JPH0551173B2 - - Google Patents
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- JPH0551173B2 JPH0551173B2 JP61267601A JP26760186A JPH0551173B2 JP H0551173 B2 JPH0551173 B2 JP H0551173B2 JP 61267601 A JP61267601 A JP 61267601A JP 26760186 A JP26760186 A JP 26760186A JP H0551173 B2 JPH0551173 B2 JP H0551173B2
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- microwave
- plasma
- microwaves
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波プラズマ処理装置に係り、
特に半導体基板等のエツチングならびにデポジシ
ヨンに好適なマイクロ波プラズマ処理装置に関す
るものである。
特に半導体基板等のエツチングならびにデポジシ
ヨンに好適なマイクロ波プラズマ処理装置に関す
るものである。
従来の装置は、特開昭59−103340号に記載のよ
うに、放電管の周囲を囲んで取り付けた導波管の
他端にマグネトロンを設け、放電管の開口部に反
射円板あるいは反射円筒を設けて、マグネトロン
からのマイクロ波を反射円板あるいは反射円筒で
反射させて放電管内で効率良くプラズマを発生さ
せるようになつていた。
うに、放電管の周囲を囲んで取り付けた導波管の
他端にマグネトロンを設け、放電管の開口部に反
射円板あるいは反射円筒を設けて、マグネトロン
からのマイクロ波を反射円板あるいは反射円筒で
反射させて放電管内で効率良くプラズマを発生さ
せるようになつていた。
上記従来技術は、反射端と放電管との位置関係
および放電管または反射端の形状について配慮さ
れておらず、プラズマの発生効率および被処理物
の処理速度の均一性の点で問題があつた。
および放電管または反射端の形状について配慮さ
れておらず、プラズマの発生効率および被処理物
の処理速度の均一性の点で問題があつた。
プラズマの発生効率の点については、放電管に
注入される入射波のプラズマ発生効率は低く、入
射波に対し50％以上の反射波が存在することが分
かつた。このため、前記特開昭59−103340号に記
載のように、放電管内に注入されたマイクロ波電
力を反射円板あるいは反射円筒で反射させて、往
復するマイクロ波電力を有効に使用してプラズマ
発生効率を向上させることができるが、放電管か
ら反射端までの距離、すなわち放電管内に注入さ
れたマイクロ波電力の通過距離によつて、プラズ
マの発生効率が大きく変わることが判明した。
注入される入射波のプラズマ発生効率は低く、入
射波に対し50％以上の反射波が存在することが分
かつた。このため、前記特開昭59−103340号に記
載のように、放電管内に注入されたマイクロ波電
力を反射円板あるいは反射円筒で反射させて、往
復するマイクロ波電力を有効に使用してプラズマ
発生効率を向上させることができるが、放電管か
ら反射端までの距離、すなわち放電管内に注入さ
れたマイクロ波電力の通過距離によつて、プラズ
マの発生効率が大きく変わることが判明した。
また、被処理物の処理速度の均一性の点につい
ては、従来の半球状の放電管でプラズマを発生さ
せて、被処理物を例えばエツチングすると、エツ
チング速度に不均一が生じる。これは、放電管の
球面に沿つて強いプラズマが発生し、プラズマ発
生部にて造られた活性粒子が被処理物に到達する
までに、主に中性粒子との衝突によつてエネルギ
を失い不活性粒子となつてしまい、被処理物とプ
ラズマ発生部との距離が球面に沿つて離れるに従
い急速に活性粒子の数が減少して生じるものと考
えられる。
ては、従来の半球状の放電管でプラズマを発生さ
せて、被処理物を例えばエツチングすると、エツ
チング速度に不均一が生じる。これは、放電管の
球面に沿つて強いプラズマが発生し、プラズマ発
生部にて造られた活性粒子が被処理物に到達する
までに、主に中性粒子との衝突によつてエネルギ
を失い不活性粒子となつてしまい、被処理物とプ
ラズマ発生部との距離が球面に沿つて離れるに従
い急速に活性粒子の数が減少して生じるものと考
えられる。
本発明は、被処理物を速くしかも均一に処理す
ることのできるマイクロ波プラズマ処理装置を提
供することにある。
ることのできるマイクロ波プラズマ処理装置を提
供することにある。
本発明では、
マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、
上記マイクロ波を導く導波管と、
上記導波管を介して導かれるマイクロ波を透過
し、透過したマイクロ波によりプラズマを発生す
る放電管と、 上記放電管の下方に設けられる試料台を有する
処理室と、 上記放電管と試料台との間に設けられ、上記放
電管を透過して到来するマイクロ波を上記放電管
側に反射させる反射端とが設けられ、 さらに、この反射端には、上記プラズマ中の活
性粒子が上記処理室内で均一に放出されるように
配置された多数の活性粒子通過孔が設けられる。
し、透過したマイクロ波によりプラズマを発生す
る放電管と、 上記放電管の下方に設けられる試料台を有する
処理室と、 上記放電管と試料台との間に設けられ、上記放
電管を透過して到来するマイクロ波を上記放電管
側に反射させる反射端とが設けられ、 さらに、この反射端には、上記プラズマ中の活
性粒子が上記処理室内で均一に放出されるように
配置された多数の活性粒子通過孔が設けられる。
上記反射端はマイクロ波を反射するので、プラ
ズマの発生効率が向上され、さらにプラズマ中の
活性粒子が通過する活性粒子通過孔が例えば上記
放電管の形状に対応して第８図に示すように上記
反射端に設けられるため、上記通過孔を通つて活
性粒子が上記処理室内で均一に放出される。
ズマの発生効率が向上され、さらにプラズマ中の
活性粒子が通過する活性粒子通過孔が例えば上記
放電管の形状に対応して第８図に示すように上記
反射端に設けられるため、上記通過孔を通つて活
性粒子が上記処理室内で均一に放出される。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第６図によ
り説明する。
り説明する。
第１図はマイクロ波プラズマ処理装置を示す。
円形導波管７の下側開口部には、小径の孔を複
数個有する反射端１０が取り付けられ、さらに、
被処理物、この場合はウエハ１２を載置し反射端
１０と平行な試料台１３を内設した処理室１１が
設けてある。１４は試料台１３の下部に設けら
れ、ウエハ１２を間接的に加熱するヒータであ
る。
数個有する反射端１０が取り付けられ、さらに、
被処理物、この場合はウエハ１２を載置し反射端
１０と平行な試料台１３を内設した処理室１１が
設けてある。１４は試料台１３の下部に設けら
れ、ウエハ１２を間接的に加熱するヒータであ
る。
円形導波管７の上側開口部には、試料台１３と
平行な凹面を有する放電管６が取り付けられ、さ
らに、矩形から円形へのマイクロ波の伝送モード
の変換を効率良く行なうためのステツプ変換器５
を介して矩形導波管２が設けてある。導波管２の
上端部にはマイクロ波発生源であるマグネトロン
１が取り付けてある。３は矩形導波管２内を戻る
反射波を吸収するためのアイソレータであり、４
は矩形導波管２を伝送されるマイクロ波の反射を
なくすための負荷のインピーダンス整合を行なう
スタブ式整合器である。
平行な凹面を有する放電管６が取り付けられ、さ
らに、矩形から円形へのマイクロ波の伝送モード
の変換を効率良く行なうためのステツプ変換器５
を介して矩形導波管２が設けてある。導波管２の
上端部にはマイクロ波発生源であるマグネトロン
１が取り付けてある。３は矩形導波管２内を戻る
反射波を吸収するためのアイソレータであり、４
は矩形導波管２を伝送されるマイクロ波の反射を
なくすための負荷のインピーダンス整合を行なう
スタブ式整合器である。
プラズマ発生室は、この場合、円形導波管７、
反射端１０および放電管６で囲まれて形成され
る。９は円形導波管７を冷却するための冷却水路
であり、８はプラズマ発生室内へ処理ガスを供給
するための処理ガス導入口である。処理室１１の
下部には図示しない排気装置がつなげられてお
り、処理室１１およびプラズマ発生室を所定の圧
力に減圧排気している。１５は放電管６を冷却す
るための冷却ガスを導入する冷却ガス導入口であ
る。
反射端１０および放電管６で囲まれて形成され
る。９は円形導波管７を冷却するための冷却水路
であり、８はプラズマ発生室内へ処理ガスを供給
するための処理ガス導入口である。処理室１１の
下部には図示しない排気装置がつなげられてお
り、処理室１１およびプラズマ発生室を所定の圧
力に減圧排気している。１５は放電管６を冷却す
るための冷却ガスを導入する冷却ガス導入口であ
る。
この場合、マグネトロン１は周波数2.45GHzの
ものであり、矩形導波管２はTE10モードが伝送
できる標準寸法とし、円形導波管７はマイクロ波
をカツトオフしない寸法113mm（例えば、TE11モ
ードの場合は72mm以上であれば良い。）とし、マ
イクロ波が透過可能でプラズマ発生室を形成する
放電管６としては石英製（この他に、アルミナ等
も使用できる。）の材料を使用している。また、
プラズマ発生室を形成する放電管６と反射端１０
との間隔はマイクロ波の管内波長λｇ（156.7mm）
の1/8以上の約λｇ／４（40mm）にし、放電管６の
円筒部の長さも約λｇ／４（40mm）としている。
反射端１０の孔はマイクロ波をカツトして反射可
能な寸法10mm（例えば、TE11モードの場合は72
mm以下であれば良い。）としている。
ものであり、矩形導波管２はTE10モードが伝送
できる標準寸法とし、円形導波管７はマイクロ波
をカツトオフしない寸法113mm（例えば、TE11モ
ードの場合は72mm以上であれば良い。）とし、マ
イクロ波が透過可能でプラズマ発生室を形成する
放電管６としては石英製（この他に、アルミナ等
も使用できる。）の材料を使用している。また、
プラズマ発生室を形成する放電管６と反射端１０
との間隔はマイクロ波の管内波長λｇ（156.7mm）
の1/8以上の約λｇ／４（40mm）にし、放電管６の
円筒部の長さも約λｇ／４（40mm）としている。
反射端１０の孔はマイクロ波をカツトして反射可
能な寸法10mm（例えば、TE11モードの場合は72
mm以下であれば良い。）としている。
上記構成において、ホトレジストのアツシング
を行なうウエハ１２を試料台１３上に載置し、処
理ガスとしてO2ガス200SCCMを円形導波管７内に
導入し、圧力を1Torrに保つた状態で、700Wの
マイクロ波を印加しスタブ式整合器４で負荷のイ
ンピーダンス整合を行なつて、プラズマ発生室に
O2ガスのプラズマを発生させると、図示したよ
うに、放電管６の内表面近傍にプラズマが発生
し、第２図に示すように、ウエハ１２の全面にわ
たつてほぼ均一で高いエツチンググレートのアツ
シング処理が行なわれた。
を行なうウエハ１２を試料台１３上に載置し、処
理ガスとしてO2ガス200SCCMを円形導波管７内に
導入し、圧力を1Torrに保つた状態で、700Wの
マイクロ波を印加しスタブ式整合器４で負荷のイ
ンピーダンス整合を行なつて、プラズマ発生室に
O2ガスのプラズマを発生させると、図示したよ
うに、放電管６の内表面近傍にプラズマが発生
し、第２図に示すように、ウエハ１２の全面にわ
たつてほぼ均一で高いエツチンググレートのアツ
シング処理が行なわれた。
これは、放電管６の面を試料台１３とほぼ同面
積で平行、すなわちウエハ１２の全面に対応して
平行に設けているので、放電管６の内表面で発生
したプラズマ中の活性粒子か反射端の孔を通つて
処理室１１内へ出ていく際に、活性粒子がプラズ
マ発生室内で同時に発生したプラズマ中の中性粒
子と主に衝突してエネルギを失い不活性粒子とな
つてしまうが、活性粒子がウエハ１２に到達する
までの距離がウエハ１２の全面にわたつて等しい
ので、ウエハ１２に到達する活性粒子の数がほぼ
一様になりエツチングレートが均一になるものと
考えられる。
積で平行、すなわちウエハ１２の全面に対応して
平行に設けているので、放電管６の内表面で発生
したプラズマ中の活性粒子か反射端の孔を通つて
処理室１１内へ出ていく際に、活性粒子がプラズ
マ発生室内で同時に発生したプラズマ中の中性粒
子と主に衝突してエネルギを失い不活性粒子とな
つてしまうが、活性粒子がウエハ１２に到達する
までの距離がウエハ１２の全面にわたつて等しい
ので、ウエハ１２に到達する活性粒子の数がほぼ
一様になりエツチングレートが均一になるものと
考えられる。
これを確かめるために、第３図に示す装置によ
りホトレジストのアツシングを行なつてみた。本
図において、前記第１図と同符号は同一部材を示
し、本図が第１図と異なる点は放電管６とウエハ
１２との距離ｌが変えられるように、放電管６を
ウエハ１２に平行な板状の放電管６ａとし、円形
導波管７の高さを変えた円形導波管７ａとして点
である。
りホトレジストのアツシングを行なつてみた。本
図において、前記第１図と同符号は同一部材を示
し、本図が第１図と異なる点は放電管６とウエハ
１２との距離ｌが変えられるように、放電管６を
ウエハ１２に平行な板状の放電管６ａとし、円形
導波管７の高さを変えた円形導波管７ａとして点
である。
上記構成の装置により、O2ガス200SCCMを円形
導波管７ａ内に導入し、圧力を1Torrに保つた状
態で、500Wのマイクロ波を印加して、放電管６
ａとウエハ１２との距離ｌを変えてウエハ１２の
アツシングを行なつた結果、第４図に示すよう
に、エツチング職度は距離ｌが大きくなるに従い
急激に低下することが分かつた。また、本実験か
ら近似式を求めると下式 ｙ＝y0・ｅ−（0.02〜0.06）（ｘ−x0） ……(1) で表わされることが分かつた。なお、ここでｙは
距離ｘでのエツチング量、y0は距離x0でのエツチ
ング量である。
導波管７ａ内に導入し、圧力を1Torrに保つた状
態で、500Wのマイクロ波を印加して、放電管６
ａとウエハ１２との距離ｌを変えてウエハ１２の
アツシングを行なつた結果、第４図に示すよう
に、エツチング職度は距離ｌが大きくなるに従い
急激に低下することが分かつた。また、本実験か
ら近似式を求めると下式 ｙ＝y0・ｅ−（0.02〜0.06）（ｘ−x0） ……(1) で表わされることが分かつた。なお、ここでｙは
距離ｘでのエツチング量、y0は距離x0でのエツチ
ング量である。
また、高いエツチングレートが得られたのは、
第５図に示すように、放電管６と反射端１０との
間隔をマイクロ波の管内波長λｇの1/4程度にす
ることにより、定在波が生じたときに入射したマ
イクロ波と反射端１０で反対したマイクロ波とに
よつて、放電管６の内表面近傍の電解強度Exが
最大となり、プラズマの発生効率が向上するから
であると考えられる。
第５図に示すように、放電管６と反射端１０との
間隔をマイクロ波の管内波長λｇの1/4程度にす
ることにより、定在波が生じたときに入射したマ
イクロ波と反射端１０で反対したマイクロ波とに
よつて、放電管６の内表面近傍の電解強度Exが
最大となり、プラズマの発生効率が向上するから
であると考えられる。
これを確かめるため、第５図に示す放電管６と
反射端１０との間隔Ldを種々変えて、反射電力
Prを測定してみたところ、第６図に示すように、
間隔Ldがマイクロ波の管内波長λｇの1/4、すな
わち40mmのところで反射電力Prが最小に達し、
Ld40mm以下では反射電力Prが大きくなつている
ことが分かる。すなわち、間隔Ldがマイクロ波
の管内波長λｇの1/4以下では、反射電力が多く
プラズマ発生に有効に寄与していないことが分か
る。また、この傾向は、投入電力Pfが大きい程顕
蓄に表われ、投入電力Pfが小さくなる程緩和され
る傾向にある。
反射端１０との間隔Ldを種々変えて、反射電力
Prを測定してみたところ、第６図に示すように、
間隔Ldがマイクロ波の管内波長λｇの1/4、すな
わち40mmのところで反射電力Prが最小に達し、
Ld40mm以下では反射電力Prが大きくなつている
ことが分かる。すなわち、間隔Ldがマイクロ波
の管内波長λｇの1/4以下では、反射電力が多く
プラズマ発生に有効に寄与していないことが分か
る。また、この傾向は、投入電力Pfが大きい程顕
蓄に表われ、投入電力Pfが小さくなる程緩和され
る傾向にある。
また、この場合は、間隔Ldが40mmでプラズマ
発生の効率が最大に達し、Ldが10mmではプラズ
マを発生させることはできなかつた。
発生の効率が最大に達し、Ldが10mmではプラズ
マを発生させることはできなかつた。
なお、プラズマの発生効率はλｇ／４以上が最
大となるが、間隔Ldが短くなれば、ウエハとの
距離もそれだけ短くなるので活性粒子の残る数が
増える確率が高くなるので、実用上は間隔Ldが
λｇ／８以上、しいて言えば、λｇ／８〜λｇ／
４が最適である。しかし、ウエハを放電管に近づ
けられれば、λｇ／４以上でもエツチングレート
は高いものが得られる。
大となるが、間隔Ldが短くなれば、ウエハとの
距離もそれだけ短くなるので活性粒子の残る数が
増える確率が高くなるので、実用上は間隔Ldが
λｇ／８以上、しいて言えば、λｇ／８〜λｇ／
４が最適である。しかし、ウエハを放電管に近づ
けられれば、λｇ／４以上でもエツチングレート
は高いものが得られる。
以上、本一実施例によれば、放電管６と反射端
１０との間隔をλｇ／８以上に設定することによ
つて、効率の良いプラズマ発生を得ることがで
き、反射端１０とウエハ１２との面を平行に設け
ることによつて、ウエハ１２の全面にわたつて均
一なアツシング処理を行なうことができるので、
ウエハ１２を速くしかも均一に処理することがで
きるという効果がある。
１０との間隔をλｇ／８以上に設定することによ
つて、効率の良いプラズマ発生を得ることがで
き、反射端１０とウエハ１２との面を平行に設け
ることによつて、ウエハ１２の全面にわたつて均
一なアツシング処理を行なうことができるので、
ウエハ１２を速くしかも均一に処理することがで
きるという効果がある。
次に、本発明の他の実施例を第７図〜第９図に
より説明する。
より説明する。
第７図において第１図と同符号は同一部材を示
し、本図が第１図と異なる点は放電管６と半球状
にしてウエハ１２との距離がウエハ１２の中心か
ら外側に広がるに従い離れるようにした放電管６
ｂを用いている点と、反射端１０を第８図に示す
ように中心から外側に向うに従い大きくなる孔複
数個を設けた反射端１０ａとした点である。
し、本図が第１図と異なる点は放電管６と半球状
にしてウエハ１２との距離がウエハ１２の中心か
ら外側に広がるに従い離れるようにした放電管６
ｂを用いている点と、反射端１０を第８図に示す
ように中心から外側に向うに従い大きくなる孔複
数個を設けた反射端１０ａとした点である。
反射端１０ａの孔の開口率は、放電管６ｂの形
状が半球状であるため、放電管６ｂの中央最下端
部と周辺部とではウエハ１２までの距離が、この
場合、50mm違い、ウエハ１２への活性粒子の到達
量がウエハ１２の全面にわたつて均等にならない
ので、前記(1)式により、ウエハ１２の各部におけ
るエツチング量を予測し、これに従い、開口率を
変えた。この場合は、反射端１０ａの周辺部の開
口率を中央に対して約10倍にしている。
状が半球状であるため、放電管６ｂの中央最下端
部と周辺部とではウエハ１２までの距離が、この
場合、50mm違い、ウエハ１２への活性粒子の到達
量がウエハ１２の全面にわたつて均等にならない
ので、前記(1)式により、ウエハ１２の各部におけ
るエツチング量を予測し、これに従い、開口率を
変えた。この場合は、反射端１０ａの周辺部の開
口率を中央に対して約10倍にしている。
上記構成の装置により、前記第１図の装置の場
合の条件と同条件で、ウエハ１２をアツシング処
理したところ、第９図のロに示すように、ウエハ
１２の全面にわたつてほぼ均一なエツチングレー
トでアツシングすることができる。
合の条件と同条件で、ウエハ１２をアツシング処
理したところ、第９図のロに示すように、ウエハ
１２の全面にわたつてほぼ均一なエツチングレー
トでアツシングすることができる。
第９図のイは、第７図の装置で反射端１０ａを
前記第１図の装置の場合のように孔の大きさを均
一にしてアツシングした場合のものを示す。この
場合は、放電管６ｂとウエハ１２との間の距離が
中央から外側に向うに従い離れて、エツチングレ
ートも下がつていることが良く分かる。
前記第１図の装置の場合のように孔の大きさを均
一にしてアツシングした場合のものを示す。この
場合は、放電管６ｂとウエハ１２との間の距離が
中央から外側に向うに従い離れて、エツチングレ
ートも下がつていることが良く分かる。
以上、本、他の実施例によれば、ウエハ１２か
らの距離が均等でない放電管６ｂであつても、反
射端１０ａの開口率を放電管６ｂからウエハ１２
までの距離によつて変えることにより、ウエハ１
２への活性粒子の到達量をウエハ１２の全面にお
いてほぼ均一にすることができるので、前記一実
施例同様にウエハの処理を均一にすることができ
る。また、放電管６ｂの半球状の下端と反射端１
０ａとの間隔をλｇ／８以上に設定することによ
り、前記一実施例と同様に効率の良いプラズマ発
生を行なわせることができるので、ウエハの処理
速度を速くすることができる。
らの距離が均等でない放電管６ｂであつても、反
射端１０ａの開口率を放電管６ｂからウエハ１２
までの距離によつて変えることにより、ウエハ１
２への活性粒子の到達量をウエハ１２の全面にお
いてほぼ均一にすることができるので、前記一実
施例同様にウエハの処理を均一にすることができ
る。また、放電管６ｂの半球状の下端と反射端１
０ａとの間隔をλｇ／８以上に設定することによ
り、前記一実施例と同様に効率の良いプラズマ発
生を行なわせることができるので、ウエハの処理
速度を速くすることができる。
なお、本実施例では下向きに凸状の放電管を用
いているが、上向に凸上の放電管でもかまわな
い。但し、ウエハと放電管内面との距離が遠くな
るので不利となる。
いているが、上向に凸上の放電管でもかまわな
い。但し、ウエハと放電管内面との距離が遠くな
るので不利となる。
また、前記第１図の放電管６の円筒部分の長さ
をλｇ／４にしているのは、放電管６の内表面の
面積を大きくしてプラズマ発生に寄与するマイク
ロ波の吸収効率を上げるためであるが、面積を増
やすために円筒部分の長さをむやみに長くするこ
とは、装置の大型化、放電管の内表面（プラズマ
発生部）からウエハまでの距離の増大となり、か
えつて効果が小さくなる。
をλｇ／４にしているのは、放電管６の内表面の
面積を大きくしてプラズマ発生に寄与するマイク
ロ波の吸収効率を上げるためであるが、面積を増
やすために円筒部分の長さをむやみに長くするこ
とは、装置の大型化、放電管の内表面（プラズマ
発生部）からウエハまでの距離の増大となり、か
えつて効果が小さくなる。
また、本実施例はウエハのエツチングの場合に
ついて述べたが、プラズマを用いてウエハ上にデ
ポジシヨンを生じさせる場合にも効用可能であ
る。
ついて述べたが、プラズマを用いてウエハ上にデ
ポジシヨンを生じさせる場合にも効用可能であ
る。
本発明によれば、放電管と反射端との間隔をマ
イクロ波の管内波長の1/8以上とし、処理室への
活性粒子の放出量を均一にする均一化手段を設け
ているので、被処理物を速くしかも均一に処理す
ることができるという効果がある。
イクロ波の管内波長の1/8以上とし、処理室への
活性粒子の放出量を均一にする均一化手段を設け
ているので、被処理物を速くしかも均一に処理す
ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例であるマイクロ波プ
ラズマ処理装置を示す縦断面図、第２図は第１図
の装置によるエツチング状態を示す図、第３図は
実験に用いた装置の縦断面図、第４図は第３図の
装置による実験結果を示す図、第５図は放電管と
反射端との間のマイクロ波の定在波電界を示す
図、第６図は放電管と反射端との距離とマイクロ
波の反射電力の関係を示す図、第７図は本発明の
他の実施例であるマイクロ波プラズマ処理装置を
示す縦断面図、第８図は第７図をＡ−Ａから見た
反射端の平面図、第９図は第７図の装置による反
射端の開口率を同じにした場合と変えた場合との
エツチング状態を示す図である。 １……マグネトロン、２……矩形導波管、６…
…放電管、７……円形導波管、１０……反射端、
１１……処理室、１３……試料台。
ラズマ処理装置を示す縦断面図、第２図は第１図
の装置によるエツチング状態を示す図、第３図は
実験に用いた装置の縦断面図、第４図は第３図の
装置による実験結果を示す図、第５図は放電管と
反射端との間のマイクロ波の定在波電界を示す
図、第６図は放電管と反射端との距離とマイクロ
波の反射電力の関係を示す図、第７図は本発明の
他の実施例であるマイクロ波プラズマ処理装置を
示す縦断面図、第８図は第７図をＡ−Ａから見た
反射端の平面図、第９図は第７図の装置による反
射端の開口率を同じにした場合と変えた場合との
エツチング状態を示す図である。 １……マグネトロン、２……矩形導波管、６…
…放電管、７……円形導波管、１０……反射端、
１１……処理室、１３……試料台。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マイクロ波を発生するマイクロ波発生源と、 上記マイクロ波を導く導波管と、 上記導波管を介して導かれるマイクロ波を透過
し、透過したマイクロ波によりプラズマを発生す
る放電管と、 上記放電管の下方に設けられる試料台を有する
処理室と、 上記放電管と試料台との間に設けられ、上記放
電管を透過して到来するマイクロ波を上記放電管
側に反射させる反射端とからなり、 この反射端は、上記プラズマ中の活性粒子が上
記処理室内で均一に放出されるように配置された
多数の活性粒子通過孔を有する ことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波プラ
ズマ処理装置において、 上記試料台と対向する上記放電管下面と上記反
射端との距離がマイクロ波の管内波長の1/8以上
に選ばれることを特徴とするマイクロ波プラズマ
処理装置。 ３ 特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波プラ
ズマ処理装置において、 上記試料台と対向する上記放電管下面と上記反
射端との距離がマイクロ波の管内波長の1/8〜1/4
に選ばれることを特徴とするマイクロ波プラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26760186A JPS63122123A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26760186A JPS63122123A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122123A JPS63122123A (ja) | 1988-05-26 |
| JPH0551173B2 true JPH0551173B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=17446996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26760186A Granted JPS63122123A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122123A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0612764B2 (ja) * | 1987-07-08 | 1994-02-16 | 日電アネルバ株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH0567586A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Nec Corp | Ｅｃｒプラズマエツチング装置 |
| KR940023322A (ko) * | 1993-03-17 | 1994-10-22 | 가나이 쯔도무 | 마이크로파 플라즈마 처리장치 |
| JPH06267910A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103340A (ja) * | 1983-09-21 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP26760186A patent/JPS63122123A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63122123A (ja) | 1988-05-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |