JPH0551192B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0551192B2 JPH0551192B2 JP61220235A JP22023586A JPH0551192B2 JP H0551192 B2 JPH0551192 B2 JP H0551192B2 JP 61220235 A JP61220235 A JP 61220235A JP 22023586 A JP22023586 A JP 22023586A JP H0551192 B2 JPH0551192 B2 JP H0551192B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- frame
- laser diode
- photodiode
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光通信用モジユール機能を持つた
半導体装置に関するものである。
半導体装置に関するものである。
第３図は従来の光通信用モジユールを示す斜視
図である。この図において、２１は樹脂からなる
筺体であり、光フアイバ系に接続される部分であ
る。２２はキヤンタイプのレーザダイオードまた
はLEDであり、筺体２１内に設けられた穴に固
定されている。２３はキヤンタイプのホトダイオ
ードであり、筺体２１内に設けられた穴部に固定
されている。
図である。この図において、２１は樹脂からなる
筺体であり、光フアイバ系に接続される部分であ
る。２２はキヤンタイプのレーザダイオードまた
はLEDであり、筺体２１内に設けられた穴に固
定されている。２３はキヤンタイプのホトダイオ
ードであり、筺体２１内に設けられた穴部に固定
されている。
次に動作について説明する。
レーザダイオード２２は外部駆動回路（図示せ
ず）により駆動され、伝送データに従つた電気信
号を光信号に変換する。変換された光信号は光フ
アイバケーブルを通り、相手側の受光部に到達す
る。ホトダイオード２３は、相手側の光送信部よ
り発せられた光信号を光フアイバケーブルを経由
して受光し、その光信号を電気信号に変更し、パ
ソコンまたはコンピユータ等のＩ／Ｏ部へ送る。
ず）により駆動され、伝送データに従つた電気信
号を光信号に変換する。変換された光信号は光フ
アイバケーブルを通り、相手側の受光部に到達す
る。ホトダイオード２３は、相手側の光送信部よ
り発せられた光信号を光フアイバケーブルを経由
して受光し、その光信号を電気信号に変更し、パ
ソコンまたはコンピユータ等のＩ／Ｏ部へ送る。
従来の光通信用モジユールは以上のように、高
価なレーザダイオードまたはLED２２、ホトダ
イオード２３を樹脂からなる筺体２１へ組み込む
構成となつているので、コストが高いこと、およ
び容積が非常に大きくなるの等の問題点があつ
た。
価なレーザダイオードまたはLED２２、ホトダ
イオード２３を樹脂からなる筺体２１へ組み込む
構成となつているので、コストが高いこと、およ
び容積が非常に大きくなるの等の問題点があつ
た。
この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、超小型化ができるととも
に、低価格な半導体装置を得ることを目的とす
る。
めになされたもので、超小型化ができるととも
に、低価格な半導体装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る半導体装置は、レーザダイオー
ドまたはLEDとホトダイオードとを金属フレー
ム上にマウントするとともに、これらの半導体素
子と外部リードとを金属細線等で結線し、全体を
樹脂でモールドしたものである。
ドまたはLEDとホトダイオードとを金属フレー
ム上にマウントするとともに、これらの半導体素
子と外部リードとを金属細線等で結線し、全体を
樹脂でモールドしたものである。
この発明においては、金属フレーム上にレーザ
ダイオードまたはLEDとホトダイオードとをマ
ウントし、全体を樹脂でモールドしたことから小
型化、低価格化が図れる。
ダイオードまたはLEDとホトダイオードとをマ
ウントし、全体を樹脂でモールドしたことから小
型化、低価格化が図れる。
この発明の一実施例を第１図について説明す
る。第１図において、１はCuまたはFe−Ni等の
金属からなるフレーム、２，３，４はCuまたは
Fe−Ni等の金属からなるリード、５は送信用の
レーザダイオードまたはLED、６，７はモニタ
用および受信用のホトダイオードＡ、ホトダイオ
ードＢ（これら５，６，７を総称して必要により
半導体素子という）であり、これら半導体素子５
〜７はフレーム１の所定の位置に半田等で接着さ
れている。８はAu等からなる金属細線であり、
半導体素子５〜７の電極（図示せず）とリード２
〜４とを電気的に導通すべく接続している。９は
透明樹脂であり、半導体素子５〜７その他をモー
ルドしている。
る。第１図において、１はCuまたはFe−Ni等の
金属からなるフレーム、２，３，４はCuまたは
Fe−Ni等の金属からなるリード、５は送信用の
レーザダイオードまたはLED、６，７はモニタ
用および受信用のホトダイオードＡ、ホトダイオ
ードＢ（これら５，６，７を総称して必要により
半導体素子という）であり、これら半導体素子５
〜７はフレーム１の所定の位置に半田等で接着さ
れている。８はAu等からなる金属細線であり、
半導体素子５〜７の電極（図示せず）とリード２
〜４とを電気的に導通すべく接続している。９は
透明樹脂であり、半導体素子５〜７その他をモー
ルドしている。
レーザダイオードまたはLED５は、リード２
に印加された電気信号により駆動され、その端面
より光信号を発し、透明樹脂９に接続された光フ
アイバケーブルに伝送する。ホトダイオードＡ６
は、レーザダイオードまたはLED５の端面より
発せられた光信号を捕えて電気信号に変換し、レ
ーザダイオードまたはLED５の発光状態をモニ
タリングしている。
に印加された電気信号により駆動され、その端面
より光信号を発し、透明樹脂９に接続された光フ
アイバケーブルに伝送する。ホトダイオードＡ６
は、レーザダイオードまたはLED５の端面より
発せられた光信号を捕えて電気信号に変換し、レ
ーザダイオードまたはLED５の発光状態をモニ
タリングしている。
ホトダイオードＢ７は、透明樹脂９に接続され
た光フアイバケーブルより光信号を受け、電気信
号に変換する。
た光フアイバケーブルより光信号を受け、電気信
号に変換する。
第２図はこの発明の他の実施例を示す半導体装
置の斜視図である。この実施例の特徴は、フレー
ム１１上に駆動用回路を構成したICチツプ１６
を半田等によつて取り付け、その各電極とリード
１２〜１５間を金属細線８で結線したものであ
り、その動作は第１図の実施例と同様である。
置の斜視図である。この実施例の特徴は、フレー
ム１１上に駆動用回路を構成したICチツプ１６
を半田等によつて取り付け、その各電極とリード
１２〜１５間を金属細線８で結線したものであ
り、その動作は第１図の実施例と同様である。
上記各実施例のように、フレーム１および１１
の一部をＬ字状に折り曲げ、この折曲げ部の垂直
面１ａ，１１ａにそれぞれホトダイオードオード
Ｂ７を取り付けることにより一層の小型化が実現
できる。例えば、上記実施例によれば、装置の容
積を従来の1/10以下にすることが可能となる。
の一部をＬ字状に折り曲げ、この折曲げ部の垂直
面１ａ，１１ａにそれぞれホトダイオードオード
Ｂ７を取り付けることにより一層の小型化が実現
できる。例えば、上記実施例によれば、装置の容
積を従来の1/10以下にすることが可能となる。
この発明は以上説明したように、レーザダイオ
ードまたはLEDとホトダイオード等の半導体素
子を同一フレーム上に取り付け、透明樹脂でモー
ルドしたので、半導体素子として外装していない
チツプを用いて定められた位置に正確に配置して
おくことができる。また、ホトトランジスタはフ
レームの一部に設けたＬ字状の折曲げ部の垂直面
に取付けることで、立体的にフレームを使用でき
るため、装置が極めて小型化できるとともに、安
価に構成できる利点がある。
ードまたはLEDとホトダイオード等の半導体素
子を同一フレーム上に取り付け、透明樹脂でモー
ルドしたので、半導体素子として外装していない
チツプを用いて定められた位置に正確に配置して
おくことができる。また、ホトトランジスタはフ
レームの一部に設けたＬ字状の折曲げ部の垂直面
に取付けることで、立体的にフレームを使用でき
るため、装置が極めて小型化できるとともに、安
価に構成できる利点がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置
の斜視図、第２図はこの発明の他の実施例を示す
半導体装置の斜視図、第３図は従来の半導体装置
の光通信モジユールを示す斜視図である。 図において、１はフレーム、１ａは垂直面、２
〜４はリード、５はレーザダイオードまたは
LED、６はホトダイオードＡ、７はホトダイオ
ードＢ、８は金属細線、９は透明樹脂である。な
お、各図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。
の斜視図、第２図はこの発明の他の実施例を示す
半導体装置の斜視図、第３図は従来の半導体装置
の光通信モジユールを示す斜視図である。 図において、１はフレーム、１ａは垂直面、２
〜４はリード、５はレーザダイオードまたは
LED、６はホトダイオードＡ、７はホトダイオ
ードＢ、８は金属細線、９は透明樹脂である。な
お、各図中の同一符号は同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- １ 送信用のレーザダイオードまたはLEDがフ
レーム上に接着され、前記フレームの一部に形成
したＬ字状の折曲げ部の垂直面に受信用のホトダ
イオードが接着され、各リードと前記送信用のレ
ーザダイオードまたはLEDおよび受信用のホト
ダイオードとがワイヤボンデイングされ、さらに
全体が透明樹脂でモールドされていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220235A JPS6373678A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61220235A JPS6373678A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373678A JPS6373678A (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0551192B2 true JPH0551192B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=16748006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61220235A Granted JPS6373678A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373678A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366472B1 (en) * | 1988-10-28 | 1994-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| JPH02125687A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH02125688A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Sony Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH0523563U (ja) * | 1991-07-17 | 1993-03-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| EP1020933B1 (en) * | 1999-01-13 | 2003-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photocoupler device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827952U (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-23 | 株式会社東芝 | 光結合半導体装置 |
| JPS59119774A (ja) * | 1982-12-25 | 1984-07-11 | Toshiba Corp | 光結合半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP61220235A patent/JPS6373678A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6373678A (ja) | 1988-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |