JPH0550285A - 回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置 - Google Patents
回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置Info
- Publication number
- JPH0550285A JPH0550285A JP3178086A JP17808691A JPH0550285A JP H0550285 A JPH0550285 A JP H0550285A JP 3178086 A JP3178086 A JP 3178086A JP 17808691 A JP17808691 A JP 17808691A JP H0550285 A JPH0550285 A JP H0550285A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 品質の良い半田付けが能率良く行える回路基
板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置を提供
する。 【構成】 リフローする回路基板１２を、燃焼ガス５を
燃焼させて炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半
田溶融を行う。また管状トラップ１０の中に冷却触媒ま
たは冷却水を流し、トラップ１０の外側に結露した水分
を除去することにより燃焼ガス５の燃焼により発生する
炉内の水分を除去する。これにより回路基板や部品の電
極、およびクリーム半田が酸化されずに品質の良い半田
付けが能率良く行える。
板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置を提供
する。 【構成】 リフローする回路基板１２を、燃焼ガス５を
燃焼させて炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半
田溶融を行う。また管状トラップ１０の中に冷却触媒ま
たは冷却水を流し、トラップ１０の外側に結露した水分
を除去することにより燃焼ガス５の燃焼により発生する
炉内の水分を除去する。これにより回路基板や部品の電
極、およびクリーム半田が酸化されずに品質の良い半田
付けが能率良く行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気部品をクリーム半田
の塗布された回路基板上に装着した後にクリーム半田を
溶融する回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフ
ロー装置に関するものである。
の塗布された回路基板上に装着した後にクリーム半田を
溶融する回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフ
ロー装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電気部品を回路基板に装着して、
その電極と部品の電極を溶融するのには、図４に示すよ
うな、電気ヒーター２１とファン１１が設けられた装置
内を回路基板１２を通過させて、回路基板１２上のクリ
ーム半田を溶融することにより行われていた。
その電極と部品の電極を溶融するのには、図４に示すよ
うな、電気ヒーター２１とファン１１が設けられた装置
内を回路基板１２を通過させて、回路基板１２上のクリ
ーム半田を溶融することにより行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような半田溶融方法では、熱せられた回路基板の電極や
部品の電極が酸化したり、予熱時や溶融時に半田が酸化
されて半田ホールとなり、回路基板の洗浄が必要であっ
たりした。またＩＣ部品のリードピッチが微細になるに
従い、半田ボールが電極間を短絡させ不良を生じること
もあった。また、従来のリフロー方法では、洗浄を無く
すために弱活性のフラックスを用いることがあったが、
活性力が弱いために、回路基板の電極や部品の電極に十
分半田が濡れないといった不具合が発生していた。
ような半田溶融方法では、熱せられた回路基板の電極や
部品の電極が酸化したり、予熱時や溶融時に半田が酸化
されて半田ホールとなり、回路基板の洗浄が必要であっ
たりした。またＩＣ部品のリードピッチが微細になるに
従い、半田ボールが電極間を短絡させ不良を生じること
もあった。また、従来のリフロー方法では、洗浄を無く
すために弱活性のフラックスを用いることがあったが、
活性力が弱いために、回路基板の電極や部品の電極に十
分半田が濡れないといった不具合が発生していた。
【０００４】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、品質のよい半田付けが能率よく行えるリフロー方法
およびそのための装置を提供することを目的とする。
で、品質のよい半田付けが能率よく行えるリフロー方法
およびそのための装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のリフロー方法は、炉内においてメタンガス
（ＣＨ4），プロパン（ＣＨ8）などのガスと酸素を燃焼
させ、炉内に二酸化炭素もしくは一酸化炭素を充満し、
酸素濃度割合を相対的に減じる、または水素ガスを流し
炉内の酸素を燃焼して酸素を減じた炉内に回路基板を通
過させて、回路基板上の半田を溶融することを特徴とす
る。
に、本発明のリフロー方法は、炉内においてメタンガス
（ＣＨ4），プロパン（ＣＨ8）などのガスと酸素を燃焼
させ、炉内に二酸化炭素もしくは一酸化炭素を充満し、
酸素濃度割合を相対的に減じる、または水素ガスを流し
炉内の酸素を燃焼して酸素を減じた炉内に回路基板を通
過させて、回路基板上の半田を溶融することを特徴とす
る。
【０００６】さらに炉内にはガスを燃焼した際に発生す
る水分を除去する水分トラップを備えている。また、炉
内をマグネシウム，マンガン，アルミニウム，鉄等の酸
化しやすい、金属や活性炭等の多孔物質を設置または順
次炉内に供給することにより炉内の酸素濃度を下げた後
に回路基板を炉内に通過させて、回路基板上の半田を溶
融するようにしている。
る水分を除去する水分トラップを備えている。また、炉
内をマグネシウム，マンガン，アルミニウム，鉄等の酸
化しやすい、金属や活性炭等の多孔物質を設置または順
次炉内に供給することにより炉内の酸素濃度を下げた後
に回路基板を炉内に通過させて、回路基板上の半田を溶
融するようにしている。
【０００７】
【作用】本発明のリフロー方法によれば、熱せられた回
路基板の電極や部品の電極が酸化したり、予熱時や溶融
時に半田が酸化されて半田ボールとなることが無い。
路基板の電極や部品の電極が酸化したり、予熱時や溶融
時に半田が酸化されて半田ボールとなることが無い。
【０００８】さらに炉内にガスを燃焼した際に発生する
水分を除去する水分トラップを備えることにより湿度に
より基板や部品に悪影響を与えることが無い。
水分を除去する水分トラップを備えることにより湿度に
より基板や部品に悪影響を与えることが無い。
【０００９】
【実施例】以下、本発明のリフロー方法の実施例を図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１０】（実施例１）リフロー装置の全体構成を示
す図１において本体１の右方より回路基板１２が搬送ベ
ルト２により搬送され左の出口で排出される。リフロー
ゾーン１７は断熱材３で取り囲まれており、その内部の
上方にガス供給部４が設置されており、外部よりメタン
ガス，プロパンガス，天然ガスなどの燃焼ガス５と水素
に酸素または外気などの気体６が０〜９０％の割合で混
合器７で混合されて、本体１の内部で燃焼する。またガ
ス供給部４には点火部８と酸素センサ９が設置されてお
り、混合器７に酸素濃度が酸素センサ９からフィードバ
ックされる。酸素濃度が高いときには、炉内へ供給する
酸素もそくは大気などの気体６の濃度を減少し、酸素濃
度が下がってくると、燃焼ガス５が完全燃焼するように
酸素濃度を調整する。ガス供給部４の下方には、水分ト
ラップ１０が設置されている。水分トラップ１０は、冷
却触媒または冷却水で冷却した管を炉内に配置して燃焼
ガスが燃焼したときに二酸化炭素とともに発生する水分
を結露させて吸着して、外部へ排出する。
す図１において本体１の右方より回路基板１２が搬送ベ
ルト２により搬送され左の出口で排出される。リフロー
ゾーン１７は断熱材３で取り囲まれており、その内部の
上方にガス供給部４が設置されており、外部よりメタン
ガス，プロパンガス，天然ガスなどの燃焼ガス５と水素
に酸素または外気などの気体６が０〜９０％の割合で混
合器７で混合されて、本体１の内部で燃焼する。またガ
ス供給部４には点火部８と酸素センサ９が設置されてお
り、混合器７に酸素濃度が酸素センサ９からフィードバ
ックされる。酸素濃度が高いときには、炉内へ供給する
酸素もそくは大気などの気体６の濃度を減少し、酸素濃
度が下がってくると、燃焼ガス５が完全燃焼するように
酸素濃度を調整する。ガス供給部４の下方には、水分ト
ラップ１０が設置されている。水分トラップ１０は、冷
却触媒または冷却水で冷却した管を炉内に配置して燃焼
ガスが燃焼したときに二酸化炭素とともに発生する水分
を結露させて吸着して、外部へ排出する。
【００１１】この下方にはファン１１が設けられ、炉内
の空気を循環して温度分布を均一に保つ。なお、このフ
ァン１１の周辺に加熱用ヒーター２１が設置されること
がある。また、回路基板１２が搬送されてくる入口と出
口にはガスを燃焼して発生した二酸化炭素の外部流出を
防ぎ、外気の導入を防ぐ目的で遮へい板１３が設置され
ている。この遮へい板１３はシャッター式で回路基板１
２の通過時のみ開閉する方法も用いられる。なお、回路
基板１２の通過する炉の最初の仕切り内のゾーン１４に
紫外線照射部が設けられ、ゾーン１５に接着剤を硬化す
る接着剤硬化部を設けることもある。また、予熱ゾーン
１６を設け回路基板１２やそのうえに載置されたクリー
ム半田や部品を予熱することもある。
の空気を循環して温度分布を均一に保つ。なお、このフ
ァン１１の周辺に加熱用ヒーター２１が設置されること
がある。また、回路基板１２が搬送されてくる入口と出
口にはガスを燃焼して発生した二酸化炭素の外部流出を
防ぎ、外気の導入を防ぐ目的で遮へい板１３が設置され
ている。この遮へい板１３はシャッター式で回路基板１
２の通過時のみ開閉する方法も用いられる。なお、回路
基板１２の通過する炉の最初の仕切り内のゾーン１４に
紫外線照射部が設けられ、ゾーン１５に接着剤を硬化す
る接着剤硬化部を設けることもある。また、予熱ゾーン
１６を設け回路基板１２やそのうえに載置されたクリー
ム半田や部品を予熱することもある。
【００１２】（実施例２）次に水分吸収体を順次循環し
て燃焼ガスから発生する水分を吸収する本発明の実施例
２を図２を用いて説明する。本体１は先の例と同様に搬
送ベルト２を備え回路基板１２をベルトに載せて入口か
ら出口へ搬送する。水分吸収体１８の中には水分を吸収
する物質が詰められており、これが炉内でガスを燃焼す
ることにより発生した水分を吸収する。また、この水分
吸収体１８は炉内に設置または図示しない搬送装置によ
って順次本体１内を通過することにより炉内の水分を吸
収する。
て燃焼ガスから発生する水分を吸収する本発明の実施例
２を図２を用いて説明する。本体１は先の例と同様に搬
送ベルト２を備え回路基板１２をベルトに載せて入口か
ら出口へ搬送する。水分吸収体１８の中には水分を吸収
する物質が詰められており、これが炉内でガスを燃焼す
ることにより発生した水分を吸収する。また、この水分
吸収体１８は炉内に設置または図示しない搬送装置によ
って順次本体１内を通過することにより炉内の水分を吸
収する。
【００１３】（実施例３）第３の実施例として、炉内に
酸素吸収体を設置した例を図３を用いて説明する。図３
において、本体１の内部には、ヒーター２１とファン１
１が設置されており熱風を循環して、リフローを行う。
本体１の内部に酸素吸収体２２を設置してあり、ここ
で、酸素が吸収されることにより炉内の酸素濃度が減少
して、半田，回路基板，部品の酸化を防ぐ。この酸素吸
収体２２は炉内に設置または図示しない搬送装置によっ
て順次炉内を通過させて酸素を吸収させることもある。
また、酸素吸収体２２を炉内において、燃焼させて酸素
を吸収することもある。その場合には、点火装置を炉内
に備える。なお酸素吸収体２２は、マグネシウム，マン
ガン，アルミニウム，鉄を糸状にしたもの、もしくは粉
末状のものが用いられる。その他活性炭等の有機物多孔
体が用いられることもある。なお、上記実施例では、搬
送ベルト２により回路基板１２が連続的に搬送される例
を記したが、回路基板１２を炉内にバッチ的に搬入する
こともある。また、何枚かの回路基板１２を炉内に搬入
後に炉の入口，出口を閉じて処理を行うこともある。
酸素吸収体を設置した例を図３を用いて説明する。図３
において、本体１の内部には、ヒーター２１とファン１
１が設置されており熱風を循環して、リフローを行う。
本体１の内部に酸素吸収体２２を設置してあり、ここ
で、酸素が吸収されることにより炉内の酸素濃度が減少
して、半田，回路基板，部品の酸化を防ぐ。この酸素吸
収体２２は炉内に設置または図示しない搬送装置によっ
て順次炉内を通過させて酸素を吸収させることもある。
また、酸素吸収体２２を炉内において、燃焼させて酸素
を吸収することもある。その場合には、点火装置を炉内
に備える。なお酸素吸収体２２は、マグネシウム，マン
ガン，アルミニウム，鉄を糸状にしたもの、もしくは粉
末状のものが用いられる。その他活性炭等の有機物多孔
体が用いられることもある。なお、上記実施例では、搬
送ベルト２により回路基板１２が連続的に搬送される例
を記したが、回路基板１２を炉内にバッチ的に搬入する
こともある。また、何枚かの回路基板１２を炉内に搬入
後に炉の入口，出口を閉じて処理を行うこともある。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
リフロー方法は、炉内の酸素濃度を減じているので、熱
せられた回路基板の電極や部品の電極が酸化したり、予
熱時や溶融時に半田が酸化されて半田ボールとなること
が無い。これにより回路基板の洗浄が不要になる場合も
ある。またＩＣ部品のリードピッチが微細になるに従
い、半田ボールが電極間を短絡させ不良を生じることが
あるが、このようなことが無く、微細ピッチの半田付け
が容易になる。また、従来のリフロー方法では、洗浄を
無くすために弱活性のフラックスを用いることがあった
が、活性力が弱いために、回路基板の電極や部品の電極
に十分半田が濡れないといった不具合が発生していた。
ところが、本発明の方法によれば、酸素濃度の低い炉内
でリフローを行うので濡れ性が低下しなく、そのため弱
活性の洗浄が不要または洗浄が簡単なフラックスを使用
でき、ランニングコストの低減ができる。
リフロー方法は、炉内の酸素濃度を減じているので、熱
せられた回路基板の電極や部品の電極が酸化したり、予
熱時や溶融時に半田が酸化されて半田ボールとなること
が無い。これにより回路基板の洗浄が不要になる場合も
ある。またＩＣ部品のリードピッチが微細になるに従
い、半田ボールが電極間を短絡させ不良を生じることが
あるが、このようなことが無く、微細ピッチの半田付け
が容易になる。また、従来のリフロー方法では、洗浄を
無くすために弱活性のフラックスを用いることがあった
が、活性力が弱いために、回路基板の電極や部品の電極
に十分半田が濡れないといった不具合が発生していた。
ところが、本発明の方法によれば、酸素濃度の低い炉内
でリフローを行うので濡れ性が低下しなく、そのため弱
活性の洗浄が不要または洗浄が簡単なフラックスを使用
でき、ランニングコストの低減ができる。
【図１】本発明の実施例１のリフロー装置の構成を説明
する図
する図
【図２】本発明の実施例２のリフロー装置の構成を説明
する図
する図
【図３】本発明の実施例３のリフロー装置の構成を説明
する図
する図
【図４】従来のリフロー装置の構成を説明する図
５ 燃焼ガス（気体） １０ 水分トラップ（管状トラップ） １２ 回路基板 １８ 水分吸収体 ２２ 酸素吸収体
Claims (10)
- 【請求項１】 リフローする回路基板を、気体を燃焼さ
せて炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半田を溶
融する回路基板の酸素希薄型リフロー方法。 - 【請求項２】 気体を燃焼させて炉内の酸素を希薄にす
る燃焼装置を備えた回路基板の酸素希薄型リフロー装
置。 - 【請求項３】 炉内の管状トラップの中に冷却触媒また
は冷却水を流し、トラップの外側に結露した水分を除去
することにより気体の燃焼により発生する炉内の水分を
除去する請求項１記載の回路基板の酸素希薄型リフロー
方法。 - 【請求項４】 炉内の管状トラップの中に冷却触媒また
は冷却水を流し、トラップの外側に結露した水分を除去
することにより気体の燃焼により発生する炉内の水分を
除去する手段を設けた請求項２記載の回路基板の酸素希
薄型リフロー装置。 - 【請求項５】 水分吸収材を炉内に設置または順次供給
して、気体の燃焼により発生する炉内の水分を除去する
請求項１記載の回路基板の酸素希薄型リフロー方法。 - 【請求項６】 水分吸収材を炉内に設置または順次供給
して、気体の燃焼により発生する炉内の水分を除去する
手段を備えた請求項２記載の回路基板の酸素希薄型リフ
ロー装置。 - 【請求項７】 マグネシウム，マンガン，アルミニウ
ム，鉄等の酸化しやすい金属の粉末または糸状切断物、
または活性炭等の多孔質物質を炉内に設置または順次供
給して、それらの燃焼により炉内の酸素濃度を下げる、
リフローする回路基板を炉内の酸素を希薄にした状態で
予熱または半田を溶融する回路基板の酸素希薄型リフロ
ー方法。 - 【請求項８】 マグネシウム，マンガン，アルミニウ
ム，鉄等の酸化しやすい金属の粉末または糸状切断物、
または活性炭等の多孔質物質を炉内または炉外の外気導
入口に設置または順次供給して、それらの燃焼により炉
内の酸素濃度を下げる手段を備えた、リフローする回路
基板を炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半田を
溶融する回路基板の酸素希薄型リフロー装置。 - 【請求項９】 マグネシウム，マンガン，アルミニウ
ム，鉄等の酸化しやすい金属の粉末または糸状切断物、
または活性炭等の多孔質物質を充填した容器を炉内に設
置または順次供給し、その容器を炉内で開封することに
より炉内の酸素濃度を下げる、リフローする回路基板を
炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または半田を溶融す
る回路基板の酸素希薄型リフロー方法。 - 【請求項１０】 マグネシウム，マンガン，アルミニウ
ム，鉄等の酸化しやすい金属の粉末または糸状切断物、
または活性炭等の多孔質物質を充填した容器を炉内に設
置または順次供給し、その容器を炉内で開封することに
より炉内の酸素濃度を下げる手段を備えた、リフローす
る回路基板を炉内の酸素を希薄にした状態で予熱または
半田を溶融する回路基板の酸素希薄型リフロー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178086A JPH0550285A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178086A JPH0550285A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0550285A true JPH0550285A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=16042386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3178086A Pending JPH0550285A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | 回路基板の酸素希薄型リフロー方法およびリフロー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0550285A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268359A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | はんだ付け方法 |
| JP2001199905A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-24 | Sony Corp | 有機化合物の分解方法 |
| US20100284237A1 (en) * | 2007-10-02 | 2010-11-11 | Yusuke Takemoto | Kneading apparatus |
| US20140269148A1 (en) * | 2007-10-02 | 2014-09-18 | Shin Nichinan Co., Ltd. | Kneading apparatus |
| JP2016083699A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 株式会社Uacj | ろう付炉及びアルミニウム材のろう付方法 |
| JP2023529005A (ja) * | 2020-06-10 | 2023-07-06 | フイルメニツヒ ソシエテ アノニム | 加齢臭の防止、低減または改善 |
| US12272669B2 (en) * | 2021-01-25 | 2025-04-08 | Infineon Technologies Ag | Arrangement for forming a connection |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP3178086A patent/JPH0550285A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268359A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Nippon Dennetsu Keiki Kk | はんだ付け方法 |
| JP2001199905A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-24 | Sony Corp | 有機化合物の分解方法 |
| US20100284237A1 (en) * | 2007-10-02 | 2010-11-11 | Yusuke Takemoto | Kneading apparatus |
| US20140269148A1 (en) * | 2007-10-02 | 2014-09-18 | Shin Nichinan Co., Ltd. | Kneading apparatus |
| JP2016083699A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 株式会社Uacj | ろう付炉及びアルミニウム材のろう付方法 |
| JP2023529005A (ja) * | 2020-06-10 | 2023-07-06 | フイルメニツヒ ソシエテ アノニム | 加齢臭の防止、低減または改善 |
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