JPH049871B2 - - Google Patents
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- JPH049871B2 JPH049871B2 JP7075982A JP7075982A JPH049871B2 JP H049871 B2 JPH049871 B2 JP H049871B2 JP 7075982 A JP7075982 A JP 7075982A JP 7075982 A JP7075982 A JP 7075982A JP H049871 B2 JPH049871 B2 JP H049871B2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はたとえば電子複写機などに備えられる
感光体を成膜する成膜装置に関する。
感光体を成膜する成膜装置に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、電子写真装置用の感光体としてはSe、
Se−Te、Se−As系、cds、有機光導電体（O.P.
C）などが用いられてきた。しかしながら、上記
Se系の感光体は耐熱性、耐摩耗性、上記cdsは安
全性、上記O.P.Cは耐湿、寿命にそれぞれ問題が
あつた。そこで、近年、これらの問題点の生じな
いアモルフアスシリコン（以後、ａ−Siと記す）
が電子写真用の感光体として注目をあびてきた。
このａ−Si感光体の成膜装置としてはたとえば第
１図および第２図に示すようなものが知られてい
る。すなわち、この装置はチエンバー１内を図示
しないロータリーポンプ拡散ポンプを用いて10-6
トールの真空とし、このとき、シースヒータ４を
オンするとともにAlなどのドラム状の導電性基
板３を回転させてこれを均一的に200〜350℃の温
度に加熱する。ついで、排気系をメカニカルブー
スタポンプ５とロータリーポンプ６に切り換える
同時にサスパイプ９からSiH4ガスまたはSiH4と
B2H6との混合ガスを導入し、また、サスパイプ
８からO2ガスを導入する。この状態からバルブ
７が開となり、チエンバー１内にSiH4またSiH4
とB2H6の混合ガスまたはO2ガスが導入される。
つぎに、チエンバー１内の圧力が0.1〜1.0トール
になるように排気バルブ１２を用いて調整したの
ち、円筒状のノズル管兼対向電極２に電源１３か
ら13.56MHzｓのラジオフレクエンシーパワー
（高周波電力）を25〜500W印加することによつて
導電性ドラム状基板３と対向電極２の間にSiH4、
B2H6、O2のプラズマ状態を形成させ、これによ
り成膜を開始するようになつている。
Se−Te、Se−As系、cds、有機光導電体（O.P.
C）などが用いられてきた。しかしながら、上記
Se系の感光体は耐熱性、耐摩耗性、上記cdsは安
全性、上記O.P.Cは耐湿、寿命にそれぞれ問題が
あつた。そこで、近年、これらの問題点の生じな
いアモルフアスシリコン（以後、ａ−Siと記す）
が電子写真用の感光体として注目をあびてきた。
このａ−Si感光体の成膜装置としてはたとえば第
１図および第２図に示すようなものが知られてい
る。すなわち、この装置はチエンバー１内を図示
しないロータリーポンプ拡散ポンプを用いて10-6
トールの真空とし、このとき、シースヒータ４を
オンするとともにAlなどのドラム状の導電性基
板３を回転させてこれを均一的に200〜350℃の温
度に加熱する。ついで、排気系をメカニカルブー
スタポンプ５とロータリーポンプ６に切り換える
同時にサスパイプ９からSiH4ガスまたはSiH4と
B2H6との混合ガスを導入し、また、サスパイプ
８からO2ガスを導入する。この状態からバルブ
７が開となり、チエンバー１内にSiH4またSiH4
とB2H6の混合ガスまたはO2ガスが導入される。
つぎに、チエンバー１内の圧力が0.1〜1.0トール
になるように排気バルブ１２を用いて調整したの
ち、円筒状のノズル管兼対向電極２に電源１３か
ら13.56MHzｓのラジオフレクエンシーパワー
（高周波電力）を25〜500W印加することによつて
導電性ドラム状基板３と対向電極２の間にSiH4、
B2H6、O2のプラズマ状態を形成させ、これによ
り成膜を開始するようになつている。
しかしながら、従来においては、ノズル管２を
一重管構としていたため、各噴出孔２ａ……での
ガス圧が大きく変化し、基板３上のアモルフアス
シリコン層の膜厚が不均一になる不都合があつ
た。また、従来においては単に噴出孔２ａ……か
らガスを噴出させる構造であつたため、成膜終了
後にN2でパージするときサスパイプ９の中に残
留していたSiO2の白い粉が急激なN2の圧力で直
接基板２に噴き付けられ第３図に示すように白い
粉１０を付着させてしまう欠点があつた。
一重管構としていたため、各噴出孔２ａ……での
ガス圧が大きく変化し、基板３上のアモルフアス
シリコン層の膜厚が不均一になる不都合があつ
た。また、従来においては単に噴出孔２ａ……か
らガスを噴出させる構造であつたため、成膜終了
後にN2でパージするときサスパイプ９の中に残
留していたSiO2の白い粉が急激なN2の圧力で直
接基板２に噴き付けられ第３図に示すように白い
粉１０を付着させてしまう欠点があつた。
本発明は上記事情に着目してなされたもので、
その目的とするところはノズル管からの噴出ガス
圧を均一化するとともに基板にガスを直接噴き付
けないようにした成膜装置を提供しようとするも
のである。
その目的とするところはノズル管からの噴出ガス
圧を均一化するとともに基板にガスを直接噴き付
けないようにした成膜装置を提供しようとするも
のである。
本発明はノズル管を多重管構造とし、ノズル管
の最も基板に対向する管体のガス噴出孔にガスの
噴出方向を管体の内周面に沿うように変化させる
ガイド部を設けたものである。
の最も基板に対向する管体のガス噴出孔にガスの
噴出方向を管体の内周面に沿うように変化させる
ガイド部を設けたものである。
以下、本発明の一実施例を第４図および第５図
にもとづいて説明する。図中２１は円板状のベー
スで、このベース２１の上面部には真空チヤンバ
ー２２が設けられている。また、上記チヤンバー
２２の内底中央部にはターンテーブル２３が設け
られ、このターンテーブル２３上にはドラム状の
導電性の基板２４が載置されている。上記基板２
４内にはシースヒータ２５が挿入されている。そ
して、上記チヤンバー２２内には上記基板２４を
囲繞するようにノズル管２６が設けられこのノズ
ル管２６は内側および外側の管体２７，２８から
なる２重管構造をなしている。上記管体２７，２
８は多数の連通孔２９を介して連通されるととも
に内側の管体２７の内周面には多数のガス噴出孔
３０が穿設され、これら、連通孔２９……とガス
噴出孔３０……は同心の中心に対し異なつた角度
で配設されている。上記ガス噴出孔３０……の直
径は上記連通孔２９……の直径より小とされ、上
記連通孔２９の直径は１cm〜４cm、上記ガス噴出
孔３０の直径は１mm〜５mmとされている。また、
上記内側の管体２７のガス噴出孔３０……にはそ
れぞれガイド部３１が設けられ、これらガイド部
３１……により、上記ガス噴出孔３０……から噴
出されるガスの噴出方向を上記内側の管体２７の
内周面に沿うように変化させるようになつてい
る。また、上記ノズル管２６には電源３４が接続
され対向電極を兼ねている。一方、上記ノズル管
２６の下部側には第１のガス導入管３２が接続さ
れ、この第１のガス導入管３２の開閉弁３２ａの
流出側には第２のガス導入管３３が接続されてい
る。上記第１のガス導入管３２によりSiH4また
はSiH4とB2H6の混合ガスが供給され、上記第２
のガス導入管３３からはO2ガスが導入されるよ
うになつている。
にもとづいて説明する。図中２１は円板状のベー
スで、このベース２１の上面部には真空チヤンバ
ー２２が設けられている。また、上記チヤンバー
２２の内底中央部にはターンテーブル２３が設け
られ、このターンテーブル２３上にはドラム状の
導電性の基板２４が載置されている。上記基板２
４内にはシースヒータ２５が挿入されている。そ
して、上記チヤンバー２２内には上記基板２４を
囲繞するようにノズル管２６が設けられこのノズ
ル管２６は内側および外側の管体２７，２８から
なる２重管構造をなしている。上記管体２７，２
８は多数の連通孔２９を介して連通されるととも
に内側の管体２７の内周面には多数のガス噴出孔
３０が穿設され、これら、連通孔２９……とガス
噴出孔３０……は同心の中心に対し異なつた角度
で配設されている。上記ガス噴出孔３０……の直
径は上記連通孔２９……の直径より小とされ、上
記連通孔２９の直径は１cm〜４cm、上記ガス噴出
孔３０の直径は１mm〜５mmとされている。また、
上記内側の管体２７のガス噴出孔３０……にはそ
れぞれガイド部３１が設けられ、これらガイド部
３１……により、上記ガス噴出孔３０……から噴
出されるガスの噴出方向を上記内側の管体２７の
内周面に沿うように変化させるようになつてい
る。また、上記ノズル管２６には電源３４が接続
され対向電極を兼ねている。一方、上記ノズル管
２６の下部側には第１のガス導入管３２が接続さ
れ、この第１のガス導入管３２の開閉弁３２ａの
流出側には第２のガス導入管３３が接続されてい
る。上記第１のガス導入管３２によりSiH4また
はSiH4とB2H6の混合ガスが供給され、上記第２
のガス導入管３３からはO2ガスが導入されるよ
うになつている。
なお、第１図に示した部分と同一部については
同一番号を符してその説明を省略する。
同一番号を符してその説明を省略する。
しかして、上述した構成において、成膜時には
図示しないロータリーポンプ、拡散ポンプが用い
られてチヤンバー２２内が10-6トールの真空状態
にされる。このとき、シースヒータ２５がオンさ
れるとともにターンテーブル２３が回転されてド
ラム状の基板２４が均一に200〜350℃に加熱され
る。ついで、排気系をメカニカルブースターポン
プ５とロータリーポンプ６に切換えると同時に第
１のガス導入管３２を介してSiH4ガスまたは
SiH4とB2H6との混合ガスを導入し、さらに、第
２のガス導入管３３を介してO2ガスを導入させ
る。このSiH4ガスまたはSiH4とB2H6との混合ガ
スとO2ガスは矢印で示すようにまず、外側の管
体２８内に導入されて上昇し、その途中連通孔２
９から内側の管体２７内に流出され、さらに、こ
の内側の管体２７のガス噴出孔２９から噴出さ
れ、この噴出されたSiを含むガスの噴出方向はガ
イド部３１……により内側の管体２７の内周面に
沿うよう変化されて噴出される。一方、このとき
にはチヤンバー２２内の圧力が0.1〜1.0トールに
なるように排気バルブ１２を開いて調整するとと
もに対向電極を兼ねるノズル管２６に電源３４か
ら13.56MHzｓのラジオフレクエンシーパワー
（R.F.Power）を25〜500W印加する。これによ
り、導電性の基板２４と対向電極（ノズル管２
６）との間にSiH4、B2H6、O2のプラズマ状態が
形成され基板２４にアモルフアスシリコン層が成
膜されることになる。上記したように、ノズル管
２６を多重管構造とし、その各管体２７，２８を
連通孔２９を介して連通するとともに基板２４に
最も近接する管体２７に、ガス噴出孔３０……を
穿設するため、ガスは複数の管体２７，２８を通
過しそのガス圧が均等化されてから基板２４に噴
出され、アモルフアスシリコン層の成膜を均一に
成形することができる。
図示しないロータリーポンプ、拡散ポンプが用い
られてチヤンバー２２内が10-6トールの真空状態
にされる。このとき、シースヒータ２５がオンさ
れるとともにターンテーブル２３が回転されてド
ラム状の基板２４が均一に200〜350℃に加熱され
る。ついで、排気系をメカニカルブースターポン
プ５とロータリーポンプ６に切換えると同時に第
１のガス導入管３２を介してSiH4ガスまたは
SiH4とB2H6との混合ガスを導入し、さらに、第
２のガス導入管３３を介してO2ガスを導入させ
る。このSiH4ガスまたはSiH4とB2H6との混合ガ
スとO2ガスは矢印で示すようにまず、外側の管
体２８内に導入されて上昇し、その途中連通孔２
９から内側の管体２７内に流出され、さらに、こ
の内側の管体２７のガス噴出孔２９から噴出さ
れ、この噴出されたSiを含むガスの噴出方向はガ
イド部３１……により内側の管体２７の内周面に
沿うよう変化されて噴出される。一方、このとき
にはチヤンバー２２内の圧力が0.1〜1.0トールに
なるように排気バルブ１２を開いて調整するとと
もに対向電極を兼ねるノズル管２６に電源３４か
ら13.56MHzｓのラジオフレクエンシーパワー
（R.F.Power）を25〜500W印加する。これによ
り、導電性の基板２４と対向電極（ノズル管２
６）との間にSiH4、B2H6、O2のプラズマ状態が
形成され基板２４にアモルフアスシリコン層が成
膜されることになる。上記したように、ノズル管
２６を多重管構造とし、その各管体２７，２８を
連通孔２９を介して連通するとともに基板２４に
最も近接する管体２７に、ガス噴出孔３０……を
穿設するため、ガスは複数の管体２７，２８を通
過しそのガス圧が均等化されてから基板２４に噴
出され、アモルフアスシリコン層の成膜を均一に
成形することができる。
また、管体２６のガス噴出孔３０の直径を連通
孔２９……の直径より、小さくするため、ガスフ
ローがガス噴出孔３０……で律速され、ガス噴出
孔３０……と連通孔２９……間が均等化され、よ
り一層ガス圧を均等化して噴出できることにな
る。
孔２９……の直径より、小さくするため、ガスフ
ローがガス噴出孔３０……で律速され、ガス噴出
孔３０……と連通孔２９……間が均等化され、よ
り一層ガス圧を均等化して噴出できることにな
る。
なお、逆の場合、すなわち、ガス噴出孔３０…
…径が連通孔２９……の径より大きい場合、ガス
フローが連通孔２９……側で律速されることにな
り、連通孔２９……とガス噴出孔３０……間が均
質に満たされることなく、ガスが噴出されること
になる。
…径が連通孔２９……の径より大きい場合、ガス
フローが連通孔２９……側で律速されることにな
り、連通孔２９……とガス噴出孔３０……間が均
質に満たされることなく、ガスが噴出されること
になる。
〔発明の効果〕
本発明は以上説明したように、ノズル管を多重
管構造とし、その各管体を連通孔を介して連通す
るとともに基板に最も近接する管体に、ガス噴出
孔を穿設したから、ガスは複数の管体を通過しそ
のガス圧が均等化されてから基板に噴出され、ア
モルフアスシリコン層の膜厚を均一に成形するこ
とができる。また、ノズル管のガス噴出孔から噴
出されるガスの噴出方向をガイド部により管体の
円周方向に沿うように変化させて噴出させるよう
にしたから、成膜終了後にN2でパージしても直
接基板に噴き付けられることがなく、SiO2が基
板に付着するといつた虞れもないという効果を奏
するものである。
管構造とし、その各管体を連通孔を介して連通す
るとともに基板に最も近接する管体に、ガス噴出
孔を穿設したから、ガスは複数の管体を通過しそ
のガス圧が均等化されてから基板に噴出され、ア
モルフアスシリコン層の膜厚を均一に成形するこ
とができる。また、ノズル管のガス噴出孔から噴
出されるガスの噴出方向をガイド部により管体の
円周方向に沿うように変化させて噴出させるよう
にしたから、成膜終了後にN2でパージしても直
接基板に噴き付けられることがなく、SiO2が基
板に付着するといつた虞れもないという効果を奏
するものである。
第１図乃至第３図は従来例を示すもので、第１
図は成膜装置を示す縦断面図、第２図はその横断
面図、第３図は成膜状態を示す説明図、第４図は
本発明の一実施例である成膜装置を示す縦断面
図、第５図は第４図中−線に沿つて示す断面
図である。 ２４……基板、２６……ノズル管、２７，２８
……管体、２９……連通孔、３０……ガス噴出
孔、３１……ガイド部。
図は成膜装置を示す縦断面図、第２図はその横断
面図、第３図は成膜状態を示す説明図、第４図は
本発明の一実施例である成膜装置を示す縦断面
図、第５図は第４図中−線に沿つて示す断面
図である。 ２４……基板、２６……ノズル管、２７，２８
……管体、２９……連通孔、３０……ガス噴出
孔、３１……ガイド部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応室内にSiを含むガスを導入し、このガス
をプラズマ状態にして、基板にアモルフアスシリ
コン層を成膜するものにおいて、多重管構造をな
し、上記基板に対向して設けられ上記ガスを導入
するノズル管と、このノズル管の各管体を連通さ
せる連通孔と、上記ノズル管の上記基板に最も近
接する管体に穿設されたガス噴出孔と、このガス
噴出孔から噴出されるガスの噴出方向を上記最も
近接する管体の円周方向に沿うように変化させる
ガイド部とを具備してなることを特徴とする成膜
装置。 ２ ノズル間の連通孔をガス噴出孔より大きく
し、これら連通孔とガス噴出孔を互いに対向しな
い位置に配設したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の成膜装置。 ３ ノズル管の連通孔の直径を１cm〜４cm、ガス
噴出孔の直径を１mm〜５mmとしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の成膜
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075982A JPS58190813A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075982A JPS58190813A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190813A JPS58190813A (ja) | 1983-11-07 |
| JPH049871B2 true JPH049871B2 (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=13440752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7075982A Granted JPS58190813A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190813A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3192666B2 (ja) * | 1990-03-02 | 2001-07-30 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導膜の製造方法および装置 |
| KR100430104B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2004-05-03 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치 및 그증착방법 |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP7075982A patent/JPS58190813A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58190813A (ja) | 1983-11-07 |
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