JPH05503570A - 急速加熱装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に、急速加熱装置及び基板を加熱するための方法に関し、より詳細 には、基板加熱の空間制御を有する装置に関する。

発明の背景 半導体工業においては、基板の温度サイクルの際、基板の温度均一性を達成する のが望ましい。温度均一性は、フィルム蒸着、酸化物生成、エツチングのような １度活性化工程に対して基板の均一な処理変数（例えば、層厚、反応度、エツチ ング深さ）を提供する。さらに、基板の温度均一性は、ワーペイジや欠陥の生成 、スリップのような、熱応力を受けるウェーハの損傷を回避する必要がある。

第１図は、室１２内に配置されたウェーハ１１が複数のランプ１３がらの輻射に よって加熱される、従来技術のフルード型の急速加熱装置を概略的に示している 。この型の加熱装置は、温度の完全な空間ｗＩ御を提供しない。主要な問題点は 、ウェーハ上の異なる領域が異なるエネルギ吸収、即ち放射率特性を有すること である。例えば、熱的に隔離されたウェーハをｌθ〜３００６Ｃ／秒程度で熱を 照射する急速熱処理サイクルの際、（ウェーハに均一な照射を仮定する）フルー ド加熱源を使用してウェーハを加熱する場合には、縁部は中央部とは興なる１度 を維持する。何故ならば、縁部がより広範囲から放射エネルギを受け入れ或いは より広範囲にエネルギを放出するからである。

第２図は、フルード型の加熱源について、ウェーハの中央部及び縁部での１度を 時間の関数として示したものである。加熱サイクルの温度上昇部の際は、縁部は 中央部よりも温度が高く、温度安定状態及び温度下降部の際は、縁部は中央部よ りも１度が低い。縁部と中央部との温度のかかる相違は、ウェーハに半径方向の 応力を生じさせ、かかる半径方向の応力は、十分に大きい場合には、ウェーハを ＮＡ傷させ、多くの処Ｎ（特に、ウェーハの機械的強度ががなり減少する高温処 理）において、許容できる程度ではなくなる。例えば、１１５０″Ｃにおいて、 ４インチのシリコンウェーハでの中央部と縁部の約５°Ｃの１度差は、転位の形 成及びスリップを引き起こす。タングステンハロゲンランプ列又は単一のアーク ランプのような、いくつかの１通のフルード型の加熱源を変形して、例えば温度 上昇の際、１つのサインの中央部対縫部の温度差を補整することができる。ンエ ーディング又はリフレクタを使用して、ウェーハの縁部よりも中央部により多く の光エネルギを提供することができるが、かかる加熱源は、熱サイクルの全ての 部分において温度均一性を提供することは不可能である。

また、他の加熱源によって１度勾配を生じさせることもできる。例えばウェーハ は、ウェーハの表面積又は容積の空間的な修正のため、非均−な放射率を有する 。これらの修正は、フォトリトグラフィ又はバイポーラトランジスタの層のよう な局所的にドープされた領域によってかたどられたフィルムを有する。さらに、 局部的な冷却及び加熱作用、並びに、処理の際に基板面に引き起こされる吸熱又 は発熱反応によって、温度勾配を生ずることがある。

発明の目的及び要約 本発明の一般的な目的は、半導体ウェーハ又は基板を急速加熱処理するための改 良された加熱源を提供することにある。

本発明の別の目的は、基板に加えられる加熱エネルギの空間的な制御を可能にす る加熱源を提供することにある。

本発明の別の目的は、ウェーハ又は基板に加えられた熱を空間的に制御して、ウ ェーハが熱エネルギを放出し又は吸収することができる局部的な変化にもがかわ らず、温度均一性を維持することができる加！＃！源を提供することを目的とす る。

本発明の別の目的は、基板又はウェーハの所定の首なり領域にエネルギを提供す る、複数の独立の制御された加熱源を提供することを目的とする。

本発明の別の目的は、基板又はウェーハの所定領域にエネルギを各々提供する複 数の独立の制御された加熱源と、加えられるエネルギの制御がウェーハの均一な 温度を維持することができるように前記領域の温度を検知するためのセンサとを 有する加熱源を提供することを目的とする。

本発明の別の目的は、エネルギ源からのエネルギをウェーハ又は基板の所定の重 なり領域に差し向ける、複数の光ガイドを有する加熱源を提供することを目的と する。

本発明の別の目的は、改良された光ガイド源および処理室窓組立体を提供するこ とを目的とする。

本発明の上述の、並びにその他の目的は、基板の所定領域を輻射するように各々 作用する複数の輻射エネルギ源と、隣接する源の輻射された領域の一部が重なり 合い、かつ、該一部で異なる源からのエネルギ強度が加算されるように、輻射エ ネルギ源を互いに隣接して取付けるための手段と、輻射エネルギ源の各々の強度 を制御するための手段とを有し、これにより、ウェーハ又は基板の異なる領域で 輻射強度を制御する加熱源によって達成される。

より詳細には、本発明は、互いに１１１１１１’して取付けられている光ガイド と各々関連したｖＩ数の輻射エネルギ源を有しており、該光ガイドは、基板の所 定領域に相対輻射強度のパターンで輻射するため、関連した源から基板の方へ輻 射エネルギを差し向けるように作用する。光ガイドは、隣接する光ガイドの輻射 された領域の一部が重なり合うように間隔を隔てられており、前記一部での輻射 強度は、輻射エネルギ源の組み合わせの強度に依存するウェーハの相対強度を提 供するように加算される。

図面の簡単な説明 第１図は、従来技術の急速加熱源の概略図である。第２図は、ウェーハがフルー ド型の加熱源によって輻射されたとき、ウェーハの中央部と縁部の温度を時間の 関数として示したグラフである。第３図は、本発明の一実施例の急速加熱装置の 、第４図の線３−３における横断面図である。ｊＦＩＪ図は、本発明の急速加熱 装置の、第３図の線４−４における断面図である。第５図は、本発明による光ガ イド及び温度検知管を示す拡大図である。第６図は、第３図に示した真空窓の一 部の拡大図である。第７図は、２種類の表面仕上げに対する、光ガイドからの相 対的な輻射強度を距離の関数として示したグラフである。第８図は、輻射を、入 射及び反射エネルギの波長の関数として示した曲線である。第９図は、処理すべ きウェーハの前部を観察する赤外線カメラを有する急速加熱装置の概略図である 。

第１０図は、本発明の急速加熱装置を制御するのに使用される代表的な制御回路 の概略図である。

達するものとして示されている。室の壁は、参照符号１４で示されている。装置 は室の土壁を形成しており、窓組立体１７と協同する０リング１６によって土壁 に密封されている。輻射エネルギ光ガイド組立体Ｉ８が、窓Ｉ７の上に位置する ものとして示されている。、輻射エネルギ組立体は、複数のタングステンハロゲ ン電球ブ１９（例えばシルバニアＥＹＴランプ）を有しており、これらのランプ は、ステンレス鋼や真鍮、アルミニウム等の材料で作られた光ガイド２１の内側 に各々取付けられている。円筒形壁２４が壁２２．２３の周縁に溶接付けされて おり、壁２２．２３とともに冷却室２６を構成する。水のような冷却液が入口２ ７がら室に導入され、出口２８から除去される。特に第４図を参照すると、流体 は種々の光ガイド間の空隙を移動し、光ガイドを冷却するのに役立つ。室内を流 体が適当に流れるように、バッフル２９を設けても良い。

ランプ１９は、軸線がランプ包囲体の軸線と平行になるようにコイル状に巻かれ たフィラメントを有する。光の大部分は、周囲の光ガイドの壁の方へこの軸線と 直交方向に放出される。第５図では、光ガイド２１のランプ１９の好適な組立体 が示されている１、上部のステンレス鋼のスリーブ３１が光ガイド内に配置され ており、下部のステンレス鋼のスリーブ３２も光ガイド内に配置されている。ス リーブ３２の内面は、表面か酸化しないように、がっ、高反射率を維持するよう に、金めっきされている。ステンレス鋼のスリーブに直接会めっきし、そしてス リーブをランプからの輻射によって１ａ熱したときには、金はステンレス鋼を散 乱させて、反射率を幾分損なう。この問題は、ステンレス鋼と金との間にニッケ ルの散乱バリヤを使用することによって解決される。非電着性金属析出のニッケ ルめっき技術を使用してニッケルバリヤを設け、次いで金めつきによって高純度 の金を付けた。

ランプからの輻射エネルギの略半分が、多くの反射の後、関連した光ガイドの端 から出る。他の半分は、ランプの底部で吸収される。このことは、開放空間に放 射するランプと比較して、ランプの底部をよ・り高温にさせる。底部が高１にな りすぎると、ランプの平均寿命はがなり減少する。ランプのかがる性能低下は、 れ、その結果得られた酸化モリブデンは体積膨張を引き起こし、かかる体積膨張 は石英を破壊し回路の開放の原因となる。かくして、ランプ底部を冷却するため の手段を提供することが必要であった。スリーブ３Ｉとランプ底部３４との間に 、適所で容易に溶融することができるはんだ合金３６のような金属を配置するこ とによって、金属から周囲のステンレス鋼壁３１への良好な熱伝達が得られる。

このことは、ランプ底部３４か許容可能な温度で作動するのを可能にする。かか るはんだ付けは、まずセラミックのポツティング３７を置いてダムを形成し、次 いでランプ底部３４とステンレス鋼壁３１との間の空隙に金属を付けることによ って実施される。

包囲体の温度が５５０’Ｃ以上に上昇したとき、第２のランプ破損機構が発生し 、この温度で、石英包囲体は、包囲体内部のガス種と反応し始める。さらに、包 囲体は、バルーン又はブリスタに十分な程軟化する。何故ならば、タングステン ハロゲン電球が極めて高いガス圧力で作動するからである。この問題は、電球包 囲体と金めっき反射スリーブ３２との間に正確な接地石英スリーブ３９を挿入し て空気よりも良好な熱伝導路を形成することによって、軽減される。

また、定格電圧以下の電圧でランプを作動させることによって、ランプの寿命延 ばすことができる。何故ならば、一般的に寿命か印加された電圧に指数的に依存 するからである。かくして、電圧を下げることによって、寿命を大幅に増大させ ることができる。

光ガイドの長さは、関連したランプの長さと少なくとも同じであるように選定さ れる。ウェーハに到達する電力が増加した反射によって実質的に弱められない場 合には、より長くしても良い。第７図は、円筒形ガイドについて、磨かれた面が 、サンドブラスト仕上げの管よりもより焦点の合った形体となることを示す。

第７図の強度スキャンは、光ガイドの端部にモニタを走査することによって得ら れた。かくして、輻射の領域及び強度パターンを、表面仕上げの制御によって制 御することができる。

均一な照度即ち所望の空間形体を得るように、ガイドの形体、横断面形状、長さ 、空間レイアウト及び仕上げを実験的にｉ週にすることができる。これは′、単 一のランプ光ガイドの空間強度形体を測定し、次いでフンピユータ・を使用して 線形重ね合わせによって多数のランプ光ガイドの強度形体を総計することによっ て得られる。かくして、光ガイドの金スリーブ仕上げやラップ間隔、形状のよう な重要なパラメータを制御して隣接する光ガイドからの輻射の重複を調整するこ とによって、均一な強度形体を連成することができ：この均一な強度形体は、個 々のランプへのランプ電力を制御して動的温度均一性、即ち改良した定常状態均 一性を得ることによって調整することかできる。

複数の光ガイド及び関連したランプからなる輻射エネルギｒＡ１８により、薄い 石英窓を使用すると、排気された処理室内で基板を加熱するための光学ポートと なる。普通の真空照射及び加熱システムは、大気圧に耐えるため比較的厚い石英 窓を必要としている。窓は、熱い基板からの、或いは加熱源自体からの赤外線画 を吸収することによって極めて熱くなる。熱い石英窓は、真空処理室にとって幾 つかの欠屯を有する。窓の密封材料ｉ’１分解することがある。基板の冷却速度 は減少し、かくして、処理機械のスループｙト即ち生産性を減少させる。反応ガ スが熱分解して窓を１い、これにより、窓の透過性状を減少させ非均−にする。

執い石英窓は、光学的高温計を使用してウェーハ温度を検出するのに使用される スペクトルの領域において、黒体輻射を放出する。かかる干渉は、正確なウェー ハ温度の測定の復雑さを増大させる。

本発明の好適な実施例によれば、第６図により詳細に示した水冷石英窓組立体１ ７か使用される。窓組立体は短い光ガイド４１を有しており、これらの光ガイド は、外線が壁４４に密封された上部及び下部フランジ板４２．４３にはんだ付け されている。冷却水は光ガイド間の空隙４６に注入され、光ガイド及びフランジ を冷却するのに役立つ。光ガイドは、反射器の光ガイド２１と位置合わせされて いる。ランプハウジングと位置合わせされた光ガイ°ドパターンをもつ水冷フラ ンジは、２つの石英板４７．４８との間に挟まれている。これらの板は、フラン ツの周囲の近くで０リング４９．５１によってフランジに８：封されている。上 部及び下部フランツ板４２．４３は、光ガイド間を連通させる溝５２を有する。

フランツ面の微小凹部即ち溝によ、って管の残部に連結されている光ガイドの１ つに接続された管５３を通して圧送することによって、管に真空が引かれる。か くして、この挿入構造体が真空室に配置されるとき、金属（代表的には、良好な 機械的強度を有するステンレス鋼）のフランジ１よ、良好な構造支持体となる。

真空室を実際に密封している下部石英窓は、各々の側力（真空であるので、殆ど 或いは全く差圧を受けず、かくして、石英窓を極めて薄くすることができる。

アダプタ板の方式により、石英窓を清掃又は分解のため容易に交換することがで きる。さらに、アダプタ板の石英窓間の真空は、毒性ガスが反応室から漏洩しな いように、特別な保護を提供する。この真空の圧力の変化は、窓の破壊を検出す るのに使用される。一旦検出されると、安全な係止信号が反応器をパージし安全 状態に戻す。

ランプの輻射強度を調整するために、基板又はウェーハの温度を測定することが 必要である。ウェーハの温度分布は、熱電対を使用して監視することができる。

しかしながら、多くの熱電対をウェーハに取付け、良好な空間分解能をもつ温度 均一データを得るのは困難である。さらに、熱電対自体がウェーハの局部的な加 熱及び冷却を変え、間違った１度測定値を与えることがある。熱電対を取付ける 技術は、ウェーハを実際に処理するときには使用することができず、かくして、 設備を設置し校正するのに有用なだけである。

別の技術は、ウェーハの前面及び後面に焦点を合わせることができるＡｇｅｍａ によって作られるカメラのような赤外線カメラを使用することである。第９図を 参照すると、カメラ５１は、照射器１８によって照射されるウェーハ５２の背面 を見るものとして示されている。カメラは、ウェーハによって放出される８〜１ ２μｍの波長領域の輻射を検出する。加熱源からの光は検出されない。何故なら ば、波長か約４μｍ以上の光は全て石英窓によって吸収されるからである。赤外 線カメラは、６ｉｎ径のウェーハについてｆｉｎの１／ｌＯ以上の空間分解能で 、Ｉ２００ｏＣまでの温度に対して３″Ｃ以下の差を検出することができる。さ らに、ウェーハの温度の色付きマツプを毎秒何回もの速度で記憶し、かくして、 急速な熱上昇の際、ウェーハの１度均一性を監視することができる。カメラの使 用については、個々のランプに各々加えられる電力を手動調節しさえすれば、温 度均一性を得ることが可能である。或いは、カメラは、輻射パターンを検出し、 かつ、電球の各々に対してシリコン制御された整流器又は他の電力供給部を制御 してウェーハＯ正確な温度均一性を維持するコンピュータにビデオ入力を供給す る光学的ビックアブプと関連してもよい。

しかしながら、市販の機械では、高価すぎて各反応器に別々の赤外線カメラを使 用することはできない。何故ならば、赤外線カメラの価格が高く、また多くの場 合、ガスインジェクタや他の処理機械がウェーハの視界をぼかすからである。

かくして、照射された側からウェーハの温度を測定するのが望ましい。

本発明の別の特徴によれば、光ガイド間の空隙には、ウェーハから出る光が光学 的高温計又は検出器に到達する路を形成する小さな中空管５８か設けられている 。

次に第５図を参照すると、高温計又は検出器５６は、上部フランジ２２と下部フ ランジ２３との間に延びた光ガイド５８に連結されたアダプタ５７と協同するも のとして示されている。フィルタ５９が高温計の前に挿入されており、石英窓に よって通過される波長領域外である４、８〜５．２μｍの波長領域の赤外線を通 過するように選定される。かくして、ランプからの光は、検出器によ１て検出さ れるウェーハからの輻射と干渉乙ない。

窓組立体では、光ガイド５８に隣接した石英窓４７．４８は、切り欠かれており 、そして約６５μｍ外の波長の光を伝達するサファイア窓６１を備えたものとし て示されている。かくして、ウェーハからの光は、サファイア窓からフィルタ５ ９を介して光ガイド５８まで、そして検出器５６へ通り、この検出！Ｓ５６は、 光ガイドの観測場の範囲内においてウェーハの表面温度を表す出力信号を出す。

第８図を参照すると、ランプ及びウェーハの輻射波長は、注釈付きの曲線によっ て示されている。フィルタ５９の帯域は、石英のカットオフ波長とサファイアの カットオフ波長との間の窓部６０によって示されている。エネルギは主としてウ ェーハのエネルギであることが分かる。

光ガイドの寸法は代表的には、直径が０．１５ｉｎ、長さが５ｉｎである。この 形体は、高温計によって調べられたウェーハの領域が小さくなるようにする。何 故ならば、このような光ガイドの許容角度が小さいからである。多くの高温計を 使用してウェーハの多くの領域を調べることができる。

適当な調整されたソフトウェアを使用して、各高温針に接近したランプ群への電 力は、局所的な領域に加えられるエネルギを制御するように調節される。この技 術を使用して、動的なウェーハ温度均一性は、自動化される。かくして、基板の 温度は、時間と位置の関数として制卸される。所望の温度対時間の関係が制御コ ンピュータに入力され、多数の高温計のフィードバックループが、ウェーハ温度 が均一であり熱サイクル全体にわたって維持されることを確実にする。かかる技 術の一層の利点は、処理室の光学的性賀の変化又は前の熱履歴にもかかわらず、 温度均一性を達成することかでき、かくして、通常使用時に多くの反応器にとっ て問題となる室のメモリ効果を除去することである。高１計とランプとの組み合 わせは、ウェーハを回転させることによって単純化される。何故ならば、ランプ を半径に応じて高温計の制御ループを選定することができるからである。このこ とは、必要とされる高温計及び制御ループの数を著しく減少させる。また、つ工 −ハの回転は、ウェーハ表面へのガス注入及び質量搬送のような他の処理パラメ ータの均一性を向上させる。

第３図を参照すると、ウェーハ６１は、支持管６３に取付けられた間隔を隔てた 支持フィンガ６２によって、縁部が支持されている。支持管６３は、ベアリング 組立体６４によって室１４の壁から回転可能に支持されている。磁石６６は、支 持体に取付けられている。磁石の磁場は壁１４に及んでおり、適当に駆動される 駆動リング（図示せず）に取付けられた磁石６７に接続されている。リングの回 転は、ウェーハ支持管及びウェーハを回転させる。磁石接合は、精巧な真空密封 組立体の必要性を除去する。

処理ガスを室１３に注入するためのガス注入へラド６９が概略的に示されており 、これにより、室内で種々の処理行程を実施することができる。

第１Ｏ図を参照すると、本発明による急速加熱処理装置のための制御回路が概略 的に示されている。１度センサ５６は、注釈を付けられたウェーハ１度を表すア ナログ出力信号を出す。アナログ出力信号は、アナログ−デジタルコンバータ７ ２によって変換される。デジタル信号は、コンピュータ７３に加えられる。所望 の温度時間関係がコンピュータに入力される。すると、コンピュータは、個々の ランプ又は各センサと関連したランプ群への電力を制御する２つの入力整流器７ ４に応答する出力デジタル１８号を出す。

バルブ電球が燃え尽きて新しい電球を取付けたとき、析しい電球を調整して束状 の照明形体を維持しなければならない。このことは、熱量計を使用して、各電球 に対して光出力対電圧特性を測定することによって達成される。かくして、ラン プを交換するとき、コンピュータのスケーリング・ファクターの検査表を改訂し て電球の差を説明する。任意の電球に電力指令が与えられるとき、電力指令はま ずスケーリングファクターを使用して修正され、次いでシリコン制御された整流 器を制御するように送られる。

かくして、ウェーハ処理の際、ウェーハの温度を精密に制御して応力によるつ工 −ハの損傷を最小にすることかできる急速加熱操作か提供される。

時間 Ｌ３ ＦＩ（１１，、−４ Ｆｉｇ、　５ ＦＩＧ、−６ 距離（インチ） Ｆｉｇ、　７ λ波長 要約書 基数を照射し基板に熱を供給するように構成された複数の光ガイドにランプが配 置されている急速加凱装置。光ガイドは、照射パターンが重なり合うように位置 決めされている。ランプに供給されるエネルギは、基板に所定の加熱パターンを 提供するように制御される。液冷窓が、排気された室に配置されたウェーハにエ ネルギを伝達するために、光ガイドと協同する。

平成　年　月　日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．急速加熱処理の際、基板を加熱するための加熱源であって、相対的なエネル ギ強度パターンで基板の所定の一定領域を梧射する、複数の輻射エネルギ源と、 隣接するエネルギ源の所定の輻射領域の部分が隣のエネルギ源の所定の輻射領域 と重なり合うように、儒射エネルギ源を隣接して取付けるための手段と、基板の 異なる領域での輻射を制御するために、輻射エネルギ源の強度を制御するための 手段と、 を含むことを特徴とする加熱源。 ２．基板の急速加熱処理の際、基板を加熱するための加熱源であって、複数の輻 射エネルギ源と、 複数の光ガイドとを含み、該光ガイドは各々、輻射エネルギ源を包囲し輻射エネ ルギ源を越えて延びており、前記光ガイドは、相対的な輻射強度パターンで基板 の所定の一定の領域を輻射するために、光ガイドの軸線に沿って関連した輻射エ ネルギ源から基板の方へ輻射エネルギを差し向けるように各々作用し、光ガイド は、隣接する光ガイドの所定の一定の輻射領域の一部が互いに重なり合い、かつ 、輻射エネルギ源の各々の強度に応じて基板に輻射強度を提供するように前記部 分での強度が増すように、間隔を隔てている、ことを特徴とする加熱源。 ３．基板の所定の温度形体を維持するため、基板の種々の箇所で温度を検出し、 各輻射エネルギ源からの輻射エネルギを制御するための手段を有することを特徴 とする、請求の範囲第２項に記載の加熱源。 ４．前記温度検出手段は、基板の前記箇所からの輻射を検出する高温計からなる ことを特徴とする、請求の範囲第２項に記載の加熱源。 基板を加熱するための加熱装置であって、複数の輻射エネルギ源と、 輻射エネルギ源の各々に対して間隔を隔てた複数の光ガイドとを含み、前記光ガ イドは、エネルギ源を包囲しエネルギ源を越えて延びており、かつ、エネルギ源 からのエネルギを、光ガイドに沿って、基板の表面の所定の一定の重なり領域に 差し向けるように作用し、 輻射エネルギ源を室に通して基板の表面を輻射する窓を有する、排気された基板 処理室と、 基板を室内に窓に隣接して支持するための手段と、種々の箇所で基板の温度を検 出するための手段と、輻射エネルギ源の各々からの輻射エネルギを制御して基板 上に所定の温度形体を維持するための、輻度に応答する制御手段と、をさらに含 むことを特徴とする加熱装置。 ６．各輻射エネルギ源は、細長い高強度ランプであることを特徴とする請求の範 囲第５項に記載の加熱源。 ７．光ガイドは、冷却剤を循環させて光ガイド及び関連したランプを冷却するこ とができる冷却室に延びていることを特徴とする請求の範囲第６項に記載の加熱 装置。 ８．前記窓は、水冷石英窓組立体からなることを特徴とする請求の範囲第５項に 記載の加熱装置。 ９．石英窓組立体は、複数の短い光ガイドを有し、該短い光ガイドは前記複数の 光ガイドと位置合わせされており、前記複数の短い光ガイドは、両端が間隔を隔 てたフランジ板に固定され、外壁がフランジ板の縁部に固定されており、短い光 ガイドのフランジ板と外壁は、冷却室を構成しており、第１及び第２の石英窓は 、フランジ板に密封されて、フランジ板及び光ガイドとともに真空室を構成して いることを特徴とする請求の範囲第８項に記載の加熱装置。 １０．基板を支持するための手段は、前記支持体を前記室に回転可能に取付ける ための手段を有することを特徴とする、請求の範囲第５項に記載の加熱装置。 １１．前記取付け手段はベアリングに取付けられ、磁石を有しており、該磁石の 磁場は、前記壁を貫通して磁気駆動手段に接続し、これにより前記取付け手段を 回転させることを特徴とする、請求の範囲第１０項に記載の加熱装置。 １２．ランプは底部をもつ包囲体を有しており、底部から光ガイドに熱エネルギ を伝達するため、底部と光ガイドとの間に熱電導体が直接配置されていることを 特徴とする、請求の範囲第６項に記載の加熱装置。 １３．ランプは底部をもつ包囲体を有しており、底部から光力イド及び冷却剤に 熱エネルギを伝達するため、底部と光ガイドとの間に熱電導体が直接配置されて いることを特徴とする、請求の範囲第７項に記載の加熱装置。 １４．熱電導体は弾力性のある金属であることを特徴とする、請求の範囲第１２ 項に記載の加熱装置。 １５．基板の急速熱処理の際、基板を加熱するための加熱源であって、フィラメ ントを各々有する複数の輻射エネルギ源と、複数の光ガイドとを含み、該光ガイ ドは各々、輻射エネルギ源のフィラメントを包囲しており、前記光ガイドは、互 いに隣接して取付けられており、かつ、相対的な輻射強度パターンで基板の所定 の一定の領域を輻射するために、関連したフィラメントから光ガイドの軸線に沿 って基板の方へ輻射エネルギを差し向けるように各々作用し、光ガイドは、隣接 する光ガイドの所定の一定の輻射領域の一部が重なり合い、かつ、輻射エネルギ 源の各々の強度に応じて基板に輻射強度を提供するように前記部分での強度が増 すように、間隔を隔てていることを特徴とする加熱源。