JPH0549751B2 - - Google Patents
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- JPH0549751B2 JPH0549751B2 JP58178797A JP17879783A JPH0549751B2 JP H0549751 B2 JPH0549751 B2 JP H0549751B2 JP 58178797 A JP58178797 A JP 58178797A JP 17879783 A JP17879783 A JP 17879783A JP H0549751 B2 JPH0549751 B2 JP H0549751B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- circumferential plate
- reaction chamber
- glow discharge
- plate
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は量産型グロー放電分解装置の改良に関
する。
する。
近時、アモルフアスシリコン（以下、ａ−Siと
略す）などのアモルフアス（非晶質）材料から成
る光電部材が電子写真感光体、太陽電池及び光セ
ンサーなどに利用され、優れた光電適性と共に、
効率よく非晶質膜が生成されるなどの利点を有
し、非常に注目されている。例えば、電子写真感
光体の分野ではａ−Siを光キヤリア発生層とし、
その成膜にグロー放電分解装置を利用することに
より高品質な感光体を得るに至つている。
略す）などのアモルフアス（非晶質）材料から成
る光電部材が電子写真感光体、太陽電池及び光セ
ンサーなどに利用され、優れた光電適性と共に、
効率よく非晶質膜が生成されるなどの利点を有
し、非常に注目されている。例えば、電子写真感
光体の分野ではａ−Siを光キヤリア発生層とし、
その成膜にグロー放電分解装置を利用することに
より高品質な感光体を得るに至つている。
しかしながら、一度の操作で複数個の基板上に
成膜する量産型グロー放電分解装置においては、
導入ガスの利用効率が悪いばかりか、各々の基板
に対し噴出されるガス量にムラが生じ、その結
果、出来た個々の感光体に品質上の差が認めら
れ、製造歩留りの低下及び感光体の信頼性を損う
という問題がある。
成膜する量産型グロー放電分解装置においては、
導入ガスの利用効率が悪いばかりか、各々の基板
に対し噴出されるガス量にムラが生じ、その結
果、出来た個々の感光体に品質上の差が認めら
れ、製造歩留りの低下及び感光体の信頼性を損う
という問題がある。
即ち、第１図に示すように、容量結合型グロー
放電法による従来の量産型グロー放電分解装置で
は、一つの反応室１内に所定形状のグロー放電用
電極板２が形成され、一直線上に並んだ複数個の
感光体ドラム３がそれぞれガス噴出部４ａ，４
ｂ，４ｃ，４ｄ及び吸引部５ａ，５ｂ，５ｃ，５
ｄの間にできるガス流通状態の中に置かれると共
に、この電極板２に対向しつつ回転駆動され、更
に、高周波電源６によつて電極板２と感光体ドラ
ム３にａ−Si層が形成されていた。
放電法による従来の量産型グロー放電分解装置で
は、一つの反応室１内に所定形状のグロー放電用
電極板２が形成され、一直線上に並んだ複数個の
感光体ドラム３がそれぞれガス噴出部４ａ，４
ｂ，４ｃ，４ｄ及び吸引部５ａ，５ｂ，５ｃ，５
ｄの間にできるガス流通状態の中に置かれると共
に、この電極板２に対向しつつ回転駆動され、更
に、高周波電源６によつて電極板２と感光体ドラ
ム３にａ−Si層が形成されていた。
しかしながな、上記の量産型装置によれば、電
極板２が反応室１内に独自のスペースをとり、そ
のためにドラムの本数に対し反応室１の容積が比
較的大きくなり、反応室１内に余分なガスを導入
せねばならなかつた。
極板２が反応室１内に独自のスペースをとり、そ
のためにドラムの本数に対し反応室１の容積が比
較的大きくなり、反応室１内に余分なガスを導入
せねばならなかつた。
加えて、ガス導入部７から各々のガス噴出部４
ａ乃至４ｄへ至る距離が異なるため、ガスの流速
及びガス配管の形状にもよるが、各々のガス噴出
部４ａ乃至４ｄから必ずしも同一のガス量が噴出
されず、その結果、反応室内のドラム相互間でそ
の周囲のガス密度や成膜スピードが異なり、ａ−
Si層の層厚やドーピング量等、ドラム相互間に品
質の差が生じていた。
ａ乃至４ｄへ至る距離が異なるため、ガスの流速
及びガス配管の形状にもよるが、各々のガス噴出
部４ａ乃至４ｄから必ずしも同一のガス量が噴出
されず、その結果、反応室内のドラム相互間でそ
の周囲のガス密度や成膜スピードが異なり、ａ−
Si層の層厚やドーピング量等、ドラム相互間に品
質の差が生じていた。
そこで、本発明の目的は導入ガスの利用効率を
高めるとともに各々の基板に噴出されるガスをほ
ぼ均等量にし、且つ該噴出ガスの放電ムラをなく
し、その結果、個々の基板上の非晶質層の品質を
均一にし、製造歩留り及び非晶質層の信頼性を向
上することができる量産型グロー放電分解装置を
提供することにある。
高めるとともに各々の基板に噴出されるガスをほ
ぼ均等量にし、且つ該噴出ガスの放電ムラをなく
し、その結果、個々の基板上の非晶質層の品質を
均一にし、製造歩留り及び非晶質層の信頼性を向
上することができる量産型グロー放電分解装置を
提供することにある。
本発明によれば、上記目的を達成するために、
非晶質層生成ガスが導入される円筒状反応室内部
に、それぞれ大小の径を有する円筒状の第１周板
と第２周板とが該反応室と同心円状に配置され、
該同心円状の中心に円筒状のガス吸引筒を配設す
るとともに、第２周板とガス吸引筒の間に、非晶
質層被形成面を有する複数個の筒状基板を上記同
心円状に配列し、第２周板に設けたガス通過孔の
径を第１周板のガス通過孔に比べて小さくする
か、もしくは孔数を多くして第２周板でもつてガ
スをより均等に供給し、且つ上記反応室と第２周
板と第１周板とを同電位にして一方電極に、上記
ガス吸引筒を他方電極にするとともに両電極間に
グロー放電を発生するようにした量産型グロー放
電分解装置が提供される。
非晶質層生成ガスが導入される円筒状反応室内部
に、それぞれ大小の径を有する円筒状の第１周板
と第２周板とが該反応室と同心円状に配置され、
該同心円状の中心に円筒状のガス吸引筒を配設す
るとともに、第２周板とガス吸引筒の間に、非晶
質層被形成面を有する複数個の筒状基板を上記同
心円状に配列し、第２周板に設けたガス通過孔の
径を第１周板のガス通過孔に比べて小さくする
か、もしくは孔数を多くして第２周板でもつてガ
スをより均等に供給し、且つ上記反応室と第２周
板と第１周板とを同電位にして一方電極に、上記
ガス吸引筒を他方電極にするとともに両電極間に
グロー放電を発生するようにした量産型グロー放
電分解装置が提供される。
以下、本発明を感光体ドラム上にａ−Si層を成
層するためのグロー放電分解装置を例にとつて詳
細に説明する。
層するためのグロー放電分解装置を例にとつて詳
細に説明する。
第２図は一度の操作で８本の感光体ドラム８に
ａ−Si層を成層するための容量結合方式による量
産型グロー放電分解装置における円筒状の反応室
９を示し、同図中、１０は三重構造から成る円筒
状の外部電極板、１１は円筒状の内部電極板とな
るガス吸引筒であり、両者１０，１１は同心円状
となるように配置されている。
ａ−Si層を成層するための容量結合方式による量
産型グロー放電分解装置における円筒状の反応室
９を示し、同図中、１０は三重構造から成る円筒
状の外部電極板、１１は円筒状の内部電極板とな
るガス吸引筒であり、両者１０，１１は同心円状
となるように配置されている。
前記外部電極板１０は内側からガスが噴出する
第２周板１２、ガス拡散する第１周板１３、並び
に反応室９の外壁を構成する周壁用の周板１４か
ら成り、適当なスペーサ（図示せず）により間隔
を置いて順次周設されている。
第２周板１２、ガス拡散する第１周板１３、並び
に反応室９の外壁を構成する周壁用の周板１４か
ら成り、適当なスペーサ（図示せず）により間隔
を置いて順次周設されている。
前記周板１４に反応室９の外壁を兼用させる
と、電極の付設に伴うスペースが不要となり、反
応室９の容積は小さくてすみ、導入ガスの利用効
率を高めることができる点で好ましい。尚、この
周板１４は反応室９の周壁のすべてを置換する必
要はなく、余分なグロー放電の発生により受ける
影響が無視できる範囲内で置換してもよい。
と、電極の付設に伴うスペースが不要となり、反
応室９の容積は小さくてすみ、導入ガスの利用効
率を高めることができる点で好ましい。尚、この
周板１４は反応室９の周壁のすべてを置換する必
要はなく、余分なグロー放電の発生により受ける
影響が無視できる範囲内で置換してもよい。
前記第２周板１２とガス吸引筒１１の間には、
８本の感光体ドラム８が正八角形の各頂点に位置
するように配置され、各感光体ドラム８は回転駆
動されるようになつている。
８本の感光体ドラム８が正八角形の各頂点に位置
するように配置され、各感光体ドラム８は回転駆
動されるようになつている。
前記電極板１１，１２，１３，１４は同電位と
するために導通されており、外部の高周波電源
（図示せず）から印加されている。これにより、
第２周板１２と感光体ドラム８の表面、及びガス
吸引筒１１と感光体ドラム８の表面間にグロー放
電が発生し、第２周板１２と第１周板１３の間、
並びに周板１４と第１周板１３の間ではグロー放
電が発生しないため、電力の無駄な消費がなく、
且つ第２周板１２・ガス吸引筒１１と感光体ドラ
ム８との間に発生する本来のグロー放電をかき乱
すことなく、反応室９の内部に均一な高周波電界
がうまれることになる。
するために導通されており、外部の高周波電源
（図示せず）から印加されている。これにより、
第２周板１２と感光体ドラム８の表面、及びガス
吸引筒１１と感光体ドラム８の表面間にグロー放
電が発生し、第２周板１２と第１周板１３の間、
並びに周板１４と第１周板１３の間ではグロー放
電が発生しないため、電力の無駄な消費がなく、
且つ第２周板１２・ガス吸引筒１１と感光体ドラ
ム８との間に発生する本来のグロー放電をかき乱
すことなく、反応室９の内部に均一な高周波電界
がうまれることになる。
反応室９内へのａ−Si層生成ガスの導入経路
は、同一のガス供給源（図示せず）が共通の配管
（図示せず）を介して４本に分岐された導入管１
５に接続され、各導入管１５が反応室９の中心軸
に対し直交すると共に、反応室８の円周を四等分
するように周板１４に貫設された４個の導入口１
６のそれぞれに接続されることにより構成されて
いる。
は、同一のガス供給源（図示せず）が共通の配管
（図示せず）を介して４本に分岐された導入管１
５に接続され、各導入管１５が反応室９の中心軸
に対し直交すると共に、反応室８の円周を四等分
するように周板１４に貫設された４個の導入口１
６のそれぞれに接続されることにより構成されて
いる。
前記導入管１５が導入口１６と接続される端部
には絶縁性リング１７が接続され、周板１４と導
入管１５が絶縁されている。
には絶縁性リング１７が接続され、周板１４と導
入管１５が絶縁されている。
前記第２周板１２及び第１周板１３には、それ
ぞれガス通過孔である多数の噴出孔１８及び拡散
孔１９が各周面全体に亘つて一様に貫設されてい
る。噴出孔１８及び拡散孔１９はいずれも円形、
四角形など任意の形状でよく、それぞれの孔径或
いは孔の大きさ及び孔数は、導入管１５を介して
反応室８内に導入したａ−Si層生成ガスが第２周
板１２の噴出孔１８を通過する際に、ガスの拡散
が十分行われ、第２周板１２の全面に亘つて実質
上均一にガスが供給されるように適宜設定すれば
よい。例えば、噴出孔１８及び拡散孔１９が円形
の場合、噴出孔１８の孔径を0.5〜２mm、拡散孔
１９の孔径を１〜４mmの範囲で、噴出孔１８の孔
径を拡散孔１９に比べて小さくすることが好適で
ある。また、噴出孔１８を拡散孔１９よりも多く
設けることが好適であり、例えば噴出孔１８は５
mm〜１cmの間隔で第２周板１２の全面に亘つて一
様に設けることが好ましい。
ぞれガス通過孔である多数の噴出孔１８及び拡散
孔１９が各周面全体に亘つて一様に貫設されてい
る。噴出孔１８及び拡散孔１９はいずれも円形、
四角形など任意の形状でよく、それぞれの孔径或
いは孔の大きさ及び孔数は、導入管１５を介して
反応室８内に導入したａ−Si層生成ガスが第２周
板１２の噴出孔１８を通過する際に、ガスの拡散
が十分行われ、第２周板１２の全面に亘つて実質
上均一にガスが供給されるように適宜設定すれば
よい。例えば、噴出孔１８及び拡散孔１９が円形
の場合、噴出孔１８の孔径を0.5〜２mm、拡散孔
１９の孔径を１〜４mmの範囲で、噴出孔１８の孔
径を拡散孔１９に比べて小さくすることが好適で
ある。また、噴出孔１８を拡散孔１９よりも多く
設けることが好適であり、例えば噴出孔１８は５
mm〜１cmの間隔で第２周板１２の全面に亘つて一
様に設けることが好ましい。
かくして、導入管１５を通して反応室９の内部
に導入したａ−Si層生成ガスは第２周板１２を介
して拡散が著しく進行するため、第２周板１２か
ら反応室９の中心軸へ向かつて、その周面全体に
亘り、ガスがほぼ均等量供給され、グロー放電に
晒される。
に導入したａ−Si層生成ガスは第２周板１２を介
して拡散が著しく進行するため、第２周板１２か
ら反応室９の中心軸へ向かつて、その周面全体に
亘り、ガスがほぼ均等量供給され、グロー放電に
晒される。
一方、円筒状のガス吸引筒１１にはその周面の
全体に亘つて複数個の吸引孔２０が貫設されてい
る。この吸引孔２０は噴出孔２８と同程度の孔径
と密度で設けられることが望ましい。該ガス吸引
筒１１は第３図に示すように、ガス吸引用回転ポ
ンプ（図示せず）に接続されたガス吸引管２１が
上方もしくは下方から導入され、且つ該ガス吸引
管２１の開放端部２２をガス吸引筒１１の中心軸
に位置させると、ガス吸引筒１１の吸引孔２０か
らその内方に向かつて全周面に亘つて均等に残余
ガスが吸引されることになる。
全体に亘つて複数個の吸引孔２０が貫設されてい
る。この吸引孔２０は噴出孔２８と同程度の孔径
と密度で設けられることが望ましい。該ガス吸引
筒１１は第３図に示すように、ガス吸引用回転ポ
ンプ（図示せず）に接続されたガス吸引管２１が
上方もしくは下方から導入され、且つ該ガス吸引
管２１の開放端部２２をガス吸引筒１１の中心軸
に位置させると、ガス吸引筒１１の吸引孔２０か
らその内方に向かつて全周面に亘つて均等に残余
ガスが吸引されることになる。
このように、反応室８の中心部に配置された円
筒状のガス吸引筒１１からガスを吸引すると、グ
ロー放電領域に均一な高周波電界が生じるととも
に、反応室９内のすべての感光体ドラム８の周囲
はいずれも均一なガス流通状態となり、均質なａ
−Si層が形成されることになる。
筒状のガス吸引筒１１からガスを吸引すると、グ
ロー放電領域に均一な高周波電界が生じるととも
に、反応室９内のすべての感光体ドラム８の周囲
はいずれも均一なガス流通状態となり、均質なａ
−Si層が形成されることになる。
更に、反応室９に導入したガスを一層拡散され
た状態で第２周板１２から噴出させるために、２
個以上のガス拡散用第１周板１３を設けることも
できる。
た状態で第２周板１２から噴出させるために、２
個以上のガス拡散用第１周板１３を設けることも
できる。
以上の通り、一度の操作で複数個の基板上に成
膜する本発明の量産型グロー放電分解装置によれ
ば、導入ガスの利用効率を高めるのに加え、グロ
ー放電領域が均一な高周波電界となり、且つ各基
板の周囲に均一なガス流通状態がうまれ、その結
果、各基板上に均質な非晶質層が形成されること
になり、製造歩留りが顕著に向上し、信頼性の高
い優れた非晶質層が得られる。
膜する本発明の量産型グロー放電分解装置によれ
ば、導入ガスの利用効率を高めるのに加え、グロ
ー放電領域が均一な高周波電界となり、且つ各基
板の周囲に均一なガス流通状態がうまれ、その結
果、各基板上に均質な非晶質層が形成されること
になり、製造歩留りが顕著に向上し、信頼性の高
い優れた非晶質層が得られる。
尚、本発明は実施例に限定されるものではな
く、内部にグロー放電用の電極板を備え、複数個
の基板上に非晶質層を形成するグロー放電分解装
置であれば、すべてに適用されることは当業者に
は容易に理解されよう。
く、内部にグロー放電用の電極板を備え、複数個
の基板上に非晶質層を形成するグロー放電分解装
置であれば、すべてに適用されることは当業者に
は容易に理解されよう。
第１図は従来の量産型グロー放電分解装置を示
す概略図、第２図は本発明の実施例に使われる反
応室の破断面図、第３図は本発明のガス吸引機構
を示す斜視図である。 ３，８……感光ドラム、１０……外部電極板、
１１……内部電極板、１２……第２周板、１３…
…第１周板、１４……周板。
す概略図、第２図は本発明の実施例に使われる反
応室の破断面図、第３図は本発明のガス吸引機構
を示す斜視図である。 ３，８……感光ドラム、１０……外部電極板、
１１……内部電極板、１２……第２周板、１３…
…第１周板、１４……周板。
Claims (1)
- １ 非晶質層生成ガスが導入される円筒状反応室
内部に、それぞれ大小の径を有する円筒状の第１
周板と第２周板とが該反応室と同心円状に配置さ
れ、該円心円状の中心に円筒状のガス吸引筒を配
設するとともに、第２周板とガス吸引筒の間に、
非晶質層被形成面を有する複数個の筒状基板を上
記同心円状に配列し、第２周板に設けたガス通過
孔の径を第１周板のガス通過孔に比べて小さくす
るか、もしくは孔数を多くして第２周板でもつて
ガスをより均等に供給し、且つ上記反応室と第２
周板と第１周板とを同電位にして一方電極にする
とともにグロー放電を発生するようにした量産型
グロー放電分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178797A JPS6036664A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 量産型グロー放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58178797A JPS6036664A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 量産型グロー放電分解装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132488A Division JPS6024378A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 量産型グロ−放電分解装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6036664A JPS6036664A (ja) | 1985-02-25 |
| JPH0549751B2 true JPH0549751B2 (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=16054808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58178797A Granted JPS6036664A (ja) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | 量産型グロー放電分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036664A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110768A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Sharp Corp | アモルフアスシリコン感光体製造用装置 |
| JP2656021B2 (ja) * | 1986-01-14 | 1997-09-24 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成装置 |
| CN101528977A (zh) * | 2006-08-08 | 2009-09-09 | 株式会社生活技术研究所 | 成膜装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
| JPS5889943A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ法 |
| JPS58101735A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-17 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS58132488A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-06 | 富士通フアナツク株式会社 | 工業用ロボツトのハンド交換方式 |
-
1983
- 1983-09-26 JP JP58178797A patent/JPS6036664A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6036664A (ja) | 1985-02-25 |
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