JPH05500204A - トリフルオロメチルシクロヘキサン誘導体類 - Google Patents
トリフルオロメチルシクロヘキサン誘導体類Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
トリフルオロメチルシクロヘキサン誘導体類本発明は、式■
Rは、未置換のまたはCNでもしくは少なくとも1種のハロゲンで置換され、そ
の1つ以上の隣接しないCH2基を一〇−5−S−1−CO−1−O−CO−2
−CO−O−および=C巴C−から成る群から構成される装置き換えてもよい1
8個までのCを有するアルキルまたはアルクニル基であり、
a)その1つまたは2つのCH基をNで置き換えてもよい1.4−フェニレン基
、
b)その1つまたは2つの隣接しないCH2基を−0−または−S−で置き換え
てもよい1.4−シクロヘキシレン基、
c)1.4−シクロヘキセニレン、ピペリジン−1゜4−ジイル、1,4−ビシ
クロ[2,2,2]−オクチレンまたはナフタレン−2,6−ジイル基であり、
基a)およびb)はハロゲン原子またはシアンおよび/′またはメチル基でモノ
置換またはポリ置換すること0−8−o−co−5−CHCH2−1−CH(C
N)−CH−1−CH2−CH(CN)−1−〇H=CH−1−OCH−1−C
H20−、−CH=N−1−N=CH一、−NO=N−2−N=NO−1−N=
N−まタハー重結合であり、および
0は0.1または2である]
のトリフルオロメチルシクロヘキサン誘導体類に関する。
本発明は、さらに液晶媒体の成分としてのこれらの化合物の使用、および本発明
の液晶媒体を含んでいる液晶および電気光学ディスプレイ要素に関する。
式■の化合物は、特にマトリックス液晶ディス/レイ(MLCディスグレイ)に
おいて例えばSTNまたはSBEのようなその高捩じれ形を含む捩じれセルの原
理、ゲスト/ホスト効果、配列相の変形効果または動的散乱効果に基づくディス
プレイ用の液晶媒体成分として使用することができる。
本発明は、液晶tIX体成分として適した、また特にかなり低い粘度および適度
の正の誘電率奥方性を有する新規の安定した液晶化合物またはメソ相形成性(I
eSogeniC)化合物を見出すことを目的とする。
式Iの化合物が液晶相の成分として著しく適していることを見出した。特に、こ
れらの化合物はかなり低い粘度を有している。これらの化合物を使用すると、広
いメソ相範囲、光学および誘電率異方性に関する有利な値を有すると同時に比抵
抗に関する非常に好ましい値で抜きんでた安定な液晶相を得ることができる。こ
のことは、特にマトリックス液晶ディスグレイ(MLCディスプレイ)まなは超
捩じれディスプレイ用の媒体の場合にかなり有利である。
液晶特性を有する類似の化合物が、例えばEP−A−0,0193゜191[原
文の通り] 、JP591078,129またはJP58/198,427に既
に開示されている。しかしながら、これらにおいては、トリフルオロメチル基が
フェニル基に結合しているので、これらの化合物は一般に光学異方性に関しかな
り不利な値を有し、かつ現代のディスプレイ用途に関し本発明の化合物より著し
く劣っている。
JP60/69,059およびJP63/238.030は類似の化合物を開示
しているが、それらはOX基(但し、XはCN、FtたはC1である)を含んで
いる。
さらに、トリフルオロメチルシクロヘキシル基を含んでいるが、メソ相形成性を
有していない化合物が知られている0例えば、JP63151,354はトリフ
ルオロメチル基で置換されるシクロヘキサンカルボン酸類およびそれらの製法を
記載している。
に、−、ボールドリン(Ba1drin)、H,J、T、oビンリン(Robi
nson) [テトラヘトo ン(Tetrahedron)、1旦、1663
〜1668 (1977) ]は]1−トリフルオロメチルー3=置換シクロヘ
キサンに関する研究を行った。
さらに、DE−O33,022,818は、特に液晶媒体の混合成分として、一
般式において、置換基の1つがトリフルオロメチル基であってもよい4.4′−
ジ置換ビシクロヘキシレン類を挙げている。
しかしながら、そこにはこの種の化合物もまたその製法もはっきりと記載されて
おらず、当業者がこれらの化合物の優れた特性や製造手順を推論することは不可
能である。
さらに、式Iの化合物を提供することによって、種々の用途の観点から液晶混合
物の製造に適する液晶物質の範囲が非常に普遍的にかなり拡大される。
式Iの化合物は広い分野に適用される。置換基を選択することによって、液晶相
を主として構成する基材としてこれらの化合物を使用することができるけれど、
例えば、この種の誘電体の誘電率および/まなは光学異方性に影響を及ぼしてそ
のしきい電圧および/またはその粘度および/またはその比抵抗を最適にするた
めに、式Iの化合物を他の群の化合物から成る液晶基材に加えることもできる。
純粋な状態で、式Iの化合物は無色であり、電気光学用途に好適な温度範囲にお
いて液晶メソ相を形成する。これらの化合物は化学的、熱的および光に非常に安
定である。
従って、本発明は、式Iの化合物、特に基A1およびA2が、それぞれ互いに独
立して、その1つまたは2つの隣接しないCH2基を一〇−または−8−で置き
換えてもよいシクロヘキシレン基である式Iの化合物に関する。
本発明は、さらに液晶媒体の成分としてのこれらの化合物の使用に関する。本発
明は、さらに弐■の少なくとも1種の化合物を含んでいる液晶媒体、およびこの
種の媒体を含んでいる液晶ディスプレイ要素、特に電気光学ディスプレイ要素、
特にマトリックス液晶ディスプレイに関する。
簡略のなめに、以下Xは−CF3であり、Cycは1.4−シクロヘキシレンま
たは1.4−シクロヘキセニレン基であり、Dioは1.3−ジオキサ−2,5
−ジイル基であり、Dirは1.3−ジチアン−2,5−ジイル基であり、Ph
eは1.4−7エニレン基であり、PI/dはピリジン−2゜5−ジイル基であ
り、Pyrはピリミジン−2,5−ジイル基であり、そしてBiはビシクロ(2
,2,2)オクチレン基である(但し、Cycおよび/またはpheは未置換で
あるか、またはFまたはONでモノまたはジ置換されていても従って、式■の化
合物は、下位式1a〜Ic[原文の通り]の2つの環を有する化合物:
R−A2−Cyc−X Ia
A−A2−Zl−Cyc−X Ib
下位式1c〜1tの3つの環を有する化合物:R−A1−A2−Cyc−X I
c
R−A1−Zl−A2−Cyc−X IdR−^1−A2−22−Cyc−X
IeR−A’−2’−A2−Zl−Cyc−X 1 fおよび下位式1111〜
Ih[原文の通り]の4つの環を有する化合物:
R−A1−A1−A2−CVC−X IgR−A’−2’−A1−A2−CVC
−X IhR−A1−A1−Zl−A2−Cyc−X I 1R−A’−A’−
A242−Cyc−X IjR−A1−Zl−A1−21−A2−Cyc−X
IkR−A’−2’−A’−A2−Zl−CVC−X IIR−A1−A’−Z
l−A2−22−Cyc−X ImR−A1−21−A’−2’−A”−7”−
Cyc−X Inを包含するものである。
これらのうち、下位式1a、 Ib、 Ic、 Id、 Is、 If、 Ig
、Itl、1iおよび11が特に好ましい。
式■の好ましい化合物は式11
(式中、R,A1、Zl−A−および0は先に定義した通りである)の4−トリ
フルオロメチルビシクロヘキシル誘導体、特にOが0または1であるものである
。
さらに、式Iの好ましい化合物は式12(式中、R,A 、Z’、−A−および
0は先に定義した通りである)の2− <4−トリフルオロメチルシクロヘキシ
ル)ジオキサン誘導体、特に0が0であり、そしてRが式(CH2)。−X[式
中、
nは1〜10であり、および
XはF、CI、CH=CH2、CH=CH−C,H2,+1.0−Cr1 H2
n+1、C−CHまたはH(但し、mは1〜10である)である〕
の基である式I2のものである。
下位式1aの好ましい化合物には、下位式Iaa〜Iae:R−phe−cyc
−x Iaa
R−Cyc−Cyc−X Tab
R−Pyr−Cyc−X 1ad
R7Pyd−CyC−X Iae
のらのがある。
これらのうち、式IaaおよびIabのものが特に好ましい。
下位式lbの好ましい化合物には、下位式1ba −1bl:R−Phe−C1
2CH2−Cyc−X 1baR−Cyc−CH2CH2−Cyc−X III
+R−Cyc−CH20−Cyc−X 、II+cR−Phe−0M20−Cy
c−X IMR−Phe−CO−0−Cyc−X IbeR−Cyc−Co−Q
−Cyc−X IbfR−Cyc−C=C−Cyc−X IbQR−Pie−C
−C−Cyc−X IbhR−Pfie−QC)12−Cyc−X Ib1R−
Cyc−OCH2−Cyc−X IbjR−Cyc−0−CO−Cyc−X I
bkR−Phe−0−Co−Cyc−X Iblのらのがある。
下位式ICの好ましい化合物には、下位式1ca〜Ich:R−Cyc−Cyc
−Cyc−X IcaR−Phe−Cyc−Cyc−X IcbR−Phe−P
he−Cyc−X 1ccR−Cyc−Phe−Cyc−X IcdR−Pyd
−Cyc−Cyc−X IcfR−Pyr−Cyc−Cyc−X IC!;IR
−Pyr−Phe−Cyc−X Ichのものがある。
これらのうち、式Ica 、 IcbおよびICCのものが特に好ましい。
下位式1dの好ましい化合物には、下位式1da〜Idi:R−Phe−Zl−
Phe−Cyc−X IdaR−Phe−Zl−Cyc−Cyc−X 1dbR
−Cyc−”−Cyc−Cyc−X 1dcR−Pyr−21−Cyc−Cyc
−X IddR−Pyd−Zl−Cyc−Cyc−X 1deR−Pyd−Z’
−Phe−Cyc−X IIHR−Pyr−Zl−Phe−Cyc−X Ida
R−Cyc−71−Dio−Cyc−X IdhR−Phe−Z’−D 1o−
Cyc−X Id iのものがある。
下位式Ieの好ましい化合物には、下位式Iea −1ei:R−Phe−Ph
e−Z”−Cyc−X 1eaR−Phe−Cyc−Zl−Cyc−X Ieb
R−Cyc−Cyc−Z”Cyc−X IecR−Cyc−Phe−Zl−Cy
c−X 1edR−Pyr−Phe−Z’Cyc−X 1eeR−Pyd−Ph
e−Z”−Cyc−X 、IefR−Phe−Pyr−Zl−Cyc−X Ie
gR−Phe−Pyd−Zl−Cyc−X IehR−Phe−Oio−22−
Cyc−X leiのものがある。
下位式Ifの好ましい化合物には、下位式1fa〜Ifa:R−Phe−Zl−
Phe−72−Cyc−X IfaR−Phe−Z’−Cyc−Zl−Cyc−
X IfbR−Cyc−Zl−Cyc−、?2−Cyc−X IfcR−Cyc
−Zl−Phe−2”−Cyc−X IfdR−Cyc−Z’−Bi−22−C
yc−X IfeR−Cyc−Zl−Dio−Zl−Cyc−X ’IftR−
Dio−21−Cyc−Zl−Cyc−X Ifgのらのがある。
以上および以下の式の化合物において、Cyc−Xは4−トリフルオロメチルシ
クロヘキシル基、特にトランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキシル基であ
るのが好ましい。
1つまたはそれ以上のZlおよび/またはz2*を含んでいる下位式II)、I
d、 Ie、 IfおよびItl〜Inの化合物において、これらの橋掛は部員
は−CO−O−1−O−CO−1−CH2CH2−1CH20−1−0CH2−
または−c=c−1特に−CH2CH2−1−co−o−または−0−CO−で
あるのが好ましい。
Rはアルキル、さらにアルコキシ、F、CItたはCNであるのが好ましい、A
1および/またはA2はPhe 、 Cyc、che 、 Pyr tたはDi
oであるのが好ましい0式Iの化合物は1つ以下の基Bi、 Pyd 、 Py
r 、Dioまたは口itを含んでいるのが好ましい。
式Iおよび全ての下位式の好ましい化合物は、A1、A 、A および/または
A4がFでモノまたはジ置換されるかまたはCNでモノ置換される1、4−フェ
ニレンであるものである。詳細には、これらは、2−フルオロ−1゜4−フェニ
レン、3−フルオロ−1,4−フェニレンおよび2.3−ジフルオロ−1,4−
フェニレン並びに2−シアノ−1,4−フェニレンおよび3−シアノ−1,4−
フェニレンである。
Z およびZ2は一重結合、−CO−0−1−o−c。
一および一〇HCH−であるのが好ましく、−CH20−および一0CH2−で
あるのがその次に好ましい。
Rがハロゲンである場合は、F、CI、B「かつよた■であるのが好ましい。
Rがアルキル基および/またはアルコキシ基である場合は、直′Mまたは枝分れ
鎖でありうる。この基は直鎖てあり、2.3.4.5.6または7個のC原子を
有するのが好ましく、従って、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、ヘプチル、エトキシ、10ボキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシまたは
へブトキシ、さらにはメチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキシ−、オクトキシ、ツノ
キシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコシキ、トリデコキシまたはテトラデシル
シであるのが好ましい。
オキサアルキルは直fi2−オキサプロピル(=メトキシメチル)、2−オキサ
ブチル(=エトキシメチル)または3−オキサブチル(=2−メトキシエチル)
、2−13−または4−オキサペンチル、2−13−54−または5−オキサヘ
キシル、2−13−14−15−または6−オキサヘプチル、2−53−14−
15−16−または7−オキサオクチル、2−13−14−15−56−17−
または8−オキサノニル、2−13−14−15−26−17−18−または9
−オキサデシルであるのが好ましい。
Rがアルケニル基である場合は、直Ht、たは枝分れ鎖でありうる。この基は直
鎖てあり、2〜10個のC原子を有するのが好ましい。したがって、詳細には、
この基はビニル、■−または2−プロペニル、1−12−または3−ブテニル、
1−22−13−または4−ペンテニル、1−12−13−14−または5−へ
キセニル、1−12−23−24−15−または6−へブテニル、1−12−5
3−14−15−16−または7−オクテニル、1−12−53−54−15−
16−17−または8−ノネニル、または1−12−13−14−15−16−
17−18−または9−デセニルである。
Rが、1つのCH2基を一〇−で置き換えそして1つを−co−で置き換えたア
ルキル基である場合、こ、れらは隣接しているのが好ましい、したがって、これ
らの基はアシロキシ基−CO−O−またはオキシカルボニル基−0−CO−を含
む、これらは直鎖でありおよび2〜6個のC原子を有するのが好ましい、したが
って、詳細には、これらの基はアセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリル
オキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、アセチルオキシメチル、プ
ロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキシメチル、
2−アセチルオキシエチル、2−10ピオニルオキシエチル、2−ブチリルオキ
シエチル、3−アセチルオキシプロピル、3−グロピオニルオキシグロピル、4
−アセチルオキシブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキ
シカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニ
ルメチル、エトキシカルボニルメチル、グロボキシカルポニルメチル、ブトキシ
カルボニルメチル、2−(メトキシカルボニル)エチル、2−(エトキサカルボ
ニル)エチル[原文の通り]、2−(プロポキシカルボニル)エチル、3−(メ
トキシカルボニル)プロピル、 3−(エトキシカルボニル)プロピルおよび4
−(メトキシカルボニル)ブチルである。
Rが、1つのCH2基をCOまタハc o −oまたは〇−COで置き換えたア
ルキル基である場合、それは直鎖または枝分れ鎖でありうる。その基は直鎖であ
りまた4〜13個のC原子を有するのが好ましい、したがって、詳細には、その
基はアクリロイルオキシメチル、2−アクリロイルオキシエチル、3−アクリロ
イルオキシエチル、4−アクリロイルオキシブチル、5−アクリロイルオキシペ
ンチル、6−アクリロイルオキシヘキシル、7−アクリロイルオキシヘプチル、
8−アクリロイルオキシオクチル、9−アクリロイルオキシノニル、10−アク
リロイルオキシデシル、メタクリロイルオキシメチル、2−メタクリロイルオキ
シエチル、3−メタクリロイルオキシプロピル、4−メタクリロイルオキシブチ
ル、5−メタクリロイルオキシペンチル、6−メタクリロイルオキシヘキシル、
7−メタクリロイルオキシへブチル、8−メタクリロイルオキシオクチルまたは
9−メタクリロイルオキシノニルである。
重合反応に適している側基Rを含んでいる式Iの化合物は液晶重合体を製造する
ために適している。
枝分れ側基Rを含んでいる式■の化合物は、通常の液晶基材に対する溶解度が良
好なので時には重要であるが、それらが光学的に活性であるならば、キラルドー
ピング剤として特に重要である。この種のスメクテイック化合物は強誘電性材料
の成分として適している。
SA相を有する式■の化合物は、例えば熱的にアドレスされるディスプレイ用に
適している。
この種の枝分れ基は一般に1つ以下の鎖枝を有している。
好ましい枝分れ基Rはイングロビル、2−ブチル(=1−メチルプロピル)、イ
ソブチル(=2−メチルア1ロビル)、2−メチルブチル、イソペンチル(=3
−メチルブチル)、2−メチルペンチル、3−メチルペンチル、2−エチルヘキ
シル、2−プロピルペンチル、インプロポキシ、2−メチル10ポキシ、2−メ
チルブトキシ、3−メチルブトキシ、2−メチルペントキシ、3−メチルペント
キシ、2−エチルヘキソキシ、1−メチルヘキソキシ、1−メチルへブトキシ、
2−オキサ−3−メチルブチル、3−オキサ−4−メチルペンチル、4−メチル
ヘキシル、2−ノニル、2−デシル、2−ドデシル、6−メチルオクトキシ、6
−メチルオクタロイルオキシ、5−メチルへブチルオキシカルボニル、2−メチ
ルブチリルオキシ、3−メチルバレリルオキシ、4−メチルヘキサノイルオキシ
、2−クロロプロピオニルオキシ、2−クロロ−3−メチルブチリルオキシ、2
−クロロ−4−メチルバレリルオキシ、2−クロロ−3−メチルバレリルオキシ
、2−メチル−3−オキサペンチルおよび2−メチル−3−オキサヘキシルであ
る。
Rが、2つまたはそれ以上のCH2基を一〇−および/または−CO−O−で置
き換えたアルキル基である場合は、直鎖または枝分れ鎖でありうる。その基は枝
分れ鎖でありまた3〜12個のC原子を有するのが好ましい、したがって、詳細
には、その基はビスカルボキシ、メチル、2.2−ビスカルボキシエチル、3.
3−ビスカルボキシグロビル、4.4−ビスカルボキシブチル、5.5−ビスカ
ルボキシペンチル、6.6−ビスカルボキシヘキシル、7.7−ビスカルボキシ
ヘプチル、8.8−ビスカルボキシオクチル、9.9−ビスカルボキシノニル、
10.10−ビスカルボキシデシル、ビス(メトキシカルボニル)メチル、2.
2−ビス(メトキシカルボニル)エチル、3.3−ビス(メトキシカルボニル)
グロビル、4.4−ビス(メトキシカルボニル)ブチル、5.5−ビス(メトキ
シカルボニル)ペンチル、6.6−ビス(メトキシカルボニル)ヘキシル、7゜
7−ビス(メトキシカルボニル)ヘプチル、8.8″ビス(メトキシカルボニル
)オクチル、ビス(エトキシカルボニル)メチル、2.2−ビス(エトキシカル
ボニル)エチル、3.3−ビス(エトキシカルボニル)グロピル、4゜4−ビス
(エトキシカルボニル)ブチルまたは5.5−ビス(エトキシカルボニル)ヘキ
シルである。
重縮合に適する側基Rを含んでいる式Iの化合物は液晶重縮合物を製造するため
に適している。
式■はこれらの化合物のラセミ体と光学対本体との両方およびそれらの混合物を
包含するものである。
式■およびそれらの下位式の化合物のうち、そこに存在する基の少なくとも1つ
が上述の好ましい意味の1つを有するものが好ましい。
大工の化合物において、環Cyeおよびピペリジンがトランス−1,4−ジ置換
されている立体異性体が好ましい。
1つまたはそれ以上の基Pyd 、 Pyrおよび/またはDioを含んでいる
上述の式の化合物は、それぞれの場合において、2つの2.5位置異性体を包含
するものである。
1.4−シクロヘキセニレン基が以下の構造:を有するのが好ましい。
式■の化合物は、文献[例えば、シュトットガルトのゲオルグースイ−yt (
Geora−Thieme)出版社発行のホーベン−フィル(Houben−W
eyl)、「有機化学の方法(Hethodender Organische
n Chemie) J 、Vol、 IX 、 pp、867 ffのような
定本]に記載されているようにそれ自体公知の方法によって、すなわち、公知の
前記反応に適した反応条件下に製造される。同様に、それ自体公知であるが、こ
こではさらに詳細には説明しない兵法らここで使用することができる。
本発明に従う式■のトリフルオロメチルシクロヘキシル化合物は、例えば式
に従って式Iに従うシクロヘキサンカルボン酸を三弗化ジアルキルアミノ硫黄、
例えばDAST (三弗化ジエチルアミノ硫黄) [14,J、ミッドルト:y
(HiddletOn)、J、 Org。
Chew、 、土ユ、574、(1975) ]または四弗化硫黄[^、ハウス
(Haus) 、H,スピッツ7− (5pitzer)、台、リーベ(Lie
b) 、Chew、 Ber、、121 (1988) 、1329]と反一応
させることによって製造することができる。
さらに、接触水素添加[例えば、K、 14.ボールドリン、HlJ、T、ロビ
ンソン、テトラヘドロン、1ユ、1663〜1668 (1977)に準じて]
によって対応するトリフルオロフェニル化合物から式■の化合物を製造すること
ができる。
さらに、式Iの化合物は、式II
Y は−(CH) −Y3.−CH0*たはCNであn
す、
Y2はHであり、また
YlおよびY2は一緒にOであり、
Y3はOH、ハロゲンまたはo−802−C7H7であり、および
nは0.1または2である)
の対応する4−置換1−トリフルオロメチルシクロへキサンを弐■、R−(A1
−Z’ ) −A2−23にQW1切にt換した化合物と反応させることによっ
て製造することができる。
式IIの新規の化合物も同様に本発明の主題を構成する。
z2がCHOまたは0CH2である式■の化合物は、例えば、Y が(CH2)
。−Y である式IIの化合物を、Z3がCH20HまたはOHである式■の化
合物を用いてエーテル化することによって得られる。
z2がCHCHである式■の化合物は、例えば、Z3がCHNetであって、N
etがLi、 Ha、 K、はCHOである式IIの化合物と反応させ、引き続
き得られたゲj・ンまたはエチレン誘導体を反応させることによって製造するこ
とができる。
Z2が一重結合である式Iの化合物は、例えば、Z3がNetである弐■の化合
物をYlおよびY2が一緒にOである式IIの化合物と反応させ、引き続き生成
物を脱水し、そして必要に応じて得られたシクロヘキセン誘導体を接触水素添加
することによって得ることができる。
さらに、式Iの化合物は、例えばC,F、オラー(Olah)等、J、 AIl
、 Chen、 Sac、 、111.393〜395 (1989)の方法に
よって式Iに従うシクロヘキサノンを、例えば四塩化チタンまたは臭化亜鉛のよ
うなルイス酸の存在下または、例えば弗化テトラブチルアンモニウムまたは弗化
セシウムのような弗化物の存在下にNetがLi、 Na、 K、 HgBrま
たはHgClであるトリフルオロメチル−〇f3tと、またはトリメチル(トリ
フルオロメチル)シランと反応させ、そして脱水試薬の存在下に対応するトリフ
ルオロメチルヒドリンを脱水することによって (単語脱落)することができる
。
TMS−CF3/Fe又!、t ルイスn適切な脱水試薬は、例えばP2O5、
POCl3、PCl3、に従ってルイス酸によって触媒される2−トリフルオロ
メチルブタジェンと適切なビニル化合物とのディールス−アルダ−縮合[例えば
、■、コジマ(にojima) 、T、イヌハイ(Inuhai) 、J、 O
rc+、 Chew、 、35 (5) 、1342〜1348(1970)の
方法によって]製造することができる。
図式II
この方法を使用して、z2が一〇−COである式■の化合物、特に式11a
(式中、
YlがCHO,CNまたはC0ORであり、およびRoがHまたは1〜6個のC
原子を有するアルキルである)
の中間体を製造するのが好ましい。
2−トリフルオロブタジェンは、■、イヌハイ、H,カサイ(にasa i )
、J、 Org、 Cheri、 、 30.3567 (1965ンの方法に
よって1.1.1−トリフルオロアセトンから得ることができる。
式I2の2− (4−)リフルオロメチルシクロヘキシル)ジオキサンは、図式
■に従って適切に置換されたプロノ(ンジオールと4−ホルミルトリフルオロメ
チルシクロヘキサンとを縮合させることによって製造される。
図式■
適切に置換されたプロパンジオールは図式■に従ってマロン酸エステルをアルキ
ル化することによって、またはDE3,227,916に記載された方法に準じ
て製造される。
図式IV
所望ならば、反応混合物からそれらを単離する代わりに即座にそれらをさらに反
応させて式■の化合物を生成すことによって、出発物質を現場で生成することも
でさる。
例えば、式1の化合物は、1つまたはそれ以上の還元性基および/またはH原子
の変りにC−C結合を含んでいるが、そのほかの点では式Iに対応する化合物を
還元することによって製造することができる。
適切な還元性基はカルボニル基、特にゲト基、さらには、例えば遊離またはエス
テル化水酸基あるいは芳香環に結合したハロゲン原子であるのが好ましい、還元
に対して好ましい出発物質は式■に対応するが、シクロヘキサン環の代わりにシ
クロヘキセン環、シクロヘキサノン環またはフェニル環を含み、および/または
一〇HCH2−基の代わりに−CH=CH−基を含み、および/または−CH2
−基の代わりに一〇〇−基を含み、および/またはH原子の代わりに遊離または
官能的に(例えば、そのp−トルエンスルホネートの形で)誘導されたOH基を
含んでいる。
還元は、例えば、不活性溶媒、例えばメタノール、エタノール、イン10パノー
ル等のアルコール、テトラしドロ7ラン(THF)、ジオキサン等のエーテル、
酢酸エチル等のエステル、酢酸等のカルボン酸またはシクロヘキサン等の炭化水
素巾約O℃〜約200℃の温度および約1〜200バールの圧力で接触水素添加
することによって行うことができる。適切な触媒は、酸化物の形(例えば、Pt
O□またはPd0)で、支持体に担持(例えば、木炭、炭酸カルシウムまたは炭
酸ストロンチウム上のPd)させてまたは微粉状で使用することができるPt、
Pd等の貴金属であるのが好ましい。
ケトン類をクレメンゼン(約80〜120℃の温度で好ましくは水性アルコール
溶液中または水/トルエン不均質相中で亜鉛、亜鉛アマルガムまたは錫および塩
酸を用いる)またはウォルフーキシュナ−(約100〜200℃の温度でジエチ
レングリコール、トリエチレングリコール等の高沸点溶媒中、好ましくはKOH
,NaOH等のアルカリの存在下にヒドラジンを使用する)の方法によって還元
して、アルキル基および/または一〇 H2CH2mを含んでいる式■の対応す
る化合物を生成することもできる。
さらに、複合水素化物を使用する還元も可能である0例えば、アリールスルホニ
ルオキシ基をLi^I84を用いて還元的に除去することができる。詳細には、
約0く100℃の温度で、好ましくはジエチルエーテル、THF等の不活性溶媒
中でp−トルエンスルホニルオキシメチル基がメチル基に還元される。二重結合
はメタノール中のNaBH4*たは水素化トリブチル錫を用いて水素化すること
ができる。
1.4−フェニレン基の代わりに1.4−シクロヘキセニレン基を含むがそのほ
かの点では式Iに対応する式Iの化合物を、例えば適切な溶媒中のDDQ (ジ
クロロジシアノベンゾキノン)を用いて酸化することができる。
式Iのエステル類も、アルコールまたはフェノール(またはその反応性誘導#)
を用いて適切なカルボン酸くまたはその反応性誘導体)をエステル化することに
よって、またはDCC法<DCC=CCニジシクロルカルボジイミド)によって
得ることができる。
それらに対応するカルボン酸およびアルコールまたはフェノールは知られている
かまたは、公知の方法に準じて製造することができる。
上述のカルボン酸の適切な反応性誘導体は、特にハロゲン化アシル、とりわけ塩
化物および臭化物、さらに無水物、例えば混合無水物も、アジドまたはエステル
、特にアルキル基に1〜4個のC原子を有するアルキルエステルである。
上記アルコールまたはフェノールの適切な反応性誘導体は、特に、好ましくはナ
トリウム、カリウム等のアルカリ金属の対応する金属アルコラードまたはフェノ
ラートである。
エステル化は不活性溶媒の存在下に有利に行うことができる。非常に適した溶媒
は、特にジエチルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、THF、ジオキサン、ア
ニソール等のエーテル、アセトン、ブタノン、シクロヘキサノン等のゲトン、D
MF、ヘキサメチル燐酸トリアミド等のアミド、ベンゼン、トルエン、キシレン
等の炭化水素、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、テトラクロロエチレン等
のハロゲン化炭化水素およびジメチルスルホキシド、スルホラン等のスルホキシ
ドである。
式Iのニトリルを製造するために、適切な酸アミド、例えばCONH2基がCN
基に取って代わったものを脱水することができる。これらのアミドは、例えば、
アンモニアと反応させることによって適切なエステルまたはハロゲン化アシルか
ら得ることができる。Wi切な脱水剤は、例えば5OC1、PCl3、PCl5
、POCl3.502C12、COCl□等の無機酸の塩化物、さらにP2O5
、P2S5、AlCl3<例えばNaClとの複合化合物として)、芳貢族スル
ホン酸およびハロゲン化スルホニルである0反応は約0℃〜150℃の温度で不
活性溶媒の存在下または不存在下に行うことができる0M切な溶媒は、例えばピ
リジン、トリエチルアミン等の塩基、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素またはDMF等のアミドである。
式■の上述のニトリル類を製造するために、テトラメチレンスルホン等の不活性
溶媒巾約80℃〜150℃の温度、好ましくは120℃で適切なハロゲン化アシ
ル、好ましくは塩化アシルをスルファミドと反応させることもできる。
通常の操作後に、ニトリルを直接単離することができる。
式■のエーテル類は、対応するヒドロキシル化合物、好ましくは対応するフェノ
ールをエーテル化することによって得ることができる。特に好適には、ヒドロキ
シル化合物を、まず対応する金属誘導体、例えば、NaH、NaN H2、Na
OH,KOH,Ha2Co3t、たはに2co3で処理することによってアルカ
リ金属アルコラードまたはアルカリ金属フェノラートに転化する0次に、特に好
適には、これを、アセトン、1.2−ジメトキシエタン、DMF、ジメチルスル
ホキシド等の不活性溶媒中、または同様に過剰のNaOHまたはKOHの水溶液
もしくは水性アルコール溶液巾約20℃〜100℃の温度で適切なハロゲン化ア
ルキル、スルホネートまたはに酸ジエチルと反応させることができる。
の温度で、例えばDMF、N−メチルピロリドン等の不活性溶媒中ピリジンの存
在下に式Iの適切な塩素、臭素またはヨウ素化合物をシアニド、好ましくはNa
CN、KCN、CL12 (CN ) 2等の金属シアニドと反応させることも
できる。
A1が少なくとも1個のF原子及び/またはCN基で置換される式■の化合物は
、例えばジーマンまたはサンドマイヤーの方法によってジアゾニウム基を弗素原
子またはCN基で置換することによって対応するジアゾニウム塩から得ることが
できる。
式■のジオキサン誘導体およびジチアン誘導体は、約り0℃〜約150℃、好ま
しくは80°C〜120°Cの温度で、好ましくはベンゼン、トルエン等の不活
性溶媒の存在下および/または触媒、例えば硫酸、ベンゼンスルホン酸、ρ−ト
ルエンスルホン酸等の強酸の存在下に適切なアルデヒド(またはその反応性誘導
体)を適切な1,3−ジオール(またはその反応性誘導体)あるいは適切な1.
3−ジチオールと反応させることによって特に好適に製造される。
出発物質の適切な反応性誘導体は主としてアセタールである。
上述のアルデヒド、1.3−ジオールおよび1,3−ジチオールのあるもの、お
よびそれらの反応性誘導体のあるものは公知であり、そしであるものは有機化学
の標準方法によって文献で知られている化合物から何の苦もなく製造される0例
えば、対応するアルコールの酸化によっであるいはニトリルまたは対応するカル
ボン酸もしくはその誘導体の還元によってアルデヒドを得ることができ、対応す
るりエステルの還元によってジオールを得ることができ、そして対応するジハロ
ゲン化物のNa5Hとの反応によってジチオールを得ることができる。
本発明による液晶媒体は本発明の1種以上の化合物のほかにもさらに別の成分と
して2〜40、特に4〜30成分を含んでいるのが好ましい、特に、これらの媒
体は本発明の1種以上の化合物のほかに7〜25成分を含んでいるのが非常に好
ましい、これらのさらに追加の成分は、ネマティック又はネマティック相形成性
(単変性又は等方性)物質、特にアゾキシベンゼン類、ベンジリデンアニリン類
、ビフェニル類、テルフェニル類、安息香酸フェニル類または安息香酸シクロヘ
キシル類、シクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル
類、シクロヘキシル安息香酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、シク
ロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたハシクロヘキシルエステル
票、安息香酸、シクロヘキサンカルボン酸およびシクロヘキシルシクロヘキサン
カルボン酸のシクロへキシルフェニルエステル類、フェニルシクロヘキサン類、
シクロへキシルビフェニル類、フェニルシクロへキシルシクロヘキサン類、シク
ロへキシルシクロヘキサン類、シクロへキシルシクロヘキセン類、シクロへキシ
ルシクロへキシルシクロヘキセン類、1.4−ビス−シクロヘキシルベンゼン類
、4.4′−とスーシクロへキシルビフェニル類、フェニルピリミジン類または
シクロへキシルピリミジン類、フェニルピリジン類またはシクロへキシルピリジ
ン類、フェニルジオキサン類またはシクロへキシルジオキサン類、フェニル−1
,3−ジチアン類またはシクロへキシル−1,3−ジチアン類、1.2−ジフェ
ニルエタン類、1.2−ジシクロヘキシルエタン顕、1−フェニル−2−シクロ
ヘキシルエタン類、1−シクロヘキシル−2−(4−フェニルシクロヘキシル)
エタン類、1−シクロへキシル−2−ビフェニルエタン類、■−フェニルー2−
シクロへキシルフェニルエタン類、必要に応じてハロゲン化されるスチルベン類
、ベンジルフェニルエーテル類、トラン類並びに置換ゲイ皮酸類の群から成る物
質から選択するのが好ましい、これらの化合物における1、4−7エニレン基は
弗素化されてもよい。
本発明による媒体のさらに別の成分として適した最も重要な化合物の特徴は次式
1.2.3.4及び5によって示すことができる。
R” −L−E−R″ I
R” −L−Coo−E−R# 2
R′−L−00C−E−R〜 3
R”−L−CHCH−E−R″ 4
R′−L−CミC−E−R” 5一
式1.2.3.4および5において、同一でも異なってもよいしおよびEは、そ
れぞれの場合において互いに独立して、 −Phe−、−Cyc−1−Phe−
Phe−1−Phe−Cyc−1−Cyc−Cyc−、−Pyr−、−Dio−
、−G−Phe−および−〇−Cyc−並びにそれらの鏡像基[但し、Pheは
未置換又は弗素置換1゜4−フェニレンであり、CyCはトランス−1,4−シ
クロヘキシレン又は1.4−シクロヘキセニレンであり、Py「はピリミジン−
2,5−ジイルまたはピリジン−2、’ 5−ジイルであり、Dioは1,3−
ジオキサン−2,5−ジイルであり、そしてGは2−(トランス−1,4−シク
ロヘキシル)エチル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリジン−2,5−ジイル
または1.3−ジオキサン−2,5−ジイルである]から成る群からの2価の基
である。
基りおよびEの1つはCyc、 PheまたはPyrであるのが好ましい。Eは
Cyc、 PheまたはPhe−Cycであるのが好ましい。本発明の媒体は、
しおよびEがCyc、 PheおよびPyrから成る群から選択される式1.2
.3.4および5の化合物から選択される1種以上の成分を含み、同時に基しお
よびEの1つがCyc、 PheおよびPyrから成る群から選択され、他方の
基が−Phe−Phe−1−Phe−Cyc−5−cyc−cyc−、−G−P
he−および−G−Cyc−から成る群から選択される式1.2.3.4及び5
の化合物から選択される1種以上の成分を含み、さらに必要に応じて基りおよび
Eが−Phe−Cyc−、−Cyc−Cyc−、−G−Phe−および−〇−C
yc−から成る群から選択される式1.2.3.4及び5の化合物から選択され
る1種以上の成分を含むのが好ましい。
下位式1a、2a、3a、4aおよび5aの化合物において、R′およびR″は
、それぞれの場合において互いに独立して、8個までの炭素原子を有するアルキ
ル、アルケニル、アルコキシ、アルケニルオキシまたはアルカノイルオキシであ
る。これらの化合物の大部分は、R′とR″が互いに興なり、これらの基の1つ
は通常アルキル又はアルケニルである。下位式1b、2b、3b、4bおよび5
bの化合物において、R″は−CN、−CF3、F、CI又は−NCSである。
この場合Rは下位式1a〜5aの化合物に関して示した意味であり、アルキル又
はアルケニルであるのが好まし−い、しかしながら、式1.2.3.4及び5の
化合物において提案した置換基の他のあらゆるものが共通する。そのような物質
あるいはまたそれらの混合物の多くは市販されている。これらの物質は全て文献
で知られている方法又はそれに準じる方法によって得ることができる。
化合物1a、2a、3a、4a及び5aから成る群(1群)からの成分以外に、
本発明の媒体は化合物1b、2b、3b、4b及び5bから成る群(2群)から
の成分も含んでいるのが好ましい。
それらの割合は次の通りであるであるのが好ましい。
1群=20〜90%、特に30〜90%2群:10〜80%、特に10〜50%
。
の合計は100%となる。
本発明に従う媒体は1〜40%、特に5〜30%の本発明の化合物を含んでいる
のが好ましい、40%より多い、特に45〜90%の本発明の化合物を含んでい
る媒体がさらに好ましい、媒体は3.4または5種の本発明の化合物を含んでい
るのが好ましい。
本発明の媒体はそれ自体通常の方法で製造される。一般に、これら成分は高温で
特に好適に互いに溶解する。適切な添加剤によって、液晶相は、それらがこれま
でに開示された全ての種類の液晶ディスプレイ要素に使用できるように本発明に
従って改質することかできる。この種の添加剤は当業者に知られており、また文
献[例えば、■、ゲルカー(にelker)及びR,ハッッ(Hatz)、「液
晶ハンドブック(Handbook of Liquid crystals)
J 、化学出版社、ワインハイム、19801に詳細に記載されている。例えば
、2色性染料を添加して着色ゲスト−ホスト系を製造し、またある種の物質を添
加して、ネマティック相の誘電率異方性、粘度および/または配向を調節するこ
とができる。
本発明の媒体はMLCディスプレイに使用するのに特に適している。
以下の実施例は本発明を説明するものであって、本発明を限定するものではない
、mp=融点、cp=透明点0以上および以下において、パーセントは重量%で
あり、温度は全て℃表示である。「通常の操作」とは、水を加え、混合物を塩化
メチレンで抽出し、有機相を分離して乾燥および蒸発させ、そして生成物を結晶
化および/またはクロマトグラフィーによって精製することを意味する。
さらに、略語は以下の意味を有する。
C:結晶固体、S:スメクティプク相(表示は相の種類を表わす)、N:ネマテ
ィック状態、Ch:コレステリック相、■=等方性相、2つの記号間の数字は℃
基準の転移温度を示す。
DAST 三弗化ジエチルアミノ硫黄
DCCジシクロへキシルカルボジイミドDDQ ジクロロジシアノベンゾキノン
D I BALH水素化ジイソブチルアルミニウムDMSOジメチルスルホキシ
ド
POT カリウムtert−ブタノラードTHF テトラヒドロフラン
pTsOHP hルエンスルホン酸
実施例1
トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸
0.47モルの4−トリフルオロメチル安息香酸エチル(塩化4−トリフルオロ
メチルベンゾイル、エタノールおよびピリジンから製造)、10001のエタノ
ールおよび20gのロジウム/活性炭(5%)の混合物を5バールの圧力および
60℃の温度で5時間水素添加する。濾過によって触媒を除去しおよび溶媒を除
去した後に得られた4−トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸エチル(
シス/トランス=87%/13%)を前もって精製することなく300m1の水
に懸濁させ、70gの30%水酸化ナトリウム溶液で処理する。この混合物を沸
騰するまで手短に加熱して、室温で18時間撹拌する。塩酸を用いて酸性化する
ことによって、シス/トランス混合物としてカルボン酸を得る。
このGo、38モルと塩化チオニル15011との混合物を48時間煮沸する。
過剰の塩化チオニルを留去した後、50011の水および100nlの30%水
酸化ナトリウム溶液を添加し、反応混合物を60℃で2時間撹拌する。酸性化お
よび石油エーテルでの再結晶化によって、155℃の融点を有する純粋のトラン
ス/カルボン酸を得る。
実施例2
トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキサノール0.3モルの4−トリフ
ルオロメチルフェノール、10001のエタノールおよび20gのロジウム/活
性炭(5%)の混合物を5バールの圧力および60℃の温度で2時間水素添加す
る。固形成分を一過によって除去し、溶媒を留去することによって、シス/トラ
ンス混合物(30%/70%)として目的のシクロヘキサノールを得る。3.3
−ジメチル−2−ブタノンの存在下にトルエン中のアルミニウムトリイソプロピ
ラードと共に加熱し、引き続き再結晶化することによってこの混合物から純粋の
トランス化合物を得る。
実施例3
トランス−4−トリフルオロメチル−1−ホルミルシクロヘキサン
0.05モルのトランス−4−トリフルオ口メチルシクロヘキサンカルボン酸(
実施例1におけると同様に製造)を0℃において100111の臭化イソブチル
マグネシウムのエーテル溶液(1モル/j )および0.3ミリモルのジクロロ
ビス[π−シクロペンタジェニル]チタンに滴下し、混合物を室温で4時間撹拌
する。301の4規定塩酸を添加し、そして通常の操作を行って、無色油状物と
して生成物を得る。
実施例4
トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸トランス、トラン
ス−4′−プロピルビシクロヘキシル
0.005モルのトランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸
、0.005モルのトランス、トランス−4−10ピルビシクロへキシル−4′
−オール、1001のジクロロメタン、0.005ミリモルの4−N。
N−ジメチルアミノピリジンおよび0.007モルのDCCの混合物を室温で2
時間撹拌する。固形成分を一過によって除去し、そして通常の操作を行って、無
色固形物として生成物を得る(C895B165 I、Δn 0.065、Δε
十10.01)。
以下の化合物を同様に製造する。
実施例5
トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸トランス−4−トリフルオロ
メチルシクロヘキシル0.005モルのトランス−4−トリフルオロメチルシク
ロヘキサノール(実施例2におけると同様に製造)を用いて、0.005モルの
トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸を実施例4に準じてエステル
化する。生成物を無色固形物として得る。
以下の化合物を同様に製造する。
実施例6
トランスー4−へ1チルシクロヘキシルメチルトランス−4−トリフルオロメチ
ルシクロヘキシルエーテル0.11モルの臭化トランス−4−へブチルシクロヘ
キシルメチルと801のTHFとの混合物を0℃において0.1モルのナトリウ
ム(トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキサノラード)(0,1モルの
トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキサノールと0.1モルの水素化ナ
トリウムとから製造)と2001のTHFとの混合物に添加する。この混合物を
60℃で3時間撹拌し、そして通常の操作を行うことによって無色固形物として
生成物を得る。
以下の化合物を同様に製造する。
臭化トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキシルメチル(水素化リチウム
アルミニウムを用いて還元し、引き続き三臭化燐を用いて臭素化することによっ
てトランス−4−トリフルオロシクロヘキサンカルボン酸から製造)とトランス
−4−アルキルシクロヘキサノールとを用いて、以下の化合物を同様に製造する
。
実施例7
1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(トランス−4−トリフ
ルオロメチルシクロヘキシル)エテン
0.2モルの臭化(トランス−4−プロピルシクロヘキシルメチル)トリフェニ
ルホスホニウム(臭化トランス−4−プロピルシクロヘキシルメチルとトリフェ
ニルホスフィンとから製造)と1501のDMSOとの混合物が0℃において0
.2モルの水素化ナトリウムと10(llのDMSOとの混合物に供給する[原
文の通り]、この混合物を室温で10分間撹拌した後、0.2モルのトランス−
4−トリフルオロメチル−1−ホルミルシクロヘキサン(実施例3におけると同
様に製造)と501のDMSOとの混合物を滴下する。得られた混合物を65゛
Cで1時間加温し、通常の操作を行う、生成物を無色染料[原文の通り]として
得る。
以下の化合物を同様に製造する。
実施例8
1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(トランス−4−トリフ
ルオロメチルシクロヘキシル)エタン
0.1モルの1−(1−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(トラン
ス−4−トリフルオロメチルシクロヘキシル)エテノ、2001のメタノールお
よび5gのパラジウム/活性炭(15%)の混合物を2バールの圧力および50
°Cの温度において2時間水素添加する0通常の操作を行うことによって、無色
固形物として生成物を得る。
以下の化合物を同様にして製造する。
C3H1100K 48 L Δt +6.3. An O,025C7H15
0Q
C3H710K 1575B(156) N 158,5 r。
Δt +8.7. Δn 0.054
実施例9
トランス、トランス−4′−プロピル−4−トリフルオロメチルビシクロヘキサ
ン
0.35モルのトランス、トランス−4′−ペンチルビシクロへキシル−4−カ
ルボン酸と0.9モルの四弗化硫黄との混合物をオートクレーブ中で70℃にお
いて10日間加温する。生成物をペンタンに溶解し、溶液を水洗し、乾燥し、そ
して蒸発させる。蒸留および結晶化を行うことによって、生成物を得る(C43
I)。
以下の化合物を同様に製造する。
C5H工、oo−〇一
実施例10
4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−1−トリフルオロメチルシク
ロヘキセン−110ミリモルの4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)
シクロヘキサノン、11ミリモルのトリメチル(トリフルオロメチル)シラン、
10ミリモルの弗化テトラブチルアンモニウムおよび501のTHFの混合物を
0℃で2時間撹拌する0通常の操作を行った後、粗生成物を201のTHFに溶
解し、10ミリモルのDASTを添加し、そして得られた混合物を沸騰するまで
加熱する0通常の操作を行った後、粗生成物をクロマトグラフィ、−および結晶
化によって精製する。
以下の化合物を同様に製造する。
実施例11
2−(トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキシル)−5−プロピル−1
,3−ジオキサン0.02モルのトランス−4−トリフルオロメチル−1−ホル
ミルシクロヘキサン(実施例3におけると同様に製造)、0.02モルの2−1
0ピルプロパンジオール、301のトルエンおよび0.5gのpTsOH[原文
の通り]の混合物を水分離器上で4時間加熱する0通常の操作および結晶化を行
った後に、純粋の生成物を得る。
X n
H]Co5
X n
実施例12
2−(トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキシル) −5−(トランス
−4−ペンチルシクロヘキシル)−1,3−ジオキサン
0.02モルのトランス−4−トリフルオロメチル−1−ホルミルシクロヘキサ
ン(実施例3におけると同様に製ロヘキシル)プロパンジオール(OE3,22
7,916におけると同様に製造)、3(11のトルエンおよび0.5gのp’
rsOHの混合物を水分離器上で6時間加熱する6通常の操作および結晶化を行
った後に、生成物を得る。
以下の化合物を同様に製造する。
実施例13
1−(4′−ペンチルー2′−フルオロビフェニル−4−イル)−2−()ラン
ス−4−トリフルオロメチルヘキシル)エタン
実施例7に準じて、0.2モルの臭化4′−ペンチルー2′−フルオロビフェニ
ル−4−イルメチルおよび0.2モルのトランス−4−トリフルオロメチルホル
ミルシクロヘキサン(実施例3におけると同様に製造)から1−(4′−ペンチ
ル−2−フルオロビフェニル−4−イル)−2−(トランス−4−トリフルオロ
メチルヘキシル)エテノを得る。後者の化合物をパラジウム/活性炭(15%)
を用いてメタノール中で実施例8に準じて水素添加する。
通常の操作および結晶化を行うことによって、純粋の生成物を得る。
以下の化合物を同様に製造する。
実施例14
トランス−4−(2−エチルピリミジン−5−イル)−トリフルオロメチルシク
ロヘキサン
0.1モルの2−(ジェトキシメチル)ブチルアルデヒド(2−エチルマロン酸
ジエチルから得られる)、0.1モルのトランス−4−トリフルオロメチルシク
ロへキシルカルボアミジン塩酸塩し65℃において水溶液中の0−スルホン酸ヒ
ドロキシルアミンで処理し、引き続き塩酸アルコール溶液と反応させることによ
って(実施例3参照)、トランス−4−トリフルオロメチル−1−ホルミルシク
ロヘキサンから得られる)および1001のジメチルホルムアミドの混合物を1
30℃で4時間加熱し、さらに1001のジメチルホルムアミドを添加した後、
130℃でさらに16時間加熱する0通常の操作を行い、再結晶化によって純粋
の生成物を得る。
以下の化合物を同様に製造する。
混合物実施例A
以下の成分から成る基混合物(A)を90重量%含有する液晶媒体を製造する。
24重量%のp−(トランス−プロピルシクロヘキシル)ベンゾニトリル:
36重量%のP−(トランス−ペンチルシクロヘキシル)ベンゾニトリル;
25重量%のP−(トランス−へブチルシクロヘキシル)ベンゾニトリル;
15重量%の4′−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4−シアノビ
フェニル;および10%のトランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキサンカ
ルボン酸トランス、トランス−4−プロピルシクロヘキシル。
混合物実施例B
9011%の基混合物(A)と10重量%の2−(トランス、トランス−4′−
プロピルビシクロへキシル−4−イル)−1−(トランス−4−トリフルオロメ
チルシクロヘキシル)エタンとを含有する液晶媒体を製造する。
混合物実施例C
90重量%の基混合物(A)と10重量%の2−(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)−1−(トランス−4−トリフルオロメチルシクロヘキシル)エタ
ンとを含有する液晶媒体を製造する。
国際調査報告
国際調査報告
EP 9000513
S^ 35687
Claims (11)
- 1.式I R−(A1−LZ1)。−A2−Z2−(A)−CF3[式中、 Rは、未置換のまたはCNでもしくは少なくとも1種のハロゲンで置換され、そ の1つ以上の隣接しないCH2基を−O−、−S−、−CO−、−O−CO−、 −CO−O−および−C≡C−から成る群から選択される基で置き換えてもよい 18個までのCを有するアルキルまたはアルケニル基であり、 A1およびA2は、それぞれ互いに独立してa)その1つまたは2つのCH基を Nで置き換えてもよい1,4−フェニレン基、 b)その1つまたは2つの隣接しないCH2基を−O−または−S−で置き換え てもよい1,4−シクロヘキシレン基、 c)1,4−シクロヘキセニレン、ヒペリジン−1,4−ジイル、1,4−ビシ クロ[2,2,2]−オクチレンまたはナフタレン−2,6−ジイル基であり、 基a)およびb)はハロゲン原子またはシアノおよび/またはメチル基でモノ置 換またはポリ置換することができ、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Z1およびZ2は、それぞれ互いに 独立して、−CO−O−、−O−CO−、−CH2CH2−、−CH(CN)− CH2−、−CH2−CH(CN)−、−CH=CH−、−OCH2−、−CH 2O−、−CH=N−、−N=CH−、−NO=N−、−N=NO−、−N=N −または一重結合であり、および oは0、1または2である] のトリフルオロメチルシクロヘキサン誘導体類。
- 2.A1およびA2が、それぞれ互いに独立して、その1つまたは2つの隣接し ないCH2基を−O−または−S−で置き換えてもよい1,4−シクロヘキシレ ン基であることを特徴とする請求項1記載のトリフルオロメチルシクロヘキサン 誘導体類。
- 3.Z2が−O−CO−または−CH2CH2−であることを特徴とする請求項 1または2記載のトリフルオロメチルシクロヘキサン誘導体類。
- 4.式I1 ▲数式、化学式、表等があります▼ I1 (式中、R、A1、−A−、Z1およびoは先に定義した通りである)で表わさ れる請求項1または2記載のトリフルオロメチルシクロヘキサン誘導体類。
- 5.式I2 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R、A1、−A−、Z1およびOは先に定義した通りである)で表わさ れる請求項1または2記載の2−(トリフルオロメチルシクロヘキシル)ジオキ サン[原文の通り]誘導体類。
- 6.式I2a ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、 XはF、Cl、CH=CH2、CH=CH−CmH2m+1[原文の通り]、O −CmH2m+1、C−CHまたはHであり、および mおよびnは、それぞれ互いに独立して、0〜10である) で表わされる請求項5記載の2−くトリフルオロメチルシクロヘキシル)ジオキ サン誘導体類。
- 7.1,4−シクロヘキシレン基がトランス型であることを特徴とする請求項1 〜6の1項に記載のトリフルオロメチルシクロヘキサン誘導体類。
- 8.電気光学ディスフレイ要素用の液晶媒体成分としての式Iの化合物類の使用 。
- 9.1種以上の成分が式Iの化合物であることを特徴とする少なくとも2種の成 分を有する液晶媒体。
- 10.誘電体として請求項9記載の液晶媒体を含むことを特徴とする電気光学デ ィスプレイ。
- 11.誘電体として請求項9記載の液晶媒体を含むことを特徴とする請求項8記 載のマトリックス液晶ディスプレイ。
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