JPS63122123A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPS63122123A JPS63122123A JP61267601A JP26760186A JPS63122123A JP S63122123 A JPS63122123 A JP S63122123A JP 61267601 A JP61267601 A JP 61267601A JP 26760186 A JP26760186 A JP 26760186A JP S63122123 A JPS63122123 A JP S63122123A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波プラズマ処理装置に係り、特に半導
体基板等のエツチングならびにデポジシランに好適なマ
イクロ波プラズマ処Ｎ装置に関するものである。
体基板等のエツチングならびにデポジシランに好適なマ
イクロ波プラズマ処Ｎ装置に関するものである。
従来の装置は、特開昭５９−１０３３４０号に記載のよ
うに、放電管の周囲を囲んで取り付けた導波管の他端に
マグネトロンを設け、放電管の開口部に反射円板あるい
は反射円筒を設けて、マグネトロンからのマイクロ波を
反射円板あるいは反射円筒で反射させ′て放電管内で効
率良くプラズマを発生させるようになっていた。
うに、放電管の周囲を囲んで取り付けた導波管の他端に
マグネトロンを設け、放電管の開口部に反射円板あるい
は反射円筒を設けて、マグネトロンからのマイクロ波を
反射円板あるいは反射円筒で反射させ′て放電管内で効
率良くプラズマを発生させるようになっていた。
上記従来技術は、反射端と放電管との位置関係および放
電管または反射端の形状について配慮されておらず、プ
ラズマの発生効率および被処理物の処理速度の均一性の
点で問題があった。
電管または反射端の形状について配慮されておらず、プ
ラズマの発生効率および被処理物の処理速度の均一性の
点で問題があった。
プラズマの発生効率の点については、放電管に注入され
る入射波のプラズマ発生効率は低く、入射波に対し５０
％以上の反射波が存在することが分かった。このため、
前記特開昭５９−１０３３４０号に記載のように、放電
管内に注入されたマイクロ波電力を反射円板あるいは反
射円筒で反射させて、往復するマイクロ波電力を有効に
使用してプラズマ発生効率を向上させることができるが
、放電管から反射端までの距離、すなわち放電管内に注
入されたマイクロ波電力の通過距離によって、プラズマ
の発生効率が大きく変わることが判明した。
る入射波のプラズマ発生効率は低く、入射波に対し５０
％以上の反射波が存在することが分かった。このため、
前記特開昭５９−１０３３４０号に記載のように、放電
管内に注入されたマイクロ波電力を反射円板あるいは反
射円筒で反射させて、往復するマイクロ波電力を有効に
使用してプラズマ発生効率を向上させることができるが
、放電管から反射端までの距離、すなわち放電管内に注
入されたマイクロ波電力の通過距離によって、プラズマ
の発生効率が大きく変わることが判明した。
また、被処理物の処理速度の均一性の点については、従
来の半球状の放電管でプラズマを発生させて、被処理物
を例えばエツチングすると、エツチング速度に不均一が
生じる。これは、放電管の球面に沿って強いプラズマが
発生し、プラズマ発生部にて造られた活性粒子が被処理
物に到達するまでに、主に中性粒子との衝突によってエ
ネルギを失い不活性粒子となってしまい、被処理物とプ
ラズマ発生部との距離が球面に沿って離れるに従い急速
に活性粒子の数が減少して生じるものと考えられる。
来の半球状の放電管でプラズマを発生させて、被処理物
を例えばエツチングすると、エツチング速度に不均一が
生じる。これは、放電管の球面に沿って強いプラズマが
発生し、プラズマ発生部にて造られた活性粒子が被処理
物に到達するまでに、主に中性粒子との衝突によってエ
ネルギを失い不活性粒子となってしまい、被処理物とプ
ラズマ発生部との距離が球面に沿って離れるに従い急速
に活性粒子の数が減少して生じるものと考えられる。
本発明は、被処理物を速（しかも均一に処理することの
できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供することにあ
る。
できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供することにあ
る。
上記目的は、処理ガスが供給され所定の圧力に減圧排気
されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室をはさんで
一方に連通した処理室と、前記プラズマ発生室の反処理
室側に接続され他端にマイクロ波発生源を有する導波管
とから成り、前記プラズマ発生室と前記導波管との間に
設けられ大気としゃ断して前記プラズマ発生室を構成し
前記マ（クロ波発生源からのマイクロ波を透過する放電
−と、前記プラズマ発生室の反放電管側に設けられ前記
マイクロ波を反射する反射端との間隔を前記マイクロ波
の管内波長のｈ以上とし、前記プラズマ発生室で生じた
活性粒子を前記処理室内に均一に放出させる均一化手段
を設けることにより、達成される。
されるプラズマ発生室と、該プラズマ発生室をはさんで
一方に連通した処理室と、前記プラズマ発生室の反処理
室側に接続され他端にマイクロ波発生源を有する導波管
とから成り、前記プラズマ発生室と前記導波管との間に
設けられ大気としゃ断して前記プラズマ発生室を構成し
前記マ（クロ波発生源からのマイクロ波を透過する放電
−と、前記プラズマ発生室の反放電管側に設けられ前記
マイクロ波を反射する反射端との間隔を前記マイクロ波
の管内波長のｈ以上とし、前記プラズマ発生室で生じた
活性粒子を前記処理室内に均一に放出させる均一化手段
を設けることにより、達成される。
大気としゃ断して形成されたプラズマ発生室に処理ガス
を供給しながら所定の圧力に減圧保持して、マイクロ波
発生源からマイクロ波を発生させ導波管にてマイクロ波
をプラズマ発生室に導き、放電管を介してプラズマ発生
室に入射させる。入射したマイクロ波の定在波は放電管
の内壁から１／８波長以上離して設けられた反射端で反
射され、放電管の内面で大きな電界となって放電管内表
面近傍にプラズマを発生させる。プラズマ中で発生した
活性粒子は均一化手段により反射端を抜けて処理室に入
るまでの間できるだけ中性粒子との衝突が少なくなり、
処理室全面に均一に入るように調整される。これにより
、被処理物が速くしかも均一に処理される。
を供給しながら所定の圧力に減圧保持して、マイクロ波
発生源からマイクロ波を発生させ導波管にてマイクロ波
をプラズマ発生室に導き、放電管を介してプラズマ発生
室に入射させる。入射したマイクロ波の定在波は放電管
の内壁から１／８波長以上離して設けられた反射端で反
射され、放電管の内面で大きな電界となって放電管内表
面近傍にプラズマを発生させる。プラズマ中で発生した
活性粒子は均一化手段により反射端を抜けて処理室に入
るまでの間できるだけ中性粒子との衝突が少なくなり、
処理室全面に均一に入るように調整される。これにより
、被処理物が速くしかも均一に処理される。
以下１本発明の一実施例を第１図〜第６図により説明す
る。
る。
第１図はマイクロ波プラズマ処理装置を示す。
円形導波管７の下側開口部には、小径の孔を複数個有す
る反射端１０が取り付けられ、さらに、被処理物、この
場合はウェハνを載置し反射端１０と平行な試料台１３
を内設した処理室１１が設けである。
る反射端１０が取り付けられ、さらに、被処理物、この
場合はウェハνを載置し反射端１０と平行な試料台１３
を内設した処理室１１が設けである。
１４は試料台１３の下部に設けられ、ウェハ校を間接的
に加熱するヒータである。
に加熱するヒータである。
円形導波管７の上側開口部には、試料台１３と平行な凹
面を有する放電管６が取り付けられ、さらに、矩形から
円形へのマイクロ波の伝送モードの変換を効率良く行な
うためのステップ変換器５を介して矩形導波管２が設け
である。導波管２の上端部にはマイクロ波発生源である
マグネトロン１が取り付けである。３は矩形導波管２内
を戻る反射波を吸収するためのアイソレータであり、４
は矩形導波管２を伝送されるマイクロ波の反射をな！ 呪すための負荷のインピーダンス整合を行なうスタブ式
整合器である。
面を有する放電管６が取り付けられ、さらに、矩形から
円形へのマイクロ波の伝送モードの変換を効率良く行な
うためのステップ変換器５を介して矩形導波管２が設け
である。導波管２の上端部にはマイクロ波発生源である
マグネトロン１が取り付けである。３は矩形導波管２内
を戻る反射波を吸収するためのアイソレータであり、４
は矩形導波管２を伝送されるマイクロ波の反射をな！ 呪すための負荷のインピーダンス整合を行なうスタブ式
整合器である。
プラズマ発生室は、この場合、円形導波管７゜反射端１
０および放電管６で囲まれて形成される。
０および放電管６で囲まれて形成される。
９は円形導波管７を冷却するための冷却水路でろり、８
はプラズマ発生室内へ処理ガスを供給するための処理ガ
ス導入口である。処理室１１の下部には図示しない排気
装置がつなげられており、処理室１１およびプラズマ発
生室を所定の圧力に減圧排気している。１５は放電管６
を冷却するための冷却ガスを導入する冷却ガス導入口で
ある。
はプラズマ発生室内へ処理ガスを供給するための処理ガ
ス導入口である。処理室１１の下部には図示しない排気
装置がつなげられており、処理室１１およびプラズマ発
生室を所定の圧力に減圧排気している。１５は放電管６
を冷却するための冷却ガスを導入する冷却ガス導入口で
ある。
この場合、マグネトロンｌは周波数２．４５ＧＨｚのも
のであり、矩形導波管２はＴＥｌｏモードが伝送できる
標準寸法とし、円形導波管７はマイクロ波をカットオフ
しない寸法１１３１１１＋１（例えば、ＴＢ１□モード
の場合は７２１１１１１１以上であれば良い。）とし、
マイクロ波が透過可能でプラズマ発生室を形成する放電
管６としては石英製（この他に、アルミナ等も使用でき
る。）の材料を使用している。また、プラズマ発生室を
形成する放電管６と反射端１０との間隔はマイクロ波の
管内波長λＦ（１５６，７ｍｍ）（７） １／、以上の
約λＦ／ ４ （４０Ｍｍ）にし、放電管６０円筒部の
長さも約λｙ ／ ４ （４０ｔｌ＃ ）としている。
のであり、矩形導波管２はＴＥｌｏモードが伝送できる
標準寸法とし、円形導波管７はマイクロ波をカットオフ
しない寸法１１３１１１＋１（例えば、ＴＢ１□モード
の場合は７２１１１１１１以上であれば良い。）とし、
マイクロ波が透過可能でプラズマ発生室を形成する放電
管６としては石英製（この他に、アルミナ等も使用でき
る。）の材料を使用している。また、プラズマ発生室を
形成する放電管６と反射端１０との間隔はマイクロ波の
管内波長λＦ（１５６，７ｍｍ）（７） １／、以上の
約λＦ／ ４ （４０Ｍｍ）にし、放電管６０円筒部の
長さも約λｙ ／ ４ （４０ｔｌ＃ ）としている。
反射端１０の孔はマイクロ波をカットして反射可能な寸
法１０１１１１（例えば、Ｔｇｏモードの場合は７２−
以下であれば良い。）としている。
法１０１１１１（例えば、Ｔｇｏモードの場合は７２−
以下であれば良い。）としている。
上記構成において、ホトレジストの１ツシングを行なう
ウェハ認を試料台Ｂ上に載置し、処理ガスとして０２ガ
ス２００５ｃｃｙを円形導波管７内に導入し、圧力をＩ
Ｔｏｒｒに保った状態で、７００Ｗのマイクロ波を印加
しスタブ式整合器４で負荷のインピーダンス整合を行な
って、プラズマ発生室に０２ガスのプラズマを発生させ
ると、図示したように、放電管６の内表面近傍にプラズ
マが発生し、第２図に示すように、クエへ社の全面にわ
たってほぼ均一で高いエツチングレートのアッシング処
理が行なわれた。
ウェハ認を試料台Ｂ上に載置し、処理ガスとして０２ガ
ス２００５ｃｃｙを円形導波管７内に導入し、圧力をＩ
Ｔｏｒｒに保った状態で、７００Ｗのマイクロ波を印加
しスタブ式整合器４で負荷のインピーダンス整合を行な
って、プラズマ発生室に０２ガスのプラズマを発生させ
ると、図示したように、放電管６の内表面近傍にプラズ
マが発生し、第２図に示すように、クエへ社の全面にわ
たってほぼ均一で高いエツチングレートのアッシング処
理が行なわれた。
これは、放電管６の面を試料台１３とほぼ同面積で平行
、すなわちウェハ認の全面に対応して平行に設けている
ので、放電管６の内表面で発生したプラズマ中の活性粒
子が反射端の孔を通って処理室１１内へ出ていｑ際に、
活性粒子がプラズマ発生室内で同時に発生したプラズマ
中の中性粒子と主に衝突してエネルギを失い不活性粒子
となってしまうが、活性粒子がウェハ毘に到達するまで
の距離がウェハｎの全面にわたって等しいので、ウェハ
認に到達する活性粒子の数がほぼ一様になりエツチング
レートが均一になるものと考えられる。
、すなわちウェハ認の全面に対応して平行に設けている
ので、放電管６の内表面で発生したプラズマ中の活性粒
子が反射端の孔を通って処理室１１内へ出ていｑ際に、
活性粒子がプラズマ発生室内で同時に発生したプラズマ
中の中性粒子と主に衝突してエネルギを失い不活性粒子
となってしまうが、活性粒子がウェハ毘に到達するまで
の距離がウェハｎの全面にわたって等しいので、ウェハ
認に到達する活性粒子の数がほぼ一様になりエツチング
レートが均一になるものと考えられる。
これを確かめるために、第３図に示す装置によりホトレ
ジストのアッシングを行なってみた。本図において、前
記第１図と同符号は同一部材を示し、本図が第１図と異
なる点は放電管６とウェハ認との距離ｌが変えられるよ
うに、放電管６をウェハｎに平行な板状の放電管６ａと
し、円形導波管７の高さを変えた円形導波管７ａとした
点である。
ジストのアッシングを行なってみた。本図において、前
記第１図と同符号は同一部材を示し、本図が第１図と異
なる点は放電管６とウェハ認との距離ｌが変えられるよ
うに、放電管６をウェハｎに平行な板状の放電管６ａと
し、円形導波管７の高さを変えた円形導波管７ａとした
点である。
上記構成の装置により、０２ガス２００１１ｃｃＭを円
形導波管７ａ内に導入し、圧力をＩＴｏｒｒに保った状
態で、５００Ｗのマイクロ波を印加して、放電管６ａと
ウェハ認との距＃ｌを変えてウニノル丘のアッシングを
行なった結果、第４図に示すように、エツチング速度は
距１１１１１！が大きくなるに従い急激に低下すること
が分かりた。また、本実験から近似式を求めると下式 ｙ＝ｙ０・ｅ−（１０２〜ｏ、ｏｓ）（ｘ−！ｏ）
・−・・−・−・ｌｉｔで表わされることが分かった。
形導波管７ａ内に導入し、圧力をＩＴｏｒｒに保った状
態で、５００Ｗのマイクロ波を印加して、放電管６ａと
ウェハ認との距＃ｌを変えてウニノル丘のアッシングを
行なった結果、第４図に示すように、エツチング速度は
距１１１１１！が大きくなるに従い急激に低下すること
が分かりた。また、本実験から近似式を求めると下式 ｙ＝ｙ０・ｅ−（１０２〜ｏ、ｏｓ）（ｘ−！ｏ）
・−・・−・−・ｌｉｔで表わされることが分かった。
なお、ここでｙは距Ｐｌｘでのエツチング量、３’Ｏは
距１１１ｘＯでのエツチング量である。
距１１１ｘＯでのエツチング量である。
また、高いエツチングレートが得られたのは、第５図に
示すように、放電管６と反射端１０との間隔をマイクロ
波の管内波長λ２の１４程度にすることにより、定在波
が生じたときに入射したマイクロ波と反射端１０で反射
したマイクロ波とによって、放電管６の内表面近傍の電
界強度Ｅｘが最大となり、プラズマの発生効率が向上す
るからであると考えられる。
示すように、放電管６と反射端１０との間隔をマイクロ
波の管内波長λ２の１４程度にすることにより、定在波
が生じたときに入射したマイクロ波と反射端１０で反射
したマイクロ波とによって、放電管６の内表面近傍の電
界強度Ｅｘが最大となり、プラズマの発生効率が向上す
るからであると考えられる。
これを確かめるため、第５図に示す放電管６と反射端１
０との間隔Ｌｄを種々変えて、反射電力Ｐｒを幀定して
みたところ、′＠６図に示すように、間隔Ｌｄがマイク
ロ波の管内波長λ２の−１すなわち４０ｍ１１１のとこ
ろで反射電力Ｐｒが最小に達し、Ｌｄ４０■以下では反
射電力Ｐｒが大きくなっていることが分かる。すなわち
、間隔Ｌａがマイクロ波の管゛内波長λグのし、以下で
は、反射電力が多くプラズマ発生に有効に寄与していな
いことが分かる。また、この傾向は、投入電力Ｐｆが大
きい程顧蓄に表われ、投入電力Ｐｆが小さくなる程緩和
される傾向にある。
０との間隔Ｌｄを種々変えて、反射電力Ｐｒを幀定して
みたところ、′＠６図に示すように、間隔Ｌｄがマイク
ロ波の管内波長λ２の−１すなわち４０ｍ１１１のとこ
ろで反射電力Ｐｒが最小に達し、Ｌｄ４０■以下では反
射電力Ｐｒが大きくなっていることが分かる。すなわち
、間隔Ｌａがマイクロ波の管゛内波長λグのし、以下で
は、反射電力が多くプラズマ発生に有効に寄与していな
いことが分かる。また、この傾向は、投入電力Ｐｆが大
きい程顧蓄に表われ、投入電力Ｐｆが小さくなる程緩和
される傾向にある。
また、この場合は、間隔Ｌｄが４９ｍｍでプラズマ発生
の効率が最大に達し、Ｌｄが１０ｍｍではプラズマを発
生させることはできなかった。
の効率が最大に達し、Ｌｄが１０ｍｍではプラズマを発
生させることはできなかった。
なお、プラズマの発生効率はλｙ ／ １／８以上が最
大となるが、間隔Ｌｄが短畷なれば、ウェハとの距離も
それだけ短くなるので活性粒子の残る数が増える確率が
高くなるので、実用上は間隔ＬｄがλＰ／８以上、しい
て言えば、λＰ／８〜λｐ ／ ４ が最適である。し
かし、ウェハな放電管に近づけられれば、λｙ ／ １
／８以上でもエツチングレートは高いものが得られる。
大となるが、間隔Ｌｄが短畷なれば、ウェハとの距離も
それだけ短くなるので活性粒子の残る数が増える確率が
高くなるので、実用上は間隔ＬｄがλＰ／８以上、しい
て言えば、λＰ／８〜λｐ ／ ４ が最適である。し
かし、ウェハな放電管に近づけられれば、λｙ ／ １
／８以上でもエツチングレートは高いものが得られる。
以上、本−実施例によれば、放電管６と反射端１０との
間隔な２９７８以上に設定することによって、て、ウェ
ハ臆の全面にわたって均一なアッシング処理を行なうこ
とができるので、ウェハ臆を速くしかも均一に処理する
二とができるという効果がある。
間隔な２９７８以上に設定することによって、て、ウェ
ハ臆の全面にわたって均一なアッシング処理を行なうこ
とができるので、ウェハ臆を速くしかも均一に処理する
二とができるという効果がある。
次に、本発明の他の実施例を第７図〜第９図により説明
する。
する。
第７図において第１図と同符号は同一部材を示し、本図
が第１図と異なる点は放電管６を半球状にしてウェハ鵞
との距離がウェハ丘の中心から外側に広がるに従い離れ
るようにした放電管６ｂを用いている点と、反射＄１０
を第８図に示すように中心から外側に向うに従い大きく
なる孔複数個を設けた反射ｊｌｌＯａとした点である。
が第１図と異なる点は放電管６を半球状にしてウェハ鵞
との距離がウェハ丘の中心から外側に広がるに従い離れ
るようにした放電管６ｂを用いている点と、反射＄１０
を第８図に示すように中心から外側に向うに従い大きく
なる孔複数個を設けた反射ｊｌｌＯａとした点である。
反射端１０ ａの孔の開口率は、放電管６ｂの形状が半
球状であるため、放電管６ｂの中央最下端部と周辺部と
ではつ・エバｎまでの距離が、この場合、５０１１１１
１１違い、ウェハｎへの活性粒子の到達量がウェハｎの
全面にわたって均等にならないので、前記（１）式によ
り、ウェハｎの各部におけるエツチング量を予測し、こ
れに従い、関口率を変えた。この場合は、反射端１０Ｊ
１の周辺部の開口率を中央に対して約１０倍にしている
。
球状であるため、放電管６ｂの中央最下端部と周辺部と
ではつ・エバｎまでの距離が、この場合、５０１１１１
１１違い、ウェハｎへの活性粒子の到達量がウェハｎの
全面にわたって均等にならないので、前記（１）式によ
り、ウェハｎの各部におけるエツチング量を予測し、こ
れに従い、関口率を変えた。この場合は、反射端１０Ｊ
１の周辺部の開口率を中央に対して約１０倍にしている
。
上記構成の装置により、前記＠１図の装置の場合の条件
と同条件で、ウェハ鴛をアッシング処理したところ、第
９図の（ロ）に示すように、ウェハ鴛の全面にわたって
ほぼ均一なエツチングレートでアッシングすることがで
きる。
と同条件で、ウェハ鴛をアッシング処理したところ、第
９図の（ロ）に示すように、ウェハ鴛の全面にわたって
ほぼ均一なエツチングレートでアッシングすることがで
きる。
第９図の（イ）は、第７図の装置で反射４１０ ｍを前
記第１図の装置の場合のように孔の大きさを均一にして
アッシングした場合のものを示す。この場合は、放電管
６ｂとウェハ鴛との間の距離が中央から外側に向うに従
い離れて、エツチングレートも下がっていることが良く
分かる。
記第１図の装置の場合のように孔の大きさを均一にして
アッシングした場合のものを示す。この場合は、放電管
６ｂとウェハ鴛との間の距離が中央から外側に向うに従
い離れて、エツチングレートも下がっていることが良く
分かる。
以上、本、他の実施例によれば、ウェハ狡からの距離が
均等でない放電管６ｂであっても、反射端１０ ａの開
口率を放電管６ｂからウェハνまでの距離によって変え
ることにより、ウェハ鴛への活性粒子の到達量をウェハ
戎の全面においてほぼ均一にすることができるので、前
記一実施例同様にウェハの処理を均一にすることができ
る。また、放電管６ｂの半球状の下端と反射ｊ！１１０
ａとの間隔をλＦ／８以上に設定することにより、前
記一実施例と同様に効率の良いプラズマ発生を行なわせ
る二とができるので、ウェハの処理速度を速畷すること
ができる。
均等でない放電管６ｂであっても、反射端１０ ａの開
口率を放電管６ｂからウェハνまでの距離によって変え
ることにより、ウェハ鴛への活性粒子の到達量をウェハ
戎の全面においてほぼ均一にすることができるので、前
記一実施例同様にウェハの処理を均一にすることができ
る。また、放電管６ｂの半球状の下端と反射ｊ！１１０
ａとの間隔をλＦ／８以上に設定することにより、前
記一実施例と同様に効率の良いプラズマ発生を行なわせ
る二とができるので、ウェハの処理速度を速畷すること
ができる。
なお、本実施例では下向きに凸状の放電管を用いている
が、上向に凸状の放電管でもかまわない。
が、上向に凸状の放電管でもかまわない。
但し、ウェハと放電管内面との距離が遠くなるので不利
となる。
となる。
また、前記′＠１図の放電管６の円筒部分の長さをλｐ
／ ４にしているのは、放電管６の内表面の面積を大
きくしてプラズマ発生に寄与するマイクロ波の吸収効率
を上げるためであるが、面積を増やすために円筒部分の
長さをむやみに長畷すること蝉、１に！の大型化、放電
管の内表面（プラズマ発生部）からウェハまでの距離の
増大となり、かえ９て効果が小さくなる。
／ ４にしているのは、放電管６の内表面の面積を大
きくしてプラズマ発生に寄与するマイクロ波の吸収効率
を上げるためであるが、面積を増やすために円筒部分の
長さをむやみに長畷すること蝉、１に！の大型化、放電
管の内表面（プラズマ発生部）からウェハまでの距離の
増大となり、かえ９て効果が小さくなる。
また、本実施例はウェハのエツチングの場合について述
べたが、プラズマを用いてウェハ上にデポジシロンを生
じさせる場合にも応用可能である。
べたが、プラズマを用いてウェハ上にデポジシロンを生
じさせる場合にも応用可能である。
本発明によれば、放電管と反射端との間隔をマイクロ波
の管内波長の１／８以上とし、処理室への活性粒子の放
出量を均一にする均一化手段を設けているので、被処理
物をＲくしかも均一に処理することができるという効果
がある。
の管内波長の１／８以上とし、処理室への活性粒子の放
出量を均一にする均一化手段を設けているので、被処理
物をＲくしかも均一に処理することができるという効果
がある。
第１図は本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ処
理装置を示す縦断面図、第２因は第１図の装置によるエ
ツチング状態を示す図、第３図は実験に用いた装置の縦
断面図、第４図は第３面の装置による実験結果を示す図
、第５図は放電管と反射端との間のマイクロ波の定在波
電界を示す図、第６図は放電管と反射端との距離とマイ
クロ波の反射電力の関係を示す図、第７図は本発明の他
の実施例であるマイクロ波プラズマ処理装置を示す縦断
面図、第８図は第７図をＡ−Ａから見た反射端の平面図
、第９図は第７図の装置による反射端の開口率を同じに
した場合と変えた場合とのエツチング状態を示す図であ
る。 ｌ・・・・・・マグネトロン、２・・・・・・矩形導波
管、６・・・放電管、７・・・・・・円形導波管、１０
・・・・・・反射端、■・・・つＩノ１啼−こ々ｑ−リ
リシー陣Ｌ（り＾、嘴−ンイ３同 乃ズマ＃ｕＩｉｔＬｔうの壽暖駈！０１す３；ｉｒ５図 ４６ 囚
理装置を示す縦断面図、第２因は第１図の装置によるエ
ツチング状態を示す図、第３図は実験に用いた装置の縦
断面図、第４図は第３面の装置による実験結果を示す図
、第５図は放電管と反射端との間のマイクロ波の定在波
電界を示す図、第６図は放電管と反射端との距離とマイ
クロ波の反射電力の関係を示す図、第７図は本発明の他
の実施例であるマイクロ波プラズマ処理装置を示す縦断
面図、第８図は第７図をＡ−Ａから見た反射端の平面図
、第９図は第７図の装置による反射端の開口率を同じに
した場合と変えた場合とのエツチング状態を示す図であ
る。 ｌ・・・・・・マグネトロン、２・・・・・・矩形導波
管、６・・・放電管、７・・・・・・円形導波管、１０
・・・・・・反射端、■・・・つＩノ１啼−こ々ｑ−リ
リシー陣Ｌ（り＾、嘴−ンイ３同 乃ズマ＃ｕＩｉｔＬｔうの壽暖駈！０１す３；ｉｒ５図 ４６ 囚
Claims (1)
- １、処理ガスが供給され所定の圧力に減圧排気されるプ
ラズマ発生室と、該プラズマ発生室をはさんで一方に連
通した処理室と、前記プラズマ発生室の反処理室側に接
続され他端にマイクロ波発生源を有する導波管とから成
り、前記プラズマ発生室と前記導波管との間に設けられ
前記マイクロ波発生源からのマイクロ波を透過する放電
管と、前記プラズマ発生室の反放電管側に設けられ前記
マイクロ波を反射する反射端との間隔を前記マイクロ波
の管内波長の１／８以上とし、前記プラズマ発生室で生
じた活性粒子を前記処理室内に均一に放出させる均一化
手段を設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267601A JPS63122123A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61267601A JPS63122123A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122123A true JPS63122123A (ja) | 1988-05-26 |
| JPH0551173B2 JPH0551173B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=17446996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61267601A Granted JPS63122123A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122123A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414921A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Anelva Corp | Microwave plasma processor |
| JPH0567586A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Nec Corp | Ｅｃｒプラズマエツチング装置 |
| JPH06267910A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| US5647944A (en) * | 1993-03-17 | 1997-07-15 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma treatment apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103340A (ja) * | 1983-09-21 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61267601A patent/JPS63122123A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59103340A (ja) * | 1983-09-21 | 1984-06-14 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414921A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Anelva Corp | Microwave plasma processor |
| JPH0567586A (ja) * | 1991-09-09 | 1993-03-19 | Nec Corp | Ｅｃｒプラズマエツチング装置 |
| JPH06267910A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| US5647944A (en) * | 1993-03-17 | 1997-07-15 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma treatment apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0551173B2 (ja) | 1993-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |