JPH0549638B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0549638B2 JPH0549638B2 JP63246834A JP24683488A JPH0549638B2 JP H0549638 B2 JPH0549638 B2 JP H0549638B2 JP 63246834 A JP63246834 A JP 63246834A JP 24683488 A JP24683488 A JP 24683488A JP H0549638 B2 JPH0549638 B2 JP H0549638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- oxide
- garnet
- garnet single
- ggg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は酸化物ガーネツト単結晶およびその製
造方法、特には周波数100MHzから数10GHzのマ
イクロ波帯で使用されるマイクロ波素子、例えば
アイソレーター、サーキユレーター用の新規な磁
性膜や光アイソレーターのような磁気光学素子用
磁性膜として有用とされる酸化物ガーネツト単結
晶およびその製造方法に関するものである。 （従来の技術とその問題点） 従来、光アイソレーターやマイクロ波素子用の
磁性材料としてはフラツクス法で育成されたYIG
結晶が使われていたが、フラツクス法で作られた
これら素子は製造コストが高いという不利がある
ためこれについては半導体工業で開発されたウエ
ーハプロセス技術を応用した液相エピタキシヤル
法で育成したYIG結晶もしくは（BiY）3Fe5O12を
使用することが提案されている。 しかし。液相エピタキシヤル法では融液とエピ
タキシヤル成長膜とでガーネツト成分の割合が異
なる、いわゆる偏析減少があるため、さらにはガ
ーネツト成分が基板上にエピタキシヤル膜として
析出することによる過冷却温度の増大のために、
例えば20μｍ以上のYIG結晶膜もしくは
（BiY）3Fe5O12結晶膜を育成すると、基板表面に
最初に析出するエピタキシヤル膜と成長の最後で
のエピタキシヤル膜の組成が異なるという現象が
起きる。そして、この成長の最初と最後とでエピ
タキシヤル膜組成が異なるということはエピタキ
シヤル膜成長方向に歪を発生させ、極端な場合に
はエピタキシヤル膜に割れが発生するという不利
が生じる。したがつて、この方法では厚膜の酸化
物ガーネツト単結晶を得ることは難しく、またこ
のものは磁気共鳴半値巾ΔH値も不均一で高い値
を示すのでマイクロ波素子用には使用できないと
いう不利もある。 （発明の構成） 本発明はこのような不利を解決した高品質の光
アイソレーターやマイクロ波素子用材料として有
用とされる酸化物ガーネツト単結晶およびその製
造方法に関するもので、それは液相エピタキシヤ
ル法によつて融液中より基板上に酸化物ガーネツ
ト単結晶を育成する酸化物ガーネツト単結晶の製
造方法において、この育成温度を低下させながら
行うことを特徴とするものである。 すなわち、本発明者らは基板結晶とエピタキシ
ヤル成長層との格子定数のミスマツチがあつて
も、育成される膜にピツトを生じさせないマイク
ロ波素子材料の開発について種々検討した結果、
酸化物ガーネツト単結晶の融液にガドリニウム・
ガリウム・ガーネツト（GGG）、その一部をCa、
Zr、MgまたはＹで置換したGGG系、サマリウ
ム・ガリウム・ガーネツト（SGG）、ネオジウ
ム・ガリウム・ガーネツト（NGG）などからな
る基板を浸漬し、これを成長させることによつて
液相エピタキシヤル法で酸化物ガーネツト単結晶
を育成するに際して、この育成温度を均一とせず
に遂次低下させ、例えば一低速度で低下させると
ヒビ割れのない厚膜状の酸化物ガーネツト単結晶
を得ることができることを見出すと共に、このよ
うにして得られる酸化物ガーネツト単結晶はその
磁気共鳴半値巾ΔHが2.0Oe以下と低く、均一な
化学組成と格子定数を有するものになるというこ
とを確認して本発明を完成させた。 本発明の酸化物ガーネツト単結晶育成に使用さ
れるガーネツト基板単結晶は前記したGGG、
SGG、NGGまたはGGGにCa、Mg、ZrまたはＹ
を置換したGGG系のSOG、NOGまたはYOG（い
ずれも信越化学(株)製商品名）が例示される。な
お、これらの基板単結晶はいずれも公知のもので
あるが、これらはGd2O3、Sm2O3、Nd2O3または
必要に応じCaO、MgO、ZrOまたはY2O3などの
置換材をそれぞれGa2O3の所定量と共にルツボに
仕込み、高周波誘導でそれぞれの結晶の融点以上
に加熱して溶融したのち、この溶液からチヨクラ
ルスキー法で単結晶を引上げることによつて得る
ことができるが、このものはこの単結晶から切り
出したウエーハを例えば熱リン酸でエツチングし
たのち格子定数を測定すると12.367〜12.508Åを
示すことが確認された。 また、この基板単結晶上に液相法でエピタキシ
ヤル成長させる酸化物ガーネツト単結晶は上記し
たように組成式がYIG、（YM）aFe8-aO12または
（YM）a（FeN）8-aO12で示され、このＭがLa、
Bi、Gd、LuまたはＮがAl、Ga、In、Scの少な
くとも１種の元素から選択されるものでａが3.1
≧ａ≧3.0の範囲のものとされる。このYIG、
（YM）aFe8-aO12または式（YM）a（FeN）8-aO12
で示される単結晶は白金ルツボ中にY2O3、
Fe2O3、M2O3またはN2O3（Ｍ、Ｎは前記の通り）
をフラツクスとしてのPbO、B2O3と共に仕込み、
900〜1100℃に加熱してこれを融解させたのち、
この融液から液相エピタキシヤル法で単結晶を成
長させることによつて得ることができるが、本発
明の方法ではこの単結晶引上げ時における単結晶
の育成温度を低下させながら行なうことが必要で
あり、この育成温度を一定の速度、例えば0.02
℃／分で低下させながらこの単結晶を成長させる
と、この酸化物ガーネツト単結晶をヒビ割れのな
い、厚さが20μｍ以上で均一な格子定数と化学組
成を有する厚膜として得ることができるし、この
ものの磁気共鳴半値巾ΔHを2.0Oe以下の低い値
とすることができるという有利性が与えられる。 これは融液から酸化物ガーネツト単結晶を引上
げると融液中における酸化物ガーネツト成分が減
少してその飽和温度が低下するため、育成温度を
一定にしておくとその過冷却温度が設定値より低
下するために育成膜の組成が徐々に変化し、これ
によつてヒビが発生したり、割れが起り、さらに
は磁気共鳴半値巾ΔH値が増大するのであるが、
本発明の方法にしたがつてこの育成温度を好まし
くは一定速度で低下させながら育成すると融液の
過冷却温度の減少が育成温度の低下で補償される
ので育成膜の化学組成が常に一定のものとなり、
したがつて格子定数も一定となり、ヒビ、割れの
発生や磁気共鳴半値巾ΔHの増大が防止されるた
めである。 上記したような方法で得られる本発明の酸化物
ガーネツト単結晶は、容易に20μｍ以上の厚膜と
して得られるし、このものはその磁気共鳴半値巾
ΔHも2.0Oe以下のように低く、化学組成や格子
定数も一定で均一な値のものとなるので、光アイ
ソレーターやマイクロ波素子用材料としてすぐれ
た物性をもつものとなり、共振周波数の温度依存
性もなく、このものは例えば周波数100MHzから
数10GHzのマイクロ波帯で使用されるマイクロ波
素子として例えば、アイソレーター、サーキユレ
ーター用の磁性膜、また磁気化学素子用磁性膜と
しても有用とされる。 つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例１〜４、比較例１〜２ 基板としてGGG単結晶ウエーハを用い、YIG
エピタキシヤル膜を形成させる成分として所定量
のY2O3、Fe2O3をフラツクス成分としてのPbO、
B2O3と共に白金ルツボに仕込み、1100℃に加熱
してこれを溶融させ、この融液から育成温度を
0.02℃／分の降温速度で低下させながら液相エピ
タキシヤル法でGGG単結晶ウエーハの（111）方
向に式Y3Fe5O12で示されるYIGエピタキシヤル
膜を厚さ約88〜151μｍに成長させて酸化物ガー
ネツト単結晶を作つたところ、これにはヒビ、ク
ラツクなどの欠陥はみられず、また、このウエー
ハの共鳴磁界値を測定し、マイクロ波吸収スペク
トルの半値巾（ΔH）を求めたところ、これはい
ずれもΔH＝1.52Oeと良好な値を示した。 しかし、比較のために融液を温度を1100℃の一
定のものとし、育成温度を低下させないほかは上
記と同様に処理して酸化物ガーネツト単結晶の引
上げを行なつたところ、この場合には第１表に併
記したように膜にヒビが発生し、膜厚も83.1μｍ
止まりとなり、さらにΔHも2.60と大きくなつた。
造方法、特には周波数100MHzから数10GHzのマ
イクロ波帯で使用されるマイクロ波素子、例えば
アイソレーター、サーキユレーター用の新規な磁
性膜や光アイソレーターのような磁気光学素子用
磁性膜として有用とされる酸化物ガーネツト単結
晶およびその製造方法に関するものである。 （従来の技術とその問題点） 従来、光アイソレーターやマイクロ波素子用の
磁性材料としてはフラツクス法で育成されたYIG
結晶が使われていたが、フラツクス法で作られた
これら素子は製造コストが高いという不利がある
ためこれについては半導体工業で開発されたウエ
ーハプロセス技術を応用した液相エピタキシヤル
法で育成したYIG結晶もしくは（BiY）3Fe5O12を
使用することが提案されている。 しかし。液相エピタキシヤル法では融液とエピ
タキシヤル成長膜とでガーネツト成分の割合が異
なる、いわゆる偏析減少があるため、さらにはガ
ーネツト成分が基板上にエピタキシヤル膜として
析出することによる過冷却温度の増大のために、
例えば20μｍ以上のYIG結晶膜もしくは
（BiY）3Fe5O12結晶膜を育成すると、基板表面に
最初に析出するエピタキシヤル膜と成長の最後で
のエピタキシヤル膜の組成が異なるという現象が
起きる。そして、この成長の最初と最後とでエピ
タキシヤル膜組成が異なるということはエピタキ
シヤル膜成長方向に歪を発生させ、極端な場合に
はエピタキシヤル膜に割れが発生するという不利
が生じる。したがつて、この方法では厚膜の酸化
物ガーネツト単結晶を得ることは難しく、またこ
のものは磁気共鳴半値巾ΔH値も不均一で高い値
を示すのでマイクロ波素子用には使用できないと
いう不利もある。 （発明の構成） 本発明はこのような不利を解決した高品質の光
アイソレーターやマイクロ波素子用材料として有
用とされる酸化物ガーネツト単結晶およびその製
造方法に関するもので、それは液相エピタキシヤ
ル法によつて融液中より基板上に酸化物ガーネツ
ト単結晶を育成する酸化物ガーネツト単結晶の製
造方法において、この育成温度を低下させながら
行うことを特徴とするものである。 すなわち、本発明者らは基板結晶とエピタキシ
ヤル成長層との格子定数のミスマツチがあつて
も、育成される膜にピツトを生じさせないマイク
ロ波素子材料の開発について種々検討した結果、
酸化物ガーネツト単結晶の融液にガドリニウム・
ガリウム・ガーネツト（GGG）、その一部をCa、
Zr、MgまたはＹで置換したGGG系、サマリウ
ム・ガリウム・ガーネツト（SGG）、ネオジウ
ム・ガリウム・ガーネツト（NGG）などからな
る基板を浸漬し、これを成長させることによつて
液相エピタキシヤル法で酸化物ガーネツト単結晶
を育成するに際して、この育成温度を均一とせず
に遂次低下させ、例えば一低速度で低下させると
ヒビ割れのない厚膜状の酸化物ガーネツト単結晶
を得ることができることを見出すと共に、このよ
うにして得られる酸化物ガーネツト単結晶はその
磁気共鳴半値巾ΔHが2.0Oe以下と低く、均一な
化学組成と格子定数を有するものになるというこ
とを確認して本発明を完成させた。 本発明の酸化物ガーネツト単結晶育成に使用さ
れるガーネツト基板単結晶は前記したGGG、
SGG、NGGまたはGGGにCa、Mg、ZrまたはＹ
を置換したGGG系のSOG、NOGまたはYOG（い
ずれも信越化学(株)製商品名）が例示される。な
お、これらの基板単結晶はいずれも公知のもので
あるが、これらはGd2O3、Sm2O3、Nd2O3または
必要に応じCaO、MgO、ZrOまたはY2O3などの
置換材をそれぞれGa2O3の所定量と共にルツボに
仕込み、高周波誘導でそれぞれの結晶の融点以上
に加熱して溶融したのち、この溶液からチヨクラ
ルスキー法で単結晶を引上げることによつて得る
ことができるが、このものはこの単結晶から切り
出したウエーハを例えば熱リン酸でエツチングし
たのち格子定数を測定すると12.367〜12.508Åを
示すことが確認された。 また、この基板単結晶上に液相法でエピタキシ
ヤル成長させる酸化物ガーネツト単結晶は上記し
たように組成式がYIG、（YM）aFe8-aO12または
（YM）a（FeN）8-aO12で示され、このＭがLa、
Bi、Gd、LuまたはＮがAl、Ga、In、Scの少な
くとも１種の元素から選択されるものでａが3.1
≧ａ≧3.0の範囲のものとされる。このYIG、
（YM）aFe8-aO12または式（YM）a（FeN）8-aO12
で示される単結晶は白金ルツボ中にY2O3、
Fe2O3、M2O3またはN2O3（Ｍ、Ｎは前記の通り）
をフラツクスとしてのPbO、B2O3と共に仕込み、
900〜1100℃に加熱してこれを融解させたのち、
この融液から液相エピタキシヤル法で単結晶を成
長させることによつて得ることができるが、本発
明の方法ではこの単結晶引上げ時における単結晶
の育成温度を低下させながら行なうことが必要で
あり、この育成温度を一定の速度、例えば0.02
℃／分で低下させながらこの単結晶を成長させる
と、この酸化物ガーネツト単結晶をヒビ割れのな
い、厚さが20μｍ以上で均一な格子定数と化学組
成を有する厚膜として得ることができるし、この
ものの磁気共鳴半値巾ΔHを2.0Oe以下の低い値
とすることができるという有利性が与えられる。 これは融液から酸化物ガーネツト単結晶を引上
げると融液中における酸化物ガーネツト成分が減
少してその飽和温度が低下するため、育成温度を
一定にしておくとその過冷却温度が設定値より低
下するために育成膜の組成が徐々に変化し、これ
によつてヒビが発生したり、割れが起り、さらに
は磁気共鳴半値巾ΔH値が増大するのであるが、
本発明の方法にしたがつてこの育成温度を好まし
くは一定速度で低下させながら育成すると融液の
過冷却温度の減少が育成温度の低下で補償される
ので育成膜の化学組成が常に一定のものとなり、
したがつて格子定数も一定となり、ヒビ、割れの
発生や磁気共鳴半値巾ΔHの増大が防止されるた
めである。 上記したような方法で得られる本発明の酸化物
ガーネツト単結晶は、容易に20μｍ以上の厚膜と
して得られるし、このものはその磁気共鳴半値巾
ΔHも2.0Oe以下のように低く、化学組成や格子
定数も一定で均一な値のものとなるので、光アイ
ソレーターやマイクロ波素子用材料としてすぐれ
た物性をもつものとなり、共振周波数の温度依存
性もなく、このものは例えば周波数100MHzから
数10GHzのマイクロ波帯で使用されるマイクロ波
素子として例えば、アイソレーター、サーキユレ
ーター用の磁性膜、また磁気化学素子用磁性膜と
しても有用とされる。 つぎに本発明の実施例をあげる。 実施例１〜４、比較例１〜２ 基板としてGGG単結晶ウエーハを用い、YIG
エピタキシヤル膜を形成させる成分として所定量
のY2O3、Fe2O3をフラツクス成分としてのPbO、
B2O3と共に白金ルツボに仕込み、1100℃に加熱
してこれを溶融させ、この融液から育成温度を
0.02℃／分の降温速度で低下させながら液相エピ
タキシヤル法でGGG単結晶ウエーハの（111）方
向に式Y3Fe5O12で示されるYIGエピタキシヤル
膜を厚さ約88〜151μｍに成長させて酸化物ガー
ネツト単結晶を作つたところ、これにはヒビ、ク
ラツクなどの欠陥はみられず、また、このウエー
ハの共鳴磁界値を測定し、マイクロ波吸収スペク
トルの半値巾（ΔH）を求めたところ、これはい
ずれもΔH＝1.52Oeと良好な値を示した。 しかし、比較のために融液を温度を1100℃の一
定のものとし、育成温度を低下させないほかは上
記と同様に処理して酸化物ガーネツト単結晶の引
上げを行なつたところ、この場合には第１表に併
記したように膜にヒビが発生し、膜厚も83.1μｍ
止まりとなり、さらにΔHも2.60と大きくなつた。
【表】
実施例 ５
実施例１におけるYIGの代わりに（Y2.2Bi0.8
Fe5O12で示されるエピタキシヤル膜を形成させ
る成分として、さらに所定量のBi2O3白金ルツボ
に仕込んだほかは実施例１と同様に処理して16枚
の単結晶エピタキシヤル膜を育成したところ、得
られた単結晶膜はすべて全くヒビのないもので、
これらはいずれも膜厚が116.0μｍで膜厚のバラツ
キも1.5μｍ以下であり、格子定数も12.438±0.003
Åの範囲内の値で、そのΔHもはいずれも1.5Oe
と小さい値を示した。 実施例 ６ 実施例１におけるYIGの代わりにY2.9Bi0.1Fe4.1
Ga0.9O12で示されるエピタキシヤル膜を形成させ
る成分としてさらに所定量のBi2O3、Ga2O3を白
金ルツボに仕込んだほかは実施例１と同様に処理
して10枚の単結晶エピタキシヤル膜を育成したと
ころ、得られた膜はすべて全くヒビのないもので
これらはいずれも膜厚が110.0μｍでバラツキも
1.5μｍ以下であり、このΔHも1.52Oeと小さい値
を示した。 参考例 実施例２、５および６で作成したエピタキシヤ
ル膜の表面層、表面層から約30μｍ下の層、また
表面層から約70μｍ下の層について、ICP分析装
置を用いて膜の成分を分析したところ、第２表に
示したとおりの結果が得られた。 なお、この場合の試料の作成はエピタキシヤル
膜を約180℃の過リン酸に入れて所定の厚さまで
エツチングしたが、ICP分析の前処理はこの試料
をオートクレーブ中に入れ濃塩酸で溶解して行な
つた。
Fe5O12で示されるエピタキシヤル膜を形成させ
る成分として、さらに所定量のBi2O3白金ルツボ
に仕込んだほかは実施例１と同様に処理して16枚
の単結晶エピタキシヤル膜を育成したところ、得
られた単結晶膜はすべて全くヒビのないもので、
これらはいずれも膜厚が116.0μｍで膜厚のバラツ
キも1.5μｍ以下であり、格子定数も12.438±0.003
Åの範囲内の値で、そのΔHもはいずれも1.5Oe
と小さい値を示した。 実施例 ６ 実施例１におけるYIGの代わりにY2.9Bi0.1Fe4.1
Ga0.9O12で示されるエピタキシヤル膜を形成させ
る成分としてさらに所定量のBi2O3、Ga2O3を白
金ルツボに仕込んだほかは実施例１と同様に処理
して10枚の単結晶エピタキシヤル膜を育成したと
ころ、得られた膜はすべて全くヒビのないもので
これらはいずれも膜厚が110.0μｍでバラツキも
1.5μｍ以下であり、このΔHも1.52Oeと小さい値
を示した。 参考例 実施例２、５および６で作成したエピタキシヤ
ル膜の表面層、表面層から約30μｍ下の層、また
表面層から約70μｍ下の層について、ICP分析装
置を用いて膜の成分を分析したところ、第２表に
示したとおりの結果が得られた。 なお、この場合の試料の作成はエピタキシヤル
膜を約180℃の過リン酸に入れて所定の厚さまで
エツチングしたが、ICP分析の前処理はこの試料
をオートクレーブ中に入れ濃塩酸で溶解して行な
つた。
第１図は融液から酸化物ガーネツト単結晶を液
相エピタキシヤル法で引上げるとき、この育成温
度を一定速度で降温したとき、またこれを一定と
したときのヒビ発生の有無を示したグラフを示し
たものである。
相エピタキシヤル法で引上げるとき、この育成温
度を一定速度で降温したとき、またこれを一定と
したときのヒビ発生の有無を示したグラフを示し
たものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 液相エピタキシヤル法によつて融液中より基
板上に酸化物ガーネツト単結晶を育成する酸化物
ガーネツト単結晶の製造方法において、該酸化物
ガーネツト単結晶の化学組成を均一に保つように
この育成温度を0.02℃／分以下の一定速度で低下
させながら育成を行なうことを特徴とする酸化物
ガーネツト単結晶の製造方法。 ２ 基板がガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（GGG）、その一部をCa、Zr、MgまたはＹで置
換したGGG系、サマリウム・ガリウム・ガーネ
ツト（SGG）またはネオジム・ガリウム・ガー
ネツト（NGG）であり、酸化物ガーネツト単結
晶がYIGである請求項１に記載の酸化物ガーネツ
ト単結晶の製造方法。 ３ 基板がガドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（GGG）、その一部をCa、Zr、MgまたはＹで置
換したGGG系、サマリウム・ガリウム・ガーネ
ツト（SGG）またはネオジム・ガリウム・ガー
ネツト（NGG）であり、酸化物ガーネツト単結
晶が式（YM）aFe8-aO12または（YM）a（FeN）8-
ａO12（ここにＭはLa、Bi、Gd、Luから、またＮ
はAl、Ga、In、Scから選択される少なくとも一
つの元素、ａは3.1≧ａ≧3.0）で示されるもので
ある請求項１に記載の酸化物ガーネツト単結晶の
製造方法。 ４ 結晶成長速度を一定速度に制御して融液の過
冷却温度低下を補償するようにしてなる請求項１
に記載の酸化物ガーネツト単結晶の製造方法。 ５ 厚膜が20〜150μｍで均一な格子定数と化学
組成を有しており、磁気共鳴半値幅（ΔH）が
2.0Oe以下であることを特徴とする液相エピタキ
シヤル法で基板上に育成された酸化物ガーネツト
単結晶。 ６ 酸化物ガーネツト単結晶がYIGである請請求
項５に記載の酸化物ガーネツト単結晶。 ７ 酸化物ガーネツト単結晶が式（YM）aFe8-a
O12（Ｍ、ａは前記に同じ）で示されるものであ
る請求項５に記載の酸化物ガーネツト単結晶。 ８ 酸化物ガーネツト単結晶が式（YM）a
（FeN）8-aO12（Ｍ、Ｎ、ａは前記に同じ）で示さ
れるものである請求項５に記載の酸化物ガーネツ
ト単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24683488A JPH0297494A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24683488A JPH0297494A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0297494A JPH0297494A (ja) | 1990-04-10 |
| JPH0549638B2 true JPH0549638B2 (ja) | 1993-07-26 |
Family
ID=17154387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24683488A Granted JPH0297494A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 酸化物ガーネット単結晶およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0297494A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69307559T2 (de) * | 1992-03-02 | 1997-05-07 | Tdk Corp | Verfahren zur Herstellung eines dünnen Filmes durch epitaktisches Wachstum |
| CN108585850B (zh) * | 2018-06-15 | 2020-11-13 | 济南大学 | 一种超低温烧结微波介质陶瓷及制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143893A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気光学結晶の成長方法 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24683488A patent/JPH0297494A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0297494A (ja) | 1990-04-10 |
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