JPS6373678A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6373678A
JPS6373678A JP61220235A JP22023586A JPS6373678A JP S6373678 A JPS6373678 A JP S6373678A JP 61220235 A JP61220235 A JP 61220235A JP 22023586 A JP22023586 A JP 22023586A JP S6373678 A JPS6373678 A JP S6373678A
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JP
Japan
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laser diode
led
photodiode
resin
leads
Prior art date
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Application number
JP61220235A
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English (en)
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JPH0551192B2 (ja
Inventor
Masahide Yamauchi
山内 眞英
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS6373678A publication Critical patent/JPS6373678A/ja
Publication of JPH0551192B2 publication Critical patent/JPH0551192B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光通信用モジュール機能を持った半導体装
置に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の光通信用モジュールを示す斜視図である
。この図において、21は樹脂からなる筐体であり、光
フアイバ系に接続される部分である。22はキャンタイ
プのレーザダイオードまたはLEDであり、筐体21内
に設けられた穴に固定されている。23はキャンタイプ
のホトダイオードであり、筐体21内に設けられた穴部
に固定されている。
次に動作について説明する。
レーザダイオード22は外部駆動回路(図示せず)によ
り駆動され、伝送データに従った電気信号を光信号に変
換する。変換された光信号は光フアイバケーブルを通り
、相手側の受光部に到達する。ホトダイオード23は、
相手側の光送信部より発せられた光信号を光フアイバケ
ーブルを経由して受光し、その光信号を電気信号に変更
し、パソコンまたはコンピュータ等のI10部へ送る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の光通信用モジュールは以上のように、高価なレー
ザダイオードまたはLED22.ホトダイオード23を
樹脂からなる筐体21へ組み込む構成となっているので
、コストが高いこと、および容積が非常に大きくなる等
の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、超小型化ができるとともに、低価格な半導
体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、レーザダイオードまたは
LEDとホトダイオードとを金属フレーム上にマウント
するとともに、これらの半導体素子と外部リードとを金
属細線等で結線し、全体を樹脂でモールドしたものであ
る。
〔作用〕
この発明においては、金属フレーム上にレーザダイオー
ドまたはLEDとホトダイオードとをマウントし、全体
を樹脂でモールドしたことから小型化、低価格化が図れ
る。
〔実施例〕
この発明の一実施例を第1図について説明する。第1図
において、1はCuまたはFe−Ni等の金属からなる
フレーム、2,3.4はCuまたはFe−Ni等の金属
からなるリード、5はレーザダイオードまたはLED、
6,7はホトダイオードA、ホトダイオードB(これら
5,6.7を総称して必要により半導体素子という)で
あり、これら半導体素子5〜7はフレーム1の所定の位
置に半田等で接着されている。8はAu等からなる金属
細線であり、半導体素子5〜7の電極(図示せず)とリ
ード2〜4とを電気的に導通すべく接続している。9は
透明樹脂であり、半導体素子5〜7その他をモールドし
ている。
レーザダイオードまたはLED5は、リード2に印加さ
れた電気信号により駆動され、その端面より光信号を発
し、透明樹脂9に接続された光フアイバケーブルに伝送
する。ホトダイオードA6は、レーザダイオードまたは
LED5の端面より発せられた光信号を捕えて電気信号
に変換し、レーザダイオードまたはLi=n5の発光状
態をモニタリングしている。
ホトダイオードB7は、透明樹脂9に接続された光フア
イバケーブルより光信号を受け、電気信号に変換する。
第2図はこの発明の他の実施例を示す半導体装置の斜視
図である。この実施例の特徴は、フレーム11上に駆動
用回路を構成したICチップ16を半田等によって取り
付け、その各電極とリード12〜15間を金属細線8で
結線したものであり、その動作は第1図の実施例と同様
である。
上記各実施例のように、フレーム1および11の一部を
L字状に折り曲げ、この折曲げ部の垂直面1a、lla
にそれぞれホトダイオードB7を取り付けることにより
一層の小型化が実現できる0例えば、上記実施例によれ
ば、装置の容積を従来のl/10以下にすることが可能
となる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したように、レーザダイオードまた
はLEDとホトダイオード等の半導体素子を同一フレー
ム上に取り付け、透明樹脂でモールドしたので、装置が
極めて小型化できるとともに、安価に構成できる利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の斜視図
、第2図はこの発明の他の実施例を示す半導体装置の斜
視図、第3図は従来の半導体装置の光通信モジュールを
示す斜視図である。 図において、1はフレーム、laは垂直面、2〜4はリ
ード、5はレーザダイオードまたはLED、6はホトダ
イオードA、7はホトダイオードB、8は金属細線、9
は透明樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄    (外2名)第1図 9:澄明樹脂 第2図 第3図 り1

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザダイオードまたはLEDおよび所要数のホ
    トダイオードを同一フレーム上に接着して各リードとワ
    イヤボンディングした後、全体を透明樹脂でモールドし
    たことを特徴とする半導体装置。
  2. (2)ホトダイオードは、フレームの一部をL字状に折
    り曲げ、この折曲げ部の垂直面に取り付けたことを特徴
    とする特許請求の範囲第(1)項記載の半導体装置。
JP61220235A 1986-09-17 1986-09-17 半導体装置 Granted JPS6373678A (ja)

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JP61220235A JPS6373678A (ja) 1986-09-17 1986-09-17 半導体装置

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JP61220235A JPS6373678A (ja) 1986-09-17 1986-09-17 半導体装置

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JPS6373678A true JPS6373678A (ja) 1988-04-04
JPH0551192B2 JPH0551192B2 (ja) 1993-07-30

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ID=16748006

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JP61220235A Granted JPS6373678A (ja) 1986-09-17 1986-09-17 半導体装置

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JPH0551192B2 (ja) 1993-07-30

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