
ISFETの側面に樹脂を塗布するのは面倒で、ま
た信頼性も低かつた。一方、ウエーハを両面から
エツチングして針状のシリコンをウエーハ内に形
成した後、絶縁性物質を熱酸化や絶縁体の化学気
相蒸着により針状のシリコンの回りに形成し、
ISFETを絶縁保護する方法が報告されているが
（松尾正之他、応用物理、49巻、p.586（1950））、
製造工程が複雑で、また絶縁膜が薄いため
ISFETの取扱いに特別な注意が必要であつた。
さらに、これらの欠点を除くことができる
ISFETとして、シリコン・オン・サフアイア
（Silicon on Sapphire、以後SOSと略す）基板を
用いたISFETが報告されている（秋山竜雄、分
析化学、30巻、p.734（1981））。このSOS／ISFET
はサフアイアが絶縁体で機械的強度も高いため、
絶縁性に優れ、取扱いが容易な超微小なセンサで
ある。
しかし、SOSウエーハはバルク状シリコンに比
べ値段が数倍高く、SOS／ISFETが高価になる
という経済上の欠点を有している。
べ値段が数倍高く、SOS／ISFETが高価になる
という経済上の欠点を有している。
本発明の目的はこのような従来の欠点を除去
し、ISFETの絶縁が容易で、大量生産でき、か
つセンサの低価格化が可能な半導体電界効果形イ
オンセンサを提供することにある。
し、ISFETの絶縁が容易で、大量生産でき、か
つセンサの低価格化が可能な半導体電界効果形イ
オンセンサを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明によれば、細長い平面形状をもつた絶縁
性基板上の一端部に多結晶シリコンからなるゲー
ト領域と、そのゲート領域をはさんでそのゲート
領域と異なる導電性を有する高不純物濃度領域か
らなるソース領域とドレイン領域、および前記ゲ
ート領域と同一導電性を有する高不純物濃度領域
からなり、該ゲート領域および前記ソース領域の
少なくとも一部に接するアース領域とで構成され
てなり、前記ドレイン領域には多結晶シリコンと
金属との化合物であるポリサイドで形成されたド
レイン電極が、前記ソース領域とアース領域には
両者が短絡するようにポリサイドで形成されたソ
ース電極が設けられ、かつ前記ドレイン電極およ
びソース電極がそれぞれ前記絶縁性基板の他端ま
で延長されて該延長端にはワイヤボンデイング部
が形成されていると共に、少なくとも前記ゲート
領域はイオン感応膜で覆われ、前記ワイヤボンデ
イング部以外の領域が絶縁膜で覆われていること
を特徴とする半導体電界効果形イオンセンサ。が
得られる。
性基板上の一端部に多結晶シリコンからなるゲー
ト領域と、そのゲート領域をはさんでそのゲート
領域と異なる導電性を有する高不純物濃度領域か
らなるソース領域とドレイン領域、および前記ゲ
ート領域と同一導電性を有する高不純物濃度領域
からなり、該ゲート領域および前記ソース領域の
少なくとも一部に接するアース領域とで構成され
てなり、前記ドレイン領域には多結晶シリコンと
金属との化合物であるポリサイドで形成されたド
レイン電極が、前記ソース領域とアース領域には
両者が短絡するようにポリサイドで形成されたソ
ース電極が設けられ、かつ前記ドレイン電極およ
びソース電極がそれぞれ前記絶縁性基板の他端ま
で延長されて該延長端にはワイヤボンデイング部
が形成されていると共に、少なくとも前記ゲート
領域はイオン感応膜で覆われ、前記ワイヤボンデ
イング部以外の領域が絶縁膜で覆われていること
を特徴とする半導体電界効果形イオンセンサ。が
得られる。
［作用］
本発明によるISFETは、絶縁基板、例えば絶
縁膜が覆われたバルクシリコンウエーハやパイレ
ツクスガラス上に設けられた多結晶シリコンを用
いて形成されるため、低価格で製造することがで
きる。また、ISFETが形成される多結晶シリコ
ンは単結晶シリコンに比べエレクトロンの移動度
が小さくトランジスタの相互コンダクタンスが低
くなるが、これはトランジスタのゲート幅を大き
くすることにより解決できる。さらに、多結晶シ
リコンのソースおよびドレインを絶縁基板上に延
長すれば、ソース抵抗およびドレイン抵抗が高く
なりトランジスタ特性が劣化する恐れがあるが、
本発明では、ポリサイド化することにより抵抗を
下げ、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低くする
ことができ、トランジスタ特性が向上する。ま
た、多結晶シリコンを島状にし、そこにトランジ
スタを形成することにより、ISFETの溶液から
の電気的絶縁が容易に達成される。
縁膜が覆われたバルクシリコンウエーハやパイレ
ツクスガラス上に設けられた多結晶シリコンを用
いて形成されるため、低価格で製造することがで
きる。また、ISFETが形成される多結晶シリコ
ンは単結晶シリコンに比べエレクトロンの移動度
が小さくトランジスタの相互コンダクタンスが低
くなるが、これはトランジスタのゲート幅を大き
くすることにより解決できる。さらに、多結晶シ
リコンのソースおよびドレインを絶縁基板上に延
長すれば、ソース抵抗およびドレイン抵抗が高く
なりトランジスタ特性が劣化する恐れがあるが、
本発明では、ポリサイド化することにより抵抗を
下げ、ソース抵抗およびドレイン抵抗を低くする
ことができ、トランジスタ特性が向上する。ま
た、多結晶シリコンを島状にし、そこにトランジ
スタを形成することにより、ISFETの溶液から
の電気的絶縁が容易に達成される。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例のセンサを概略的に
示す平面図で、細長い平面形状をもつたパイレツ
クスガラス上の一端部にISFETのセンサ領域１
１が設けられ、ポリサイド製のソース電極１２と
ドレイン電極１３がその他端にまで延長されてい
る。なおこの延長された端部はワイヤボンデイン
グ部１４である。第２図および第３図は、それぞ
れ第１図のａ−a′線およびｂ−b′線における断面
図で、ｎチヤンネル形のISFETの場合、１はパ
イレツクスガラス、２は窒化シリコン、３はドレ
イン領域としてのn+形多結晶シリコン、４はゲ
ート領域としてのｐ形多結晶シリコン、５はソー
ス領域としてのn+形多結晶シリコン、６および
７はポリサイド、８は絶縁膜としての酸化シリコ
ン、９はイオン感応膜となる窒化シリコン、１０
はアース領域としてのp+形多結晶シリコンであ
る。酸化シリコン８は、ドレイン電極１３および
ソース電極１２の端部に形成されたワイヤボンデ
イング部以外の全面を覆つている。またアース領
域１０はゲート領域４およびソース領域５の端部
に、これらと接するように形成されている。
示す平面図で、細長い平面形状をもつたパイレツ
クスガラス上の一端部にISFETのセンサ領域１
１が設けられ、ポリサイド製のソース電極１２と
ドレイン電極１３がその他端にまで延長されてい
る。なおこの延長された端部はワイヤボンデイン
グ部１４である。第２図および第３図は、それぞ
れ第１図のａ−a′線およびｂ−b′線における断面
図で、ｎチヤンネル形のISFETの場合、１はパ
イレツクスガラス、２は窒化シリコン、３はドレ
イン領域としてのn+形多結晶シリコン、４はゲ
ート領域としてのｐ形多結晶シリコン、５はソー
ス領域としてのn+形多結晶シリコン、６および
７はポリサイド、８は絶縁膜としての酸化シリコ
ン、９はイオン感応膜となる窒化シリコン、１０
はアース領域としてのp+形多結晶シリコンであ
る。酸化シリコン８は、ドレイン電極１３および
ソース電極１２の端部に形成されたワイヤボンデ
イング部以外の全面を覆つている。またアース領
域１０はゲート領域４およびソース領域５の端部
に、これらと接するように形成されている。
以上のように構成されたセンサのISFET特性
については、エレクトロンの移動度は低いもの
の、多結晶シリコン中での少数キヤリアのライフ
タイムが短いため、光照射のトランジスタ特性へ
の影響が小さく、センサとして望ましい特性が得
られた。また、ソース電極およびドレイン電極は
ポリサイドにより絶縁性基板上を延長されるため
ソース抵抗およびドレイン抵抗が小さく、飽和ド
レイン電圧が低い良好なトランジスタ特性が得ら
れた。
については、エレクトロンの移動度は低いもの
の、多結晶シリコン中での少数キヤリアのライフ
タイムが短いため、光照射のトランジスタ特性へ
の影響が小さく、センサとして望ましい特性が得
られた。また、ソース電極およびドレイン電極は
ポリサイドにより絶縁性基板上を延長されるため
ソース抵抗およびドレイン抵抗が小さく、飽和ド
レイン電圧が低い良好なトランジスタ特性が得ら
れた。
なお、本実施例では１つのチツプに単一の
ISFETを設けた構造としたが、本発明は１つの
チツプに複数のISFETやMOSFETを設けた集積
化イオンセンサにも適用でき、さらに酵素や抗
体、微生物を表面に設けることにより集積化バイ
オセンサを形成することも可能である。
ISFETを設けた構造としたが、本発明は１つの
チツプに複数のISFETやMOSFETを設けた集積
化イオンセンサにも適用でき、さらに酵素や抗
体、微生物を表面に設けることにより集積化バイ
オセンサを形成することも可能である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の半導体電界効果
形イオンセンサはウエーハの状態でISFETの電
気的絶縁がなされるため、大量生産に適している
と共に、ポリシリコンを使用するためSOSウエー
ハを使用したISFETに比べて低価格になる。さ
らにガラスを絶縁性基板に用いることができ、バ
ルク状シリコンウエーハに比べても低価格化が可
能である。
形イオンセンサはウエーハの状態でISFETの電
気的絶縁がなされるため、大量生産に適している
と共に、ポリシリコンを使用するためSOSウエー
ハを使用したISFETに比べて低価格になる。さ
らにガラスを絶縁性基板に用いることができ、バ
ルク状シリコンウエーハに比べても低価格化が可
能である。
また、センサとしての望ましい特性も具有して
いるため、実用性に優れ、工業的に有利である。
いるため、実用性に優れ、工業的に有利である。
第１図は本発明の一実施例を示す概略平面図、
第２図および第３図は、それぞれ第１図のａ−
a′線およびｂ−b′線における断面図である。 １……パイレツクスガラス、２，９……窒化シ
リコン、３，５……n+形多結晶シリコン、４…
…ｐ形多結晶シリコン（ゲート領域）、６，７…
…ポリサイド、８……酸化シリコン（絶縁膜）、
１０……p+形多結晶シリコン（アース領域）、１
１……センサ領域、１２……ソース電極、１３…
…ドレイン電極、１４……ワイヤボンデイング
部。
第２図および第３図は、それぞれ第１図のａ−
a′線およびｂ−b′線における断面図である。 １……パイレツクスガラス、２，９……窒化シ
リコン、３，５……n+形多結晶シリコン、４…
…ｐ形多結晶シリコン（ゲート領域）、６，７…
…ポリサイド、８……酸化シリコン（絶縁膜）、
１０……p+形多結晶シリコン（アース領域）、１
１……センサ領域、１２……ソース電極、１３…
…ドレイン電極、１４……ワイヤボンデイング
部。
Claims (1)
- １ 細長い平面形状をもつた絶縁性基板上の一端
部に多結晶シリコンからなるゲート領域と、その
ゲート領域をはさんでそのゲート領域と異なる導
電性を有する高不純物濃度領域からなるソース領
域とドレイン領域、および前記ゲート領域と同一
導電性を有する高不純物濃度領域からなり、該ゲ
ート領域および前記ソース領域の少なくとも一部
に接するアース領域とで構成されてなり、前記ド
レイン領域には多結晶シリコンと金属との化合物
であるポリサイドで形成されたドレイン電極が、
前記ソース領域とアース領域には両者を短絡する
ようにポリサイドで形成されたソース電極が設け
られ、かつ前記ドレイン電極およびソース電極が
それぞれ前記絶縁性基板の他端まで延長されて該
延長端にはワイヤボンデイング部が形成されてい
ると共に、少なくとも前記ゲート領域はイオン感
応膜で覆われ、前記ワイヤボンデイング部以外の
領域が絶縁膜で覆われていることを特徴とする半
導体電界効果形イオンセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296012A JPH01140053A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 半導体電界効果形イオンセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296012A JPH01140053A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 半導体電界効果形イオンセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140053A JPH01140053A (ja) | 1989-06-01 |
| JPH0549187B2 true JPH0549187B2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=17827977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62296012A Granted JPH01140053A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 半導体電界効果形イオンセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140053A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100889564B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2009-03-23 | 한국전자통신연구원 | 바이오 센서 및 그 제조 방법 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP62296012A patent/JPH01140053A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01140053A (ja) | 1989-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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